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      多波束成像聲吶的旁瓣抑制方法、陣列稀疏方法

      文檔序號:10487519閱讀:861來源:國知局
      多波束成像聲吶的旁瓣抑制方法、陣列稀疏方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多波束成像聲吶陣列旁瓣抑制方法,通過風(fēng)驅(qū)動優(yōu)化算法搜索適用于所有波束方向的最優(yōu)陣元位置,同時,通過凸優(yōu)化方法計算適用于各個波束方向的最優(yōu)加權(quán)系數(shù),對陣列旁瓣進行抑制,極大地減少了尋優(yōu)過程陷入局部最優(yōu)的可能性,旁瓣抑制效果更顯著;還公開了一種多波束成像聲吶的陣列稀疏方法,利用基于混合算法的迭代稀疏方法,在給定主旁瓣性能要求的前提下,通過優(yōu)化陣元位置分布和加權(quán)系數(shù)來抑制多波束的旁瓣峰值水平,在方向圖性能損失不大的前提下實現(xiàn)陣列稀疏,具有良好的工程實用性。
      【專利說明】
      多波束成像聲吶的旁瓣抑制方法、陣列稀疏方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001] 本發(fā)明屬于聲吶技術(shù)中信號處理的領(lǐng)域,具體涉及一種多波束成像聲吶的旁瓣抑 制方法、陣列稀疏方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 為了獲得高的成像分辨率,成像聲吶中一般包含著幾百多達上千個換能器單元, 每一個單元對應(yīng)了一個調(diào)理通道,包括前置放大電路、TVG(Time variable gain時間可變 增益)/AGC(Auto gain control自動增益控制)放大電路、濾波和采集電路,系統(tǒng)硬件復(fù)雜 度非常高,成本和功耗都很大。
      [0003] 稀疏陣設(shè)計通過在接收換能器的全矢量中去除掉一部分陣元,對保留換能器的位 置和權(quán)重進行再次優(yōu)化設(shè)計,是降低系統(tǒng)硬件復(fù)雜度,減少成本的有效解決方法。然而陣列 稀疏通常會引起波束方向圖主瓣寬度和旁瓣峰值的增大,而且已有的稀疏陣優(yōu)化設(shè)計方案 大多針對于單波束情況,對于多波束成像聲吶系統(tǒng)并不適用,并且多波束要求又極大地增 加了稀疏難度,難以用已有的稀疏方案加以解決。
      [0004] 因此,提出一種適用于多波束成像聲吶系統(tǒng)在給定主旁瓣要求下的陣列稀疏方法 是很有必要的。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種多波束成像聲吶的旁瓣抑制方法,解決 了現(xiàn)有技術(shù)中多波束陣列稀疏中旁瓣增大的問題。
      [0006] 本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案:
      [0007] 多波束成像聲吶陣列旁瓣抑制方法,通過風(fēng)驅(qū)動優(yōu)化算法搜索適用于所有波束方 向的最優(yōu)陣元位置,同時,通過凸優(yōu)化方法計算適用于各個波束方向的最優(yōu)加權(quán)系數(shù),對陣 列旁瓣進行抑制,具體過程如下:
      [0008] 步驟a、設(shè)置初始化參數(shù),包括陣元數(shù)目、粒子種群大小、最大更新次數(shù)、旁瓣約束 值;
      [0009] 步驟b、初始化粒子種群,以陣元位置作為優(yōu)化變量;
      [0010]步驟c、更新種群粒子的速度和位置向量;
      [0011]步驟d、通過凸優(yōu)化算法獲取各粒子陣列布局下的最優(yōu)權(quán)值;
      [0012]步驟e、計算各粒子位置的峰值旁瓣電平,找出種群的最優(yōu)解;
      [0013] 步驟f、判斷峰值旁瓣電平是否達到旁瓣約束值或者更新次數(shù)是否達到最大,如果 峰值旁瓣電平達到旁瓣約束值或者更新次數(shù)達到最大,則執(zhí)行步驟g,否則,重復(fù)執(zhí)行步驟c 至步驟f;
      [0014] 步驟g、將步驟e獲取的最優(yōu)位置的峰值旁瓣電平作為陣列旁瓣抑制的結(jié)果。
      [0015] 所述種群粒子的速度更新公式如下:
      [0016]
      [0017] 其中,i表示粒子根據(jù)當前位置的壓力值進行的升序排列,υ?4Ρυ_分別表示粒子 的當前速度和下一代的速度,表示粒子的當前位置,乂¥表示粒子的最優(yōu)位置,表 示粒子當前所在維度中的速度受其他任一維度影響的速度,a、R和C為常數(shù),g和T分別為重 力加速度和溫度。
      [0018] 所述位置向量更新公式如下:
