磁場發(fā)生器及具有該磁場發(fā)生器的磁共振設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種磁場發(fā)生器及具有該磁場發(fā)生器的磁共振設(shè)備，包括梯度磁場發(fā)生器和高頻諧振腔天線，高頻諧振腔天線包括電容、分別與電容各自對(duì)應(yīng)端電連接的第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層以及第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)的填充介質(zhì)層，梯度磁場發(fā)生器為嵌入式梯度磁場發(fā)生器，第二高頻屏蔽層屏蔽梯度磁場發(fā)生器嵌入部分和未嵌入部分。磁場發(fā)生器采用去渦流設(shè)計(jì)，能有效減少渦流損耗，提高效率；梯度磁場發(fā)生器嵌入到高頻諧振腔天線的諧振腔內(nèi)，可以在相同的厚度下提升發(fā)射線圈的效率，且梯度線圈的性能沒有任何影響，有利于成像質(zhì)量；在相同效率下，節(jié)省了空間，節(jié)省了成本，或相同成本制造的磁體的給病人的空間可以更大。
【專利說明】
磁場發(fā)生器及具有該磁場發(fā)生器的磁共振設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種磁場發(fā)生器及具有該磁場發(fā)生器的磁共振設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)代醫(yī)療技術(shù)中，磁共振成像設(shè)備是一種常用的醫(yī)療設(shè)備，其原理是利用磁共振現(xiàn)象來檢測被測的人體或樣品希望檢查的部分的密度分布、松弛時(shí)間分布等，并由測得的數(shù)據(jù)以圖像形式顯示出被檢查的人體或樣品部分的斷面圖像或三維圖像。
[0003]在這種磁共振設(shè)備中，由一基本磁場磁體產(chǎn)生的靜態(tài)基本磁場Bo，與由一梯度線圈系統(tǒng)產(chǎn)生的快速切換的梯度磁場ZBo重疊。而產(chǎn)生梯度磁場的梯度線圈系統(tǒng)通常會(huì)在周邊的閉合導(dǎo)體中感應(yīng)出渦流，消弱梯度磁場，并且使它的隨時(shí)間變化的曲線失真，這將損害磁共振圖像的品質(zhì)。因此，磁場發(fā)生器的設(shè)計(jì)中相應(yīng)的抗渦流的設(shè)計(jì)是重要和必要的。
[0004]通常在梯度線圈和高頻天線之間有高頻屏蔽層，起到隔離及消除二者耦合的作用；由于梯度磁場ZlBo本質(zhì)上是按特定的梯度分布的靜磁場，高頻屏蔽層對(duì)靜磁場沒有屏蔽作用，只對(duì)高頻天線產(chǎn)生的高頻磁場B1起到屏蔽的作用；因而這種高頻屏蔽層的特點(diǎn)是讓梯度線圈系統(tǒng)產(chǎn)生的梯度磁場ZBo可以穿過高頻天線，無阻礙的作用于磁體中心區(qū)域的成像空間；而高頻天線所產(chǎn)生的射頻磁場仏卻被阻止泄漏到梯度線圈去，高頻電磁場能量不會(huì)耗散在梯度線圈中，有助于保持高頻天線的效率及高頻磁場分布。
[0005]在永磁磁體的磁共振系統(tǒng)中，常用的高頻發(fā)射天線通常需要40-50mm的空間，梯度線圈通常需要40-80mm的空間，對(duì)于帶有主動(dòng)屏蔽的梯度線圈，總厚度通常會(huì)接近80mm。按照傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求，梯度線圈和高頻天線各自獨(dú)立的安裝在磁體中間，即便忽略二者之間的間隙，總厚度也在80-130mm之間。
[0006]基本磁場磁體的設(shè)計(jì)原則通常是致力于使得磁體尺寸盡可能小，因此達(dá)到基本磁場磁體的重量保持較小且更好地使基本磁場均勻化;但是，現(xiàn)有高頻發(fā)射天線和梯度線圈的總厚度較大，所占用的磁體空間較大，不利于磁體成本降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是提供一種用于產(chǎn)生隨時(shí)間變化磁場的磁場發(fā)生器和具有該磁場發(fā)生器的磁共振設(shè)備;使得磁場發(fā)生器在具有高效率的同時(shí)結(jié)構(gòu)盡可能緊湊;減小磁體的尺寸、降低磁體重量、降低磁體成本;或相同成本的磁體下，給患者的成像空間更大、開放性更好更舒適。
[0008]本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:一種磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器，包括梯度磁場發(fā)生器和高頻諧振腔天線，所述高頻諧振腔天線包括電容、分別與電容各自對(duì)應(yīng)端電連接的第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層以及所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)的填充介質(zhì)層;所述梯度磁場發(fā)生器為嵌入式梯度磁場發(fā)生器，所述第二高頻屏蔽層屏蔽所述梯度磁場發(fā)生器的嵌入部分和未嵌入部分。
