一種用于穩(wěn)壓二極管的建模方法和模型電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于穩(wěn)壓二極管的建模方法和模型電路。所述模型電路包括：正向二極管、反向二極管、第一電阻、第二電阻以及電壓源，其中，所述正向二極管與所述第一電阻串聯(lián)組成的第一支路連接在正極和負(fù)極之間；以及所述電壓源與所述反向二極管和所述第二電阻串聯(lián)組成的第二支路連接在所述正極和所述負(fù)極之間，并與所述第一支路并聯(lián)。本發(fā)明所提供的用于穩(wěn)壓二極管的模型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，并且該模型電路可以很好地描述穩(wěn)壓二極管的電流電壓特性，大大提高電路仿真的準(zhǔn)確性。
【專利說(shuō)明】
一種用于穩(wěn)壓二極管的建模方法和模型電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種用于穩(wěn)壓二極管的建模方法和模型電路。
【背景技術(shù)】
[0002]穩(wěn)壓二極管與普通二極管相比其擊穿電壓(也叫齊納電壓)更低，比較典型的擊穿電壓為6V。通過(guò)對(duì)穩(wěn)壓二極管PN結(jié)的重?fù)诫s來(lái)降低擊穿電壓，重?fù)诫s的PN結(jié)由于隧穿機(jī)制而發(fā)生齊納擊穿，在重?fù)诫sPN結(jié)內(nèi)，反偏條件下結(jié)兩側(cè)的導(dǎo)帶與價(jià)帶離得非常近，以至于電子可以由P區(qū)的價(jià)帶直接隧穿到η區(qū)的導(dǎo)帶。
[0003]穩(wěn)壓二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件，在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很少的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔的，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。其中，最典型的是穩(wěn)壓二極管在削波器中的應(yīng)用，兩個(gè)穩(wěn)壓二極管的負(fù)極與負(fù)極相連接串聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)削平信號(hào)電壓波幅，如圖1A和IB所示。削波器不僅應(yīng)用于對(duì)信號(hào)的整形，也可用于過(guò)壓保護(hù)，如強(qiáng)的輸出信號(hào)或干擾有可能損壞某個(gè)部件時(shí)，可在這個(gè)部件前接入削波器。
[0004]為了預(yù)測(cè)穩(wěn)壓二極管在其所處的環(huán)境中的性能和可靠性，需要對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行仿真?，F(xiàn)有的用于常規(guī)二極管的SPICE模型不能很好地描述穩(wěn)壓二極管的反向偏置下的電流電壓。
[0005]因此，有必要提出一種新的模型電路和建模方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)的不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]本發(fā)明提供一種用于穩(wěn)壓二極管的模型電路，所述模型電路包括正向二極管、反向二極管、第一電阻、第二電阻以及電壓源，其中，
[0008]所述正向二極管與所述第一電阻串聯(lián)組成的第一支路連接在正極和負(fù)極之間；以及
[0009]所述電壓源與所述反向二極管和所述第二電阻串聯(lián)組成的第二支路連接在所述正極和所述負(fù)極之間，并與所述第一支路并聯(lián)。
[0010]進(jìn)一步，所述電壓源為依賴于電壓的電壓源。
[0011]進(jìn)一步，所述依賴于電壓的電壓源通過(guò)一個(gè)電流源和一個(gè)電阻的并聯(lián)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0012]進(jìn)一步，所述依賴于電壓的電壓源中的電壓用等式表示為:
[0013]VDVS = Ibv^Rbv
[0014]其中，VDVS為電壓源的電壓，代表?yè)舸╇妷海籌bv為所述電流源的電流；Rbv為所述電阻的電阻值。
[0015]進(jìn)一步，所述電阻選用對(duì)溫度有依賴性的電阻，涵蓋擊穿電壓對(duì)溫度的依賴。
