傳感器裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種能夠以良好的高靈敏度來(lái)測(cè)定檢體的傳感器裝置。傳感器裝置(100)，具備：元件基板(10a)；檢測(cè)部(10b)，具有位于元件基板(10a)的上表面的反應(yīng)部(13)、第一IDT電極(11)和第二IDT電極(12)，所述反應(yīng)部(13)具有固定化膜(13a)并進(jìn)行檢體的檢測(cè)，所述第一IDT電極(11)產(chǎn)生朝向反應(yīng)部(13)傳播的彈性波，所述第二IDT電極(12)接收通過(guò)了反應(yīng)部(13)的彈性波；以及保護(hù)膜(28)，覆蓋第一IDT電極(11)和第二IDT電極(12)，在元件基板(10a)中，與第一IDT電極(11)和第二IDT電極(12)所位于的區(qū)域相比，反應(yīng)部(13)所位于的區(qū)域更低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
傳感器裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及能夠測(cè)定檢體液的性質(zhì)或檢體液所包含的成分的傳感器裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]已知有通過(guò)使用聲表面波元件等檢測(cè)元件檢測(cè)檢體液中的被檢測(cè)物來(lái)測(cè)定檢體液的性質(zhì)或成分的傳感器裝置(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I至3。)。
[0003]例如，使用了聲表面波元件的傳感器裝置在壓電基板上設(shè)置有與檢體液的試樣所包含的成分進(jìn)行反應(yīng)的反應(yīng)部，通過(guò)測(cè)定在該反應(yīng)部中傳播的聲表面波的變化，從而檢測(cè)檢體液的性質(zhì)或成分。使用了聲表面波元件等的測(cè)定方法與其它測(cè)定方法(例如，酶法等)相比，具有容易同時(shí)檢測(cè)多個(gè)檢查項(xiàng)目的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]然而，在以往的傳感器裝置中，位于一對(duì)IDT電極之間的反應(yīng)部并未位于相對(duì)于該一對(duì)IDT電極足夠低的位置，因此聲表面波的能量難以集中在反應(yīng)部，其結(jié)果難以以良好的靈敏度來(lái)檢測(cè)檢體中的被檢測(cè)物。
[0005]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)平5-240762號(hào)公報(bào)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2006-184011號(hào)公報(bào)
[0009]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2010-239477號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的課題
[0011]因此，要求一種能夠以良好的靈敏度來(lái)檢測(cè)檢體中的被檢測(cè)物的傳感器裝置。
[0012]用于解決課題的技術(shù)方案
[0013]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的傳感器裝置具備:元件基板;檢測(cè)部，具有位于所述元件基板的上表面的反應(yīng)部、第一 IDT電極以及第二 IDT電極，所述反應(yīng)部具有固定化膜且檢測(cè)被檢測(cè)物，所述第一 IDT電極產(chǎn)生朝向所述反應(yīng)部傳播的彈性波，所述第二 IDT電極接收通過(guò)了所述反應(yīng)部的所述彈性波；以及保護(hù)膜，覆蓋所述第一IDT電極和所述第二IDT電極，在所述元件基板中，與所述第一IDT電極和所述第二IDT電極所位于的區(qū)域相比，所述反應(yīng)部所位于的區(qū)域更低。
[0014]發(fā)明效果
[0015]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的傳感器裝置，在元件基板的上表面，與第一IDT電極和第二IDT電極所位于的區(qū)域相比，反應(yīng)部所位于的區(qū)域更低，因此在反應(yīng)部中，在第一IDT電極與第二 IDT電極之間傳播的聲表面波的能量容易集中在固定化膜，因此能夠以高靈敏度進(jìn)行測(cè)定。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的傳感器裝置的圖，其中，(a)是俯視圖，(b)是長(zhǎng)度方向上的剖視圖，(C)是寬度方向上的剖視圖。
[0017]圖2是圖1的傳感器裝置的分解俯視圖。
[0018]圖3是示出圖1的傳感器裝置的制造工序的俯視圖。
[0019]圖4是示出圖1的傳感器裝置的檢測(cè)元件的俯視圖。
[0020]圖5是示出圖1的傳感器裝置的檢測(cè)元件的剖視圖。
[0021]圖6是將圖5的傳感器裝置的一部分放大示出的剖視圖。
[0022]圖7是示出檢測(cè)元件3的制造工序的概略圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下，一邊參照附圖一邊對(duì)本發(fā)明涉及的傳感器裝置的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，在以下說(shuō)明的各附圖中對(duì)于相同的構(gòu)成構(gòu)件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。此外，各構(gòu)件的大小、構(gòu)件彼此之間的距離等是示意性地圖示的，有時(shí)與實(shí)際的大小、距離等不同。
[0024]〈傳感器裝置的結(jié)構(gòu)〉
[0025]使用圖1?圖6對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的傳感器裝置100進(jìn)行說(shuō)明。
[0026]如圖1所示，本實(shí)施方式涉及的傳感器裝置100主要具備第一覆蓋構(gòu)件1、中間覆蓋構(gòu)件1A、第二覆蓋構(gòu)件2以及檢測(cè)元件3。