[0009]作為優(yōu)選:所述梯度磁場發(fā)生器包括X梯度線圈、Y梯度線圈和Z梯度線圈，所述梯度磁場發(fā)生器完全嵌入所述高頻諧振腔天線;所述梯度磁場發(fā)生器設(shè)置于所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。
[0010]作為優(yōu)選:所述梯度磁場發(fā)生器包括X梯度線圈、Y梯度線圈和Z梯度線圈，所述梯度磁場發(fā)生器部分嵌入所述高頻諧振腔天線，且所述第一高頻屏蔽層設(shè)置于磁場發(fā)生器的中部。
[0011]作為優(yōu)選:所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層所在平面平行，所述梯度磁場發(fā)生器的Z梯度線圈的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。
[0012]作為優(yōu)選:所述第二高頻屏蔽層中部呈凹陷設(shè)置，且所述第二高頻屏蔽層的中部與外周分別與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置;所述梯度磁場發(fā)生器的Z梯度線圈的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)，且所述第二高頻屏蔽層的外周位于所述Z梯度線圈上端面。
[0013]作為優(yōu)選:所述梯度磁場發(fā)生器還包括Z屏蔽-梯度線圈；所述第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置;所述梯度磁場發(fā)生器的Z梯度線圈的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。
[0014]作為優(yōu)選:所述第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置，且所述第二高頻屏蔽層中部凹陷設(shè)置，所述X梯度線圈和Y梯度線圈中至少一個(gè)梯度線圈的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。
[0015]作為優(yōu)選:所述梯度磁場發(fā)生器還包括X屏蔽-梯度線圈、Y屏蔽-梯度線圈和Z屏蔽-梯度線圈；所述第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置;所述梯度磁場發(fā)生器的X梯度線圈、Y梯度線圈和Z梯度線圈中至少一個(gè)嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。
[0016]作為優(yōu)選:所述第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置，且所述第二高頻屏蔽層中部凹陷設(shè)置，所述Z屏蔽-梯度線圈和Y屏蔽-梯度線圈中至少一個(gè)的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。
[0017]—種磁共振設(shè)備，包含有上述的磁場發(fā)生器。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果:
[0019]⑴磁場發(fā)生器采用去渦流設(shè)計(jì)，能有效減少渦流損耗，提高效率;設(shè)置第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層既起到很好的屏蔽作用，又是高頻諧振腔天線的一部分，節(jié)省空間；當(dāng)其他條件不變時(shí)，高頻天線的效率受第一高頻屏蔽層與第二高頻屏蔽層的間距影響，距離越大效率越高;梯度磁場發(fā)生器嵌入到高頻諧振腔天線的諧振腔內(nèi)，梯度磁場發(fā)生器所占用的空間和高頻諧振腔天線共用，更大限度地利用了可利用的空間，結(jié)構(gòu)上最為緊湊;在總厚度相同的情況下，比傳統(tǒng)方案增大了第一高頻屏蔽層與第二高頻屏蔽層的間距，從而提升了高頻天線的效率，且梯度線圈的性能沒有任何影響，有利于成像質(zhì)量;如果高頻天線的效率保持相等，則第一高頻屏蔽層與第二高頻屏蔽層的間距可以減小，也即是磁場發(fā)生器的總厚度可以更小;更為緊湊的結(jié)構(gòu)節(jié)省了空間、降低了磁體重量、節(jié)省了成本、使得勻場更好，有利于成像質(zhì)量;或者相同成本制造的磁體的給病人的空間可以更大更舒適。