[0016]進(jìn)一步，所述第一支路用于正向偏置電流和未擊穿前的反向偏置電流的建模。
[0017]進(jìn)一步，參數(shù)隧穿發(fā)射系數(shù)、隧穿飽和電流和隧穿電流溫度系數(shù)適用于所述未擊穿前的反向偏置電流的建模。
[0018]進(jìn)一步，所述第二支路用于擊穿后反向偏置電流的建模。
[0019]進(jìn)一步，所述電路還包括開(kāi)關(guān)，所述開(kāi)關(guān)用于控制所述電壓源所在的第二支路的通斷。
[0020]本發(fā)明另外還提供一種用于穩(wěn)壓二極管的建模方法，所述建模方法包括:
[0021]步驟一、建立所述穩(wěn)壓二極管的等效模型電路，其中所述等效電路模型包括正向二極管、反向二極管、第一電阻、第二電阻以及電壓源，其中，
[0022]所述正向二極管與所述第一電阻串聯(lián)組成的第一支路連接在正極和負(fù)極之間；以及
[0023]所述電壓源與所述反向二極管和所述第二電阻串聯(lián)組成的第二支路連接在所述正極和所述負(fù)極之間，并與所述第一支路并聯(lián)；
[0024]步驟二、利用步驟一建立的穩(wěn)壓二極管的等效模型電路，對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行建模，其中，
[0025]所述第一支路用于正向偏置電流和未擊穿前的反向偏置電流的建模；
[0026]所述第二支路用于擊穿后反向偏置電流的建模。
[0027]進(jìn)一步，所述電壓源為依賴于電壓的電壓源。
[0028]進(jìn)一步，所述依賴于電壓的電壓源通過(guò)一個(gè)電流源和一個(gè)電阻的并聯(lián)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0029]進(jìn)一步，所述依賴于電壓的電壓源中的電壓用等式表示為:
[0030]VDVS = Ibv^Rbv
[0031]其中，VDVS為電壓源的電壓，代表?yè)舸╇妷海籌bv為所述電流源的電流；Rbv為所述電阻的電阻值。
[0032]進(jìn)一步，所述電阻選用對(duì)溫度有依賴性的電阻，涵蓋擊穿電壓對(duì)溫度的依賴。
[0033]進(jìn)一步，參數(shù)隧穿發(fā)射系數(shù)、隧穿飽和電流和隧穿電流溫度系數(shù)適用于未擊穿前的反向偏置電流的建模。
[0034]綜上所述，本發(fā)明所提供的用于穩(wěn)壓二極管的模型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，并且該模型電路可以很好地描述穩(wěn)壓二極管的電流電壓特性，大大提高電路仿真的準(zhǔn)確性。
【附圖說(shuō)明】
[0035]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
[0036]附圖中:
[0037]圖1A示出了現(xiàn)有的一種削波器的等效電路圖；
[0038]圖1B示出了根據(jù)圖1A中的等效電路圖所獲得的波形的輸入/輸出示意圖；
[0039]圖2A示出了常規(guī)的P阱/N+STI 二極管的示意圖；
[0040]圖2B示出了用于圖2A中的P阱/N+STI 二極管的SPICE仿真中的模型電路圖；
[0041]圖2C示出了使用圖2B的等效電路對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行仿真所獲得的仿真IV曲線與測(cè)試IV曲線的對(duì)比示意圖；
[0042]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于穩(wěn)壓二極管的模型電路；以及
[0043]圖4示出了使用圖3的模型電路對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行仿真得到的仿真IV與測(cè)試IV的對(duì)比示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0045]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0046]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0047]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述夕卜，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0048]SPICE (Simulat1n program with integrated circuit emphasis)是最為普遍的電路級(jí)仿真模擬程序?