使用兩個溫度傳感裝置調整cvd反應器過程室內溫度的設備和方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于熱處理，尤其用于涂敷底物(9)的設備和方法，包括由與第一溫度傳感裝置(7、12)配合工作的調整器(13)調整的加熱裝置(11)。為防止溫度偏移，建議第二溫度傳感裝置(8)用于識別第一溫度傳感裝置(7、12)的溫度偏移和再校準第一溫度傳感裝置(7、12)。第一溫度傳感裝置(7、12)確定在敏感體(10)第一位置(M1、M2、M3、M4、M5、M6)的溫度。第二溫度傳感裝置(8)確定在敏感體(10)第二位置的溫度。在測量間隔，用第二溫度傳感裝置(8)測量尤其底物(9)的表面溫度。將這一測量值與額定值比較，此時，若額定值偏離測得的實際值則形成修正系數(shù)，將修正系數(shù)加入第一溫度傳感裝置(7、12)的用于調整加熱裝置(11)的測量值，目的是使由第二溫度傳感裝置(8)測得的溫度實際值能接近相關的溫度額定值。
【專利說明】使用兩個溫度傳感裝置調整CVD反應器過程室內溫度的設備和方法
[0001]本發(fā)明涉及一種用于熱處理，尤其涂敷至少一個底物的設備，包括由與第一溫度傳感裝置配合工作的調整器調整的加熱裝置，其中，第一溫度傳感裝置測量在敏感體(Suszeptor)上側的第一個溫度，所述至少一個底物在處理時安放在此敏感體上，以及包括第二溫度傳感裝置，它測量在敏感體上側的第二個溫度，用于干預并校正調整器，目的是能將底物的表面溫度保持為額定溫度。
[0002]此外，本發(fā)明還涉及一種用于熱處理至少一個底物，尤其用于涂敷至少一個底物的方法，其中，所述至少一個底物安放在敏感體上，敏感體從下方借助加熱裝置加熱到處理溫度，其中，加熱裝置由與第一溫度傳感裝置配合工作的調整器調整，其中，借助第一溫度傳感裝置測量在敏感體上側的第一個溫度，借助第二溫度傳感裝置測量在敏感體上側的第二個溫度，以及干預并校正調整器，目的是能將底物的表面溫度保持為額定溫度。
[0003]在US7691204B2中介紹了按此類型的設備或按此類型的方法。它使用兩個不同的溫度傳感裝置，它們在兩個互不相同的位置測量安放在敏感體上底物的表面溫度。在這里使用多個高溫計和發(fā)射計。用彼此不同的溫度傳感裝置測量加熱到處理溫度的底物不同的特性，目的是能將底物的表面溫度保持為恒定值。
[0004]由DE102012101717A1還已知一種用于在底物上沉積一些層的方法和設備。
[0005]按本發(fā)明的設備有反應器外殼和設置在其中的過程室。過程室有敏感體，它可以從下方用加熱裝置加熱，例如紅外加熱器、電阻加熱器或RF加熱器。在敏感體的面朝過程室那一側上安放至少一個，但優(yōu)選多個底物。所述底物涉及半導體芯片，例如用藍寶石、硅或一種m-v材料制成。借助進氣機構將過程氣體輸入過程室內，它們在那里高溫分解，此時在底物表面沉積半導體層，尤其m-V半導體層，例如InGaN或GaN層。優(yōu)選地，在這種設備中沉積由 InGaN/GaN組成的Quantum-We 11 結構(QW)，尤其Mul t 1-Quantum-We 11 結構(NQW)。為了調整底物表面的溫度，尤其在沉積三元層時此溫度必須保持一個非常準確的值，設置與溫度傳感裝置配合工作的調整器。所述溫度傳感裝置涉及二極管測量儀，用它可以穿過進氣機構的氣體出口測量可圍繞旋轉軸線旋轉的敏感體在不同徑向位置的溫度。
[0006]在現(xiàn)有技術中，作為溫度傳感裝置使用雙色高溫計。它在兩種不同波長的情況下根據(jù)色覺亮度測量獲得溫度測量值。在這里計算發(fā)射率和經發(fā)射率修正的溫度。高溫計在紅外區(qū)內工作。它的優(yōu)點是對粗糙的表面敏感度低。