[0027]具體地，如圖1(b)所示，傳感器裝置100具備流入部14和流路15，流入部14流入檢體液，流路15與流入部14相連且被中間覆蓋構(gòu)件IA和第二覆蓋構(gòu)件2包圍并至少延伸至反應(yīng)部13。在本實(shí)施方式中，中間覆蓋構(gòu)件IA和第二覆蓋構(gòu)件2的寬度比檢測(cè)元件3的寬度寬。由此，樣本檢體液流動(dòng)時(shí)能夠有效覆蓋檢測(cè)元件3的整個(gè)表面。
[0028]圖1(c)示出圖1(a)的剖視圖，從上開(kāi)始依次示出在a-a線(xiàn)剖開(kāi)的剖面、在b-b線(xiàn)剖開(kāi)的剖面、以及在c-c線(xiàn)剖開(kāi)的剖面。流入部14形成為在厚度方向上貫通第二覆蓋構(gòu)件2。
[0029](第一覆蓋構(gòu)件I)
[0030]如圖1(a)、圖1(b)以及圖2(a)所示，第一覆蓋構(gòu)件I為平板狀。厚度例如為0.1mm?1.5mm。第一覆蓋構(gòu)件I的平面形狀大致為長(zhǎng)方形。第一覆蓋構(gòu)件I的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度例如為I cm?8cm，寬度方向上的長(zhǎng)度例如為I cm?3cm。
[0031 ]作為第一覆蓋構(gòu)件I的材料，例如能夠使用玻璃鋼、紙、塑料、賽璐珞、陶瓷、無(wú)紡布、玻璃等。從兼顧所需的強(qiáng)度和成本的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用塑料。
[0032]此外，如圖1(a)和圖2(a)所示，在第一覆蓋構(gòu)件I的上表面形成有端子6和從端子6迂回至檢測(cè)元件3附近的布線(xiàn)7。
[0033]端子6在中間覆蓋構(gòu)件IA的上表面相對(duì)于檢測(cè)元件3在寬度方向上形成在兩側(cè)。具體地，與檢測(cè)元件3相對(duì)的端子6中的至少一部分配置得比檢測(cè)元件3的流入部14側(cè)的端部更靠近流入部14側(cè)。此外，在以流路15的長(zhǎng)邊方向?yàn)榛鶞?zhǔn)而排列在檢測(cè)元件3的一側(cè)的四個(gè)端子6中，與外側(cè)的兩個(gè)端子6連接的布線(xiàn)7的長(zhǎng)度彼此大致相同，此外，與內(nèi)側(cè)的兩個(gè)端子6連接的布線(xiàn)7的長(zhǎng)度彼此大致相同。由此，能夠抑制在檢測(cè)元件3中得到的信號(hào)由于布線(xiàn)7的長(zhǎng)度而產(chǎn)生偏差。在該情況下，例如在對(duì)于圖4所示的第一 IDT電極11而經(jīng)由布線(xiàn)7和第一引出電極19等從外部的測(cè)定器施加規(guī)定的電壓時(shí)，如果采用連接成將一方的長(zhǎng)度大致相同的布線(xiàn)7作為接地(ground)布線(xiàn)并將另一方的長(zhǎng)度大致相同的布線(xiàn)7作為信號(hào)布線(xiàn)而在這些布線(xiàn)間產(chǎn)生電位差的構(gòu)成，則能夠抑制信號(hào)的偏差，能夠提高檢測(cè)的可靠性。
[0034]在用外部的測(cè)定器(未圖示)測(cè)定傳感器裝置100時(shí)，端子6與外部的測(cè)定器電連接。此外，端子6與檢測(cè)元件3經(jīng)由布線(xiàn)7等電連接。
[0035]而且，來(lái)自外部的測(cè)定器的信號(hào)經(jīng)由端子6輸入到傳感器裝置100，并且來(lái)自傳感器裝置100的信號(hào)經(jīng)由端子6輸出到外部的測(cè)定器。
[0036](中間覆蓋構(gòu)件1A)
[0037]在本實(shí)施方式中，如圖1(b)所示，中間覆蓋構(gòu)件IA與檢測(cè)元件3并排位于第一覆蓋構(gòu)件I的上表面。此外，如圖1(a)和圖3(c)所示，中間覆蓋構(gòu)件IA與檢測(cè)元件3隔開(kāi)間隙設(shè)置。另外，中間覆蓋構(gòu)件IA與檢測(cè)元件3也可以配置為各自的側(cè)部彼此相接。
[0038]如圖1(b)和圖2(b)所示，中間覆蓋構(gòu)件IA為在平板狀的板中具有凹部形成部位4的平板框狀，其厚度例如為0.1mm?0.5mm。
[0039]在本實(shí)施方式中，如圖1(b)所示，凹部形成部位4是位于第一上游部IAa的下游側(cè)的部位。通過(guò)將中間覆蓋構(gòu)件IA與平板狀的第一覆蓋構(gòu)件I接合，從而由第一覆蓋構(gòu)件I和中間覆蓋構(gòu)件IA形成元件配置部5。即，位于凹部形成部位4的內(nèi)側(cè)的第一覆蓋構(gòu)件I的上表面成為元件配置部5的底面，凹部形成部位4的內(nèi)壁成為元件配置部5的內(nèi)壁。
[0040]如圖1和圖3所示，在檢測(cè)元件3的下游，在第一覆蓋構(gòu)件I之上不存在中間覆蓋構(gòu)件1A。由此，能夠抑制或降低在中間覆蓋構(gòu)件IA中的第一上游部IAa的下游側(cè)產(chǎn)生氣泡。其結(jié)果是，能夠使檢體液不含氣泡地以液體狀到達(dá)檢測(cè)元件3上，能夠提高檢測(cè)的靈敏度或精度。
[0041 ]作為中間覆蓋構(gòu)件IA的材料，例如能夠使用樹(shù)脂(包括塑料)、紙、無(wú)紡布、玻璃。更具體地，優(yōu)選使用聚酯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂等樹(shù)脂材料。另外，第一覆蓋構(gòu)件I的材料和中間覆蓋構(gòu)件IA的材料可以相同，也可以不同。
[0042]此外，在本實(shí)施方式中，中間覆蓋構(gòu)件IA具有第一上游部lAa，如圖1(a)和圖1(b)所示，在俯視時(shí)檢測(cè)元件3位于第一上游部IAa的下游。由此，通過(guò)流路15中的第一上游部IAa而在檢測(cè)元件3上流過(guò)的檢體液會(huì)向下游側(cè)流過(guò)超過(guò)測(cè)定所需的量，因此能夠向檢測(cè)元件3供給適當(dāng)?shù)牧康臋z體液。
[0043](第二覆蓋構(gòu)件2)
[0044]如圖1(b)和圖3(e)所示，第二覆蓋構(gòu)件2覆蓋檢測(cè)元件3并且與第一覆蓋構(gòu)件I和中間覆蓋構(gòu)件IA接合。在此，如圖1(b)和(c)所示，第二覆蓋構(gòu)件2具有第三基板2a和第四基板2b。
[0045]作為第二覆蓋構(gòu)件2的材料，例如能夠使用樹(shù)脂(包括塑料)、紙、無(wú)紡布、玻璃。更具體地，優(yōu)選使用聚酯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂等樹(shù)脂材料。另外，第一覆蓋構(gòu)件I的材料與第二覆蓋構(gòu)件2的材料可以相同。由此，能夠抑制由彼此的熱膨脹系數(shù)之差造成的變形。另外，第二覆蓋構(gòu)件2可以是只與中間覆蓋構(gòu)件IA接合的結(jié)構(gòu)，或者也可以是與第一覆蓋構(gòu)件I和中間覆蓋構(gòu)件IA這兩者接合的結(jié)構(gòu)。