，F(xiàn)在SPICE模型仿真已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電子設(shè)計(jì)中，可對(duì)電路進(jìn)行非線性直流分析、非線性瞬態(tài)分析和線性交流分析。為了進(jìn)行電路模擬仿真，必須先建立元器件的模型。二極管作為半導(dǎo)體集成電路中一種重要的半導(dǎo)體器件，在集成電路工藝領(lǐng)域中被廣泛的應(yīng)用。因此，對(duì)諸如二極管的元件器建立SPICE模型具有重要意義。
[0049]圖2A示出了常規(guī)P阱/N+STI 二極管的示意圖。根據(jù)圖2A的P阱/N+STI 二極管的結(jié)構(gòu)，可以建立如圖2B所示的模型電路。該模型電路包括串聯(lián)連接在正極和負(fù)極之間的二極管和電阻rs。其中，通過(guò)二極管的電流可以用等式id = IS.[exp((vd-1d.rs/(N-vt))-1]來(lái)表示，其中，二極管兩端的電壓為vd = Ves -Vfts，IS為理想飽和電流，N為理想因子，vt為熱電壓(thermal voltage)，其值為26毫伏。
[0050]如果采用圖2B所示的模型電路對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)其無(wú)法對(duì)反向偏置下的穩(wěn)壓二極管的IV(電流電壓)關(guān)系進(jìn)行很好地描述。
[0051]圖2C示出了使用圖2B的模型電路對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行建模得到的仿真IV與測(cè)試IV的比較示意圖。不同曲線表示不同電壓偏置條件下的電流情況，其中點(diǎn)線代表實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，實(shí)線代表模型仿真得到的電流電壓曲線，其中X軸為二極管兩端掃描電壓，Y軸為測(cè)試電流，刻度為L(zhǎng)og(A)。圖中將曲線劃分為四部分，a為正向偏置下模型擬合部分，b為反向偏置擊穿之前模型擬合部分，c為反向偏置發(fā)生擊穿時(shí)模型擬合部分，d為反向偏置下?lián)舸┖竽Ｐ蛿M合部分。如圖3所示，在正向偏置(forward bias)下的IV可以被很好地描述，然而在反向偏置(reverse bias)下仿真中的穩(wěn)壓二極管電流被大大低估(underestimated)了。因此，需要建立適用于穩(wěn)壓二極管的模型電路。
[0052]下面，參考圖3對(duì)本發(fā)明提出的穩(wěn)壓二極管的模型電路以及建模方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0053]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于穩(wěn)壓二極管的模型電路。該模型電路300包括正向二極管301、反向二極管304、第一電阻302、第二電阻303以及電壓源305，其中，所述正向二極管301與所述第一電阻302串聯(lián)組成的第一支路連接在正極和負(fù)極之間；所述電壓源305與所述反向二極管304和所述第二電阻303串聯(lián)組成的第二支路連接在所述正極和所述負(fù)極之間，并與所述第一支路并聯(lián)。示例性地，穩(wěn)壓二極管的柵極連接到阱(NW或Pff)，正極連接到P+，負(fù)極連接到N+。
[0054]可選地，正向二極管301和第一電阻302可以與如圖2B所示的常規(guī)二極管的等效電路模型中的二極管和電阻相同。其中，常規(guī)二極管例如為STI 二極管。
[0055]典型地，所述第一支路用于正向偏置電流和未擊穿前的反向偏置電流的建模。其中，SPICE模型中的參數(shù)隧穿發(fā)射系數(shù)(ntun)、隧穿飽和電流(jtun)和隧穿電流溫度系數(shù)(xtitun)仍然適用于未擊穿前的反向偏置電流的建模仿真。
[0056]如前面所述，如果采用圖2B所示的模型電路對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行建模，在正向偏置下的IV可以被很好地描述，然而在反向偏壓下的IV不能被很好地描述。因此，還可以在模型電路300的電壓源305所在的支路加入開(kāi)關(guān)(未在圖3中示出)，用于控制電壓源305所在的支路的通斷。當(dāng)穩(wěn)壓二極管在正向偏壓下時(shí)可以使開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，從而使用只包括正向二極管301和第一電阻302的與常規(guī)二極管模型電路類(lèi)似的模型電路。當(dāng)穩(wěn)壓二極管在反向偏壓下時(shí)可以使開(kāi)關(guān)閉合。
