信號(hào)發(fā)生設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種信號(hào)發(fā)生設(shè)備，所述信號(hào)發(fā)生設(shè)備包括單片機(jī)，以及預(yù)設(shè)第一數(shù)目個(gè)電容和繼電器；各個(gè)電容依次串聯(lián)，各個(gè)電容串聯(lián)后的串聯(lián)支路的一端連接在第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)之間，第一繼電器的常閉接點(diǎn)的另一端連接電源正極，電源負(fù)極分別連接串聯(lián)支路的另一端和局部放電設(shè)備的一端，局部放電設(shè)備的另一端連接第一繼電器的常開接點(diǎn)的另一端，串聯(lián)支路中最多有預(yù)設(shè)第二數(shù)目個(gè)電容分別與各個(gè)繼電器中除第一繼電器外的一個(gè)繼電器的常開接點(diǎn)并聯(lián)，單片機(jī)分別連接第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)，以及各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)。本發(fā)明為局部放電設(shè)備提供信號(hào)源，了解局部放電設(shè)備的頻帶特性，為實(shí)際的局放測(cè)試做好參考。
【專利說明】
信號(hào)發(fā)生設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及局部放電檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種信號(hào)發(fā)生設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]局部放電試驗(yàn)具有較高的靈敏度。對(duì)于新設(shè)計(jì)和制造的高壓電氣設(shè)備，通過局部放電測(cè)量可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)絕緣中的薄弱環(huán)節(jié)，防止設(shè)計(jì)與制造工藝上的差錯(cuò)及材料的使用不當(dāng)，是鑒別產(chǎn)品絕緣或設(shè)備運(yùn)行可靠性的一種重要方法，它能發(fā)現(xiàn)耐壓試驗(yàn)無法發(fā)現(xiàn)的設(shè)備缺陷。局部放電測(cè)試是當(dāng)前電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)的重要項(xiàng)目之一。
[0003]GIS(Gas Insulated Substat1n氣體絕緣變電站)全稱氣體絕緣全封閉組合電器，是電力系統(tǒng)的重要設(shè)備，由于其密封性很高，GIS很少需要維護(hù)，但是由于GIS內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)很高，一旦發(fā)生故障必將引起局部以致全部地區(qū)停電，甚至可能造成人員傷亡，到目前為止，國(guó)內(nèi)已發(fā)生多起由于GIS絕緣故障引起的GIS變電站事故。導(dǎo)致GIS設(shè)備故障的主要原因是其絕緣性能的劣化，當(dāng)這種性能劣化沒有貫穿絕緣介質(zhì)時(shí)，常規(guī)的預(yù)防性試驗(yàn)手段難以發(fā)現(xiàn)缺陷所在，而此時(shí)設(shè)備絕緣介質(zhì)中常常有局部放電產(chǎn)生。
[0004]現(xiàn)有GIS局部放電檢測(cè)方法有聲測(cè)法、化學(xué)法、脈沖電流法及特高頻法。特高頻法因具有抗干擾能力強(qiáng)、靈敏度高、實(shí)時(shí)性好且能進(jìn)行故障定位的優(yōu)點(diǎn)，已成為目前GIS局部放電檢測(cè)技術(shù)中的主要方法。GIS特高頻局部放電測(cè)試的頻率范圍約在300M-3GHZ之間，由于GIS內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，而其內(nèi)部局部放電時(shí)一般會(huì)覆蓋全頻帶，但是當(dāng)全頻帶的局部放電以電磁波的形式在GIS內(nèi)部傳輸后，某些頻帶的放電會(huì)消失(可能傳輸衰減，可能被GIS內(nèi)部結(jié)構(gòu)阻礙而衰減)，在生產(chǎn)實(shí)際中，用示波器或其他局放測(cè)試儀接收到GIS的輸出頻帶，根據(jù)接收到的頻帶分析判斷GIS是否發(fā)生局部放電，得到的結(jié)果可能是錯(cuò)誤的，因此無法準(zhǔn)確判斷GIS是否出現(xiàn)絕緣性能的劣化，不能有效預(yù)防由于GIS絕緣故障引起的GIS變電站事故。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于上述情況，本發(fā)明提出了一種信號(hào)發(fā)生設(shè)備，為局部放電設(shè)備提供信號(hào)源，了解局部放電設(shè)備的頻帶特性，為實(shí)際的局放測(cè)試做好參考。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)施例為:
[0007]—種信號(hào)發(fā)生設(shè)備，包括單片機(jī)，以及預(yù)設(shè)第一數(shù)目個(gè)電容和繼電器；
[0008]各個(gè)所述電容依次串聯(lián)，各個(gè)所述電容串聯(lián)后的串聯(lián)支路的一端連接在各個(gè)所述繼電器中的第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)之間，所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)的另一端連接電源正極，所述電源負(fù)極分別連接所述串聯(lián)支路的另一端和局部放電設(shè)備的一端，所述局部放電設(shè)備的另一端連接所述第一繼電器的常開接點(diǎn)的另一端，所述串聯(lián)支路中最多有預(yù)設(shè)第二數(shù)目個(gè)電容分別與各個(gè)所述繼電器中除所述第一繼電器外的一個(gè)繼電器的常開接點(diǎn)并聯(lián)，所述單片機(jī)分別連接所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)，以及各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)，所述預(yù)設(shè)第二數(shù)目為所述預(yù)設(shè)第一數(shù)目減去I后的差值。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明信號(hào)發(fā)生設(shè)備，采用的是多級(jí)電容串聯(lián)，其中至少留一級(jí)電容長(zhǎng)期接入電路，而其余電容均與繼電器的常開接點(diǎn)并聯(lián)，以單片機(jī)控制繼電器的常開接點(diǎn)來選擇接入電路的電容數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)局部放電設(shè)備的測(cè)試頻率覆蓋，可以為研究某一段局部放電設(shè)備內(nèi)部局放特有的通過頻率提供信號(hào)源，了解局部放電設(shè)備的頻帶特性(例如哪些頻帶衰減，哪些頻帶消失等)，為實(shí)際的局放測(cè)試做好參考;同時(shí)該信號(hào)發(fā)生設(shè)備電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，將單片機(jī)作為主要控制單元，價(jià)格便宜，小巧輕便，具備較好的實(shí)用性。
【附圖說明】
[0010]圖1為一個(gè)實(shí)施例中信號(hào)發(fā)生設(shè)備電路示意圖一；
[0011]圖2為一個(gè)實(shí)施例中信號(hào)發(fā)生設(shè)備電路示意圖二；
[0012]圖3為一個(gè)實(shí)施例中充放電過程的示意圖；
[0013]圖4為一個(gè)基于圖1所示信號(hào)發(fā)生設(shè)備一個(gè)具體示例中信號(hào)發(fā)生設(shè)備電路示意圖 ，
[0014]圖5為一個(gè)基于圖2所示信號(hào)發(fā)生設(shè)備一個(gè)具體示例中信號(hào)發(fā)生設(shè)備電路示意圖-* *
[0015]圖6為一個(gè)實(shí)施例中用示波器在測(cè)試口接收局部放電信號(hào)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H僅用以解釋本發(fā)明，并不限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0017]—個(gè)實(shí)施例中信號(hào)發(fā)生設(shè)備，如圖1、2所示，包括單片機(jī)，以及預(yù)設(shè)第一數(shù)目個(gè)電容和繼電器；
[0018]各個(gè)所述電容依次串聯(lián)，各個(gè)所述電容串聯(lián)后的串聯(lián)支路的一端連接在各個(gè)所述繼電器中的第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)之間，所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)的另一端連接電源正極，所述電源負(fù)極分別連接所述串聯(lián)支路的另一端和局部放電設(shè)備的一端，所述局部放電設(shè)備的另一端連接所述第一繼電器的常開接點(diǎn)的另一端，所述串聯(lián)支路中最多有預(yù)設(shè)第二數(shù)目個(gè)電容分別與各個(gè)所述繼電器中除所述第一繼電器外的一個(gè)繼電器的常開接點(diǎn)并聯(lián)，所述單片機(jī)分別連接所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)，以及各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)，所述預(yù)設(shè)第二數(shù)目為所述預(yù)設(shè)第一數(shù)目減去I后的差值。