[0046]如圖1(c)、圖3(c)以及圖3(d)所示，第三基板2a粘合在中間覆蓋構(gòu)件IA的上表面。第三基板2a為平板狀，其厚度例如為0.1mm?0.5mm。第四基板2b粘合在第三基板2a的上表面。第四基板2b為平板狀，其厚度例如為0.1mm?0.5mm。而且，通過(guò)第四基板2b與第三基板2a接合，從而如圖1(b)所示，在第二覆蓋構(gòu)件2的下表面形成有流路15。流路15從流入部14至少延伸至反應(yīng)部13的正上方區(qū)域，剖面形狀例如為矩形。另外，第三基板2a與第四基板2b可以是相同材料，也可以將兩者一體化。
[0047]在本實(shí)施方式中，如圖1(b)所示，在流路15的端部不存在中間覆蓋構(gòu)件IA和第三基板2a，第四基板2b與第一覆蓋構(gòu)件I的縫隙作為排氣孔18發(fā)揮功能。排氣孔18用于將流路15內(nèi)的空氣等排出到外部。排氣孔18的開(kāi)口的形狀為圓形或矩形等，只要能夠除去流路15內(nèi)的空氣，可以是任何形狀。例如，在是圓形的排氣孔18的情況下，使其直徑為2mm以下，在是由矩形構(gòu)成的排氣孔18的情況下，使其一邊為2_以下。
[0048]另外，第一覆蓋構(gòu)件1、中間覆蓋構(gòu)件IA以及第二覆蓋構(gòu)件2也可以全都由相同的材料形成。由此，能夠使各構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)大致一致，因此可抑制由每個(gè)構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)之差造成的傳感器裝置100的變形。此外，有時(shí)會(huì)在反應(yīng)部13涂敷活體材料，其中也有由于紫外線(xiàn)等外部的光而容易變質(zhì)的活體材料。在該情況下，作為第一覆蓋構(gòu)件1、中間覆蓋構(gòu)件IA以及第二覆蓋構(gòu)件2的材料，只要使用具有遮光性的不透明的材料即可。另一方面，在反應(yīng)部13基本不產(chǎn)生由外部的光造成的變質(zhì)的情況下，也可以由接近透明的材料來(lái)形成構(gòu)成流路15的第二覆蓋構(gòu)件2。在該情況下，能夠?qū)υ诹髀?5內(nèi)流動(dòng)的檢體液的狀態(tài)進(jìn)行視覺(jué)確認(rèn)，因此還能夠與利用光的檢測(cè)方式組合使用。
[0049](檢測(cè)元件3)
[0050]使用圖1?圖6，特別是使用圖4?圖6對(duì)本實(shí)施方式涉及的檢測(cè)元件3進(jìn)行說(shuō)明。[0051 ]如圖6所示，作為概略結(jié)構(gòu)，檢測(cè)元件3具有元件基板1a和至少一個(gè)檢測(cè)部1b，元件基板1a位于第一覆蓋構(gòu)件I的上表面，檢測(cè)部1b位于元件基板1a的上表面、且對(duì)檢體液所包含的被檢測(cè)物(檢測(cè)對(duì)象)進(jìn)行檢測(cè)。
[0052]具體地，本實(shí)施方式的檢測(cè)元件3具備元件基板10a、檢測(cè)部1b以及保護(hù)膜28，檢測(cè)部1b具有位于元件基板1a的上表面的反應(yīng)部13、第一 IDT(Inter DigitalTransducer:叉指換能器)電極11、以及第二IDT電極12，反應(yīng)部13具有固定化膜13a且進(jìn)行被檢測(cè)物的檢測(cè)，第一IDT電極11產(chǎn)生朝向反應(yīng)部13傳播的彈性波，第二IDT電極12接收通過(guò)了反應(yīng)部13的彈性波，保護(hù)膜28覆蓋第一IDT電極11和第二IDT電極12，在元件基板1a的上表面，與第一 IDT電極11和第二 IDT電極12所位于的區(qū)域1al相比，反應(yīng)部13所位于的區(qū)域10a2更低。另外，檢測(cè)部1b除了第一 IDT電極11、反應(yīng)部13以及第二 IDT電極12以外，還具有保護(hù)膜28、第一引出電極19以及第二引出電極20等。另外，保護(hù)膜28只要覆蓋第一IDT電極11和第二IDT電極12即可，其形態(tài)沒(méi)有限定。例如，可以從第一IDT電極11遍及至第二IDT電極12進(jìn)行覆蓋，也可以斷續(xù)地覆蓋第一 IDT電極11和第二 IDT電極12。
[0053](元件基板1a)
[0054]元件基板1a例如由石英、鉭酸鋰(LiTaO3)單晶或鈮酸鋰(LiNbO3)單晶等具有壓電性的單晶的基板構(gòu)成。元件基板1a的平面形狀和各種尺寸只要適宜地設(shè)定即可。元件基板1a的厚度例如為0.3mm?1mm。
[0055]如上所述，在本實(shí)施方式中，如圖6(a)、(b)所示，在元件基板1a的上表面，與第一IDT電極11和第二 IDT電極12所位于的區(qū)域1al相比，反應(yīng)部13所位于的區(qū)域10a2更低。由此，在反應(yīng)部13中，在第一 IDT電極11與第二 IDT電極12之間傳播的聲表面波(SAW: Surf aceAcoustic Wave)的能量容易集中在固定化膜13a，因此能夠以高靈敏度來(lái)檢測(cè)檢體液所包含的被檢測(cè)物。設(shè)在第一IDT電極11與第二IDT電極12之間傳播的SAW的波長(zhǎng)為λ時(shí)，只要相對(duì)于第一 IDT電極11和第二 IDT電極12所位于的區(qū)域1al而將反應(yīng)部13所位于的區(qū)域10a2設(shè)定得較低，例如在0.02λ以下的范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定即可。
[0056]在元件基板1a的上表面，與第一 IDT電極11和第二 IDT電極12所位于的區(qū)域1al的表面粗糙度相比，反應(yīng)部13所位于的區(qū)域10a2的表面粗糙度更大。由此，能夠在反應(yīng)部13中使后述的適體、抗體等以高密度固定化，能夠提高檢測(cè)靈敏度。在此，各構(gòu)成要素的表面粗糙度只要使用算術(shù)平均粗糙度Ra來(lái)判斷即可，在作為測(cè)定對(duì)象的上表面設(shè)置有電極以外的其它膜的情況下，例如只要通過(guò)在使用SEM(掃描型電子顯微鏡)、TEM(透射型電子顯微鏡)等分析方法得到的剖面照片中對(duì)剖面形狀進(jìn)行圖形分析來(lái)測(cè)定即可。此外，在能夠?qū)ψ鳛闇y(cè)定對(duì)象的上表面進(jìn)行直接測(cè)定的情況下，只要使用通常的接觸式或非接觸式的表面粗糙度測(cè)定機(jī)進(jìn)行測(cè)定即可。以下只要沒(méi)有特別說(shuō)明，就設(shè)為相同。
