電子裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子裝置，其課題在于溫度檢測(cè)用二極管的VF的偏差大且寬溫度范圍內(nèi)的溫度測(cè)定的精度降低。電子裝置包括具備溫度檢測(cè)用二極管的電力用半導(dǎo)體裝置、具備從溫度檢測(cè)用二極管檢測(cè)VF的檢測(cè)電路的第1半導(dǎo)體集成電路裝置和第2半導(dǎo)體集成電路裝置。第2半導(dǎo)體集成電路裝置具備：外部氣溫取得部，取得外部氣溫信息；存儲(chǔ)裝置，儲(chǔ)存溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性數(shù)據(jù)和第1溫度下的基于來(lái)自檢測(cè)電路的信號(hào)的第1值；以及溫度運(yùn)算處理部，根據(jù)基于來(lái)自檢測(cè)電路的信號(hào)的第3值、溫度特性數(shù)據(jù)、由外部氣溫取得部取得的第1溫度以及第1值，計(jì)算電力用半導(dǎo)體裝置的溫度。
【專利說(shuō)明】
電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開(kāi)涉及電子裝置，可應(yīng)用于具備內(nèi)置有例如溫度檢測(cè)用二極管的電力用半導(dǎo)體裝置的電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]利用設(shè)置于半導(dǎo)體芯片內(nèi)的二極管的正向電壓(VF)的溫度依賴性，來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的溫度測(cè)定。
[0003]作為與本公開(kāi)關(guān)聯(lián)的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)，有例如日本特開(kāi)平5-40533號(hào)公報(bào)。
[0004]專利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)平5-40533號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]溫度檢測(cè)用二極管的VF的偏差大，寬溫度范圍內(nèi)的溫度測(cè)定的精度降低。
[0006]其他課題和新的特征根據(jù)本說(shuō)明書的敘述以及附圖將更加明確。
[0007]如果簡(jiǎn)單地說(shuō)明本公開(kāi)中的代表性的發(fā)明的概要，則如下述所述。
[0008]S卩，電子裝置具備電力用半導(dǎo)體裝置、驅(qū)動(dòng)所述電力用半導(dǎo)體裝置的第I半導(dǎo)體集成電路裝置以及控制所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置的第2半導(dǎo)體集成電路裝置。所述電力用半導(dǎo)體裝置具備開(kāi)關(guān)晶體管和溫度檢測(cè)用二極管。所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置具備驅(qū)動(dòng)所述開(kāi)關(guān)晶體管的驅(qū)動(dòng)電路和從所述溫度檢測(cè)用二極管檢測(cè)VF的檢測(cè)電路。所述第2半導(dǎo)體集成電路裝置具備控制所述驅(qū)動(dòng)電路的控制部、取得外部氣溫信息的外部氣溫取得部、儲(chǔ)存所述溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性數(shù)據(jù)和第I溫度下的基于來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)的第I值的存儲(chǔ)裝置以及根據(jù)基于來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)的第3值、所述溫度特性數(shù)據(jù)、由所述外部氣溫取得部取得的所述第I溫度和所述第I值來(lái)計(jì)算所述電力用半導(dǎo)體裝置的溫度的溫度運(yùn)算處理部。
[0009]根據(jù)上述電子裝置，能夠減輕寬溫度范圍的溫度測(cè)定的精度降低。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是用于說(shuō)明溫度檢測(cè)用二極管的VF的偏差的圖。
[0011 ]圖2是用于說(shuō)明實(shí)施方式的電子裝置的框圖。
[0012]圖3是用于說(shuō)明實(shí)施例1的電子裝置的框圖。
[0013]圖4是用于說(shuō)明實(shí)施例1的控制電路的框圖。
[0014]圖5是用于說(shuō)明實(shí)施例1的電子裝置的制造方法的圖。
[0015]圖6是用于說(shuō)明實(shí)施例1的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的圖。
[0016]圖7是用于說(shuō)明實(shí)施例1的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0017]圖8是用于說(shuō)明實(shí)施例1的控制電路的框圖。
[0018]圖9是用于說(shuō)明實(shí)施例1的控制電路的框圖。