[0020]⑵梯度磁場發(fā)生器部分嵌入高頻諧振腔天線，且第一高頻屏蔽層設(shè)置于磁場發(fā)生器的中部，第二高頻屏蔽層介于梯度磁場發(fā)生器的Z梯度線圈和X、Y梯度線圈之間；這樣的結(jié)構(gòu)一方面便于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和加工工藝，另一方面，高頻諧振腔中填充的導(dǎo)體會(huì)導(dǎo)致相對(duì)于非金屬介質(zhì)更多的能量損耗和效率降低;某些場合下，Χ，γ軸梯度線圈的導(dǎo)線密度較大，它們與高頻諧振腔的耦合給諧振腔帶來的損耗和將Χ、γ軸梯度線圈所占的空間共用給高頻諧振腔帶來的效率提高相抵消。
[0021]⑶梯度磁場發(fā)生器對(duì)高頻天線及其產(chǎn)生的射頻磁場的影響主要體現(xiàn)在射頻磁場的分布及高頻天線的效率。梯度磁場發(fā)生器的對(duì)稱的設(shè)計(jì)基本消除了對(duì)高頻磁場的分布的影響；盡可能地消除梯度線圈對(duì)高頻天線的耦合將有助于提高高頻天線的效率。第二高頻屏蔽層中部呈凹陷設(shè)置，梯度磁場發(fā)生器的Z梯度線圈的中部嵌入第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)，且第二高頻屏蔽層的外周位于Z梯度線圈上端面。此結(jié)構(gòu)可以盡可能的屏蔽掉梯度線圈對(duì)高頻諧振腔天線的影響較大的高密度導(dǎo)體的部分，而把梯度線圈中導(dǎo)體較少的空間共用給高頻諧振腔天線，較大限度的擴(kuò)大諧振腔的空間，從而提高高頻諧振腔天線的品質(zhì)因數(shù)及效率。
[0022]⑷磁場發(fā)生器結(jié)構(gòu)的對(duì)稱設(shè)計(jì)，使得多點(diǎn)激勵(lì)容易實(shí)現(xiàn)，激勵(lì)通道之間的耦合能自動(dòng)抵消大部分，剩余的小部分，可以簡便的方法去除。
[0023](5)磁場發(fā)生器能夠在高頻諧振腔天線附近的區(qū)域產(chǎn)生線性的梯度場及均勻射頻場，并且節(jié)省空間，品質(zhì)因數(shù)高。
【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器的梯度線圈的示意圖；
[0025]圖2是本發(fā)明磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3是圖2高頻諧振腔天線中金屬箔示意圖；
[0027]圖4是本發(fā)明磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5是本發(fā)明磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6是本發(fā)明磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器的第三實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖7是本發(fā)明磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器的第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031 ]圖8是本發(fā)明磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器的第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]主要組件符號(hào)說明:
[0033]梯度磁場發(fā)生器10，高頻諧振腔天線20，電容22，第一高頻屏蔽層24，第二高頻屏蔽層26，填充介質(zhì)層28。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳述:
[0035]圖1、圖2、圖3示出了本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例。
[0036]請(qǐng)參閱圖1至圖3所示，該磁共振設(shè)備的磁場發(fā)生器，包括梯度磁場發(fā)生器10和高頻諧振腔天線20，高頻諧振腔天線20包括電容22、分別與電容22各自對(duì)應(yīng)端電連接的第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26以及第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26之間的諧振腔內(nèi)的填充介質(zhì)層28，梯度磁場發(fā)生器10為嵌入在高頻諧振腔天線20的諧振腔中，第二高頻屏蔽層26以梯度磁場發(fā)生器10中心為中心向外周延伸，第二高頻屏蔽層26屏蔽梯度磁場發(fā)生器10。