[0057 ]元件基板I Oa中的固定化膜13a所位于的區(qū)域的表面粗糙度比固定化膜13a的上表面的表面粗糙度大。由此，能夠提高元件基板1a與固定化膜13a的接合強(qiáng)度，并且能夠在固定化膜13a使適體、抗體等以高密度固定化，能夠提高檢測(cè)靈敏度。
[0058](IDT 電極 11、12)
[0059]如圖4和圖6所示，第一IDT電極11具有一對(duì)梳齒電極。各梳齒電極具有彼此對(duì)置的兩根匯流條和從各匯流條向另一個(gè)匯流條側(cè)延伸的多個(gè)電極指Ila?lle( 11a、llb、llc、lid)。而且，一對(duì)梳齒電極配置為多個(gè)電極指Ila?lie彼此嚙合。第二 IDT電極12也與第一IDT電極11同樣地構(gòu)成。第一 IDT電極11和第二 IDT電極12構(gòu)成橫向型的IDT電極。
[0060]第一 IDT電極11用于產(chǎn)生規(guī)定的SAW，第二 IDT電極12用于接收在第一 IDT電極11產(chǎn)生的SAW。第一 IDT電極11和第二 IDT電極12配置在同一直線(xiàn)上，使得第二 IDT電極12能夠接收在第一 IDT電極11產(chǎn)生的SAW。能夠?qū)⒌谝?IDT電極11和第二 IDT電極12的電極指的根數(shù)、相鄰的電極指彼此的距離、以及電極指的交叉寬度等作為參數(shù)來(lái)設(shè)計(jì)頻率特性。
[0061 ]作為由IDT電極激發(fā)的SAW存在各種振動(dòng)模式，在本實(shí)施方式涉及的檢測(cè)元件3中利用例如被稱(chēng)為SH波的橫波的振動(dòng)模式。SAW的頻率例如可以在幾兆赫(MHz)至幾千兆赫(GHz)的范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定。其中，特別是設(shè)為幾百M(fèi)Hz至2GHz是實(shí)用的，且能夠?qū)崿F(xiàn)檢測(cè)元件3的小型化，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)傳感器裝置100的小型化。在本實(shí)施方式中，以將SAW的中心頻率設(shè)為幾百M(fèi)Hz的情況為例來(lái)記載規(guī)定的構(gòu)成要素的厚度、長(zhǎng)度。
[0062]第一IDT電極11和第二 IDT電極12例如可以是由金的薄膜層等構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以是從元件基板1a側(cè)起由鈦層、金層以及鈦層構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)或由鉻層、金層以及鉻層構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)等多層結(jié)構(gòu)。
[0063]第一 IDT電極11和第二 IDT電極12的厚度只要在例如0.005λ?0.015λ的范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定即可。
[0064]另外，可以在第一IDT電極11和第二IDT電極12的SAW的傳播方向(寬度方向)的外側(cè)設(shè)置有用于抑制SAW的反射的彈性構(gòu)件。
[0065](反應(yīng)部13)
[0066]如圖4和圖6所示，反應(yīng)部13設(shè)置在第一 IDT電極11與第二 IDT電極12之間。
[0067]在本實(shí)施方式中，反應(yīng)部13具有形成在元件基板1a的上表面的固定化膜13a(例如，金屬膜)、和固定化在固定化膜13a的上表面且與被檢測(cè)物反應(yīng)的反應(yīng)物質(zhì)。反應(yīng)物質(zhì)只要根據(jù)檢測(cè)對(duì)象的被檢測(cè)物適宜地選擇即可，例如在將檢體液中的特定的細(xì)胞或活體組織等作為被檢測(cè)物時(shí)，能夠使用由核酸、肽構(gòu)成的適體。在本實(shí)施方式中，反應(yīng)物質(zhì)與被檢測(cè)物的反應(yīng)例如可以是化學(xué)反應(yīng)或抗原抗體反應(yīng)等反應(yīng)物質(zhì)與被檢測(cè)物結(jié)合的反應(yīng)，此外不限于這些反應(yīng)，也可以是通過(guò)被檢測(cè)物與反應(yīng)物質(zhì)的相互作用使被檢測(cè)物與反應(yīng)物質(zhì)結(jié)合或者使被檢測(cè)物吸附到反應(yīng)物質(zhì)那樣的反應(yīng)。只要是在檢體接觸到反應(yīng)部13時(shí)由于存在反應(yīng)物質(zhì)而根據(jù)被檢測(cè)物的種類(lèi)、含量使聲表面波的特性變化的物質(zhì)，就可以作為本實(shí)施方式的反應(yīng)物質(zhì)而用于反應(yīng)部13。反應(yīng)部13用于與檢體液中的被檢測(cè)物進(jìn)行反應(yīng)，具體地，當(dāng)檢體液接觸到反應(yīng)部13時(shí)，檢體液中的特定的被檢測(cè)物與對(duì)應(yīng)于該被檢測(cè)物的適體結(jié)合。
[0068]作為固定化膜13a(金屬膜)，例如可以是由金層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以是由鈦層和位于鈦層上的金層構(gòu)成的二層結(jié)構(gòu)或由鉻層和位于鉻層上的金層構(gòu)成的二層結(jié)構(gòu)等多層結(jié)構(gòu)。此外，固定化膜13a的材料可以與第一 IDT電極11和第二 IDT電極12的材料相同。由此，能夠?qū)烧咴谕还ば蛑行纬?。另外，關(guān)于固定化膜13a的材料，也可以代替上述的金屬膜而使用例如Si02、Ti02等氧化膜。
[0069]在此，當(dāng)將沿著流路的寬度方向配置的第一IDT電極11、第二 IDT電極12以及反應(yīng)部13設(shè)為一個(gè)組合時(shí)，如圖4所示，在本實(shí)施方式涉及的傳感器裝置100中設(shè)置有兩組該組合。由此，通過(guò)設(shè)定為使與一個(gè)反應(yīng)部13反應(yīng)的被檢測(cè)物不同于與另一個(gè)反應(yīng)部13反應(yīng)的被檢測(cè)物，從而能夠在一個(gè)傳感器裝置中進(jìn)行兩種被檢測(cè)物的檢測(cè)。
[0070]在本實(shí)施方式中，如圖6(b)所示，固定化膜13a的上表面比元件基板1a的上表面中的第一IDT電極11和第二IDT電極12所位于的區(qū)域1al中的至少一方的上表面高。由此，在反應(yīng)部13中，在第一 IDT電極11與第二 IDT電極12之間傳播的SAW的能量容易集中在固定化膜13a的上表面，因此能夠以更高的靈敏度來(lái)檢測(cè)被檢測(cè)物。