[0019]圖10是用于說(shuō)明實(shí)施例2的電子裝置的框圖。
[0020]圖11是用于說(shuō)明實(shí)施例2的控制電路的框圖。
[0021]圖12是用于說(shuō)明實(shí)施例2的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0022]圖13是用于說(shuō)明實(shí)施例2的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0023]圖14是用于說(shuō)明實(shí)施例3的電子裝置的框圖。
[0024]圖15是用于說(shuō)明實(shí)施例3的控制電路的框圖。
[0025]圖16是用于說(shuō)明實(shí)施例3的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0026]圖17是用于說(shuō)明實(shí)施例1至3的電子裝置的應(yīng)用例的框圖。
[0027]圖18是用于說(shuō)明實(shí)施例1至3的電子裝置的隔離器的圖。
[0028]圖19是示出功率模塊的結(jié)構(gòu)的圖。
[0029]圖20是用于說(shuō)明實(shí)施例4的電子裝置的框圖。
[0030]圖21是示出實(shí)施例4的功率模塊的結(jié)構(gòu)的圖。
[0031]圖22是用于說(shuō)明實(shí)施例4的ID讀取裝置的圖。
[0032]圖23是用于說(shuō)明實(shí)施例4的ID電路的溫度特性數(shù)據(jù)的讀取的流程圖。
[0033]圖24是用于說(shuō)明實(shí)施例4的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0034]圖25是用于說(shuō)明實(shí)施例5的電子裝置的框圖。
[0035]圖26是示出實(shí)施例5的功率模塊的結(jié)構(gòu)的圖。
[0036]圖27是示出實(shí)施例5的ID讀取裝置的圖。
[0037]圖28是用于說(shuō)明實(shí)施例5的ID代碼的讀取的流程圖。
[0038]圖29是用于說(shuō)明實(shí)施例5的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0039]圖30是用于說(shuō)明實(shí)施例6的電子裝置的框圖。
[0040]圖31是用于說(shuō)明實(shí)施例6的ID代碼的讀取的流程圖。
[0041]圖32是用于說(shuō)明實(shí)施例7的電子裝置的框圖。
[0042]圖33是示出實(shí)施例7的IGBT的結(jié)構(gòu)的圖。
[0043]圖34是用于說(shuō)明實(shí)施例7的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0044]圖35是用于說(shuō)明實(shí)施例8的電子裝置的框圖。
[0045]圖36是示出實(shí)施例8的驅(qū)動(dòng)器IC和IBGT的連接例的框圖。
[0046]圖37是圖36的結(jié)構(gòu)中的串行通信的時(shí)序圖。
[0047]圖38是用于說(shuō)明實(shí)施例8的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0048]符號(hào)說(shuō)明
[0049]1、1八、18、1(::電子裝置；10、^、1?、16、1!1:電子裝置；10:電力用半導(dǎo)體裝置；1(^、1(?、10(::1681'(電力用半導(dǎo)體裝置)；100、1(^、1(^、106、10!1:1681';11:開(kāi)關(guān)元件；12:溫度檢測(cè)用二極管；13B、13C:1D電路；13E:條形碼；13H:1D電路；14:切換電路；20:第I半導(dǎo)體集成電路裝置；2(^、2(?、20(::驅(qū)動(dòng)器1(:(第1半導(dǎo)體集成電路裝置)；200、2(^、2(^、206、20!1:驅(qū)動(dòng)器IC;21:柵極電路(驅(qū)動(dòng)電路)；22:溫度檢測(cè)用A/D變換器(檢測(cè)電路)；23:電流偏置電路；24:隔離器;25:10讀出電路;256、25!1:10讀出電路;30:第2半導(dǎo)體集成電路裝置;3(^、308、30(::控制電路(第2半導(dǎo)體集成電路裝置)；300、3(^、3(^、306、30!1:控制電路；31:0?1];32:PffM電路；33:存儲(chǔ)裝置；34、34B、34C: I/O接P ；34H: I/O接P ；35:A/D變換器；36:PC接口；44:外部氣溫檢測(cè)器;45: PC。
【具體實(shí)施方式】
[0050]以下，使用附圖，說(shuō)明實(shí)施方式以及實(shí)施例。但是，在以下的說(shuō)明中，有時(shí)對(duì)同一構(gòu)成要素附加同一符號(hào)而省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0051]電動(dòng)機(jī)(馬達(dá))被用作與內(nèi)燃機(jī)(汽油引擎)組合了的混合動(dòng)力汽車(HEV)或者電動(dòng)汽車(EV)等的動(dòng)力源。在驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)時(shí)，使用為了得到預(yù)定的轉(zhuǎn)矩、電源頻率而進(jìn)行直流-交流變換的電力變換裝置(逆變器)。根據(jù)汽車的行駛環(huán)境，逆變器的運(yùn)行溫度大幅變動(dòng)，特別是在引擎室中搭載有逆變器的HEV中，由于引擎發(fā)熱的影響而逆變器成為高溫。關(guān)于逆變器內(nèi)的開(kāi)關(guān)元件(例如電力用半導(dǎo)體裝置)，除了這樣的周圍溫度以外，由于電力用半導(dǎo)體裝置元件自身的電流流過(guò)所導(dǎo)致的穩(wěn)定損失、接通/斷開(kāi)所導(dǎo)致的開(kāi)關(guān)損失的影響而溫度上升，如果超過(guò)某個(gè)溫度則存在導(dǎo)致破壞的擔(dān)憂。