[0007]此外已知使用例如以頻率950nm工作的紅外高溫計。當然用紅外線工作的高溫計的缺點是，紅外線能透射藍寶石底物。因此這種高溫計只能使用于測量由石墨組成的敏感體表面的溫度。
[0008]雖然以波長405nm工作的紫外高溫計可以測量藍寶石底物的射線放射量或在底物上沉積層，例如氮化鎵層的射線放射量。但從層厚為I至2μηι起，405nm不能透射GaN層。在使用處理溫度的情況下，射線放射量的絕對值與在紅外區(qū)內的射線放射量相比小得多，所以用紫外高溫計獲得的值不適用于調整加熱裝置。
[0009]若在按此類型的CVD反應器中只使用紅外雙色高溫計，則借助它只能測量敏感體的表面溫度，因為由于在過程室內部在加熱的敏感體與進氣機構冷卻的氣體排出面之間垂直的溫度梯度，使底物表面溫度略低于敏感體表面溫度。
[0010]在現(xiàn)有技術中，敏感體表面溫度的測量穿過進氣機構具有直徑從大約I至2毫米的氣體出口進行。在處理的工藝過程中不可避免地占用氣體出口的內側，導致改變有效的光學橫截面或光學透射率。通過越來越多地占用進氣機構的氣體排出面以及在敏感體與氣體排出面之間多次反射，漫射光的量隨時間改變測量結果。因為為了調整加熱裝置使用了一個溫度，而這一溫度并非目標溫度，也就是說它是在敏感體表面測得的溫度，亦即評估由敏感體本身發(fā)射的光線后得出的溫度，所以用在現(xiàn)有技術中所使用的方法不可避免地改變目標溫度，亦即安放在敏感體上底物的表面溫度。
[0011]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一些措施，采取這些措施至少能使底物表面的實際溫度離期望的處理溫度的溫度間隔距離極小化。
[0012]上述技術問題通過在權利要求中說明的本發(fā)明得以解決。
[0013]從屬權利要求不僅說明從屬權利要求有利的進一步發(fā)展，而且還說明達到所述目的獨立的解決方案。
[0014]首先并重要的建議是，將第一溫度傳感裝置設計為，使它基本上只測量敏感體的表面溫度。第二溫度傳感裝置以比第一溫度傳感裝置短的波長工作，以及測量底物表面或在底物表面上沉積層的溫度。敏感體表面借助調整器加熱到預定的額定溫度。處理溫度，亦即底物的表面溫度，與額定溫度偏離一個溫度差，該溫度差在處理的工藝過程中由于上述原因改變。第二溫度傳感裝置確定這種改變。若所述改變達到規(guī)定的閾值，按本發(fā)明干預并校正調整。這可例如通過修改調整器將敏感體表面溫度所要保持的額定溫度實現(xiàn)，或通過修正系數(shù)實現(xiàn)。
[0015]第一溫度傳感裝置可以有許多單個傳感器，借助它們能確定敏感體或安放在此敏感體上底物的表面溫度。第二溫度傳感裝置同樣能夠確定敏感體的表面溫度或安放在此敏感體上底物的表面溫度。用第二溫度傳感裝置確定溫度在第二個位置進行。借助第一溫度傳感裝置確定溫度在第一個位置進行。這兩個位置可以在不同的地點。但也有可能兩個位置的地點重合。這兩個溫度傳感裝置可以是高溫計。它們可以設計為紅外高溫計和/或紫外高溫計。用這些溫度傳感裝置可以通過光源，例如激光器或LED，光的反射來測量表面的反射性，其中，光源的光與高溫計的探測器有相同的波長(950nm或405nm)。它可以涉及雙色高溫計，其中亮度測量在兩種不同的波長下進行，以及發(fā)射率和經發(fā)射率修正的溫度的計算，根據(jù)兩種波長色覺亮度的信號比進行?？梢陨婕白贤飧邷赜?，它用405nm的波長探測，亦即是一種對于從厚度約為I至2μπι起的GaN層不能透射的波長。按本發(fā)明一種特別優(yōu)選的設計規(guī)定，這兩個溫度傳感裝置設計為兩種互不相同類型的溫度傳感裝置。例如一個溫度傳感裝置，如第一溫度傳感裝置，可以是紅外高溫計或雙色高溫計。