[0071]此外，如圖6(b)所示，固定化膜13a的上表面比第一IDT電極11的上表面和第二 IDT電極12的上表面中的至少一方低。由此，在反應(yīng)部13中，在第一 IDT電極11與第二 IDT電極12之間傳播的SAW的能量容易集中在固定化膜13a的上表面，因此能夠以更高的靈敏度來(lái)檢測(cè)被檢測(cè)物。
[0072]固定化膜13a的厚度只要在例如0.005λ?0.015λ的范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定即可。在本實(shí)施方式中，如圖6(b)所示，固定化膜13a的厚度比第一IDT電極11的厚度和第二IDT電極12的厚度中的至少一方薄。由此，即使在固定化膜13a的厚度比較薄的情況下，也能夠在反應(yīng)部13中降低在第一 IDT電極11與第二 IDT電極12之間傳播的SAW的能量損耗。除此之外，SAW的能量容易集中在固定化膜13a的上表面，因此能夠以更高的靈敏度來(lái)檢測(cè)被檢測(cè)物。
[0073]固定化膜13a的上表面的表面粗糙度比第一IDT電極11的上表面的表面粗糙度和第二IDT電極12的上表面的表面粗糙度中的至少一方大。由此，在反應(yīng)部13中，能夠增大表面積而使適體、抗體等以高密度固定化，能夠進(jìn)一步提高檢測(cè)靈敏度。固定化膜13a的上表面的表面粗糙度Ra只要在例如0.5?2.0nm的范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定即可，并且只要使用通常的接觸式或非接觸式的表面粗糙度測(cè)定機(jī)來(lái)測(cè)定作為測(cè)定對(duì)象的上表面即可。此外，關(guān)于第一IDT電極11的上表面和第二 IDT電極12的上表面的表面粗糙度，只要在任一個(gè)梳齒電極的部分或?qū)λ鼈冞M(jìn)行連結(jié)的部分的任一處使用通常的接觸式或非接觸式的表面粗糙度測(cè)定機(jī)對(duì)作為測(cè)定對(duì)象的上表面進(jìn)行測(cè)定即可。
[0074](保護(hù)膜28)
[0075]如圖6所示，保護(hù)膜28覆蓋第一IDT電極11和第二IDT電極12。由此，能夠抑制檢體液與第一 IDT電極11和第二 IDT電極12接觸，能夠降低由于IDT電極的氧化等造成的腐蝕。作為保護(hù)膜28的材料，例如可舉出氧化硅、氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、氮化硅或硅。另外，這些材料只要作為在構(gòu)成保護(hù)膜28的材料中質(zhì)量比率最多的主成分使用即可，在作為雜質(zhì)而混入有極微量等情況下則不判斷為材料。
[0076]在本實(shí)施方式中，如圖6(b)所示，保護(hù)膜28也位于第一IDT電極11和第二IDT電極12中的至少一方與反應(yīng)部13之間。通過(guò)所位于的該部分28a，能夠抑制或降低IDT電極的側(cè)部與檢體液接觸。在此，如圖6(b)所示，保護(hù)膜28不與反應(yīng)部13相接，而是位置分離。由此，能夠降低給針對(duì)反應(yīng)部13中的SAW的靈敏度造成的影響。
[0077]此外，如圖6(b)所示，在側(cè)剖視下，在保護(hù)膜28的反應(yīng)部13側(cè)的端部中，與上端相比，下端與反應(yīng)部13的距離更近。在此，側(cè)剖視是指，例如像也在圖1(b)中示出的那樣，從傳感器裝置的側(cè)面?zhèn)扔^察將圖1(a)在a-a線(xiàn)或與其垂直的方向上剖開(kāi)而得到的剖面的狀態(tài)。此外，所謂反應(yīng)部13側(cè)的端部，例如在如上述的那樣保護(hù)膜28也位于第一 IDT電極11和第二IDT電極12中的至少一方與反應(yīng)部13之間且對(duì)反應(yīng)部13的整個(gè)區(qū)域都不進(jìn)行覆蓋的情況下，是指第一 IDT電極11和第二 IDT電極12中的至少一方側(cè)的端部和相反側(cè)的端部。進(jìn)而，如圖6(b)所示，在側(cè)剖視下，保護(hù)膜28傾斜為隨著從反應(yīng)部13側(cè)的端部中的上端朝向下端而靠近反應(yīng)部13側(cè)。由此，能夠更有效地抑制檢體液與第一 IDT電極11和第二 IDT電極12接觸。此外，在保護(hù)膜28形成為覆蓋元件基板1a的上表面的情況下，與元件基板1a之間的結(jié)合的穩(wěn)定性會(huì)提尚。
[0078]在本實(shí)施方式中，保護(hù)膜28的厚度只要在例如0.0OU?0.05λ的范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定即可。在此，保護(hù)膜28的厚度只要設(shè)為在不覆蓋第一 IDT電極11和第二 IDT電極12的部位而測(cè)定的從元件基板1a的上表面到保護(hù)膜28的上表面的距離即可，但是不排除在除此以外的部位進(jìn)行測(cè)定。
[0079]另外，保護(hù)膜28的厚度可以比第一IDT電極11的厚度和第二 IDT電極12的厚度中的至少一方薄。由此，能夠降低保護(hù)膜28對(duì)在第一IDT電極11與第二IDT電極12之間傳播的SAW的影響，能夠降低SAW的能量損耗。在該情況下，可以設(shè)定為保護(hù)膜28的上表面的至少一部分比第一 IDT電極11的上表面和第二 IDT電極12的上表面中的至少一方低。
[0080]如圖4和圖6所示，第一IDT電極11和第二 IDT電極12分別具有位置彼此分離的多個(gè)電極指Ila?116、12&?126(12&、1213、12(3、12(1、126)，如圖6(13)所示，保護(hù)膜28位置(連續(xù)地、相連地)跨在多個(gè)電極指I Ia?lie、12a?12e中的相鄰的兩個(gè)電極指之上，例如跨在電極指11a、11b、電極指12a、12b之上以及露出在這兩個(gè)電極指11a、Ilb以及電極指12a、12b之間的元件基板1a之上。由此，能夠抑制IDT電極的多個(gè)電極指彼此間由于檢體液而產(chǎn)生短路。
[0081](引出電極19、20)
[0082]如圖4所示，第一引出電極19與第一IDT電極11連接，第二引出電極20與第二IDT電極12連接。第一引出電極19從第一IDT電極11向反應(yīng)部13的相反側(cè)引出，第一引出電極19的端部19e與設(shè)置在第一覆蓋構(gòu)件I的布線(xiàn)7電連接。第二引出電極20從第二IDT電極12向反應(yīng)部13的相反側(cè)引出，第二引出電極20的端部20e與布線(xiàn)7電連接。