[0052]在逆變器內(nèi)，除了電力用半導(dǎo)體裝置以外，還使用驅(qū)動(dòng)電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)電路以及控制驅(qū)動(dòng)電路的控制電路。驅(qū)動(dòng)電路除了驅(qū)動(dòng)電力用半導(dǎo)體裝置的柵極驅(qū)動(dòng)電路以外，為了保護(hù)電力用半導(dǎo)體裝置免受高溫等所導(dǎo)致的破壞，還具有過(guò)電流保護(hù)以及過(guò)熱保護(hù)功能。例如，在電力用半導(dǎo)體裝置中，內(nèi)置溫度檢測(cè)用的二極管，從驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)的電流源流出電流，利用二極管的電流-溫度特性(如果溫度變高則針對(duì)同一電流值的正向電壓(VF)變低的特性)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)的比較器，判斷電力用半導(dǎo)體裝置的芯片的溫度是否為與基準(zhǔn)電壓對(duì)應(yīng)的溫度以上。然后，在利用二極管得出的檢測(cè)溫度成為設(shè)定值以上的情況下，向控制電路輸出報(bào)警信號(hào)，并且向柵極驅(qū)動(dòng)電路也輸出信號(hào)而將電力用半導(dǎo)體裝置強(qiáng)制地切斷。另外，在輸出了報(bào)警信號(hào)的情況下，在控制電路中也進(jìn)行裝置的強(qiáng)制停止。
[0053]電力用半導(dǎo)體裝置是例如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，在一個(gè)半導(dǎo)體基板上具備開(kāi)關(guān)元件和溫度檢測(cè)用二極管。利用圖1，說(shuō)明溫度檢測(cè)用二極管的VF的偏差。圖1是示出溫度檢測(cè)用二極管的VF和溫度的關(guān)系(溫度特性)的圖。在圖1中，示出了串聯(lián)連接了2級(jí)溫度檢測(cè)用二極管的情況下的溫度特性(流過(guò)了 200μΑ的偏置電流時(shí)的溫度(°C)和溫度檢測(cè)用二極管的VF(V)的關(guān)系)。
[0054]關(guān)于IGBT的溫度檢測(cè)用二極管的VF，例如如圖1所示，在常溫(25°C)下，為±6%的偏差，如果還加上溫度系數(shù)，則在175°C下，為±20%以上的偏差。虛線A是典型的值，實(shí)線B、C是作為表示25°C下的±6%的偏差的上限以及下限的線的、與虛線A平行的(將典型的值和溫度系數(shù)設(shè)為相同)直線。實(shí)線D、C是將25°C下的±6%的偏差的上限以及下限和175°C下的±20%的偏差的上限以及下限分別連接而得到的直線。表示隨著溫度的上升，溫度系數(shù)的偏差變大。通常，關(guān)于溫度異常檢測(cè)的設(shè)定，由于根據(jù)該IGBT的偏差公差計(jì)算，所以存在使IGBT的容許動(dòng)作溫度范圍變窄的問(wèn)題。因此，在安裝了 IGBT、驅(qū)動(dòng)電路、控制電路的板的出廠檢查時(shí)，進(jìn)行IGBT的特性偏差校正，所以產(chǎn)生VF的檢測(cè)電路的電路常數(shù)變更等的調(diào)整工時(shí)。
[0055]〈實(shí)施方式〉
[0056]接下來(lái)，利用圖2，說(shuō)明實(shí)施方式的電子裝置。圖2是實(shí)施方式的電子裝置的框圖。實(shí)施方式的電子裝置I具備電力用半導(dǎo)體裝置10、第I半導(dǎo)體集成電路裝置20以及第2半導(dǎo)體集成電路裝置30。電力用半導(dǎo)體裝置10具備開(kāi)關(guān)元件11和溫度檢測(cè)用二極管12。第I半導(dǎo)體集成電路裝置20具備驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)電路21和檢測(cè)溫度檢測(cè)用二極管12的VF的檢測(cè)電路22。第2半導(dǎo)體集成電路裝置30具備:控制部CC，控制驅(qū)動(dòng)電路21;外部氣溫取得部TA，取得外部氣溫信息；存儲(chǔ)裝置33，保存溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性(K)和第I溫度(A)下的基于來(lái)自檢測(cè)電路22的信號(hào)的第I值(VF(A));以及溫度運(yùn)算處理部TC，根據(jù)基于來(lái)自檢測(cè)電路22的信號(hào)的第3值(VF(N))、溫度特性(K)、由外部氣溫取得部TA取得的第I溫度(A)以及第I值(VF(A))，計(jì)算電力用半導(dǎo)體裝置10的溫度(N)。
