壓差傳感器的制造方法
【專利摘要】一種壓差傳感器(101)，包括：由導(dǎo)電材料制成的測(cè)量隔膜(110)；兩個(gè)電絕緣的配合體(120、130)，以及至少一個(gè)電容式變換器，其中所述測(cè)量隔膜(110)通過沿著周向邊緣在每一情形中均形成測(cè)量室而以耐壓的方式連接到所述配合體(120、130)，其中每個(gè)配合體都具有中心凹進(jìn)的隔膜底座，其中每個(gè)配合體具有穿過所述配合體延伸到所述測(cè)量室中的壓力通道(125、135)，其中所述電容式變換器具有至少一個(gè)配合體電極，該配合體電極由在所述隔膜底座(124、134)的區(qū)域中的所述配合體的表面的金屬涂層形成，并且能夠通過所述壓力通道的通道壁的金屬涂層與該配合體電極形成接觸，其中所述配合體電極由所述金屬涂層的內(nèi)部區(qū)域(127、137)形成，該內(nèi)部區(qū)域被所述涂層的外部區(qū)域(126、136)環(huán)形地包圍并且通過環(huán)形的絕緣區(qū)域(129、139)而與所述外部區(qū)域分開。
【專利說明】壓差傳感器發(fā)明領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種壓差傳感器，特別是包括在兩個(gè)配合體之間的測(cè)量隔膜以及用于將測(cè)量隔膜的與壓力有關(guān)的位移轉(zhuǎn)換成至少一個(gè)電信號(hào)的電容式變換器(transducer)的壓差傳感器，其中，配合體在每一情形中通過在配合體和測(cè)量隔膜之間形成測(cè)量室而連接到測(cè)量隔膜，并且其中，壓力通道延伸穿過配合體中的每個(gè)配合體，所述測(cè)量室分別需要被第一和第二壓力加載，其中測(cè)量隔膜的位移取決于所述第一壓力和第二壓力之間的壓差。
【背景技術(shù)】
[0002]配合體還包括隔膜底座，其在單側(cè)超載的情況下支撐測(cè)量隔膜。具有這種配合體的壓差傳感器在例如專利申請(qǐng)DE 10 2009 046 229A1和DE 10 2011 084 457A1中描述過，其中在此情形下，配合體包括玻璃。美國專利4，833，920公開了一種通用電容式壓差傳感器，其中每個(gè)配合體包括一個(gè)配合體電極，其中每個(gè)配合體電極由面向測(cè)量隔膜的表面的金屬涂層制備，其中所述電極每個(gè)通過延伸穿過基體的壓力通道的通道壁的金屬涂層接觸。在提到的美國專利中，配合體包括平坦表面，其中處于靜止位置的測(cè)量隔膜包括兩個(gè)凹形平面，每個(gè)凹形平面面對(duì)其中一個(gè)配合體，其中測(cè)量隔膜在其邊緣區(qū)域處通過墊片與配合體中的每個(gè)配合體連接，由此為測(cè)量隔膜和兩個(gè)電容式變換器產(chǎn)生界定的機(jī)械條件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]然而，這種壓力傳感器的設(shè)計(jì)非常復(fù)雜。因而，本發(fā)明的目標(biāo)是要找到一種改進(jìn)。該目標(biāo)通過根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求1的壓差傳感器和根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求11的方法而根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的壓差傳感器包括測(cè)量隔膜、第一配合體、第二配合體和至少一個(gè)電容式變換器，其中，測(cè)量隔膜包括導(dǎo)電材料并且通過沿著周向邊緣在每一情形中在第一和第二配合體之間形成測(cè)量室而以耐壓的方式連接到第一配合體和第二配合體，其中第一配合體和第二配合體包括電絕緣材料，其中配合體中的每個(gè)包括隔膜底座，隔膜底座在中心凹進(jìn)并且隔膜底座能夠在單側(cè)超載的情形中支撐測(cè)量隔膜，其中配合體分別包括第一和第二壓力通道，所述壓力通道從背離測(cè)量隔膜的配合體的后側(cè)穿過配合體延伸到相應(yīng)的測(cè)量室中，其中電容式變換器包括至少一個(gè)配合體電極，配合體電極由面向測(cè)量隔膜的配合體的表面上的金屬涂層形成，其中配合體電極通過壓力通道的通道壁的金屬涂層從配合體的后側(cè)來接觸，其中面向測(cè)量隔膜的表面的金屬涂層包括形成配合體電極的內(nèi)部區(qū)域，以及外部區(qū)域，所述外部區(qū)域環(huán)形地包圍內(nèi)部區(qū)域并通過環(huán)形的絕緣區(qū)域與內(nèi)部區(qū)域分開。