      [0019]
      [0020] 其中,xjH 分別表不下一代粒子的位置向量Xnew和速度向量U ne3w的第d個分 量,d=l,2,. . . ,N;rand()表示一個分布于(0,1)間的隨機常量;
      I;示Sigmoid 函數(shù)。
      [0021] 所述步驟d將權(quán)值優(yōu)化問題轉(zhuǎn)化成凸函數(shù)的形式,采用MATLAB的工具包進行求解。
      [0022] 本發(fā)明還公開了一種多波束成像聲吶的陣列稀疏方法,解決了現(xiàn)有技術(shù)中多波束 陣列稀疏難度大、沒有有效的方法對多波束陣列進行稀疏的問題。
      [0023] 為解決該技術(shù)問題,采用如下技術(shù)方案:
      [0024] 多波束成像聲吶的陣列稀疏方法,包括如下步驟:
      [0025] 步驟1、建立多波束成像聲吶陣列在給定主旁瓣性能要求下的陣列稀疏模型;
      [0026] 步驟2、應(yīng)用權(quán)利要求1所述的方法在給定陣元數(shù)目的情況下優(yōu)化陣元位置和加權(quán) 系數(shù),獲取多個波束方向的峰值旁瓣電平以及最優(yōu)陣元位置分布和加權(quán)系數(shù);
      [0027] 步驟3、根據(jù)步驟2中獲取的峰值旁瓣電平,判斷是否滿足下列(a)、(b)中的任意一 個終止陣列稀疏的條件,如果滿足,執(zhí)行步驟5,否則,執(zhí)行步驟4,
      [0028] (a)PSLLr SPSLLd并且 |PSLLr-PSLLd I <0.001
      [0029] (b)PSLLr>PSLLd,
      [0030] 其中,PSLLr為步驟2中搜索得到的峰值旁瓣電平,PSLLd為給定的旁瓣約束值;
      [0031] 步驟4、將陣元數(shù)目減少一個,重復(fù)執(zhí)行步驟2至步驟3;
      [0032] 步驟5、判斷滿足終止陣列稀疏的條件是(a)或(b),如果是(a),執(zhí)行步驟6,如果是 (b),執(zhí)行步驟7;
      [0033]步驟6、將步驟2中的陣元數(shù)目下得到的最優(yōu)陣元位置分布和加權(quán)系數(shù)作為該陣列 稀疏方法的結(jié)果;
      [0034]步驟7、將陣元數(shù)目增加一個,執(zhí)行步驟2,并將更新后的陣元數(shù)目下得到的最優(yōu)陣 元位置分布和加權(quán)系數(shù)作為該陣列稀疏方法的結(jié)果。
      [0035] 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:
      [0036] 1、可處理多波束陣列在主旁瓣性能約束條件下的陣列稀疏問題,彌補了現(xiàn)有技術(shù) 在多波束情況下的陣列稀疏技術(shù)方面的空白。
      [0037] 2、通過將權(quán)值優(yōu)化問題轉(zhuǎn)化成了可用MATLAB的工具包進行簡便求解的凸函數(shù)形 式,提高了計算效率,有效減少了稀疏方法的運行時間。
      [0038] 3、通過利用WD0(Wind driven optimization風(fēng)驅(qū)動優(yōu)化)和凸優(yōu)化分別進行全局 優(yōu)化和局部優(yōu)化,極大地減少了尋優(yōu)過程陷入局部最優(yōu)的可能性,旁瓣抑制效果更顯著。
      [0039] 4、利用基于混合算法的迭代稀疏方法,在給定主旁瓣性能要求的前提下,通過優(yōu) 化陣元位置分布和加權(quán)系數(shù)來抑制多波束的旁瓣峰值水平,在方向圖性能損失不大的前提 下實現(xiàn)陣列稀疏,具有良好的工程實用性。
      【附圖說明】
      [0040] 圖1為均勻半圓陣列的數(shù)學(xué)模型圖。
      [0041 ]圖2為WDO和凸優(yōu)化算法的混合方法的流程圖。
      [0042] 圖3為兩種方法的收斂速度比較的仿真結(jié)果圖。
      [0043] 圖4為本發(fā)明方法進行陣列稀疏得到的陣元位置分布的仿真結(jié)果圖。
      [0044] 圖5(a)為在消聲水池中用初始滿陣對圓環(huán)和三角架進行成像的畫面。
      [0045] 圖5(b)為在消聲水池中應(yīng)用本發(fā)明的稀疏陣列對圓環(huán)和三角架進行成像的畫面。
      【具體實施方式】
      [0046] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及工作過程作進一步說明。
      [0047] 考慮陣元數(shù)為N的均勻半圓陣列,在信號到達角為Θ時第1個波束方向上的陣列響 應(yīng)由下式給出:
      [0048]
      (!)