[0057]使用電力用半導(dǎo)體裝置的溫度特性(K)來(lái)計(jì)算電力用半導(dǎo)體裝置的溫度，所以能夠提高溫度測(cè)定精度。由此，在電力用半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作容許范圍的設(shè)定時(shí)，無(wú)需根據(jù)VF的偏差公差將例如異常檢測(cè)溫度設(shè)定得較低來(lái)決定與其對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)電壓，能夠?qū)崿F(xiàn)動(dòng)作容許范圍的擴(kuò)大、熱余量的最佳化(芯片尺寸削減)。
[0058]【實(shí)施例1】
[0059]首先，利用圖3，說(shuō)明實(shí)施方式的第I實(shí)施例的電子裝置A的結(jié)構(gòu)。
[0060]圖3是示出實(shí)施例1的電子裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。實(shí)施例1的電子裝置IA具備作為電力用半導(dǎo)體裝置的IGBT10A、作為第I半導(dǎo)體集成電路裝置的驅(qū)動(dòng)器IC20A以及作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路30A。
[0061]IGBTlO是通過(guò)在I個(gè)半導(dǎo)體基板上安裝開(kāi)關(guān)元件11和溫度檢測(cè)用二極管12而形成的。
[0062]驅(qū)動(dòng)器IC20是通過(guò)在I個(gè)半導(dǎo)體基板上安裝作為開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)電路的柵極電路(GATE CIR⑶IT)21、作為溫度檢測(cè)用二極管12的VF的檢測(cè)電路的溫度檢測(cè)用A/D變換器22以及向溫度檢測(cè)用二極管12供給偏置電流的電流偏置電路(CURRENT BI AS) 23而形成的。柵極電路21根據(jù)來(lái)自控制電路30的PWM(Pulse Width Modulat1n，脈沖寬度調(diào)制)信號(hào)，生成為了使開(kāi)關(guān)元件11接通/斷開(kāi)而驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電極的驅(qū)動(dòng)器信號(hào)(DRV)。在柵極電路21與開(kāi)關(guān)元件11之間設(shè)置電阻41。
[0063]溫度檢測(cè)用A/D變換器22具備比較器221和三角波發(fā)生電路222。針對(duì)三角波發(fā)生電路222外設(shè)電容器42和電阻群43。電阻群43生成三角波發(fā)生用基準(zhǔn)電壓。
[0064]關(guān)于IGBT10A的芯片溫度，使用IGBT10A內(nèi)的溫度檢測(cè)用二極管12的正向電壓來(lái)進(jìn)行測(cè)定。
[0065]使恒定電流(IF)從驅(qū)動(dòng)器IC20A的電流偏置電路23流入到溫度檢測(cè)用二極管12，將在比較器221中比較VF和來(lái)自三角波發(fā)生電路222的三角波信號(hào)而得到的PffM的溫度傳感輸出信號(hào)(TSP)經(jīng)由隔離器24發(fā)送到控制電路30，從而能夠根據(jù)HVM的占空比測(cè)定溫度。隔離器24利用通過(guò)層間膜使由布線形成的片上變壓器絕緣所引起的磁耦合來(lái)傳遞信號(hào)。
[0066]控制電路30A是通過(guò)在I個(gè)半導(dǎo)體基板上安裝CPU31、Pmi電路(PffM CIR⑶IT)32、存儲(chǔ)裝置(MEM0RY)33、作為與外部設(shè)備的接口輸入輸出部的I/O接口(I/O IF)34、A/D變換器(ADC)35、作為與外部PC(Personal Computer，個(gè)人計(jì)算機(jī))的接口部的PC接口(PC IF)而形成的，例如由微型計(jì)算機(jī)部件(MCU)構(gòu)成。存儲(chǔ)裝置33優(yōu)選由閃存存儲(chǔ)器等可電改寫的非易失性存儲(chǔ)器構(gòu)成。另外，CPU31執(zhí)行的程序優(yōu)選儲(chǔ)存于閃存存儲(chǔ)器等可電改寫的非易失性存儲(chǔ)器，也可以儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置33。
[0067]利用圖4，說(shuō)明控制電路30A。
[0068]圖4是示出實(shí)施例1的控制電路的功能的框圖?？刂齐娐?0A具備外部氣溫切換部311、溫度運(yùn)算處理部314以及驅(qū)動(dòng)器用PWM控制部318。虛線所示的塊是軟件的處理(CPU31執(zhí)行程序的處理)，但不限于此，也可以通過(guò)例如硬件構(gòu)成。