[0083]第一引出電極19和第二引出電極20只要做成為與第一IDT電極11和第二IDT電極12相同的材料、結(jié)構(gòu)即可，例如，可以做成為由金的薄膜層等構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以做成為從元件基板1a側(cè)起由鈦層、金層以及鈦層構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)或由鉻層、金層以及鉻層構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)等多層結(jié)構(gòu)。
[0084](使用了檢測(cè)元件3的被檢測(cè)物的檢測(cè))
[0085]為了在如上所述的利用了SAW的檢測(cè)元件3中對(duì)試樣液中的被檢測(cè)物進(jìn)行檢測(cè)，首先，要經(jīng)由布線(xiàn)7和第一引出電極19等從外部的測(cè)定器向第一IDT電極11施加規(guī)定的電壓。
[0086]通過(guò)施加該電壓，元件基板1a的表面中的第一IDT電極11的形成區(qū)域1al被激發(fā)而產(chǎn)生具有規(guī)定的頻率的SAW。產(chǎn)生的SAW的一部分朝向反應(yīng)部13傳播，在通過(guò)反應(yīng)部13之后到達(dá)第二 IDT電極12。在反應(yīng)部13中，反應(yīng)部13的適體與檢體液中的特定的被檢測(cè)物反應(yīng)而結(jié)合，反應(yīng)部13的重量(質(zhì)量)會(huì)變化與所結(jié)合的量相對(duì)應(yīng)的量，因此通過(guò)反應(yīng)部13的SAW的相位等的特性會(huì)變化。當(dāng)像這樣特性變化的SAW到達(dá)第二 IDT電極12時(shí)，在第二 IDT電極12產(chǎn)生與其相應(yīng)的電壓。
[0087]這樣產(chǎn)生的電壓經(jīng)由第二引出電極20、布線(xiàn)7等輸出到外部，通過(guò)用外部的測(cè)定器讀取該電壓，從而能夠檢查包含被檢測(cè)物的檢體液的性質(zhì)、成分。
[0088]在此，為了將檢體液引導(dǎo)到反應(yīng)部13，在傳感器裝置100中利用毛細(xì)現(xiàn)象。具體地，如上所述，流路15如圖1所示地通過(guò)第二覆蓋構(gòu)件2與中間覆蓋構(gòu)件IA接合而在第二覆蓋構(gòu)件2的下表面成為細(xì)長(zhǎng)的管狀。因此，通過(guò)考慮檢體液的種類(lèi)、中間覆蓋構(gòu)件IA以及第二覆蓋構(gòu)件2的材質(zhì)等而將流路15的寬度或直徑等設(shè)定為規(guī)定的值，從而能夠使細(xì)長(zhǎng)的管狀的流路15產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象。流路15的寬度例如為0.5mm?3mm，深度例如為0.1mm?0.5mm。另外，如圖1(b)所示，流路15具有作為超過(guò)反應(yīng)部13而延伸的部分的下游部(延長(zhǎng)部)15b，在第二覆蓋構(gòu)件2形成有與延長(zhǎng)部15b相連的排氣孔18。而且，當(dāng)檢體液流入到流路15內(nèi)時(shí)，存在于流路15內(nèi)的空氣將從排氣孔18向外部排出。
[0089]如果通過(guò)包括中間覆蓋構(gòu)件IA和第二覆蓋構(gòu)件2的覆蓋構(gòu)件來(lái)形成這種產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象的管，則通過(guò)使檢體液與流入部14接觸，從而檢體液就會(huì)流過(guò)流路15而被吸入到傳感器裝置100的內(nèi)部。像這樣，傳感器裝置100自身具備檢體液的抽吸機(jī)構(gòu)，因此能夠在不使用移液管等器具的情況下抽吸檢體液。
[0090](流路15與檢測(cè)元件3的位置關(guān)系)
[0091]在本實(shí)施方式中，檢體液的流路15的深度為0.3mm左右，相對(duì)于此，檢測(cè)元件3的厚度為0.3_左右，如圖1(b)所示，流路15的深度和檢測(cè)元件3的厚度大致相等。因此，如果在流路15上將檢測(cè)元件3直接置于第一覆蓋構(gòu)件I的上表面則會(huì)堵塞流路15。因此，如圖1(b)和圖5所示，在傳感器裝置100中，通過(guò)安裝檢測(cè)元件3的第一覆蓋構(gòu)件I和接合在第一覆蓋構(gòu)件I上的中間覆蓋構(gòu)件IA來(lái)設(shè)置元件配置部5。通過(guò)將檢測(cè)元件3容納在該元件配置部5之中，使得不會(huì)堵塞檢體液的流路15。即，通過(guò)將元件配置部5的深度設(shè)為與檢測(cè)元件3的厚度相同的程度并將檢測(cè)元件3安裝在該元件配置部5之中，從而能夠確保流路15。
[0092]檢測(cè)元件3例如通過(guò)以環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂或硅酮樹(shù)脂等為主成分的管芯焊接材料而固定在元件配置部5的底面。
[0093]第一引出電極19的端部19e與布線(xiàn)7例如通過(guò)由Au等構(gòu)成的金屬絲27電連接。第二引出電極20的端部20e與布線(xiàn)7的連接也一樣。另外，第一引出電極19和第二引出電極20與布線(xiàn)7的連接不限于利用金屬絲27，例如也可以利用Ag膏等導(dǎo)電粘接材料。在第一引出電極19和第二引出電極20與布線(xiàn)7的連接部分設(shè)置有空隙，因此在將第二覆蓋構(gòu)件2粘合到第一覆蓋構(gòu)件I時(shí)可抑制金屬絲27的破損。此外，第一引出電極19、第二引出電極20、金屬絲27以及布線(xiàn)7被保護(hù)膜28所覆蓋。通過(guò)第一引出電極19、第二引出電極20、金屬絲27以及布線(xiàn)7被保護(hù)膜28所覆蓋，從而能夠抑制這些電極等腐蝕。
[0094]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式涉及的傳感器裝置100，通過(guò)將檢測(cè)元件3容納在第一覆蓋構(gòu)件I的元件配置部5，從而能夠確保從流入部14到反應(yīng)部13的檢體液的流路15，能夠通過(guò)毛細(xì)現(xiàn)象等使從流入部14抽吸的檢體液流至反應(yīng)部13。即，即使在使用具有規(guī)定的厚度的檢測(cè)元件3的情況下，也能夠在傳感器裝置100自身具備檢體液的抽吸機(jī)構(gòu)，因此能夠提供可以將檢體液有效地引導(dǎo)到檢測(cè)元件3的傳感器裝置100。
[0095]〈檢測(cè)元件的制造工序〉