      [0049] 式(1)中,wf5為第k個陣元上的第1個波束方向的加權(quán)系數(shù),為第k個陣元和陣列 圓心的連線與參考陣元所在的X軸之間的夾角,',R和λ分別表示 陣列半徑和信號波長。
      [0050] 具體實施例一,
      [0051] 多波束成像聲吶陣列旁瓣抑制方法,通過給出的基于風(fēng)驅(qū)動優(yōu)化(WDO)和凸優(yōu)化 的混合算法來實現(xiàn)半圓陣列的旁瓣抑制,在給出的混合算法中,WDO算法是作為全局優(yōu)化算 法搜索適用于所有波束方向的共同的最優(yōu)陣元位置,凸優(yōu)化則是作為局部優(yōu)化算法優(yōu)化各 個波束方向的加權(quán)系數(shù)。通過利用WDO和凸優(yōu)化分別進行全局優(yōu)化和局部優(yōu)化,給出的混合 算法極大地減少了尋優(yōu)過程陷入局部最優(yōu)的可能性。所述混合算法包括兩個階段:第一階 段,通過WDO算法搜索適用于所有波束方向的共同的最優(yōu)陣元位置,第二階段,在計算壓力 函數(shù)值時通過凸優(yōu)化方法優(yōu)化適用于各個波束方向的加權(quán)系數(shù),對陣列旁瓣進行抑制,具 體過程如下:
      [0052] 步驟a、根據(jù)實際情況設(shè)置初始化參數(shù),包括多波束均勻半圓陣陣元數(shù)目Ν,旁瓣約 束值PSLLd以及WDO算法中的粒子種群大小,最大更新次數(shù);
      [0053]步驟b、初始化粒子種群,以陣元位置作為優(yōu)化變量;
      [0054] 步驟c、更新種群粒子的速度和位置向量,其中,種群粒子的速度更新公式如下:
      [0055]
      [0056] 其中,i表示粒子根據(jù)當前位置的壓力值進行的升序排列,IUjPUne3w分別表示粒子 的當前速度和下一代的速度,表示粒子的當前位置,乂¥表示粒子的最優(yōu)位置,C hn表 示粒子當前所在維度中的速度受其他任一維度影響的速度,a、R和c為常數(shù),g和T分別為重 力加速度和溫度;
      [0057] 位置向量更新公式如下:
      [0058]
      Λ ?