第二溫度傳感裝置可以是紫外高溫計。按本發(fā)明的設備優(yōu)選地具有主動冷卻式淋浴頭形式的進氣機構。這種進氣機構具有氣體分配腔，它從外部輸入過程氣體。進氣機構優(yōu)選的設計有多個彼此隔離的氣體分配腔，它們分別從外部輸入過程氣體。進氣機構有氣體排出面，氣體排出面有多個氣體出口。氣體出口可以由一些小管構成，它們分別與氣體分配腔連通。第一和/或第二溫度傳感裝置可以處于氣體分配腔后側。第一溫度傳感裝置優(yōu)選地涉及如其在DE102012101717A1中說明的那種光學測量設備。這種傳感裝置有多個傳感二極管，它們分別位于光學測量路徑的末端，在這里光學測量路徑穿過氣體出口行進。優(yōu)選地第二溫度傳感裝置同樣位于進氣機構后側，以及具有座落在光學測量路徑末端的傳感元件。在這里光學路徑也穿過進氣機構的口行進。所述的口可以涉及一個氣體出口。但也可以涉及一個增大的口，例如一個貫通整個進氣機構的通道的口。這個口可以用惰性氣體沖洗，為的是避免占用口的內壁沉積。本發(fā)明優(yōu)選的設計有敏感體，它被驅動繞敏感體旋轉軸線旋轉。第二溫度傳感裝置離旋轉中心有徑向距離，該距離與第一溫度傳感裝置至少一個傳感元件的徑向距離相同，所以用第一溫度傳感裝置和第二溫度傳感裝置可以測量在圍繞敏感體中心的同一個圓周上一個位置的溫度。按本發(fā)明的一種特別優(yōu)選的設計，第一溫度傳感裝置由二極管陣列構成，它在多個位置分別測量底物或敏感體表面的溫度測量值。在這里涉及一種紅外雙色高溫計。按本發(fā)明的一種特別優(yōu)選的設計，第二溫度傳感裝置由紫外高溫計構成，它在405nm的情況下工作。采用按本發(fā)明的方法可以沉積InGaN-Mul t 1-Quantum-We 11。在這里，在薄的GaN層上先后沉積多個薄的InGaN層。優(yōu)選地僅使用由第一溫度傳感裝置提供的測量值來調整底物表面溫度或敏感體表面溫度。基于前言描述的疑難問題，尤其是占用氣體排出面或傳感元件光學測量路徑通過其延伸的進氣機構的氣體出口，隨著時間的推移，尤其在多個敷層步驟后，形成測量結果的謬誤。其結果是使敏感體表面或底物表面調整到的溫度不再相當于額定溫度。第二溫度傳感裝置基于其布局和/或其可以與第一溫度傳感裝置不同的作用方式，所以不遭受溫度偏移。第二溫度傳感裝置探測不同的表面溫度。第二溫度傳感裝置例如涉及紫外高溫計，借助它測量底物的表面溫度，從而最晚在底物，例如藍寶石底物上沉積足夠厚的GaN層時，便能識別歸因于溫度偏移的不正確的溫度。第一溫度傳感裝置測量敏感體的表面溫度，亦即石墨表面的溫度，而第二溫度傳感裝置測量底物表面的溫度，尤其敷層的溫度?；谠谶^程室內垂直的溫度梯度，底物表面的溫度略低于敏感體表面的溫度。這種系統(tǒng)性的溫度差在理想的過程條件下預試時確定，并在以后的再校準/修正時考慮。在測量的一個時間間隔內，借助第二溫度傳感裝置確定敏感體或底物的表面溫度。從而確定其與由在先前規(guī)定的，例如在一個敷層步驟中在理想條件下獲得的額定溫度的差異。根據(jù)與額定溫度差異的大小，將修正值施加給調整器或第一溫度傳感裝置。通過這種再校準，調整器此時有能力將底物溫度或敏感體溫度調整到正確的溫度值。此外還規(guī)定，在一個由多個先后順序的單個過程分步驟組成的沉積過程中，多次分別在一個測量間隔內確定實際溫度與額定溫度的偏差。這總是借助第二溫度傳感裝置進行。修正性干預調整以補償溫度偏移，可以限于在一個時間間隔中，亦即限于一個修正的時間間隔。例如修正性干預可以只針對這種單個過程步驟進行，在此過程步驟中底物的表面溫度非常關健，例如在過程步驟中沉積一種三元化合物，例如InGaN。在沉積Quantum-We I 1-Sequenz時，例如GaN層可以在無校正性干預的情況下沉積。