[0037]磁場發(fā)生器采用去渦流設(shè)計(jì)，能有效減少渦流損耗，提高效率;設(shè)置第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26既起到很好的屏蔽作用，又是形成高頻諧振腔天線20的組成部分，節(jié)省空間；當(dāng)其他條件不變時(shí)，高頻諧振腔天線20的效率受第一高頻屏蔽層24與第二高頻屏蔽層26的間距影響，距離越大效率越高；梯度磁場發(fā)生器10由分別產(chǎn)生基于迪卡爾坐標(biāo)系下的三個(gè)軸X，Y，Z方向的梯度磁場的梯度線圈組成，分別稱為X軸梯度線圈，Y軸梯度線圈，Z軸梯度線圈；梯度磁場發(fā)生器10嵌入到高頻諧振腔天線20的諧振腔內(nèi)，由高斯定律可知，通過任意閉合曲面的凈磁通總是0，磁力線總是閉合的；于是，梯度磁場發(fā)生器10所占用的空間和高頻諧振腔天線20共用，更大限度地利用了可利用的空間，結(jié)構(gòu)上最為緊湊;在總厚度相同的情況下，比傳統(tǒng)方案增大了第一高頻屏蔽層24與第二高頻屏蔽層26的間距，從而提升了高頻天線的效率，且梯度線圈的性能沒有任何影響，有利于成像質(zhì)量;如果高頻諧振腔天線20的效率保持相等，則第一高頻屏蔽層24與第二高頻屏蔽層26的間距可以減小，也即是磁場發(fā)生器的總厚度可以更小;更為緊湊的結(jié)構(gòu)節(jié)省了空間、降低了磁體重量、節(jié)省了成本、使得勻場更好，有利于成像質(zhì)量;或相同成本制造的磁體的給病人的空間可以更大、開放性更好更舒適。
[0038]同時(shí)，因梯度磁場發(fā)生器10嵌入高頻諧振腔天線20，梯度磁場發(fā)生器10與高頻諧振腔天線20共用諧振腔空間，第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26可有效屏蔽磁場對(duì)梯度磁場發(fā)生器10和高頻諧振腔天線20的影響；而磁場發(fā)生器采用去渦流設(shè)計(jì)，能有效減少渦流損耗，提高效率;梯度磁場發(fā)生器10與高頻諧振腔天線20共用諧振腔空間的設(shè)計(jì)，可減小磁體的尺寸，降低磁體重量，從而降低磁體成本，使得勻場更好，有利于成像質(zhì)量。
[0039]本實(shí)施例中，梯度磁場發(fā)生器10完全嵌入高頻諧振腔天線20;梯度磁場發(fā)生器10設(shè)置于第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26之間的諧振腔內(nèi)。
[0040]本實(shí)施例中，第一高頻屏蔽層24為圓形或正八邊形及以上的中心對(duì)稱正多邊形。
[0041]本實(shí)施例中，第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26均可以為金屬箔面。
[0042]本實(shí)施例中，第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26可選擇開設(shè)有細(xì)槽，且多個(gè)細(xì)槽呈放射狀分布。細(xì)槽未將金屬箔完全割斷，分隔開的多塊第一高頻屏蔽層24在中央?yún)^(qū)域依然連接在一起，并且接地，防止金屬箔上積聚電荷，產(chǎn)生放電現(xiàn)象;輻射狀的細(xì)槽，可以任意的角度，且同一金屬箔板材的兩面的細(xì)槽不重合，在減少渦流損耗同時(shí)保持好的屏蔽效果。在相應(yīng)的細(xì)槽的兩邊焊接有電容22使得細(xì)槽兩邊在高頻段的電連接，和第一高頻屏蔽層24、第二高頻屏蔽層26及兩層屏蔽層之間的電容22—起形成高頻諧振腔，產(chǎn)生高頻諧振磁場。
[0043]圖4示出了本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例。
[0044]請(qǐng)參閱圖4所示，該實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別是:
[0045]梯度磁場發(fā)生器10部分嵌入高頻諧振腔天線20，且第一高頻屏蔽層24設(shè)置于磁場發(fā)生器的中部;第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26所在平面平行，第二高頻屏蔽層26介于梯度磁場發(fā)生器10的Z梯度線圈和Χ、Υ梯度線圈之間。在兩層高頻屏蔽層之間分布著電容22元件，電容22元件的兩端分別與第一高頻屏蔽層24及第二高頻屏蔽層26電連接;第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26及它們之間的電容22元件形成了諧振腔。梯度磁場發(fā)生器10的Z梯度線圈嵌入在第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26之間的諧振腔內(nèi)。其它部分的結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施例相同，此處省略。