      [0059] 其中,、W=分別表不下一代粒子的位置向量Xnew和速度向量Unew的第d個分 量,d=l,2,. . .,N;rand〇表示一個分布于(0,1)間的隨機常量
      表示Sigmoid 函數(shù);
      [0060] 步驟d、在計算壓力函數(shù)值時,將權(quán)值優(yōu)化問題轉(zhuǎn)化成可用MATLAB的工具包進行簡 便求解凸函數(shù)的形式,獲取各粒子陣列布局下的最優(yōu)權(quán)值,該凸優(yōu)化問題形式如下:
      [0061]
      [0062]
      [0063] 其中,1為波束序號,1 = 1,2, ...,L,L為總的期望的波束數(shù)目,<%為第1個波束旁瓣 區(qū)域Q1內(nèi)的采樣角,i = l,2,. ..,1,?,為第1個波束的波束指向,
      [0064] 在獲得粒子陣列布局下的最優(yōu)權(quán)值后,將多個波束方向的峰值旁瓣電平作為壓力 函數(shù)值返回,形式如下:
      [0065]
      [0066] :取單波束方向的旁瓣水平,為函數(shù)返回值, 表示所有波束方向的峰值旁瓣水平;
      [0067]步驟e、計算各粒子位置的峰值旁瓣電平,找出種群的最優(yōu)解;
      [0068] 步驟f、判斷峰值旁瓣電平是否達到旁瓣約束值或者更新次數(shù)是否達到最大,如果 峰值旁瓣電平達到旁瓣約束值或者更新次數(shù)達到最大,則執(zhí)行步驟g,否則,重復(fù)執(zhí)行步驟c 至步驟f;
      [0069] 步驟g、將步驟e獲取的最優(yōu)位置的峰值旁瓣電平PSLLr作為陣列旁瓣抑制的結(jié)果。
      [0070] 具體實施例二,
      [0071] 多波束成像聲吶的陣列稀疏方法,包括如下步驟:
      [0072] 步驟1、建立多波束成像聲吶陣列在給定主旁瓣性能要求下的陣列稀疏模型;
      [0073] 通過從陣列上的規(guī)則柵格中抽去部分陣元來實現(xiàn)稀疏,用二進制數(shù)'Γ'0'來表示 陣列中陣元的有無,為了滿足保持主瓣寬度不變的要求,將陣列兩端的兩個陣元保留(X 1 = XN= 1 ),則將稀疏問題轉(zhuǎn)化成了由(2)式給出的多約束情況下的數(shù)學(xué)優(yōu)化問題:
      [0074]
      (2)
      [0075]式(2)中,I I · I |〇表示取0范數(shù);Χι = (χι,Χ2, · · ·,ΧΝ)Τ為陣元位置的二進制表示,Xk =0表示第k個位置上無陣元,Xk=I表示第k個位置上有陣元,k = 2,3, . . .,Ν-1,χν+ι, ΧΝ+2, · · ·Χ2Ν和Χ2Ν+1,Χ2Ν+2, · · ·Χ3Ν分別為N個陣元對應(yīng)的加權(quán)系數(shù)的實部和虛部,需要注意的 是,對于不同的波束方向,有著共同的最優(yōu)陣元位置,但可能有著不同的加權(quán)系數(shù);PSLLr為 具體實施例一中步驟g中得到的最優(yōu)位置的峰值旁瓣電平,PSLLd為給定的旁瓣約束值;
      [0076] 步驟2、應(yīng)用具體實施例1所述的方法在給定陣元數(shù)目的情況下優(yōu)化陣元位置和加 權(quán)系數(shù),獲取多個波束方向的峰值旁瓣電平以及最優(yōu)陣元位置分布和加權(quán)系數(shù);
      [0077] 步驟3、根據(jù)步驟2中獲取的峰值旁瓣電平,判斷是否滿足下列(a)、(b)中的任意一 個終止陣列稀疏的條件,如果滿足,執(zhí)行步驟5,否則,執(zhí)行步驟4,
      [0078] (a)PSLLr SPSLLd并且 |PSLLr-PSLLd I <0.001
      [0079] (b)PSLLr>PSLLd,
      [0080] 其中,PSLLr為步驟2中搜索得到的峰值旁瓣電平,PSLLd為給定的旁瓣約束值;
      [0081] 步驟4、將陣元數(shù)目減少一個,重復(fù)執(zhí)行步驟2至步驟3;
      [0082] 步驟5、判斷滿足終止陣列稀疏的條件是(a)或(b),如果是(a),執(zhí)行步驟6,如果是 (b),執(zhí)行步驟7;
      [0083] 步驟6、將步驟2中的陣元數(shù)目下得到的最優(yōu)陣元位置分布和加權(quán)系數(shù)作為該陣列 稀疏方法的結(jié)果;
