微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法、裝置和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法、裝置和系統(tǒng)。所述方法包括步驟：根據(jù)激光頭獲取的待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像，布置待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的各個測點，其中待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上；獲取信號發(fā)生器輸出到所述壓電晶片的激勵信號；在所述壓電晶片接收到所述激勵信號發(fā)生振動時，測量各個測點的振動響應(yīng)信號；根據(jù)所述激勵信號和各個測點的振動響應(yīng)信號，獲得各個測點相對于所述激勵信號的頻響函數(shù)；根據(jù)所述頻響函數(shù)獲得待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)。本發(fā)明解決了20KHz以上的模態(tài)測試問題，減少了激勵能量損耗，利用率高、提高了振動響應(yīng)的信噪比差，測試過程中的噪聲小，無需額外測量輸入信號，方便簡單。
【專利說明】
微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法、裝置和系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及模態(tài)測試技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法、微 小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置和微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)以其獨特的力學(xué)特性而常作為高端精密電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，如精 密儀表的敏感元件、柵控行波管的柵網(wǎng)等。正因如此，其動力學(xué)特性對精密電子產(chǎn)品的性能 及可靠性有著重要影響。微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試是通過試驗手段獲取結(jié)構(gòu)固有頻率與振型 等模態(tài)參數(shù)，借以準(zhǔn)確預(yù)測結(jié)構(gòu)在各種動載荷作用下的響應(yīng)特性，達(dá)到驗證其結(jié)構(gòu)動態(tài)設(shè) 計的目的，對保證電子產(chǎn)品的性能及可靠性具有重要作用。
[0003] 高端精密電子產(chǎn)品中的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)尺寸小、重量輕、頻率高等特點，這 些特點決定了開展模態(tài)測試面臨著激勵難、測試難的問題。目前一般采用非接觸式聲激勵 和激光測振儀測量響應(yīng)的方法獲得微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)。然而，由于聲音的頻帶寬為 20Hz (赫茲）~20KHz (千赫茲），理論上只能激發(fā)出結(jié)構(gòu)20KHz以內(nèi)的頻率信息，無法獲取 20KHz以上的結(jié)構(gòu)固有頻率及振型。以行波管柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)為例，其一階固有頻率超過IOKHz， 20KHz以內(nèi)僅有兩階模態(tài)，相對而言，有效頻帶寬度窄，獲得的模態(tài)參數(shù)有限，獲得的模態(tài)參 數(shù)可信度較低。另外，聲音激勵為非接觸式激勵，存在激勵能量損耗大、利用率低、振動響應(yīng) 的信噪比差以及測試現(xiàn)場噪音大等缺點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要針對上述問題，提供一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法、裝置和系 統(tǒng)，能夠經(jīng)濟(jì)、高效、準(zhǔn)確地獲得微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)，通過采用壓電晶片接觸式激勵 方法，解決了聲音激勵存在的頻帶窄、激勵能量利用率低、響應(yīng)信噪比差以及測試現(xiàn)場噪音 大的問題。
[0005] 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下：
[0006] -種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法，包括步驟：
[0007] 根據(jù)激光頭獲取的待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像，布置待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的各個測點，其中待 測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上；
[0008] 獲取信號發(fā)生器輸出到所述壓電晶片的激勵信號；
[0009] 在所述壓電晶片接收到所述激勵信號發(fā)生振動時，測量各個測點的振動響應(yīng)信 號；
[0010] 根據(jù)所述激勵信號和各個測點的振動響應(yīng)信號，獲得各個測點相對于所述激勵信 號的頻響函數(shù)；
[0011] 根據(jù)所述頻響函數(shù)獲得待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)。
[0012] -種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置，包括：
[0013] 測點布置模塊，用于根據(jù)激光頭獲取的待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像，布置待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu) 的各個測點，其中待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上；
[0014] 激勵信號獲取模塊，用于獲取信號發(fā)生器輸出到所述壓電晶片的激勵信號；
[0015] 振動響應(yīng)信號測量模塊，用于在所述壓電晶片接收到所述激勵信號發(fā)生振動時， 測量各個測點的振動響應(yīng)信號；
[0016] 頻響函數(shù)獲得模塊，用于根據(jù)所述激勵信號和各個測點的振動響應(yīng)信號，獲得各 個測點相對于所述激勵信號的頻響函數(shù)；
[0017] 模態(tài)參數(shù)獲得模塊，用于根據(jù)所述頻響函數(shù)獲得待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)。