[0069]外部氣溫切換部311由平均化處理部312和選擇部313構(gòu)成。通過(guò)選擇部313選擇通過(guò)A/D變換器35變換熱敏電阻等作為溫度傳感器的外部氣溫檢測(cè)器44的輸出并通過(guò)平均化處理部312對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行采樣并將多個(gè)量平均化而去除了噪聲的信號(hào)、或者從PC45經(jīng)由PC接口 36輸入的環(huán)境溫度的溫度設(shè)定值。如后所述，通過(guò)PC45進(jìn)行恒溫槽等能夠設(shè)定電子裝置IA的環(huán)境溫度的空間的溫度設(shè)定，或者PC45取得溫度設(shè)定值，所以PC45能夠?qū)h(huán)境溫度的設(shè)定值輸入到控制電路30A。環(huán)境溫度通過(guò)外部氣溫檢測(cè)器44或者PC45中的某一個(gè)來(lái)檢測(cè)即可，所以也可以沒(méi)有某一方。在該情況下，也可以沒(méi)有外部氣溫切換部311的選擇部313，在通過(guò)PC45檢測(cè)環(huán)境溫度的情況下，也可以沒(méi)有平均化處理部312。
[0070]溫度運(yùn)算處理部314由溫度系數(shù)計(jì)算部315、溫度值變換部316、溫度校正部317構(gòu)成。作為選擇部313的輸出的溫度信息以及通過(guò)溫度值變換部316對(duì)溫度檢測(cè)用A/D變換器22的輸出進(jìn)行變換而得到的溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息被輸入到溫度系數(shù)計(jì)算部315。將由溫度系數(shù)計(jì)算部315計(jì)算出的溫度系數(shù)、作為選擇部313的輸出的溫度信息以及通過(guò)溫度值變換部316對(duì)溫度檢測(cè)用A/D變換器22的輸出進(jìn)行變換而得到的溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33。溫度校正部317根據(jù)由溫度值變換部316變換了的溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息和在存儲(chǔ)裝置33中儲(chǔ)存的信息，校正為在驅(qū)動(dòng)器用PffM控制部318中使用的溫度信息。
[0071]另外，可以在以下時(shí)間中的任一個(gè)時(shí)，向控制電路30A的非易失性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存CPU31執(zhí)行的程序。
[0072 ] (I)作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路30A的晶片制造時(shí)
[0073](2)在封入到控制電路30A的封裝體之后并且在安裝到電子裝置IA的印刷基板之
、廣.刖
[0074](3)在安裝到電子裝置IA的印刷基板之后(從PC45經(jīng)由PC接口 36進(jìn)行儲(chǔ)存)
[0075]利用圖5至圖7，說(shuō)明作為電子裝置IA的制造方法的一個(gè)工序的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的取得方法。
[0076]圖5是用于說(shuō)明實(shí)施例1的電子裝置的制造方法的圖。圖6是用于通過(guò)實(shí)施例1的溫度系數(shù)計(jì)算部處理計(jì)算溫度系數(shù)的圖。圖7是用于通過(guò)實(shí)施例1的溫度系數(shù)計(jì)算部處理求出溫度系數(shù)的流程圖。
[0077]在電子裝置的制造工序中的測(cè)試工序等中，進(jìn)行將圖5所示的溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存到電子裝置的工序。準(zhǔn)備具備IGBT10A、驅(qū)動(dòng)器IC20A以及控制電路30A的電子裝置IA(步驟S10)。將電子裝置IA搬入到恒溫槽等能夠設(shè)定環(huán)境溫度的空間，連接外部氣溫檢測(cè)器44、PC45。通過(guò)后述方法，取得溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性(步驟S20)。從電子裝置IA拆下外部氣溫檢測(cè)器44、PC45，從能夠設(shè)定環(huán)境溫度的空間搬出。
[0078]如圖6所示，根據(jù)第I溫度(A)下的VF測(cè)定值(VF(A))和第2溫度(H)下的VF測(cè)定值(VF(H))，計(jì)算溫度系數(shù)。第I溫度(A)是例如常溫(25°C)，第2溫度(H)是高溫(100°C)。
[0079]如圖7所示，首先，使IGBT10A斷開(kāi)(步驟S21)。通過(guò)使IGBTlO斷開(kāi)，IGBTlO的芯片溫度與環(huán)境溫度等同。接下來(lái)，將環(huán)境溫度設(shè)定為作為第I溫度(A)的常溫(步驟S22)。從外部氣溫檢測(cè)器44或者PC45輸入環(huán)境溫度。接下來(lái)，根據(jù)作為在環(huán)境溫度是第I溫度下的IGBT10A(溫度檢測(cè)用二極管12)的溫度信息的、來(lái)自溫度檢測(cè)用A/D變換器22的信號(hào)，通過(guò)溫度值變換部316計(jì)算VF，將其作為第I值(VF(A))儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S23)。接下來(lái)，將環(huán)境溫度設(shè)定為作為第2溫度(H)的高溫(步驟S24)。從外部氣溫檢測(cè)器44或者PC45輸入環(huán)境溫度。接下來(lái)，根據(jù)作為在環(huán)境溫度是第2溫度下的IGBT10A(溫度檢測(cè)用二極管12)的溫度信息的、來(lái)自溫度檢測(cè)用A/D變換器22的信號(hào)，通過(guò)溫度值變換部316計(jì)算VF，將其作為第2值(VF(H))儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S25)。通過(guò)下述的式(I)，計(jì)算溫度檢測(cè)用二極管12的溫度系數(shù)(K)，儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S26)。