[0019]上述電容和繼電器的數(shù)目根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，單片機(jī)通過不同的輸入輸出口連接各個(gè)繼電器，可以分別控制第一繼電器常開接點(diǎn)和常閉接點(diǎn)，以及與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)的通斷。
[0020]從以上描述可知，本發(fā)明采用多級(jí)電容串聯(lián)，其中至少留一級(jí)電容長(zhǎng)期接入電路，而其余電容均與繼電器的常開接點(diǎn)并聯(lián)，以單片機(jī)控制繼電器的常開接點(diǎn)來選擇接入電路的電容數(shù)量，可以為研究某一段局部放電設(shè)備內(nèi)部局放特有的通過頻率提供信號(hào)源，了解局部放電設(shè)備的頻帶特性，為實(shí)際的局放測(cè)試做好參考；同時(shí)該信號(hào)發(fā)生設(shè)備電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，將單片機(jī)作為主要控制單元，價(jià)格便宜，小巧輕便，具備較好的實(shí)用性。
[0021]此外，在一個(gè)具體示例中，所述信號(hào)發(fā)生設(shè)備還包括設(shè)置在所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)與所述串聯(lián)支路之間連接線上的電阻，所述電阻的一端連接所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)的一端，所述電阻的另一端分別連接所述串聯(lián)支路的一端和所述第一繼電器的常開接點(diǎn)的一端。
[0022]所述電阻對(duì)各個(gè)電容的串聯(lián)支路起保護(hù)作用，避免電源接通瞬間電流過大損壞電容。
[0023]此外，在一個(gè)具體示例中，所述單片機(jī)通過輸出預(yù)設(shè)高電平或預(yù)設(shè)低電平控制所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)，以及各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)的通斷。
[0024]此外，在一個(gè)具體示例中，當(dāng)所述單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)低電平到所述第一繼電器時(shí)，所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)閉合，所述第一繼電器的常開接點(diǎn)斷開；當(dāng)所述單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)高電平到所述第一繼電器時(shí)，所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)斷開，所述第一繼電器的常開接點(diǎn)閉合。
[0025]此外，在一個(gè)具體示例中，當(dāng)所述單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)低電平到各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的繼電器中的任意一個(gè)繼電器時(shí)，接收到所述預(yù)設(shè)低電平的繼電器的常開接點(diǎn)斷開;當(dāng)所述單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)高電平到各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的繼電器中的任意一個(gè)繼電器時(shí)，接收到所述預(yù)設(shè)低電平的繼電器的常開接點(diǎn)閉入口 ο