[0018] -種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試系統(tǒng)，包括壓電晶片和激光測振系統(tǒng)，所述激光測振 系統(tǒng)包括激光頭、信號發(fā)生器以及所述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置;所述壓電晶片與所 述信號發(fā)生器輸出端相連，所述微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置分別與所述激光頭和所述信號 發(fā)生器輸出端相連。
[0019] 本發(fā)明微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法、裝置和系統(tǒng)，與現(xiàn)有技術(shù)相互比較時，具備以 下優(yōu)點：
[0020] (1)本發(fā)明采用壓電晶片施加激勵，激勵頻帶寬達(dá)1MHz，甚至更高，解決了 20KHZ以 上的模態(tài)測試問題，獲得的模態(tài)參數(shù)較多，可信度高；
[0021] (2)本發(fā)明采用待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)與壓電晶片直接連接的接觸式激勵方法，減少了激 勵能量損耗，利用率高、提高了振動響應(yīng)的信噪比差；
[0022] (3)本發(fā)明采用壓電晶片激勵，測試過程中的噪聲??；
[0023] (4)本發(fā)明直接利用信號發(fā)生器輸出的激勵信號計算頻響函數(shù)，無需額外測量輸 入信號，方便簡單。
【附圖說明】
[0024] 圖1為本發(fā)明微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法實施例的流程示意圖；
[0025] 圖2為本發(fā)明待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)上布置的各個測點具體實施例的示意圖；
[0026] 圖3為本發(fā)明微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖4為本發(fā)明微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試系統(tǒng)實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖5為本發(fā)明微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試系統(tǒng)具體實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖6為本發(fā)明瞬態(tài)正弦掃頻信號及柵網(wǎng)振動響應(yīng)信號曲線的示意圖；
[0030] 圖7為本發(fā)明柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)頻響函數(shù)曲線的示意圖；
[0031 ]圖8為本發(fā)明柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)振型的示意圖。
【具體實施方式】
[0032]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及取得的效果，下面結(jié)合附圖及較佳實 施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案，進(jìn)行清楚和完整的描述。
[0033] 如圖1所示，一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法，包括步驟：
[0034] SI 10、根據(jù)激光頭獲取的待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像，布置待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的各個測點，其 中待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上；
[0035] S120、獲取信號發(fā)生器輸出到所述壓電晶片的激勵信號；
[0036] S130、在所述壓電晶片接收到所述激勵信號發(fā)生振動時，測量各個測點的振動響 應(yīng)信號；
[0037] S140、根據(jù)所述激勵信號和各個測點的振動響應(yīng)信號，獲得各個測點相對于所述 激勵信號的頻響函數(shù)；
[0038] S150、根據(jù)所述頻響函數(shù)獲得待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)。
[0039] 在步驟SllO中，網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)包括柵控行波管金屬柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)等。激光頭為激光掃描頭， 沿激振方向布置，激光頭上有微型攝像頭，可以拍攝待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像。在測試前需要將 網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上，另外還可以固定壓電晶片，例如將壓電晶片固定在平臺上，以 免其晃動造成模態(tài)測試誤差。
[0040] 由于需要將網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上，所以選取體積較大的壓電晶片，例如，在 一個實施例中，所述壓電晶片為壓電激勵器(如壓電陶瓷激勵器等）。另外，待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的 尺寸小于等于所述壓電晶片的接觸面的尺寸，所述接觸面為待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)與所述壓電晶片 接觸的表面。將待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上有多種方法，例如，在一個實施例中，待測 網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)可以通過粘性材料固定在壓電晶片上，粘性材料可以為膠水等。
[0041]獲取到待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像后，可以在待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的各個節(jié)點處布置相應(yīng)的測 點。例如，如圖2所示，軟件中的圖像為激光頭獲取的待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像，柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)即為待 測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)，柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)上的各個黑色即為布置的各個測點。