[0005]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，每個(gè)配合體包括平面邊緣區(qū)域，其包圍隔膜底座，其中隔膜底座包括朝向邊緣區(qū)域的凸形過渡區(qū)域，其中金屬涂層的外部區(qū)域至少部分地布置在該凸形過渡區(qū)域中。
[0006]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，涂層的外部區(qū)域?qū)щ姷剡B接到測(cè)量隔膜。對(duì)于該導(dǎo)電連接的部分，該導(dǎo)電連接能夠通過將測(cè)量隔膜配合在兩個(gè)外部區(qū)域的外側(cè)邊緣之間來固定。如果由硅制成的測(cè)量隔膜上的氧化層可能在固定期間成為可靠電連接的阻礙，則在各種情況下可以從配合體的后側(cè)到隔膜底座引出饋通通孔，該通孔終止在隔膜底座上的金屬涂層的外部區(qū)域處，以便在那里與金屬涂層的外部區(qū)域接觸。經(jīng)由這個(gè)饋通通孔，涂層的外部區(qū)域從而能夠經(jīng)由延伸到測(cè)量隔膜的邊緣的另外的饋通通孔(如果必要的話)而與測(cè)量隔膜電化學(xué)接觸。
[0007]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，絕緣區(qū)域具有不大于200μπι，特別地是不大于150μπι，優(yōu)選地是不大于ΙΟΟμπι，并且特別優(yōu)選地是不大于80μπι的寬度。
[0008]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，金屬涂層的內(nèi)部區(qū)域具有比金屬涂層的外部區(qū)域更大的層厚度，其中內(nèi)部區(qū)域特別地具有不小于金屬涂層的外部區(qū)域的層厚度的1.5倍，優(yōu)選地是不小于2倍的厚度。
[0009]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，金屬涂層的內(nèi)部區(qū)域的層厚度至少是150nm，優(yōu)選地是至少200nm。
[0010]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，金屬涂層包括至少一種金屬粘合增進(jìn)劑，特別地是鉻，以及一個(gè)金屬導(dǎo)電層，特別地是銅。
[0011]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，金屬涂層的內(nèi)部區(qū)域包括另外的鈍化層，該另外的鈍化層特別地含有鎳，其中金屬涂層的外部區(qū)域由金屬導(dǎo)電層終止。
[0012]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，配合體包含玻璃。
[0013]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，測(cè)量隔膜固定在第一配合體的金屬涂層的外部區(qū)域和第二配合體的金屬涂層的外部區(qū)域之間。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的用于制備電容式壓差傳感器，特別是根據(jù)本發(fā)明的壓差傳感器的配合體的方法，其中配合體包括絕緣材料，特別是玻璃，其中配合體包括隔膜底座，隔膜底座在中間凹進(jìn)并且隔膜底座相對(duì)于配合體的平面邊緣區(qū)域下降，其中壓力通道從配合體的后側(cè)延伸穿過配合體并且終止在隔膜底座的區(qū)域中，該方法包括如下步驟:
[0015].制備第一金屬局部涂層，其包括內(nèi)部區(qū)域、外部區(qū)域以及直通連接部，其中內(nèi)部區(qū)域覆蓋隔膜底座的中心區(qū)域，其中外部區(qū)域環(huán)形地包圍內(nèi)部區(qū)域并且通過環(huán)形的絕緣區(qū)域與內(nèi)部區(qū)域分開，環(huán)形的絕緣區(qū)域在內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域之間延伸，其中直通連接部設(shè)置在壓力通道的一個(gè)通道壁上并且包括與內(nèi)部區(qū)域的導(dǎo)電連接，以及
[0016].制備第二金屬局部涂層，其覆蓋直通連接部和內(nèi)部區(qū)域，而外部區(qū)域和絕緣區(qū)域不被覆蓋。
[0017]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，第一局部涂層的制備包括用于沉積金屬的濺射工藝。
[0018]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，在制備第一局部涂層之前，在絕緣區(qū)域的區(qū)域中沉積剝離漆，其中初始地以連續(xù)的方式制備內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域的第一局部涂層，并且其中借助于剝離工藝在制備第二局部涂層之前形成絕緣區(qū)域，其中剝離漆和沉積在剝離漆上的金屬被移除。
[0019]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，第二局部涂層的制備包括電化學(xué)工藝。
[0020]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，第一局部涂層包括銅，而第二局部涂層包括鎳，其中在第一局部涂層上的鎳的核化通過在第一局部涂層和相比鎳更活潑的金屬之間的金屬接觸，特別地是臨時(shí)金屬接觸開始，其中所述較活潑的金屬特別地包括鐵或鋁。
[0021]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，第一局部涂層還包括布置在背離內(nèi)部區(qū)域的配合體的后側(cè)上的金屬接觸表面，其中該接觸表面通過直通連接部與內(nèi)部區(qū)域電化學(xué)接觸。
[0022]在本發(fā)明的進(jìn)一步發(fā)展中，在晶片布置結(jié)構(gòu)中制備多個(gè)配合體。為了這個(gè)目的，根據(jù)該進(jìn)一步發(fā)展，第一局部涂層還初始地包括導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)，如果需要的話，所述導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)隨后必須被移除，并且通過該導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)，配合體的接觸表面相互連接，其中在相比鎳更活潑的金屬和第一局部涂層之間的臨時(shí)金屬接觸的產(chǎn)生發(fā)生在晶片布置結(jié)構(gòu)的后側(cè)上的導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)的區(qū)域中，以便由此在制備第二局部涂層的時(shí)候開始鎳的核化。
[0023]所述較活潑的金屬和在導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)的區(qū)域中的第一局部涂層之間的接觸允許對(duì)所有的配合體同步開始鎳的核化。因此，對(duì)于所有的配合體，在相同的處理時(shí)間期間，獲得形成第二局部涂層的鎳層的基本相等的層厚度。
【附圖說明】
[0024]在附圖中示出的示例性實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在下文中以更詳盡的方式解釋本發(fā)明。其中:
[0025]圖1:穿過根據(jù)本發(fā)明的壓差傳感器的配合體的縱截面；