[0016]下面借助【附圖說明】本發(fā)明的實施例。其中:
[0017]圖1表示通過CVD反應器剖切示出的橫截面；
[0018]圖2表示從敏感體上側看按線Π- Π剖切示出的剖面圖；
[0019]圖3表示用于說明方法的第一個時間溫度曲線圖；以及
[0020]圖4表示用于說明方法的第二個時間溫度曲線圖。
[0021 ]按本發(fā)明的設備可以有在圖1和2中表不的結構。它由氣密外殼形式的CVD反應器I組成。進氣機構3處于CVD反應器I內部。進氣機構3涉及一個扁平的圓盤狀空心體，氣體分配腔處于空心體內，氣體分配腔從外部輸入過程氣體。過程氣體可以從氣體出口4、5、6從氣體分配腔流入過程室2?？梢岳鋮s進氣機構的具有氣體出口 4、5、6的氣體排出面。
[0022]過程室2的與氣體排出面相對置的底部具有多個要敷層的底物9。構成底部的敏感體可以圍繞旋轉軸線15旋轉。加熱裝置11位于敏感體下方，以便加熱敏感體。
[0023]敏感體上側的溫度或位于敏感體上側的底物9的溫度，可以借助第一溫度傳感裝置7確定。為此第一溫度傳感裝置7有多個傳感二極管12，它們布置為離旋轉軸線15有不同的徑向距離。在敏感體10面朝過程室2的上側或處于敏感體10上底物9上的測量點M1、M2、M3、M4、MdPM6，處于氣體出口 5垂直的下方，以及氣體出口 5上面處于座落在進氣機構3后壁上的傳感二極管12正下方。由此構成平行于旋轉軸線延伸的光學路徑，借助它通過第一溫度傳感裝置7，可以在互不相同的測量位置，測量測量點M1SM6的表面溫度。在這里，所述的測量分別穿過氣體出口 5進行。
[0024]由第一溫度傳感裝置7提供的測量值供給調整器13，它將加熱裝置11調整為，使敏感體10或安放在它上面的底物9的表面溫度保持為一個實際值(范圍:400°C至1200°C)。
[0025]第二溫度傳感裝置8處在相對于旋轉軸線15與第一溫度傳感裝置7的對置側。第一溫度傳感裝置7是一種紅外高溫計，尤其是雙色紅外高溫計，第二溫度傳感裝置8則涉及另一種類型的溫度傳感器。在這里它涉及一種紫外高溫計。所述的測量在這里也通過進氣機構3的口6光學式進行。在圖1中，口6涉及直徑較大的氣體出口。但按一種未表示的實施例，傳感器口 6不與氣體分配腔連接，所以沒有過程氣體通過傳感器口 6流入過程室內。借助第二溫度傳感裝置8在測量位置Mo測量底物9的表面溫度。在本實施例中，測量位置Mo與測量位置施離旋轉軸線15有相同的徑向距離。因此測量位置施和測量位置Mo處于同一條圓周線上。
[0026]第二溫度傳感裝置8提供在測量位置Mo的溫度值，借助比較器14將它與第一溫度傳感裝置7為了調整加熱裝置11而提供的那個溫度值比較。借助在這兩個溫度之間的差值確定校準值，在底物敷層過程中和/或在兩個底物敷層步驟之間，用它進行校準調整器13或第一溫度傳感裝置7。
[0027]下面參照圖3詳細說明這種校準。在一個在理想條件下實施的敷層步驟(Golden此11)中確定溫度值，它們可以在測量點見、12、13、14、15和施借助第一溫度傳感裝置7在理想條件下測量。與此同時在測量位置Mo確定與此相關的溫度，它可以借助第二溫度傳感裝置8在理想條件下測量。通常在測量位置Mo測得的溫度略低于在其余測量點M1SM6測得的溫度。
[0028]在隨后的敷層步驟中條件始終與理想條件不同，所以由第二溫度傳感裝置8在位置Mo測得的溫度不再與相應于理想條件例如在位置M5由第一溫度傳感裝置7測得的值相關。
[0029]圖3用上方虛線表示額定溫度T4變化過程，這是在理想條件下在敏感體上的測量位置M4測量的溫度。下方曲線表示在理想條件下在底物表面上的測量位置Mo測量的溫度To。但在多個敷層步驟后，在測量點M4測得的實際溫度T4低于額定溫度。其原因在于前面已提及的溫度偏移。