[0042]在步驟S120中，正式測試前，需要確定信號發(fā)生器輸出的激勵信號、采樣參數(shù)以及 激勵頻帶帶寬。激勵信號包括隨機(jī)白噪聲或瞬態(tài)正弦掃頻信號等。采樣參數(shù)以及激勵頻帶 帶寬可以根據(jù)分析頻率需要設(shè)置。
[0043] 壓電晶片的接線端與信號發(fā)生器的輸出端口連接。信號發(fā)生器直接將激勵信號輸 入到壓電晶片，使壓電晶片產(chǎn)生振動，從而使待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)產(chǎn)生振動。
[0044] 在步驟S130中，壓電晶片在振動時，按照布置的測點逐點掃描式進(jìn)行測量各個測 點的振動響應(yīng)信號。
[0045]在步驟S140中，將信號發(fā)生器輸出的激勵信號作為參考輸入信號，各個測點的振 動響應(yīng)信號作為輸出信號，采用現(xiàn)有技術(shù)中已有的方法計算各個測點相對于參考輸入信號 的頻響函數(shù)。
[0046] 在步驟S150中，采用現(xiàn)有的模態(tài)識別方法識別頻響函數(shù)，獲得待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的頻 率和振型等模態(tài)參數(shù)。
[0047] 基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置，下面結(jié)合附 圖對本發(fā)明裝置的【具體實施方式】做詳細(xì)描述。
[0048] 如圖3所示，一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置，包括：
[0049] 測點布置模塊110,用于根據(jù)激光頭獲取的待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像，布置待測網(wǎng)殼結(jié) 構(gòu)的各個測點，其中待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上；
[0050] 激勵信號獲取模塊120,用于獲取信號發(fā)生器輸出到所述壓電晶片的激勵信號；
[0051] 振動響應(yīng)信號測量模塊130,用于在所述壓電晶片接收到所述激勵信號發(fā)生振動 時，測量各個測點的振動響應(yīng)信號；
[0052]頻響函數(shù)獲得模塊140,用于根據(jù)所述激勵信號和各個測點的振動響應(yīng)信號，獲得 各個測點相對于所述激勵信號的頻響函數(shù)；
[0053]模態(tài)參數(shù)獲得模塊150,用于根據(jù)所述頻響函數(shù)獲得待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)。
[0054] 本發(fā)明所用壓電晶片可以選取體積較大的壓電晶片，例如，在一個實施例中，所述 壓電晶片為壓電激勵器(如壓電陶瓷激勵器等）。另外，待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的尺寸小于等于所述 壓電晶片的接觸面的尺寸，所述接觸面為待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)與所述壓電晶片接觸的表面。
[0055] 將待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上有多種方法，例如，在一個實施例中，待測網(wǎng)殼 結(jié)構(gòu)可以通過粘性材料固定在壓電晶片上，粘性材料可以為膠水等。
[0056] 獲取到待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像后，在一個實施例中，所述測點布置模塊110可以在待 測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的各個節(jié)點處布置相應(yīng)的測點。
[0057] 本發(fā)明裝置其它技術(shù)特征與本發(fā)明方法相同，在此不予贅述。
[0058] 本發(fā)明還提供一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試系統(tǒng)，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明系統(tǒng)進(jìn)行 簡單介紹。
[0059] 如圖4所示，一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試系統(tǒng)，包括壓電晶片和激光測振系統(tǒng)，所 述激光測振系統(tǒng)包括激光頭、信號發(fā)生器以及上述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置;所述壓 電晶片與所述信號發(fā)生器輸出端相連，所述微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置分別與所述激光頭 和所述信號發(fā)生器輸出端相連。
[0060] 為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案以及達(dá)到的技術(shù)效果，下面以柵控行波管金屬 柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)模態(tài)測試進(jìn)行介紹。
[0061] 如圖5所示，柵控行波管金屬柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)通過502膠粘貼在壓電陶瓷激勵器上;壓電 陶瓷激勵器固定在鋁合金材料的固定平臺，其兩接線端連接至激光測振系統(tǒng)PSV500-3D-M 的信號發(fā)生器輸出端口；激光頭沿激振方向布置;微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置安裝有PSV數(shù) 據(jù)采集與分析軟件以及模態(tài)識別軟件。
[0062]啟動PSV數(shù)據(jù)采集與分析軟件，在激光頭拍攝的柵網(wǎng)圖像的各節(jié)點處共布置100個 測點，分析頻帶寬50KHz，采樣頻率128KHz，譜線數(shù)為12800條。
[0063] 進(jìn)行模態(tài)參數(shù)測試時，信號發(fā)生器輸出瞬態(tài)正弦掃頻信號至壓電陶瓷激勵器，掃 頻信號頻率范圍為〇~50KHz，同時按照設(shè)定的測點逐點掃描式進(jìn)行測量柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)振動響應(yīng) 信號，測量的振動響應(yīng)信號如圖6所示。利用PSV數(shù)據(jù)采集與分析軟件計算各測點相對于正 弦掃頻信號的傳遞函數(shù)，獲得所有測點的頻響函數(shù)。獲得的頻響函數(shù)如圖7所示，頻響函數(shù) 曲線平滑說明信號的信噪比較高。將頻響函數(shù)數(shù)據(jù)導(dǎo)入模態(tài)識別軟件，采用PolyMAX模態(tài)識 別方法識別柵網(wǎng)的頻率和振型，共識別出50KHz以內(nèi)11階固有頻率和振型，其中固有頻率及 振型模態(tài)置信因子值如表1所示，從表1可以看出各階振型彼此正交，11階振型如圖8所示。
[0064] 表1柵網(wǎng)固有頻率及模態(tài)置信因子值