[0080]K= (VF(H)-VF(A))/(H-A)[mV/°C]...(1)
[0081]接下來(lái)，利用圖8以及圖9，說(shuō)明電子裝置的通常動(dòng)作時(shí)的動(dòng)作。另外，在計(jì)算溫度系數(shù)時(shí)需要外部氣溫檢測(cè)器44、PC45，但在通常動(dòng)作時(shí)不需要。
[0082]圖8是實(shí)施例1的控制電路中的主要示出溫度校正部的功能的框圖。圖9是實(shí)施例1的控制電路中的主要示出PWM控制部的功能的框圖。
[0083]圖8示出電子裝置IA的通常動(dòng)作時(shí)的溫度測(cè)定方法。
[0084]根據(jù)作為IGBT10A(溫度檢測(cè)用二極管12)的溫度信息的來(lái)自溫度檢測(cè)用A/D變換器22的信號(hào)，通過(guò)溫度值變換部316計(jì)算VF，將其作為第3值(VF(N))。溫度校正部317使用第3值(VF(N))和在存儲(chǔ)裝置33中儲(chǔ)存的溫度系數(shù)(K)、第I溫度(A)以及第I值(VF(A))，通過(guò)下述的式(2)，計(jì)算IGBT10A的測(cè)定溫度(N)。
[0085]N= (VF(N)-VF(A))/K+A[°C]...(2)
[0086]如圖9所示，驅(qū)動(dòng)器用PWM控制部318控制PWM電路32，以生成作為開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)器信號(hào)(DRV)的PffM信號(hào)。另外，驅(qū)動(dòng)器用PffM控制部318具有以下功能:根據(jù)由溫度運(yùn)算處理部314求出的IGBT10A的測(cè)定溫度結(jié)果，在接近預(yù)定溫度的情況下控制PWM電路32以抑制開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)，或者在超過(guò)預(yù)定溫度的情況下，判斷為異常狀態(tài)，控制PWM電路32以使開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)斷開(kāi)，從而保護(hù)IGBT10A。
[0087]根據(jù)實(shí)施例1，能夠包括溫度檢測(cè)用A/D變換器等電子裝置整體的特性在內(nèi)地取得溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性，所以能夠進(jìn)行精度良好的溫度測(cè)定。由此，能夠在適合的溫度下保護(hù)IGBT。
[0088]【實(shí)施例2】
[0089]利用圖10，說(shuō)明實(shí)施例2的電子裝置IB的結(jié)構(gòu)。
[0090]圖10是用于說(shuō)明實(shí)施例2的電子裝置的框圖。
[0091]實(shí)施例2的電子裝置IB具備作為電力用半導(dǎo)體裝置的IGBT10B、作為第I半導(dǎo)體集成電路裝置的驅(qū)動(dòng)器IC20B以及作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路30B。
[0092]IGBT10B具備存儲(chǔ)芯片固有的ID代碼的ID電路(ID CIRCUIT) 13B。其他結(jié)構(gòu)與IGBT10A相同。ID電路13B由梯形電阻和電熔絲等構(gòu)成。
[0093]驅(qū)動(dòng)器IC20B具備讀出ID電路13B的ID代碼的ID讀出電路25B。其他結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)器IC20A相同。ID讀出電路25B與溫度檢測(cè)用A/D變換器22同樣地將來(lái)自ID電路13B的電壓值變換為PWM信號(hào)(數(shù)字的串行信號(hào))。隔離器24B與隔離器24相同，但隔離器的數(shù)量增加。
[0094]控制電路30B具備I/O接口 34B和ID識(shí)別部319。其他結(jié)構(gòu)與控制電路30A相同。ID識(shí)別部319根據(jù)來(lái)自ID讀出電路25B的信號(hào)，識(shí)別ID代碼。
[0095]在IGBT1B的晶片制造時(shí)的晶片測(cè)試處理中，實(shí)施常溫、高溫測(cè)試，將此時(shí)得到的IGBT10B的特性數(shù)據(jù)(VF(A)、VF(H)、K)與ID代碼一起作為晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存到外部存儲(chǔ)裝置46。另外，通過(guò)在晶片測(cè)試處理時(shí)切斷IGBT10B的ID電路13B的電熔絲等，設(shè)定ID代碼。
[0096]利用圖11，說(shuō)明控制電路30B。