[0030]在時間t，在一個測量間隔內確定在位置Mo實際溫度的溫度偏差(下方實線)并與額定溫度(下方虛線)比較。根據(jù)此溫度差距確定校準系數(shù)。在時間^將此校準系數(shù)加入調整器。其結果是，敏感體的實際溫度(上方實線)上升到額定值(上方虛線)。用K表示在此時實施修正以及從時間t2直至t4的時間間隔。在時間t3，敏感體溫度已達到額定溫度。在測量點Mo測量相關的額定溫度。
[0031]在實施一個敷層步驟后，在時間t4結束修正的時間間隔。其結果是，敏感體溫度(上方實線)在時間至化重新下降。
[0032]圖4與圖3所示類似，但表示一個由兩個單個步驟A、B組成的敷層步驟，在本實施例中它們連續(xù)重復三次?？偸窃跁r間，在一個測量間隔內進行檢驗，在位置Mo測得的溫度究竟偏離額定值T ο多少。借助此偏離量確定修正系數(shù)，在修正的時間間隔K期間將其加入調整器。在各自的階段A，例如在低的溫度下沉積InGaN層。在繼此之后的步驟中，在階段B中在高的溫度下沉積GaN層。但在這里底物或敏感體表面溫度的再校準，僅在階段A內在溫度關鍵性的增長步驟中進行。
[0033]以上這些實施形式用于說明本申請包括的全部發(fā)明，它至少通過下述特征組合分別獨立地進一步發(fā)展現(xiàn)有技術，亦即:
[0034]—種設備，其特征在于第二溫度傳感裝置8，用于識別第一溫度傳感裝置7、12的溫度偏移并再校準第一溫度傳感裝置7、12。
[0035]—種方法，其特征為，借助第二溫度傳感裝置8識別第一溫度傳感裝置7、12的溫度偏移，以及再校準第一溫度傳感裝置7、12。
[0036]—種設備或一種方法，它們的特征為，第一溫度傳感裝置7、12確定在敏感體10或安放在敏感體10上底物9的第一個位置MhM^MhMhMhM6的溫度;和/或，第二溫度傳感裝置確定在敏感體10或安放在敏感體10上底物9的第二個位置的溫度。
[0037]—種設備或一種方法，它們的特征為，第一和/或第二溫度傳感裝置7、8是一種紅外高溫計或一種紫外高溫計。
[0038]一種設備或一種方法，它們的特征為，這兩個溫度傳感裝置7、8在互不相同的位置皿^^^^^晶確定敏感體川或安放在敏感體川上底物如勺溫度值。
[0039]—種設備或一種方法，它們的特征為，敏感體9可圍繞旋轉軸線旋轉或轉動，以及這兩個溫度傳感裝置7、8在互不相同的圓周位置，但在離旋轉軸線同樣的徑向距離處，確定敏感體10或在其上安放的底物9的表面溫度。
[0040]一種設備或一種方法，它們的特征在于一種進氣機構3，它與敏感體10相對置以及具有面朝敏感體10的氣體出口 5、6，第一溫度傳感裝置7、12和/或第二溫度傳感裝置8的光學傳感器測量路徑延伸通過氣體出口。
[0041 ] 一種設備或一種方法，它們的特征為，第一溫度傳感裝置7、12有多個光學傳感元件12，它們在離敏感體旋轉軸線15互不相同的徑向距離處，在紅外區(qū)內高溫確定敏感體表面的溫度測量值；以及，第二溫度傳感裝置8在不同的圓周位置，在紫外區(qū)內高溫確定安放在敏感體10上底物9的表面溫度。
[0042]—種設備或一種方法，它們的特征為，在測量間隔，借助第二溫度傳感裝置8測量尤其底物9的表面溫度，并將此測量值與預試時確定的額定溫度比較，此時若額定溫度偏離測得的表面溫度實際值則形成修正系數(shù)，.將此修正系數(shù)施加給第一溫度傳感裝置7、12使用于調整加熱裝置11的測量值，目的是使由第二溫度傳感裝置8測得的溫度實際值接近相關的溫度額定值。
[0043]一種方法，其特征為，在理想條件下預試時，確定由第一溫度傳感裝置7、12測得的敏感體10表面額定溫度應有的溫度，在額定溫度時由第二溫度傳感裝置8測得的底物9或在底物9表面上沉積層表面溫度相應于期望的處理溫度，其中，將如此確定的底物表面溫度額定值使用于調整所述加熱裝置11;在處理期間或在先后順序的過程步驟之間的測量間隔中，借助第二溫度傳感裝置8測量底物9表面的實際溫度，以及當偏離期望的處理溫度時干預并校正調整。