[0026]圖2:穿過根據(jù)本發(fā)明的壓差傳感器的示例性實(shí)施例的縱截面;并且
[0027]圖3:帶有配合體的晶片的后側(cè)的空間視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]圖1所示的配合體2包括玻璃，其中配合體2的前表面3包括凹進(jìn)的隔膜底座4，該凹進(jìn)的隔膜底座4例如通過基體的熱沉降(thermal sinking)形成。對(duì)于例如2到4mm的直徑，隔膜底座的深度例如可以是從ΙΟμπι到20μπι。配合體的厚度可以是從幾百μπι到幾千μπι。從隔膜底座4開始，壓力通道5延伸到配合體的后側(cè)。隔膜底座4被平面邊緣區(qū)域6包圍。配合體包括金屬涂層7，該金屬涂層7從隔膜底座4和邊緣區(qū)域之間的凸形的過渡區(qū)域經(jīng)由隔膜底座并穿過壓力通道5而延伸至配合體2的后側(cè)上的接觸表面8。涂層包括第一局部涂層7a，其包括涂層的整個(gè)區(qū)域，其中，在涂層的外部區(qū)域9和涂層的內(nèi)部區(qū)域10之間布置有不被金屬涂層覆蓋的絕緣區(qū)域11。第一局部涂層通過帶有大約20nm的厚度的粘合增進(jìn)劑(例如鉻)的濺射以及隨后的帶有SO-1OOnm的厚度的銅的濺射來制備，其中絕緣區(qū)域11通過剝離工藝來形成，借助于該工藝，在外部區(qū)域和內(nèi)部區(qū)域之間的涂層已經(jīng)被移除。
[0029]金屬涂層7還包括第二局部涂層7b，其從內(nèi)部區(qū)域10經(jīng)由壓力通道延伸至配合體2的后側(cè)12的接觸表面8。第二局部涂層包括帶有大約10nm的厚度的鎳。第二局部涂層特別地已經(jīng)在電化學(xué)工藝(galvanic process)期間進(jìn)行沉積，其將在下文詳細(xì)解釋。
[0030]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的壓差傳感器101的示例性實(shí)施例，其包括在第一配合體120和第二配合體130之間的測(cè)量隔膜110，所述兩個(gè)配合體120、130中的每個(gè)配合體具有結(jié)合附圖1討論的配合體的示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。第一配合體特別地包括第一隔膜底座124，壓力通道125從第一隔膜底座124延伸至第一配合體120的后側(cè)。類似的，第二配合體特別地包括第二隔膜底座134，第二壓力通道135從第二隔膜底座134延伸至第二配合體的后側(cè)。第一配合體和第二配合體每個(gè)都包括金屬涂層，金屬涂層包括外部區(qū)域126、136，外部區(qū)域126、136分別布置在隔膜底座和包圍隔膜底座的平面邊緣區(qū)域之間的過渡區(qū)域中；金屬涂層還包括內(nèi)部區(qū)域127、137，內(nèi)部區(qū)域127、137分別通過絕緣區(qū)域129、139與外部區(qū)域分開。金屬涂層還分別從內(nèi)部區(qū)域經(jīng)由壓力通道125、135的通道壁延伸至配合體的后側(cè)，以便在那里形成接觸表面128、138。在外部區(qū)域126、136中，金屬涂層包括粘合增進(jìn)劑(例如20nm的鉻)以及帶有大約SO-1OOnm的厚度的銅層，銅層沉積到先前沉積的鉻上。金屬涂層的其余部分(分別包括內(nèi)部區(qū)域127、137、壓力通道125、135的通道壁以及配合體的后側(cè)上的接觸表面128、138)還包括帶有例如100-150nm的厚度的鎳層，該鎳層以電化學(xué)方式沉積到銅層上。外部區(qū)域不被鎳層覆蓋。