[0097]圖11是示出實(shí)施例2的控制電路的功能的框圖。實(shí)施例2的控制電路30B在溫度系數(shù)計(jì)算部315B中使用從PC接口 36輸入的溫度特性，并且追加了經(jīng)由I/O接口 34B讀取ID代碼而識(shí)別ID代碼的ID識(shí)別部319，除此以外，與控制電路30A相同。虛線所示的塊是軟件的處理(CPU31執(zhí)行程序的處理)，但不限于此，也可以是例如硬件。
[0098]溫度運(yùn)算處理部314B由溫度系數(shù)計(jì)算部315B、溫度值變換部316、溫度校正部317構(gòu)成。從儲(chǔ)存作為選擇部313的輸出的溫度信息、通過(guò)溫度值變換部316對(duì)溫度檢測(cè)用A/D變換器22的輸出進(jìn)行變換而得到的溫度檢測(cè)用二極管12的電壓信息以及PC45的晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)的外部存儲(chǔ)裝置(ST0RAGE)46，將與ID識(shí)別部319取得的ID代碼對(duì)應(yīng)的溫度系數(shù)(K)輸入到溫度系數(shù)計(jì)算部315B。將輸入到溫度系數(shù)計(jì)算部315B的溫度系數(shù)(K)、作為選擇部313的輸出的溫度信息以及通過(guò)溫度值變換部316對(duì)溫度檢測(cè)用A/D變換器22的輸出進(jìn)行變換而得到的溫度檢測(cè)用二極管12的電壓信息儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33。
[0099]利用圖12以及圖13，說(shuō)明作為實(shí)施例2的電子裝置IB的制造法的一個(gè)工序的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的取得方法。
[0100]圖12是用于說(shuō)明實(shí)施例2的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。圖13是用于說(shuō)明實(shí)施例2的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0101]電子裝置IB的制造方法除了步驟S20以外，與實(shí)施例1相同。以下，說(shuō)明與步驟20相當(dāng)?shù)墓ば颉?br>[0102]首先，讀取IGBT10B的ID代碼(步驟S27)。接下來(lái)，通過(guò)ID代碼從儲(chǔ)存晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)的外部存儲(chǔ)裝置46取得溫度系數(shù)(K)，并儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S28)。接下來(lái)，使IGBT10B斷開(kāi)(步驟S21)。接下來(lái)，將環(huán)境溫度設(shè)定為作為第I溫度(A)的常溫(步驟S22)。從外部氣溫檢測(cè)器44或者PC45輸入環(huán)境溫度。接下來(lái)，根據(jù)作為在環(huán)境溫度是第I溫度下的IGBT10B(溫度檢測(cè)用二極管12)的溫度信息的、來(lái)自溫度檢測(cè)用A/D變換器22的信號(hào)，通過(guò)溫度值變換部316計(jì)算VF，將其作為第I值(VF(A))儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S23)。另外，也可以調(diào)換步驟S27、S28和步驟S21?S23。
[0103]利用圖13，說(shuō)明包括驅(qū)動(dòng)器IC20B地提高調(diào)整精度的情況。
[0104]首先，讀取IGBT10B的ID代碼(步驟S27)。接下來(lái)，通過(guò)ID代碼從儲(chǔ)存晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)的外部存儲(chǔ)裝置46取得第I值(VF(A))、第2值(VF(H))以及溫度系數(shù)(K)，并儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S28B)。接下來(lái)，使IGBT10B斷開(kāi)(步驟S21)。接下來(lái)，將環(huán)境溫度設(shè)定為作為第I溫度(A)的常溫(步驟S22)。從外部氣溫檢測(cè)器44或者PC45輸入環(huán)境溫度。接下來(lái)，根據(jù)作為在環(huán)境溫度是第I溫度下的IGBT10B(溫度檢測(cè)用二極管12)的溫度信息的、來(lái)自溫度檢測(cè)用A/D變換器22的信號(hào)，通過(guò)溫度值變換部316計(jì)算VF，將其作為第4值(VF(A)’)(步驟S23B)。接下來(lái)，進(jìn)行第4值(VF(A)’)與晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)的第I值(VF(A))的比較(步驟S29)。接下來(lái)，判定第4值(VF(A)’)與第I值(VF(A))的差分是否為預(yù)定值以上(步驟S30)。在差分是預(yù)定值以上的情況(在步驟S30中“是”的情況)下，進(jìn)行常溫A°C的溫度偏移(步驟S31)。以使對(duì)式(2)的VF(N)代入VF(A) ’而得到的溫度N成為新的常溫A’的方式，使常溫偏移。偏移值是A’與A的差分。另外，也可以調(diào)換步驟S27、S28B和步驟S21?S23B。