[0046]這樣的結(jié)構(gòu)一方面便于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和加工工藝，另一方面，高頻諧振腔中填充的導(dǎo)體會(huì)導(dǎo)致相對(duì)于非金屬介質(zhì)更多的能量損耗和效率降低;某些場合下，x，Y軸梯度線圈的導(dǎo)線密度較大，它們與高頻諧振腔的耦合給諧振腔帶來的損耗和將x、Y軸梯度線圈所占的空間共用給高頻諧振腔帶來的效率提高相抵消。
[0047]圖5、圖6示出了本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例。
[0048]請(qǐng)參閱圖5、圖6所示，該實(shí)施例與第二實(shí)施例的區(qū)別是:第二高頻屏蔽層26中部呈凹陷設(shè)置，且第二高頻屏蔽層26的中部與外周分別與第一高頻屏蔽層24平行設(shè)置;梯度磁場發(fā)生器10的Z梯度線圈的中部嵌入第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26之間的諧振腔內(nèi)，且第二高頻屏蔽層26的外周位于Z梯度線圈上端面。其它部分的結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施例相同，此處省略。
[0049]在磁共振設(shè)備工作的時(shí)候，高頻諧振腔天線20對(duì)梯度磁場發(fā)生器10的影響可忽略不計(jì)，通常采用對(duì)稱設(shè)計(jì)及防渦流設(shè)計(jì)來保證。梯度線圈所產(chǎn)生的梯度磁場是穿透包括高頻磁場覆蓋的區(qū)域的整個(gè)成像空間的，然而它并不妨礙高頻發(fā)射天線的正常工作。而梯度磁場發(fā)生器10對(duì)高頻天線及其產(chǎn)生的射頻磁場的影響主要體現(xiàn)在射頻磁場的分布及高頻天線的效率。梯度磁場發(fā)生器10的對(duì)稱的設(shè)計(jì)基本消除了對(duì)高頻磁場的分布的影響;盡可能地消除梯度線圈對(duì)高頻天線的耦合將有助于提高高頻天線的效率及保護(hù)高頻磁場的分布。此結(jié)構(gòu)可盡可能的屏蔽掉梯度線圈對(duì)高頻諧振腔天線20的影響較大的高密度導(dǎo)體的部分，而把梯度線圈中導(dǎo)體較少的空間共用給高頻諧振腔天線20，較最大限度的擴(kuò)大諧振腔的空間，從而提高高頻諧振腔天線20的品質(zhì)因數(shù)及效率。
[0050]圖7示出了本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例。
[0051]請(qǐng)參閱圖7所示，該實(shí)施例與第二實(shí)施例的區(qū)別是:梯度磁場發(fā)生器10還包括Z屏蔽-梯度線圈；第二高頻屏蔽層26與第一高頻屏蔽層24平行設(shè)置;梯度磁場發(fā)生器10的Z梯度線圈的中部嵌入第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26之間的諧振腔內(nèi)，此時(shí)的第二高頻屏蔽層26為平面設(shè)計(jì)。當(dāng)然，X梯度線圈、Y梯度線圈中至少一個(gè)梯度線圈的中部也可嵌入諧振腔內(nèi)，此時(shí)第二高頻屏蔽層26的中部凹陷設(shè)計(jì)。在某些應(yīng)用的場合，增加Z軸梯度的主動(dòng)屏蔽線圈可更好地消除梯度線圈產(chǎn)生的渦流。其它部分的結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施例相同，此處省略。
[0052]圖8示出了本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施例。
[0053]請(qǐng)參閱圖8所示，該實(shí)施例與第二實(shí)施例的區(qū)別是:梯度磁場發(fā)生器10還包括X屏蔽-梯度線圈、Y屏蔽-梯度線圈和Z屏蔽-梯度線圈；第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置;梯度磁場發(fā)生器10的X梯度線圈、Y梯度線圈和Z梯度線圈中至少一個(gè)嵌入第一高頻屏蔽層24和第二高頻屏蔽層26之間的諧振腔內(nèi)，此時(shí)的第二高頻屏蔽層26為平面設(shè)計(jì)。當(dāng)然，Z-屏蔽梯度線圈和Y屏蔽-梯度線圈中至少一個(gè)的中部也可嵌入諧振腔，此時(shí)第二高頻屏蔽層26的中部凹陷設(shè)計(jì)。其它部分的結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施例相同，此處省略。