[0057]具體地，本實(shí)施例中，通過(guò)增加電壓源305、反向二極管304和所述第二電阻303的支路來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)于反向偏置下IV曲線的仿真。所述電壓源305與所述反向二極管304和所述第二電阻303串聯(lián)組成的第二支路連接在所述正極和所述負(fù)極之間，并與所述第一支路并聯(lián)。所述第二支路可以用于擊穿后反向偏置電流的建模。
[0058]在一個(gè)示例中，所述電壓源305為依賴于電壓的電壓源(voltage-dependent-voltage-source，簡(jiǎn)稱VDVS)。所述依賴于電壓的電壓源305通過(guò)一個(gè)電流源306和一個(gè)電阻307的并聯(lián)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0059]所述依賴于電壓的電壓源305中的電壓用等式表示為:
[0060]VDVS = Ibv^Rbv
[0061]其中，VDVS為電壓源305的電壓，代表?yè)舸╇妷?；Ibv為所述電流源306的電流；Rbv為所述電阻307的電阻值。
[0062]由于擊穿電壓對(duì)于溫度有依賴性，本發(fā)明實(shí)施例中，所述電阻307選用對(duì)溫度有依賴性的電阻，涵蓋擊穿電壓對(duì)溫度的依賴。
[0063]另一方面，本發(fā)明還提供一種用于柵控二極管的建模方法，包括:
[0064]步驟一、建立所述穩(wěn)壓二極管的等效模型電路，其中所述等效電路模型包括正向二極管、反向二極管、第一電阻、第二電阻以及電壓源，其中，所述正向二極管與所述第一電阻串聯(lián)組成的第一支路連接在正極和負(fù)極之間；以及
[0065]所述電壓源與所述反向二極管和所述第二電阻串聯(lián)組成的第二支路連接在所述正極和所述負(fù)極之間，并與所述第一支路并聯(lián)；
[0066]步驟二、利用步驟一建立的穩(wěn)壓二極管的等效模型電路，對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行建模，其中，所述第一支路用于正向偏置電流和未擊穿前的反向偏置電流的建模；所述第二支路用于擊穿后反向偏置電流的建模。
[0067]示例性地，所述電壓源為依賴于電壓的電壓源。所述依賴于電壓的電壓源通過(guò)一個(gè)電流源和一個(gè)電阻的并聯(lián)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0068]所述依賴于電壓的電壓源中的電壓用等式表示為:
[0069]VDVS = Ibv^Rbv
[0070]其中，VDVS為電壓源的電壓，代表?yè)舸╇妷?；Ibv為所述電流源的電流；Rbv為所述電阻的電阻值。
[0071]由于與電流源并聯(lián)的電阻選用對(duì)溫度有依賴性的電阻，因此可以涵蓋擊穿電壓對(duì)溫度的依賴，也即利用上述公式所獲得的VDVS能夠更準(zhǔn)確的代表?yè)舸╇妷骸?br>[0072]在一個(gè)示例中，所述第一支路用于正向偏置電流和未擊穿前的反向偏置電流的建模，由于第一支路與常規(guī)二極管的模型類(lèi)似，因此參數(shù)隧穿發(fā)射系數(shù)(ntun)、隧穿飽和電流(jtun)和隧穿電流溫度系數(shù)(xtitun)仍然適用于未擊穿前的反向偏置電流的建模。
[0073]采用上述模型電路以及建模方法可以很好地描述穩(wěn)壓二極管的電流電壓特性。圖4示出了使用圖3的模型電路對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行建模得到的仿真IV與測(cè)試IV的比較示意圖。不同曲線表示不同電壓偏置條件下的電流情況，其中點(diǎn)線代表實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，實(shí)線代表模型仿真后得到的電流電壓曲線，X軸為二極管兩端掃描電壓，Y軸為測(cè)試電流，刻度為L(zhǎng)og(A)。圖中將曲線劃分為四部分，a為正向偏置下模型擬合部分，b為反向偏置擊穿之前模型擬合部分，c為反向偏置發(fā)生擊穿時(shí)模型擬合部分，d為反向偏置下?lián)舸┖竽Ｐ蛿M合部分。由圖4可以看出，該模型電路下的仿真IV很好地?cái)M合了測(cè)試IV。