[0031]測(cè)量隔膜110包括特別地高摻雜的硅，并且在每一情形中通過陽極鍵合沿著周向連接部而連結(jié)到第一配合體120和第二配合體130。此處，連接部分別延伸至外部區(qū)域126、136的外邊緣。因?yàn)橥獠繀^(qū)域126、136分別延伸到配合體的表面的平面邊緣區(qū)域中，所以在平面區(qū)域中限定的連接部采用這樣的方式限制，使得測(cè)量隔膜110包括在配合體120、130之間的限定的機(jī)械固定。能夠通過第一壓力通道125和第二壓力通道135分別利用第一和第二壓力來加載(charge)測(cè)量隔膜110，其中第一壓力抵消(counteracts)第二壓力，并且測(cè)量隔膜能夠根據(jù)第一壓力和的第二壓力之間的壓差而移位。第一配合體120的第一金屬涂層區(qū)域的內(nèi)部區(qū)域127與測(cè)量隔膜110—起形成第一電容式變換器，用于捕獲(capture)測(cè)量隔膜110的位移。類似的，第二配合體130的第二金屬涂層區(qū)域的內(nèi)部區(qū)域137與測(cè)量隔膜110—起形成第二電容式變換器，用于捕獲測(cè)量隔膜110的位移。第一電容式變換器和第二電容式變換器能夠一起作為壓差電容器被激活，以便確定第一壓力和第二壓力之間的壓差。
[0032]分別形成第一和第二電容式變換器的第一和第二電極的金屬涂層的內(nèi)部區(qū)域能夠分別經(jīng)由第一和第二配合體的后側(cè)上的接觸表面128、138而接觸。為了能夠接觸測(cè)量隔膜110，提供了第一鉆孔140，該第一鉆孔140從配合體的后側(cè)延伸到測(cè)量隔膜110。
[0033]圖3所示的玻璃晶片200包括多個(gè)配合體202，其中以配合體202的后側(cè)朝上的方式示意玻璃晶片200。每個(gè)配合體已經(jīng)包括在其后側(cè)上的第一金屬局部涂層207a和壓力通道205的通道壁的金屬局部涂層，該壓力通道從配合體202的后側(cè)延伸至其前側(cè)。金屬局部涂層通過帶有大約20nm的厚度的作為粘合增進(jìn)劑的鉻的濺射以及后續(xù)的帶有大約80-100nm的厚度的銅濺射而制備。金屬局部涂層207a經(jīng)由壓力通道的通道壁的金屬局部涂層分別與配合體202的前側(cè)上的金屬局部涂層的內(nèi)部區(qū)域電化學(xué)接觸。
[0034]如上面所討論的，為了保護(hù)第一金屬局部涂層，第一金屬局部涂層必須仍然設(shè)有第二金屬局部涂層。為了這個(gè)目的，提供一種電化學(xué)工藝，其中鎳被沉積到第一金屬局部涂層的銅上面。
[0035]對(duì)于這個(gè)工藝來說一個(gè)難點(diǎn)在于，在銅上的鎳的核化不會(huì)自發(fā)地發(fā)生。因此，有必要使銅與相比鎳更活潑的金屬(例如鐵)進(jìn)行金屬接觸，以便開始在銅上的鎳的核化。為了同步該開始，配合體202的局部涂層207a經(jīng)由導(dǎo)體路徑254、256的網(wǎng)絡(luò)互相連接，其中該網(wǎng)絡(luò)還包括接觸表面252，接觸表面252旨在被鐵質(zhì)體(iron body)接觸，以便開始在銅上的鎳的核化。如果網(wǎng)絡(luò)的導(dǎo)體路徑254、256和接觸表面252要在制備由銅制成的第二金屬局部涂層之后被再次移除，則在通過鉻和銅的濺射將配合體的后側(cè)上和壓力通道的通道壁上的第一金屬局部涂層207a的結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)體路徑254、256和接觸表面252沉積到玻璃晶片200的后側(cè)上之前，能夠事先用耐酸剝離漆對(duì)導(dǎo)體路徑和接觸表面252所要被制備在其上的玻璃晶片200的表面區(qū)域進(jìn)行涂覆。利用鎳的涂覆能夠借助于電化學(xué)工藝來實(shí)施，其能夠例如從賽德克(Surtec)公司商業(yè)上可取得。
[0036]在沉積鎳并且如果必要的話還移除接觸表面252以及導(dǎo)體路徑254、256之后，能夠沿著附圖中以虛線示出的切割線將配合體202分開，由此在其上制備有接觸表面252的晶片部分250將會(huì)被拋棄。