[0044]一種方法，其特征為，當由第二溫度傳感裝置8測得的實際值與期望的處理溫度的偏差超過閾值時，第一溫度傳感裝置7、12的用于調整加熱裝置11的測量值施加一個修正系數(shù)，使由第二溫度傳感裝置8測得的溫度實際值的偏離接近相關的溫度額定值。
[0045]所有公開的特征均為本發(fā)明(本身，但也可以互相組合)的重要內容。在本申請所公開的內容中也全面吸收了相關的/附上的優(yōu)先權文件(先申請副本)所公開的內容，也為此目的，這些文件的特征也吸納在本申請的權利要求中。從屬權利要求的特征在于，通過它們的特征，進行對現(xiàn)有技術獨立的富于獨創(chuàng)性的進一步發(fā)展，尤其以這些權利要求為基礎進行分案申請。
[0046]附圖標記清單
[0047]I CVD 反應器
[0048]2過程室
[0049]3進氣機構
[0050]4氣體出口
[0051]5傳感器口
[0052]6傳感器口
[0053]7第一溫度傳感裝置
[0054]8第二溫度傳感裝置
[0055]9 底物
[0056]10敏感體
[0057]11加熱裝置
[0058]12傳感二極管
[0059]13調整器
[0060]14比較器[0061 ] 15旋轉軸線
[0062]A單個步驟
[0063]B單個步驟
[0064]K 間隔
[0065]Mo測量位置
[0066]Mi測量位置
[0067]M2測量位置
[0068]M3測量位置
[0069]M4測量位置
[0070]M5測量位置[0071 ] Μθ測量位置
[0072]Tn 溫度
[0073]tn 時間
【主權項】
1.一種用于熱處理，尤其用于涂敷至少一個底物(9)的設備，包括由與第一溫度傳感裝置(7、12)配合工作的調整器(13)調整的加熱裝置(11)，其中，第一溫度傳感裝置(7、12)測量在敏感體(10)上側的第一個溫度，所述至少一個底物在處理時安放在此敏感體(10)上，以及包括第二溫度傳感裝置(8)，它測量敏感體(10)上側的第二個溫度，用于干預并校正調整器(13)，目的是將底物(9)的表面溫度調整到處理溫度，其特征為:第一溫度傳感裝置(7、12)設計和配置為使它測量敏感體(9)上側的表面溫度，而與第一溫度傳感裝置(7、12)相比對較短的波長更敏感的第二溫度傳感裝置(8)設計和配置為，使它測量底物(9)表面或在底物(9)表面上沉積層的表面溫度。2.按照權利要求1所述用于熱處理至少一個底物(9)，尤其用于涂敷至少一個底物(9)的設備，其中所述至少一個底物(9)借助加熱裝置(11)加熱到一個處理溫度，此處理溫度借助與第一溫度傳感裝置(7、12)配合工作的調整器(13)調整，其特征為，第一溫度傳感裝置(7)是紅外高溫計以及第二溫度傳感裝置(8)是紫外高溫計。3.按照前列諸權利要求之一所述的設備，其特征為，這兩個溫度傳感裝置(7、8)在互不相同的位置(Mimm)確定敏感體(?ο)上或安放在此敏感體(?ο)上的底物(9)上的溫度測量值。4.按照前列諸權利要求之一所述的設備，其特征為，敏感體(10)可圍繞旋轉軸線旋轉或轉動，以及這兩個溫度傳感裝置(7、8)在互不相同的圓周位置，但在離旋轉軸線同樣的徑向距離處，確定敏感體(10)或安放在此敏感體(1)上底物(9)的表面溫度。5.按照前列諸權利要求之一所述的設備，其特征在于一種主動冷卻式進氣機構(3)，該進氣機構與敏感體(I O)相對置以及具有面朝敏感體(1)的氣體出口( 5、6)，第一溫度傳感裝置(7、12)和/或第二溫度傳感裝置(8)的光學傳感器測量路徑延伸通過所述氣體出口。6.