[0026]當(dāng)?shù)谝焕^電器的常閉接點(diǎn)閉合，第一繼電器的常開接點(diǎn)斷開，以及各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)斷開時(shí)，電源給電容充電，電容與局部放電設(shè)備斷開；當(dāng)?shù)谝焕^電器的常閉接點(diǎn)斷開，第一繼電器的常開接點(diǎn)閉合，以及各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)中若干個(gè)常開接點(diǎn)閉合時(shí)，電源與電容斷開，接入電路的電容對(duì)局部放電設(shè)備放電，其放電時(shí)間常數(shù)為接入電路的總電容與局部放電設(shè)備波阻抗的乘積?？梢愿鶕?jù)實(shí)際頻譜分析的實(shí)驗(yàn)確定電容值和接入電路的電容數(shù)量，即調(diào)整上述放電時(shí)間常數(shù)，進(jìn)一步設(shè)置相應(yīng)的電容值和接入電路的電容數(shù)量，實(shí)現(xiàn)局部放電設(shè)備測(cè)試頻率的全頻覆蓋。如圖3所示，每一次充放電都可看成是一次局部放電，通過放電時(shí)間常數(shù)的調(diào)節(jié)可以實(shí)現(xiàn)放電的特高頻頻率覆蓋。
[0027]此外，在一個(gè)具體示例中，所述第一繼電器為含有一組常開接點(diǎn)和一組常閉接點(diǎn)的線圈電壓為3伏特的繼電器，符合實(shí)際應(yīng)用需要。
[0028]此外，在一個(gè)具體示例中，各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的繼電器為含有一組常開接點(diǎn)的線圈電壓為3伏特的繼電器。在采用多級(jí)電容串聯(lián)時(shí)，實(shí)現(xiàn)至少留一級(jí)電容長(zhǎng)期接入電路，其余電容均與繼電器的常開接點(diǎn)并聯(lián)，以單片機(jī)控制繼電器的常開接點(diǎn)來選擇接入電路的電容數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)局部放電設(shè)備的測(cè)試頻率覆蓋。
[0029]此外，在一個(gè)具體示例中，所述局部放電設(shè)備為GIS設(shè)備。
[0030]由于GIS內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，而其內(nèi)部局部放電時(shí)一般會(huì)覆蓋全頻帶，但是當(dāng)全頻帶的局部放電以電磁波的形式在GIS內(nèi)部傳輸后，某些頻帶的放電會(huì)消失(可能傳輸衰減，可能被GIS內(nèi)部結(jié)構(gòu)阻礙而衰減)，所以在我們用示波器或其他局放測(cè)試儀所接收到得局部放電量?jī)H在某一頻帶內(nèi)有信號(hào)。在生產(chǎn)實(shí)際中，由于不同的GIS其結(jié)構(gòu)不同，接收到得局部放電的頻帶也不同，所以給局部放電診斷造成影響，導(dǎo)致有時(shí)無法準(zhǔn)確做出結(jié)論。本申請(qǐng)?zhí)峁┮豢顚ｉT用于GIS局放頻譜研究的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，可以用該信號(hào)發(fā)生設(shè)備來研究某一 GIS設(shè)備內(nèi)部局放特有的通過頻率，了解GIS設(shè)備的頻帶特性(例如哪些頻帶衰減，哪些頻帶消失等)，為實(shí)際的局放測(cè)試做好參考。
[0031]此外，在一個(gè)具體示例中，所述電源為100伏特的直流電源，更適合實(shí)際應(yīng)用。
[0032]此外，在一個(gè)具體示例中，所述電阻為充電電阻，起充電及保護(hù)作用。
[0033]為了更好地理解上述系統(tǒng)，以下詳細(xì)闡述一個(gè)本發(fā)明信號(hào)發(fā)生設(shè)備的應(yīng)用實(shí)例。
[0034]如圖4、5所示，所述信號(hào)發(fā)生設(shè)備包括單片機(jī)，充電電阻R1，電容C1、C2、C3和C4，繼電器 J1、J2、J3 和 J4;
[0035]電容Cl、C2、C3和C4依次串聯(lián)，各個(gè)所述電容串聯(lián)后的串聯(lián)支路的一端分別連接充電電阻Rl的一端和繼電器Jl的常開接點(diǎn)的一端，繼電器Jl的常閉接點(diǎn)的一端連接10V直流電源DC的正極，繼電器Jl的常閉接點(diǎn)的另一端連接充電電阻Rl的另一端，100V直流電源DC的負(fù)極分別連接上述串聯(lián)支路的另一端和GIS設(shè)備的一端，GIS設(shè)備的另一端連接繼電器Jl的常開接點(diǎn)的另一端，電容CI與繼電器J2的常開接點(diǎn)并聯(lián)，電容C2與繼電器J3的常開接點(diǎn)并聯(lián)，電容C3與繼電器J4的常開接點(diǎn)并聯(lián)，上述單片機(jī)分別連接繼電器JI的常閉接點(diǎn)，繼電器J1、J2、J3和J4的常開接點(diǎn)；
[0036]繼電器Jl為含有一組常開接點(diǎn)和一組常閉接點(diǎn)的線圈電壓為3伏特的繼電器，繼電器J2、J3和J4為含有一組常開接點(diǎn)的線圈電壓為3伏特的繼電器；