      [0084] 步驟7、將陣元數(shù)目增加一個,執(zhí)行步驟2,并將更新后的陣元數(shù)目下得到的最優(yōu)陣 元位置分布和加權(quán)系數(shù)作為該陣列稀疏方法的結(jié)果。
      [0085] 本發(fā)明基于多波束成像聲吶陣列,針對均勻半圓陣,在給定主旁瓣約束情況下,通 過給出的基于WDO和凸優(yōu)化的混合算法來抑制旁瓣峰值水平,可實現(xiàn)多波束陣列的稀疏設(shè) 計。其中,將WDO算法作為全局優(yōu)化算法優(yōu)化適用于所有波束的共同最優(yōu)位置,凸優(yōu)化作為 局部優(yōu)化算法優(yōu)化各個波束的加權(quán)系數(shù),從而減少了尋優(yōu)過程陷入局部最優(yōu)的可能性;其 次,本發(fā)明通過將多個波束的權(quán)值優(yōu)化問題轉(zhuǎn)化成可用MATLAB的工具包進行簡便求解的凸 函數(shù)形式,提高了算法計算效率,縮短了計算過程所用時間,具有良好的工程實用性。
      [0086] 具體實施例三,
      [0087] 為了便于理解該技術(shù)方案,下面以基于多波束均勻半圓陣的陣列稀疏為例來進行 詳細的說明。
      [0088] 本實施例中的半圓陣如圖1所示,由N個相同的均勻分布的陣元1#,2#,...,N#構(gòu) 成,陣元k#和陣列圓心的連線與參考陣元1#所在的X軸之間的夾角為A ,其中k = N-I 1,2, ...,Ν,Θ為信號到達角。假定該均勻半圓陣一共有180個陣元,要在45°-135°方向范圍 之間生成538個窄波束以實現(xiàn)對該方向范圍的掃描,波束的旁瓣約束值PSLLd設(shè)為_25dB。陣 列半徑R為〇. 12m,信號波長λ為〇. 〇〇33m。
      [0089] 在WDO算法中,設(shè)定一個種群包含30個粒子,最大更新次數(shù)設(shè)為100。更新過程中的 參數(shù)值設(shè)定如下:〇 = 0.854 = 0.65,(: = 0.4,町=1.5,最大速度設(shè)為^、=6.0,(1=1, 2,...,N。當尋找到的峰值副瓣電平滿足約束條件或者達到最大更新次數(shù)時停止搜索過程。
      [0090] 首先為了評估給出的混合算法(如圖2所示)的旁瓣抑制能力和計算速度,以已有 的BPS0(Binary particle swarm optimization二進制粒子群優(yōu)化)結(jié)合PS0(Particle swarm optimization粒子群優(yōu)化)的混合方法作為參考,在使用MATLAB仿真比較時,固定陣 元數(shù)目為120(從陣列上的規(guī)則柵格中抽去60個陣元),仿真測試結(jié)果如圖3所示。在圖3中給 出了兩種方法的收斂曲線,其中的橫縱坐標分別為更新次數(shù)和用dB表示的峰值副瓣電平。
      [0091] 結(jié)果顯示,給出的混合算法可將陣列的峰值副瓣電平抑制在-22.1643dB,低于已 有算法得到的-16.0519dB;此外在單次更新過程中,給出的混合算法所用的計算時間約為 已有算法用時的10%。因此相比于已有算法,給出的混合算法在旁瓣抑制能力和計算效率 方面都有著明顯的改進。
      [0092] 接著,本實施例應(yīng)用給出的基于混合算法的迭代稀疏方法對聲吶陣列進行稀疏設(shè) 計,設(shè)計實現(xiàn)的稀疏陣列陣元數(shù)由滿陣情況下的180降低至151,其陣元位置分布如圖4所 示,由于最兩端的陣元被保留,陣列孔徑未改變,因此該稀疏陣列的主瓣寬度保持不變,同 時,該稀疏陣列的旁瓣峰值被抑制至-25.0091dB,因此滿足主旁瓣性能要求。為了進一步地 說明給出的稀疏方法的工程實用性,還對設(shè)計實現(xiàn)的陣元數(shù)為151的稀疏半圓陣列與陣元 數(shù)為180的初始滿陣陣列分別進行了成像性能試驗。
      [0093] 圖5(a)、圖5(b)分別為在消聲水池中用初始滿陣和本文得到的稀疏陣列對圓環(huán)和 三角架進行成像的畫面。較之于滿陣陣列所得圖像,由稀疏陣列所得的圖像雖然清晰度略 有下降,但依然可以容易地辯認出目標,成像質(zhì)量處于可接受的范圍內(nèi)。
      [0094] 本發(fā)明給出的基于混合算法的迭代稀疏方法,適用于多波束陣列在主旁瓣性能約 束條件下的稀疏設(shè)計。該算法計算效率高,尋優(yōu)過程陷入局部最優(yōu)的可能性小;可有效減少 陣元數(shù)目,節(jié)約了多波束成像聲吶系統(tǒng)的成本和功耗。因此,本文給出的稀疏方法對于多波 束成像聲吶系統(tǒng)的陣列稀疏設(shè)計具有很大的工程實踐意義。