[0074]綜上所述，本發(fā)明所提供的用于穩(wěn)壓二極管的模型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，并且該模型電路可以很好地描述穩(wěn)壓二極管的電流電壓特性，大大提高電路仿真的準(zhǔn)確性。
[0075]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于穩(wěn)壓二極管的模型電路，其特征在于，所述模型電路包括正向二極管、反向二極管、第一電阻、第二電阻以及電壓源，其中， 所述正向二極管與所述第一電阻串聯(lián)組成的第一支路連接在正極和負(fù)極之間；以及 所述電壓源與所述反向二極管和所述第二電阻串聯(lián)組成的第二支路連接在所述正極和所述負(fù)極之間，并與所述第一支路并聯(lián)。2.如權(quán)利要求1所述的模型電路，其特征在于，所述電壓源為依賴于電壓的電壓源。3.如權(quán)利要求2所述的模型電路，其特征在于，所述依賴于電壓的電壓源通過(guò)一個(gè)電流源和一個(gè)電阻的并聯(lián)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。4.如權(quán)利要求3所述的模型電路，其特征在于，所述依賴于電壓的電壓源中的電壓用等式表不為:VDVS = Ibv*Rbv 其中，VDVS為電壓源的電壓，代表?yè)舸╇妷?；Ibv為所述電流源的電流；Rbv為所述電阻的電阻值。5.如權(quán)利要求3所述的模型電路，其特征在于，所述電阻選用對(duì)溫度有依賴性的電阻，涵蓋擊穿電壓對(duì)溫度的依賴。6.如權(quán)利要求1所述的模型電路，其特征在于，所述第一支路用于正向偏置電流和未擊穿前的反向偏置電流的建模。7.如權(quán)利要求6所述的模型電路，其特征在于，參數(shù)隧穿發(fā)射系數(shù)、隧穿飽和電流和隧穿電流溫度系數(shù)適用于所述未擊穿前的反向偏置電流的建模。8.如權(quán)利要求1所述的模型電路，其特征在于，所述第二支路用于擊穿后反向偏置電流的建模。9.如權(quán)利要求1所述的模型電路，其特征在于，所述電路還包括開(kāi)關(guān)，所述開(kāi)關(guān)用于控制所述電壓源所在的第二支路的通斷。10.一種用于穩(wěn)壓二極管的建模方法，其特征在于，所述建模方法包括: 步驟一、建立所述穩(wěn)壓二極管的等效模型電路，其中所述等效電路模型包括正向二極管、反向二極管、第一電阻、第二電阻以及電壓源，其中， 所述正向二極管與所述第一電阻串聯(lián)組成的第一支路連接在正極和負(fù)極之間；以及 所述電壓源與所述反向二極管和所述第二電阻串聯(lián)組成的第二支路連接在所述正極和所述負(fù)極之間，并與所述第一支路并聯(lián)； 步驟二、利用步驟一建立的穩(wěn)壓二極管的等效模型電路，對(duì)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行建模，其中， 所述第一支路用于正向偏置電流和未擊穿前的反向偏置電流的建模； 所述第二支路用于擊穿后反向偏置電流的建模。11.如權(quán)利要求10所述的建模方法，其特征在于，所述電壓源為依賴于電壓的電壓源。12.如權(quán)利要求10所述的建模方法，其特征在于，所述依賴于電壓的電壓源通過(guò)一個(gè)電流源和一個(gè)電阻的并聯(lián)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。13.如權(quán)利要求12所述的建模方法，其特征在于，所述依賴于電壓的電壓源中的電壓用等式表示為:VDVS = Ibv^Rbv 其中，VDVS為電壓源的電壓，代表?yè)舸╇妷海籌bv為所述電流源的電流；Rbv為所述電阻的電阻值。14.如權(quán)利要求12所述的建模方法，其特征在于，所述電阻選用對(duì)溫度有依賴性的電阻，涵蓋擊穿電壓對(duì)溫度的依賴。15.如權(quán)利要求10所述的建模方法，其特征在于，參數(shù)隧穿發(fā)射系數(shù)、隧穿飽和電流和隧穿電流溫度系數(shù)適用于未擊穿前的反向偏置電流的建模。
【文檔編號(hào)】G06F17/50GK105842599SQ201510014322
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年1月12日
【發(fā)明人】甘正浩
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司