[0037]采用這種方法制備的配合體202與參考附圖1討論的示例性實(shí)施例是一致的，并且對(duì)根據(jù)本發(fā)明的壓差傳感器的生產(chǎn)是可行的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種壓差傳感器(101)，包括 測(cè)量隔膜(110); 第一配合體(120); 第二配合體(130);以及 至少一個(gè)電容式變換器， 其中，所述測(cè)量隔膜(110)包括導(dǎo)電材料并通過沿著周向邊緣分別在所述第一配合體和所述第二配合體之間形成測(cè)量室而以耐壓的方式連接到所述第一配合體(120)和所述第二配合體(130)， 其中，所述第一配合體和所述第二配合體包括電絕緣材料， 其中，所述配合體每個(gè)包括隔膜底座，所述隔膜底座在中心凹進(jìn)并且所述隔膜底座能夠在單側(cè)超載的情形中支撐所述測(cè)量隔膜， 其中，所述配合體分別包括第一和第二壓力通道(125、135)，所述壓力通道從背離所述測(cè)量隔膜的所述配合體的后側(cè)通過所述配合體延伸到相應(yīng)的所述測(cè)量室中， 其中，所述電容式變換器包括至少一個(gè)配合體電極，所述配合體電極由在面向所述測(cè)量隔膜的所述配合體的表面上的金屬涂層形成， 其中，所述配合體電極能夠借助于所述壓力通道的通道壁的金屬涂層從所述配合體的后側(cè)被接觸， 其中，面對(duì)所述測(cè)量隔膜的所述表面的所述金屬涂層包括內(nèi)部區(qū)域(127、137)以及外部區(qū)域(126、136)，所述內(nèi)部區(qū)域形成所述配合體電極，所述外部區(qū)域(126、136)環(huán)形地包圍所述內(nèi)部區(qū)域并通過環(huán)形的絕緣區(qū)域(129、139)與所述內(nèi)部區(qū)域分開。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓差傳感器，其中，所述配合體中的每個(gè)配合體包括平面邊緣區(qū)域，所述平面邊緣區(qū)域包圍所述隔膜底座，其中，所述隔膜底座包括朝向所述邊緣區(qū)域的凸形過渡區(qū)域，其中，所述金屬涂層的所述外部區(qū)域至少部分地布置在所述凸形過渡區(qū)域中。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓差傳感器，其中，所述涂層的所述外部區(qū)域?qū)щ姷剡B接到所述測(cè)量隔膜。4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓差傳感器，其中，所述絕緣區(qū)域具有不大于200Mi，特別地是不大于150μηι，優(yōu)選地是不大于ΙΟΟμπι，并且特別優(yōu)選地是不大于80μηι的寬度。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓差傳感器，其中，所述金屬涂層的所述內(nèi)部區(qū)域具有比所述金屬涂層的所述外部區(qū)域更大的層厚度，其中，所述內(nèi)部區(qū)域特別地具有不小于所述金屬涂層的所述外部區(qū)域的層厚度的1.5倍，優(yōu)選地是不小于2倍的厚度。6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓差傳感器，其中，所述金屬涂層的所述內(nèi)部區(qū)域的層厚度至少是150nm，優(yōu)選地是至少200nmo7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓差傳感器，其中，所述金屬涂層包括至少一種金屬粘合增進(jìn)劑，特別是鉻，以及一個(gè)金屬導(dǎo)電層，特別是銅。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓差傳感器，其中，所述金屬涂層的所述內(nèi)部區(qū)域包括另外的鈍化層，所述另外的鈍化層特別地包括鎳，其中，所述金屬涂層的所述外部區(qū)域由所述金屬導(dǎo)電層終止。9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓差傳感器，其中，所述配合體包括玻璃。10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓差傳感器，其中，所述測(cè)量隔膜被固定在所述第一配合體的所述金屬涂層的所述外部區(qū)域和所述第二配合體的所述金屬涂層的所述外部區(qū)域之間。11.