[0037]繼電器的線圈由單片機(jī)的輸出的高低電平來控制繼電器的常開接點(diǎn)、常閉接點(diǎn)的通斷，單片機(jī)通過不同的輸入輸出口連接繼電器J1、J2、J3和J4，可以分別控制繼電器Jl常開接點(diǎn)和常閉接點(diǎn)，以及繼電器J2、J3和J4常開接點(diǎn)的通斷；
[0038]通過單片機(jī)的編程使與Jl繼電器線圈相連的輸入輸出口輸出一定頻率的方波，該頻率根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際情況設(shè)置為I?1000HZ，作為局部放電的同步電壓，為局放的判斷提供參考；
[0039]當(dāng)單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)低電平到繼電器Jl時(shí)，繼電器Jl的常閉接點(diǎn)閉合，繼電器Jl的常開接點(diǎn)斷開；當(dāng)單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)高電平到繼電器Jl時(shí)，繼電器Jl的常閉接點(diǎn)斷開，繼電器Jl的常開接點(diǎn)閉合；
[0040]當(dāng)單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)低電平到繼電器J2時(shí)，繼電器J2的常開接點(diǎn)斷開；當(dāng)單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)高電平到繼電器J2時(shí)，繼電器J2的常開接點(diǎn)閉合;單片機(jī)的輸出高低電平來控制繼電器J3和J4的常開接點(diǎn)的通斷過程如上所述，在此不再贅述；
[0041 ]當(dāng)繼電器JI的常閉接點(diǎn)閉合，繼電器J1、J2、J3和J4的常開接點(diǎn)斷開時(shí)，直流電源DC給電容C1、C2、C3和C4充電，電容C1、C2、C3和C4均與GIS設(shè)備斷開；當(dāng)繼電器Jl的常閉接點(diǎn)斷開，繼電器Jl的常開接點(diǎn)閉合，繼電器J2、J3和J4的常開接點(diǎn)中若干個(gè)常開接點(diǎn)閉合時(shí)，直流電源DC與電容Cl、C2、C3和C4斷開，接入電路的電容對(duì)GIS設(shè)備放電，其放電時(shí)間常數(shù)為接入電路的總電容與GIS設(shè)備波阻抗的乘積，可以根據(jù)實(shí)際頻譜分析的實(shí)驗(yàn)確定電容值和接入電路的電容數(shù)量，即考慮到GIS設(shè)備測(cè)試頻率的全頻覆蓋，調(diào)整上述放電時(shí)間常數(shù)，進(jìn)一步設(shè)置相應(yīng)的電容值和接入電路的電容數(shù)量，實(shí)現(xiàn)測(cè)試頻率的全頻覆蓋；
[0042]通過單片機(jī)的頻率設(shè)定可以實(shí)現(xiàn)在同步電壓為1-300HZ周期內(nèi)的充放電過程，如圖3所示，每一次充放電都可看成是一次局部放電。通過放電時(shí)間常數(shù)的調(diào)節(jié)可以實(shí)現(xiàn)放電的特高頻頻率覆蓋。
[0043]當(dāng)接入電路的電容對(duì)GIS設(shè)備放電時(shí)，如圖6所示，此時(shí)可以用示波器在測(cè)試口接收到局部放電信號(hào)。
[0044]從以上描述可知，本實(shí)施例采用的是多級(jí)電容串聯(lián)，其中至少留一級(jí)電容長(zhǎng)期接入電路，而其余電容均與繼電器的常開接點(diǎn)并聯(lián)，以單片機(jī)控制繼電器的常開接點(diǎn)來選擇接入電路的電容數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)GIS設(shè)備的測(cè)試頻率覆蓋，可以為研究某一段局部放電設(shè)備內(nèi)部局放特有的通過頻率提供信號(hào)源，了解局部放電設(shè)備的頻帶特性(例如哪些頻帶衰減，哪些頻帶消失等)，為實(shí)際的局放測(cè)試做好參考；同時(shí)該信號(hào)發(fā)生設(shè)備電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，將單片機(jī)作為主要控制單元，價(jià)格便宜，小巧輕便，具備較好的實(shí)用性。
[0045]以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