[0054]一種磁共振設(shè)備，使用上述磁場發(fā)生器進(jìn)行醫(yī)療檢查;通?？梢圆捎脙善艌霭l(fā)生器相對(duì)于磁體中心相對(duì)放置;在圍繞的空間中，二者疊加產(chǎn)生磁共振成像所需的梯度磁場和高頻磁場。
[0055]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明權(quán)利要求的涵蓋范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁場發(fā)生器，包括梯度磁場發(fā)生器和高頻諧振腔天線，其特征在于，所述高頻諧振腔天線包括電容、分別與電容各自對(duì)應(yīng)端電連接的第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層以及所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)的填充介質(zhì)層;所述梯度磁場發(fā)生器為嵌入式梯度磁場發(fā)生器，所述第二高頻屏蔽層屏蔽所述梯度磁場發(fā)生器的嵌入部分和未嵌入部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場發(fā)生器，其特征在于，所述梯度磁場發(fā)生器包括X梯度線圈、Y梯度線圈和Z梯度線圈，所述梯度磁場發(fā)生器完全嵌入所述高頻諧振腔天線;所述梯度磁場發(fā)生器設(shè)置于所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場發(fā)生器，其特征在于，所述梯度磁場發(fā)生器包括X梯度線圈、Y梯度線圈和Z梯度線圈，所述梯度磁場發(fā)生器部分嵌入所述高頻諧振腔天線，且所述第一高頻屏蔽層設(shè)置于磁場發(fā)生器的中部。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場發(fā)生器，其特征在于，所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層所在平面平行，所述梯度磁場發(fā)生器的Z梯度線圈的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場發(fā)生器，其特征在于，所述第二高頻屏蔽層中部呈凹陷設(shè)置，且所述第二高頻屏蔽層的中部與外周分別與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置;所述梯度磁場發(fā)生器的Z梯度線圈的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)，且所述第二高頻屏蔽層的外周位于所述Z梯度線圈上端面。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場發(fā)生器，其特征在于，所述梯度磁場發(fā)生器還包括Z屏蔽-梯度線圈;所述第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置;所述梯度磁場發(fā)生器的Z梯度線圈的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁場發(fā)生器，其特征在于，所述第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置，且所述第二高頻屏蔽層中部凹陷設(shè)置，所述X梯度線圈和Y梯度線圈中至少一個(gè)梯度線圈的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場發(fā)生器，其特征在于，所述梯度磁場發(fā)生器還包括X屏蔽-梯度線圈、Y屏蔽-梯度線圈和Z屏蔽-梯度線圈；所述第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置;所述梯度磁場發(fā)生器的X梯度線圈、Y梯度線圈和Z梯度線圈中至少一個(gè)嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁場發(fā)生器，其特征在于，所述第二高頻屏蔽層與第一高頻屏蔽層平行設(shè)置，且所述第二高頻屏蔽層中部凹陷設(shè)置，所述Z屏蔽-梯度線圈和Y屏蔽-梯度線圈和X屏蔽-梯度線圈中至少一個(gè)的中部嵌入所述第一高頻屏蔽層和第二高頻屏蔽層之間的諧振腔內(nèi)。10.—種磁共振設(shè)備，其特征在于，所述磁共振設(shè)備包含有權(quán)利1-9任意一項(xiàng)所述的磁場發(fā)生器。
【文檔編號(hào)】G01R33/385GK105823997SQ201610354927
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月25日
【發(fā)明人】杜健軍
【申請(qǐng)人】杜健軍