[0066]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相互比較時，具備以下優(yōu)點：
[0067] (1)本發(fā)明采用壓電晶片施加激勵，激勵頻帶寬達(dá)IMHz，甚至更高，解決了 20KHz以 上的模態(tài)測試問題，獲得的模態(tài)參數(shù)較多，可信度高；
[0068] (2)本發(fā)明采用待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)與壓電晶片直接連接的接觸式激勵方法，減少了激 勵能量損耗，利用率高、提高了振動響應(yīng)的信噪比差；
[0069] (3)本發(fā)明采用壓電晶片激勵，測試過程中的噪聲??；
[0070] (4)本發(fā)明直接利用信號發(fā)生器輸出的激勵信號計算頻響函數(shù)，無需額外測量輸 入信號，方便簡單。
[0071] 以上所述實施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實 施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存 在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
[0072] 以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來 說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù) 范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1. 一種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法，其特征在于，包括步驟： 根據(jù)激光頭獲取的待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像，布置待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的各個測點，其中待測網(wǎng) 殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上； 獲取信號發(fā)生器輸出到所述壓電晶片的激勵信號； 在所述壓電晶片接收到所述激勵信號發(fā)生振動時，測量各個測點的振動響應(yīng)信號； 根據(jù)所述激勵信號和各個測點的振動響應(yīng)信號，獲得各個測點相對于所述激勵信號的 頻響函數(shù)； 根據(jù)所述頻響函數(shù)獲得待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法，其特征在于，待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)通過 粘性材料固定在壓電晶片上。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法，其特征在于，待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的尺 寸小于等于所述壓電晶片的接觸面的尺寸，所述接觸面為待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)與所述壓電晶片接 觸的表面。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法，其特征在于，在待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的 各個節(jié)點處布置相應(yīng)的測點。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試方法，其特征在于，所述 壓電晶片為壓電激勵器。6. -種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置，其特征在于，包括： 測點布置模塊，用于根據(jù)激光頭獲取的待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的圖像，布置待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的各 個測點，其中待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)固定在壓電晶片上； 激勵信號獲取模塊，用于獲取信號發(fā)生器輸出到所述壓電晶片的激勵信號； 振動響應(yīng)信號測量模塊，用于在所述壓電晶片接收到所述激勵信號發(fā)生振動時，測量 各個測點的振動響應(yīng)信號； 頻響函數(shù)獲得模塊，用于根據(jù)所述激勵信號和各個測點的振動響應(yīng)信號，獲得各個測 點相對于所述激勵信號的頻響函數(shù)； 模態(tài)參數(shù)獲得模塊，用于根據(jù)所述頻響函數(shù)獲得待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的模態(tài)參數(shù)。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置，其特征在于，待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)通過 粘性材料固定在壓電晶片上；待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的尺寸小于等于所述壓電晶片的接觸面的尺 寸，所述接觸面為待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)與所述壓電晶片接觸的表面。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置，其特征在于，所述測點布置模塊 在待測網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的各個節(jié)點處布置相應(yīng)的測點。9. 根據(jù)權(quán)利要求6至8任意一項所述的微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試裝置，其特征在于，所述 壓電晶片為壓電激勵器。10. -種微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測試系統(tǒng)，其特征在于，包括壓電晶片和激光測振系統(tǒng)，所 述激光測振系統(tǒng)包括激光頭、信號發(fā)生器以及如權(quán)利要求6至9任意一項所述的微小網(wǎng)殼結(jié) 構(gòu)模態(tài)測試裝置;所述壓電晶片與所述信號發(fā)生器輸出端相連，所述微小網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)模態(tài)測 試裝置分別與所述激光頭和所述信號發(fā)生器輸出端相連。
【文檔編號】G01M7/02GK105841907SQ201610364081
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月26日
【發(fā)明人】朱軍華, 宋芳芳, 恩云飛
【申請人】工業(yè)和信息化部電子第五研究所