按照前列諸權利要求之一所述的設備，其特征為，第一溫度傳感裝置(7、12)有多個光學傳感元件(12)，它們在離敏感體旋轉軸線(15)互不相同的徑向距離處，在紅外區(qū)內高溫確定敏感體表面的溫度測量值；以及，第二溫度傳感裝置(8)在不同的圓周位置，在紫外區(qū)內高溫確定安放在敏感體(1)上的底物(9)的表面溫度。7.—種用于熱處理至少一個底物(9)，尤其用于涂敷至少一個底物(9)的方法，其中，所述至少一個底物(9)安放在敏感體(10)上并借助加熱裝置(II)加熱到處理溫度，其中，加熱裝置(11)由與第一溫度傳感裝置(7、12)配合工作的調整器(13)調整，其中，借助第一溫度傳感裝置(7、12)測量在敏感體(10)上側的第一個溫度，以及借助第二溫度傳感裝置(8)測量在敏感體(9)上側的第二個溫度以及干預并校正調整器(13)，目的是將底物的表面溫度調整到處理溫度，其中，用第一溫度傳感裝置(7、12)測量敏感體(9)上側的表面溫度，而借助第二溫度傳感裝置(8)用較短的波長測量底物(9)或在底物(9)表面上沉積層的表面溫度。8.按照權利要求7所述的方法，其特征為，使用一種底物(9)，它對于第一溫度傳感裝置(7、12)敏感的波長是透射的，以及它對于第二溫度傳感裝置(8)敏感的波長有反射的特性。9.按照權利要求7或8所述的方法，其特征為，第一溫度傳感裝置(7、12)在紅外區(qū)內敏感，而第二溫度傳感裝置(8)在紫外區(qū)內敏感。10.按照前列諸權利要求7至9之一所述的方法，其特征為，這兩個溫度傳感裝置(7、8)在互不相同的位置(MhM2JhM^MhM6U確定敏感體(10)或安放在此敏感體(10)上的底物(9)的溫度測量值。11.按照權利要求7至10之一所述的方法，其特征為，敏感體(9)圍繞旋轉軸線旋轉，以及這兩個溫度傳感裝置(7、8)在互不相同的圓周位置，但在離旋轉軸線同樣的徑向距離處，確定敏感體(10)或安放在此敏感體(1)上底物(9)的表面溫度。12.按照權利要求7至11之一所述的方法，其特征為，第一溫度傳感裝置(7、12)有多個光學傳感元件(12)，這些光學傳感元件在離敏感體旋轉軸線(15)互不相同的徑向距離處，在紅外區(qū)內高溫確定敏感體表面的溫度測量值；以及，第二溫度傳感裝置(8)在不同的圓周位置，在紫外區(qū)內高溫確定安放在敏感體(10)上底物(9)的表面溫度。13.按照權利要求7至12之一所述的方法，其特征為，在理想條件下預試時，確定由第一溫度傳感裝置(7、12)測得的敏感體(10)表面額定溫度應有的溫度，在額定溫度時由第二溫度傳感裝置(8)測得的底物(9)或在底物(9)表面上沉積層的表面溫度相應于期望的處理溫度，其中，將如此確定的底物表面溫度額定值用于調整所述加熱裝置(11);在處理期間或在先后順序的過程步驟之間的測量間隔中，借助第二溫度傳感裝置(8)測量底物(9)表面的實際溫度，以及當偏離期望的處理溫度時干預并校正調整。14.按照權利要求7至13之一所述的方法，其特征為，當由第二溫度傳感裝置(8)測得的實際值與期望的處理溫度的偏差超過閾值時，將第一溫度傳感裝置(7、12)的用于調整加熱裝置(11)的測量值施加修正系數(shù)或改變調整所述加熱裝置(11)的額定值，使由第二溫度傳感裝置(8)測得的溫度實際值的偏離接近期望的處理溫度。15.—種設備或方法，其特征在于一個或多個前列諸權利要求之一所述的特征。
【文檔編號】G01J5/00GK105934659SQ201480074076
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2014年12月15日
【發(fā)明人】A.博伊德, P.S.勞弗, J.林德納, H.席爾瓦, A.泰勒斯
【申請人】艾克斯特朗歐洲公司