[0046]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，包括單片機(jī)，以及預(yù)設(shè)第一數(shù)目個(gè)電容和繼電器； 各個(gè)所述電容依次串聯(lián)，各個(gè)所述電容串聯(lián)后的串聯(lián)支路的一端連接在各個(gè)所述繼電器中的第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)之間，所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)的另一端連接電源正極，所述電源負(fù)極分別連接所述串聯(lián)支路的另一端和局部放電設(shè)備的一端，所述局部放電設(shè)備的另一端連接所述第一繼電器的常開接點(diǎn)的另一端，所述串聯(lián)支路中最多有預(yù)設(shè)第二數(shù)目個(gè)電容分別與各個(gè)所述繼電器中除所述第一繼電器外的一個(gè)繼電器的常開接點(diǎn)并聯(lián)，所述單片機(jī)分別連接所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)，以及各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)，所述預(yù)設(shè)第二數(shù)目為所述預(yù)設(shè)第一數(shù)目減去I后的差值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，還包括設(shè)置在所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)與所述串聯(lián)支路之間連接線上的電阻，所述電阻的一端連接所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)的一端，所述電阻的另一端分別連接所述串聯(lián)支路的一端和所述第一繼電器的常開接點(diǎn)的一端。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，所述單片機(jī)通過輸出預(yù)設(shè)高電平或預(yù)設(shè)低電平控制所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)和常開接點(diǎn)，以及各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)的通斷。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)低電平到所述第一繼電器時(shí)，所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)閉合，所述第一繼電器的常開接點(diǎn)斷開;當(dāng)所述單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)高電平到所述第一繼電器時(shí)，所述第一繼電器的常閉接點(diǎn)斷開，所述第一繼電器的常開接點(diǎn)閉合。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)低電平到各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的繼電器中的任意一個(gè)繼電器時(shí)，接收到所述預(yù)設(shè)低電平的繼電器的常開接點(diǎn)斷開;當(dāng)所述單片機(jī)輸出預(yù)設(shè)高電平到各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的繼電器中的任意一個(gè)繼電器時(shí)，接收到所述預(yù)設(shè)低電平的繼電器的常開接點(diǎn)閉合。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，所述第一繼電器為含有一組常開接點(diǎn)和一組常閉接點(diǎn)的線圈電壓為3伏特的繼電器。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，各個(gè)分別與電容并聯(lián)的繼電器的常開接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的繼電器為含有一組常開接點(diǎn)的線圈電壓為3伏特的繼電器。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，所述局部放電設(shè)備為GIS設(shè)備。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，所述電源為100伏特的直流電源。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信號(hào)發(fā)生設(shè)備，其特征在于，所述電阻為充電電阻。
【文檔編號(hào)】G01R31/12GK105891690SQ201610265399
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年4月25日
【發(fā)明人】唐琪, 李國(guó)偉, 李慧, 單晟毅, 姜沛東, 李新, 曾慶輝, 劉少輝
【申請(qǐng)人】廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司佛山供電局