      【主權(quán)項】
      1. 多波束成像聲響陣列旁瓣抑制方法,其特征在于:通過風(fēng)驅(qū)動優(yōu)化算法捜索適用于 所有波束方向的最優(yōu)陣元位置,同時,通過凸優(yōu)化方法計算適用于各個波束方向的加權(quán)系 數(shù),對陣列旁瓣進行抑制,具體過程如下: 步驟a、設(shè)置初始化參數(shù),包括陣元數(shù)目、粒子種群大小、最大更新次數(shù)、旁瓣約束值; 步驟b、初始化粒子種群,W陣元位置作為優(yōu)化變量; 步驟C、更新種群粒子的速度和位置向量; 步驟d、通過凸優(yōu)化算法獲取各粒子陣列布局下的最優(yōu)權(quán)值; 步驟e、計算各粒子位置的峰值旁瓣電平,找出種群的最優(yōu)解; 步驟f、判斷峰值旁瓣電平是否達到旁瓣約束值或者更新次數(shù)是否達到最大,如果峰值 旁瓣電平達到旁瓣約束值或者更新次數(shù)達到最大,則執(zhí)行步驟g,否則,重復(fù)執(zhí)行步驟C至步 驟f; 步驟g、將步驟e獲取的最優(yōu)位置的峰值旁瓣電平作為陣列旁瓣抑制的結(jié)果。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束成像聲響陣列旁瓣抑制方法,其特征在于:所述種群粒 子的速度更新公式如下:其中,i表示粒子根據(jù)當前位置的壓力值進行的升序排列,Ucur和Unew分別表示粒子的當 前速度和下一代的速度,Xcur表示粒子的當前位置,XDpt表示粒子的最優(yōu)位置,tC" dim表示粒 子當前所在維度中的速度受其他任一維度影響的速度,a、R和C為常數(shù),g和T分別為重力加 速度和溫度。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束成像聲響陣列旁瓣抑制方法,其特征在于:所述位置向 量更新公式如下:其中,λ'?、分別表示下一代粒子的位置向量Xnew和速度向量Unew的第d個分量,d = 1,2,. . .,N;rand〇表示一個分布于(0,1)間的隨機常量;衰示Sigmoid函數(shù)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束成像聲響陣列旁瓣抑制方法,其特征在于:所述步驟d 將權(quán)值優(yōu)化問題轉(zhuǎn)化成凸函數(shù)的形式,采用MTLAB的工具包進行求解。5. 多波束成像聲響的陣列稀疏方法,其特征在于:包括如下步驟: 步驟1、建立多波束成像聲響陣列在給定主旁瓣性能要求下的陣列稀疏模型; 步驟2、應(yīng)用權(quán)利要求1所述的方法在給定陣元數(shù)目的情況下優(yōu)化陣元位置和加權(quán)系 數(shù),獲取多個波束方向的峰值旁瓣電平W及最優(yōu)陣元位置分布和加權(quán)系數(shù); 步驟3、根據(jù)步驟2中獲取的峰值旁瓣電平,判斷是否滿足下列(a)、(b)中的任意一個終 止陣列稀疏的條件,如果滿足,執(zhí)行步驟5,否則,執(zhí)行步驟4, (a化化k < PS化d并且 IP化Lr-PS化d I < 0.001 (b)Pai^r〉P^Ld, 其中,為步驟2中捜索得到的峰值旁瓣電平,P化Ld為給定的旁瓣約束值; 步驟4、將陣元數(shù)目減少一個,重復(fù)執(zhí)行步驟2至步驟3; 步驟5、判斷滿足終止陣列稀疏的條件是(a)或化),如果是(a),執(zhí)行步驟6,如果是化), 執(zhí)行步驟7; 步驟6、將步驟2中的陣元數(shù)目下得到的最優(yōu)陣元位置分布和加權(quán)系數(shù)作為該陣列稀疏 方法的結(jié)果; 步驟7、將陣元數(shù)目增加一個,執(zhí)行步驟2,并將更新后的陣元數(shù)目下得到的最優(yōu)陣元位 置分布和加權(quán)系數(shù)作為該陣列稀疏方法的結(jié)果。
      【文檔編號】G06N3/12GK105842702SQ201610319795
      【公開日】2016年8月10日
      【申請日】2016年5月13日
      【發(fā)明人】夏偉杰, 金雪, 潘彥均
      【申請人】南京航空航天大學(xué)
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