[0096]對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的傳感器裝置100所具備的檢測(cè)元件3的制造工序進(jìn)行說(shuō)明。圖7是示出檢測(cè)元件3的制造工序的概略圖。
[0097]首先，將由石英制成的元件基板1a洗凈。然后，根據(jù)需要通過(guò)RF濺射在元件基板1a的下表面形成Al膜(圖7(a))。
[0098]接著，在元件基板1a的上表面形成電極圖案。在此，使用光刻法形成用于形成電極圖案的圖像反轉(zhuǎn)型的光致抗蝕劑圖案51(圖7(b))。
[0099]接著，使用電子束蒸鍍機(jī)在元件基板1a的上表面中的形成有光致抗蝕劑的部位和未形成光致抗蝕劑的部位成膜Ti/Au/Ti的三層結(jié)構(gòu)的金屬層52(圖7(c))。
[0100]接著，使用溶劑剝離光致抗蝕劑圖案51，然后，利用氧等離子體進(jìn)行灰化，由此形成Ti/Au/Ti的電極圖案53(圖7(d))。在本實(shí)施方式中，Ti/Au/Ti的電極圖案53除了一對(duì)IDT電極11、12以外還構(gòu)成反射器和安裝用的引出電極19、20。一對(duì)IDT電極11、12配置為彼此相對(duì)置，使得一方具有發(fā)射器的功能，另一方具有接收器的功能。
[0101 ] 接著，例如通過(guò)TE0S(Tetra Ethyl Ortho Silicate:正娃酸乙酯)-等離子體CVD在元件基板1a的上表面成膜保護(hù)膜28，使得覆蓋Ti/Au/Ti的電極圖案(圖7(e))。
[0102]接著，在保護(hù)膜28的上表面形成正型光致抗蝕劑54，使用RIE裝置對(duì)保護(hù)膜28進(jìn)行蝕刻，由此形成保護(hù)膜28的圖案(圖7(f))。此時(shí)，通過(guò)對(duì)保護(hù)膜28元件基板1a的中央部分，即想要形成固定化膜13a的部分進(jìn)行過(guò)蝕刻，從而形成比周邊低的凹部。然后，通過(guò)使用溶劑剝離光致抗蝕劑54，從而形成保護(hù)膜28的圖案，使得覆蓋IDT電極11、12。
[0103]接著，使用光刻法形成用于形成固定化膜13a的光致抗蝕劑圖案55，并使用電子束蒸鍍機(jī)形成成為反應(yīng)部13的Au/Ti的二層結(jié)構(gòu)的金屬層(圖7(g))。使用溶劑剝離光致抗蝕劑圖案55，然后，利用氧等離子體進(jìn)行灰化，由此做成為由一對(duì)IDT電極11、12夾著Au/Ti的二層結(jié)構(gòu)的固定化膜13a的結(jié)構(gòu)(圖7(h))。在此，在一個(gè)傳感器上形成兩組一對(duì)IDT電極11、12和Au/Ti的固定化膜13a的組合，將一組用作“檢測(cè)側(cè)”并將另一組用作“參照側(cè)”。然后，使用氟硝酸除去形成在元件基板1a的下表面的Al膜50。
[0104]在固定化膜13a的上表面固定化由核酸、肽構(gòu)成的適體而形成反應(yīng)部13。
[0105]如上所述，形成檢測(cè)元件3。
[0106]接著，進(jìn)行切割將元件基板1a截?cái)喑梢?guī)定的尺寸(圖7(i))。然后，使用環(huán)氧類(lèi)粘接劑將截?cái)喽玫降拿總€(gè)檢測(cè)元件3在預(yù)先形成有布線(xiàn)的相當(dāng)于第一覆蓋構(gòu)件I的玻璃鋼安裝基板(以下，記為安裝基板。)上進(jìn)行背面固定。之后，使用Au絲作為導(dǎo)線(xiàn)27而對(duì)檢測(cè)元件3上的引出電極的端部19e、20e和與安裝基板上的端子6相連的布線(xiàn)7之間進(jìn)行電連接(圖7(j))o
[0107]然后，設(shè)置中間覆蓋構(gòu)件IA和第二覆蓋構(gòu)件2等來(lái)形成傳感器裝置100。
[0108]檢測(cè)元件3的制造工序和傳感器裝置100的制造工序不限定于圖7所示的上述的工序，只要是能夠制造具有與第一IDT電極11和第二IDT電極12所位于的區(qū)域1al相比反應(yīng)部13所位于的區(qū)域10a2更低的上表面的元件基板1a的方法，就可以采用任何制造工序。
[0109]本發(fā)明不限定于以上的實(shí)施方式，可以以各種方式來(lái)實(shí)施。
[0110]雖然在上述的實(shí)施方式中對(duì)反應(yīng)部13由固定化膜13a和固定化在固定化膜13a的上表面的適體構(gòu)成的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限于適體，只要是能夠與檢體液中的被檢測(cè)物反應(yīng)并在通過(guò)反應(yīng)部13前后SAW的特性變化的反應(yīng)物質(zhì)，就可以固定在固定化膜13a的上表面進(jìn)行使用。此外，例如在檢體液中的被檢測(cè)物與固定化膜13a反應(yīng)的情況下，也可以不使用適體等反應(yīng)物質(zhì)而僅由固定化膜13a構(gòu)成反應(yīng)部13。進(jìn)而，也可以不使用固定化膜13a而將作為壓電基板的元件基板1a的表面中的第一IDT電極11與第二IDT電極12之間的區(qū)域作為反應(yīng)部13。在該情況下，通過(guò)使檢體液直接附著到元件基板1a的表面，從而能夠檢測(cè)檢體液的粘性等物理性質(zhì)。更具體地，測(cè)量由反應(yīng)部13上的檢體液的粘性等變化而造成的SAW的相位變化。此外，作為固定化膜13a，也可以代替金屬膜而將適體固定化在不具有導(dǎo)電性的膜的上表面。
[0111]此外，作為檢測(cè)元件3，可以在一個(gè)基板上混合設(shè)置多種器件。例如，可以在SAW元件的旁邊設(shè)置酶電極法的酶電極。在該情況下，除了使用了抗體、適體的免疫法以外，還可以用酶法進(jìn)行測(cè)定，能夠增加一次可以檢查的項(xiàng)目。
[0112]此外，雖然在上述的實(shí)施方式中對(duì)設(shè)置有一個(gè)檢測(cè)元件3的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以設(shè)置多個(gè)檢測(cè)元件3。在該情況下，可以按每個(gè)檢測(cè)元件3來(lái)設(shè)置元件配置部5，也可以形成具有能夠容納所有的檢測(cè)元件3的長(zhǎng)度或?qū)挾鹊脑渲貌?。
[0113]此外，雖然在上述的實(shí)施方式中示出了第一覆蓋構(gòu)件1、中間覆蓋構(gòu)件IA以及第二覆蓋構(gòu)件2分別是單獨(dú)的構(gòu)件的例子，但是不限于此，可以使用某些構(gòu)件彼此成為一體化的覆蓋構(gòu)件。此外，也可以使用所有這些構(gòu)件彼此成為一體化的覆蓋構(gòu)件。