一種用于制備電容式壓差傳感器、特別是根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓差傳感器的配合體的方法，其中，所述配合體包括電絕緣材料，特別是玻璃，其中，所述配合體包括隔膜底座，所述隔膜底座在中間凹進(jìn)并且所述隔膜底座相對(duì)于所述配合體的平面邊緣區(qū)域下降，其中，壓力通道從所述配合體的后側(cè)延伸通過所述配合體并且終止在所述隔膜底座的區(qū)域中，其中，所述方法包括如下步驟: 制備第一金屬局部涂層，所述第一金屬局部涂層包括內(nèi)部區(qū)域、外部區(qū)域以及直通連接部，其中，所述內(nèi)部區(qū)域覆蓋所述隔膜底座的中心區(qū)域，其中，所述外部區(qū)域環(huán)形地包圍所述內(nèi)部區(qū)域并且通過環(huán)形的絕緣區(qū)域與所述內(nèi)部區(qū)域分開，所述環(huán)形的絕緣區(qū)域在所述內(nèi)部區(qū)域和所述外部區(qū)域之間延伸，其中，所述直通連接部布置在所述壓力通道的一個(gè)通道壁上并包括與所述內(nèi)部區(qū)域的導(dǎo)電連接；以及 制備第二金屬局部涂層，所述第二金屬局部涂層覆蓋所述直通連接部和所述內(nèi)部區(qū)域，而所述外部區(qū)域和所述絕緣區(qū)域不被覆蓋。12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中，所述第一局部涂層的制備包括濺射工藝，其中，所述第一局部涂層特別地包括最初的含鉻的粘合增進(jìn)劑層以及含銅的導(dǎo)電層。13.根據(jù)權(quán)利要求11或12的方法，其中，在制備所述第一局部涂層之前，在所述絕緣區(qū)域的區(qū)域中沉積剝離漆，其中，初始地以連續(xù)的方式制備所述內(nèi)部區(qū)域和所述外部區(qū)域的所述第一局部涂層，并且其中，借助于剝離工藝，在制備所述第二局部涂層之前形成所述絕緣區(qū)域，其中，所述剝離漆和沉積在所述剝離漆上的金屬被移除。14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第二局部涂層的制備包括電化學(xué)工藝。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法， 其中，所述第一局部涂層包括銅， 其中，所述第二局部涂層包括鎳， 其中，在所述第一局部涂層上的鎳的核化通過在所述第一局部涂層和相比鎳更活潑的金屬之間的金屬接觸，特別地是臨時(shí)金屬接觸而開始，其中，所述較活潑的金屬特別地包括鐵或鋁。16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的方法，其中，在晶片布置結(jié)構(gòu)中制備多個(gè)配合體， 其中，所述第一局部涂層還包括在背離所述內(nèi)部區(qū)域的所述配合體的后側(cè)上的晶片結(jié)構(gòu)中的金屬接觸表面， 其中，所述接觸表面經(jīng)由所述直通連接部與所述內(nèi)部區(qū)域電化學(xué)接觸， 其中，所述第一局部涂層還包括導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)在需要的情況下隨后被移除，并且利用所述導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)，所述接觸表面互相連接， 其中，所述鎳的核化在所述第二局部涂層的制備期間通過產(chǎn)生在相比鎳更活潑的所述金屬和所述晶片布置結(jié)構(gòu)的后側(cè)上的所述導(dǎo)體路徑布置結(jié)構(gòu)的區(qū)域中的所述第一局部涂層之間的金屬接觸來開始。
【文檔編號(hào)】G01L13/02GK105829852SQ201480065843
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2014年11月3日
【發(fā)明人】伯恩哈德·約赫姆, 蒂莫·科博, 本杰明·萊姆克, 達(dá)里娜·里默爾, 拉斐爾·泰伊朋, 英·圖安·塔姆, 羅蘭德·維爾特舒茨基
【申請(qǐng)人】恩德萊斯和豪瑟爾兩合公司