[0114]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0115]1:第一覆蓋構(gòu)件；
[0116]IA:中間覆蓋構(gòu)件；
[0117]IAa:第一上游部；
[0118]2:第二覆蓋構(gòu)件；
[0119]2a:第三基板；
[0120]2b:第四基板；
[0121]3:檢測(cè)元件；
[0122]4:凹部形成部位；
[0123]5:元件配置部；
[0124]6:端子；
[0125]7:布線(xiàn)；
[0126]9:填充構(gòu)件；
[0127]1a:元件基板；
[0128]10b:檢測(cè)部；
[0129]11:第一 IDT 電極；
[0130]12:第二 IDT 電極；
[0131]13:反應(yīng)部；
[0132]13a:固定化膜；
[0133]14:流入部；
[0134]15:流路；
[0135]15a:上游部；
[0136]15b:下游部(延長(zhǎng)部)；
[0137]18:排氣孔；
[0138]19:第一引出電極；
[0139]19e:端部；
[0140]20:第二引出電極；
[0141]20e:端部；
[0142]27:導(dǎo)線(xiàn)(金屬絲)；
[0143]28:保護(hù)膜；
[0144]100:傳感器裝置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種傳感器裝置，具備: 元件基板； 檢測(cè)部，具有位于所述元件基板的上表面的反應(yīng)部、第一 IDT電極以及第二 IDT電極，所述反應(yīng)部具有固定化膜且進(jìn)行被檢測(cè)物的檢測(cè)，所述第一IDT電極產(chǎn)生朝向所述反應(yīng)部傳播的彈性波，所述第二IDT電極接收通過(guò)了所述反應(yīng)部的所述彈性波；以及保護(hù)膜，覆蓋所述第一IDT電極和所述第二IDT電極， 在所述元件基板的上表面，與所述第一 IDT電極和所述第二 IDT電極所位于的區(qū)域相比，所述反應(yīng)部所位于的區(qū)域更低。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其中， 所述固定化膜的上表面比所述元件基板的上表面中的所述第一 IDT電極和所述第二IDT電極所位于的區(qū)域高。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器裝置，其中， 所述固定化膜的上表面比所述第一 IDT電極的上表面和所述第二 IDT電極的上表面中的至少一方低。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳感器裝置，其中， 所述固定化膜的材料與所述第一 IDT電極和所述第二 IDT電極的材料相同。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述固定化膜的厚度比所述第一 IDT電極的厚度和所述第二 IDT電極的厚度中的至少一方薄。6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述固定化膜的上表面的表面粗糙度比所述第一 IDT電極的上表面的表面粗糙度和所述第二 IDT電極的上表面的表面粗糙度中的至少一方大。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 在所述元件基板的上表面，與所述第一 IDT電極和所述第二 IDT電極所位于的區(qū)域的表面粗糙度相比，所述反應(yīng)部所位于的區(qū)域的表面粗糙度更大。8.根據(jù)權(quán)利要求1?7中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述元件基板的上表面中的所述固定化膜所位于的區(qū)域的表面粗糙度比所述固定化膜的上表面的表面粗糙度大。9.根據(jù)權(quán)利要求1?8中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述保護(hù)膜位于所述第一 IDT電極和所述第二 IDT電極中的至少一方與所述反應(yīng)部之間。10.根據(jù)權(quán)利要求1?9中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述保護(hù)膜位置與所述反應(yīng)部分離。11.根據(jù)權(quán)利要求1?10中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 在側(cè)剖視下，在所述保護(hù)膜中的所述反應(yīng)部側(cè)的端部中，與上端相比，下端與所述固定化膜的距離更短。12.根據(jù)權(quán)利要求1?11中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 在側(cè)剖視下，所述保護(hù)膜中的所述反應(yīng)部側(cè)的端部隨著從上端朝向下端而向所述固定化膜側(cè)傾斜。13.根據(jù)權(quán)利要求1?12中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述保護(hù)膜的厚度比所述第一 IDT電極的厚度和所述第二 IDT電極的厚度中的至少一方薄。14.根據(jù)權(quán)利要求1?13中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述第一 IDT電極和所述第二 IDT電極分別具有位置彼此分離的多個(gè)梳齒電極， 所述保護(hù)膜位置跨在所述多個(gè)梳齒電極中的相鄰的兩個(gè)梳齒電極之上以及露出在所述兩個(gè)梳齒電極之間的所述元件基板之上。15.根據(jù)權(quán)利要求1?14中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述保護(hù)膜包含氧化硅。16.根據(jù)權(quán)利要求1?15中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述固定化膜包括位于所述元件基板的上表面的金屬膜。17.根據(jù)權(quán)利要求1?15中的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其中， 所述固定化膜包括位于所述元件基板的上表面的氧化膜。
【文檔編號(hào)】H03H9/145GK105934667SQ201580006044
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2015年9月30日
【發(fā)明人】小林京平
【申請(qǐng)人】京瓷株式會(huì)社