[0105]另外，在本實(shí)施例中，在步驟S28或者步驟S28B中從在外部存儲(chǔ)裝置46中儲(chǔ)存的晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)取得溫度系數(shù)(K)等并儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33，但也可以在步驟S27之前將與多個(gè)ID代碼對(duì)應(yīng)的溫度系數(shù)(K)等預(yù)先儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33。
[0106]電子裝置IB的通常動(dòng)作時(shí)的動(dòng)作與電子裝置IA相同。
[0107]根據(jù)作為IGBT10B(溫度檢測(cè)用二極管12)的溫度信息的來(lái)自溫度檢測(cè)用A/D變換器22的信號(hào)，通過(guò)溫度值變換部316計(jì)算VF，將其作為第3值(VF(N))。溫度校正部317使用第3值(VF(N))和在存儲(chǔ)裝置33中儲(chǔ)存的溫度系數(shù)(K)、第I溫度(A)以及第I值(VF(A))，通過(guò)上述式(2)，計(jì)算IGBT10B的測(cè)定溫度(N)。
[0108]驅(qū)動(dòng)器用PWM控制部318控制PWM電路32，以生成作為開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)器信號(hào)(DRV)的P麗信號(hào)。另外，驅(qū)動(dòng)器用PffM控制部318具有以下功能:根據(jù)由溫度運(yùn)算處理部314B求出的IGBT10B的測(cè)定溫度結(jié)果，在接近預(yù)定溫度的情況下，控制PWM電路32以抑制開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)，或者在超過(guò)預(yù)定溫度的情況下判斷為異常狀態(tài)，控制PWM電路32以使開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)斷開(kāi)，從而保護(hù)IGBT10B。
[0109]根據(jù)實(shí)施例2，無(wú)需變更如實(shí)施例1那樣的環(huán)境溫度來(lái)取得溫度特性，所以能夠削減調(diào)整工時(shí)。另外，在通常動(dòng)作時(shí)，得到與實(shí)施例1同樣的效果。
[0110]【實(shí)施例3】
[0111]利用圖14，說(shuō)明實(shí)施例3的電子裝置IC的結(jié)構(gòu)。
[0112]圖14是用于說(shuō)明實(shí)施例3的電子裝置的框圖。
[0113]實(shí)施例3的電子裝置IC具備作為電力用半導(dǎo)體裝置的IGBT10C、作為第I半導(dǎo)體集成電路裝置的驅(qū)動(dòng)器IC20C以及作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路30C。
[0114]IGBT10C具備存儲(chǔ)溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性的ID電路(ID CIRCUIT) 13C。其他結(jié)構(gòu)與IGBT10B相同。ID電路13C由梯形電阻和電熔絲等構(gòu)成。
[0115]驅(qū)動(dòng)器IC20C具備讀出ID電路13C的溫度特性數(shù)據(jù)的ID讀出電路25C。其他結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)器IC20B相同。ID讀出電路25C讀出的數(shù)據(jù)不同，但結(jié)構(gòu)與ID讀出電路25B相同。
[0116]控制電路30C具備I/O接口 34C和ID識(shí)別部319C，不具備PC接口 36。其他結(jié)構(gòu)與控制電路30B相同。ID識(shí)別部319C根據(jù)來(lái)自ID讀出電路25C的信號(hào)，取得溫度特性數(shù)據(jù)。
[0117]在IGBT10C的晶片制造時(shí)的晶片測(cè)試中，實(shí)施常溫、高溫測(cè)試，根據(jù)此時(shí)得到的IGBT10C的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性(第I值(VF(A))、第2值(VF(H))、第I溫度(A)、第2溫度(H))，計(jì)算溫度系數(shù)(K)，切斷ID電路13C的電熔絲等，從而設(shè)定溫度系數(shù)(K)。也可以代替溫度系數(shù)(K)而通過(guò)切斷電熔絲等來(lái)設(shè)定第I值(VF(A))、第2值(VF(H))。在該情況下，優(yōu)選設(shè)定常溫的VF的典型值與第I值(VF(A))的差分?jǐn)?shù)據(jù)、高溫的VF的典型值與第2值(VF(H))的差分?jǐn)?shù)據(jù)以及參考數(shù)據(jù)。在該情況下，ID讀出電路25C優(yōu)選以分時(shí)方式與溫度檢測(cè)用A/D變換器22同樣地將來(lái)自ID電路13C的3個(gè)電壓值變換為PffM信號(hào)。
[0118]利用圖15，說(shuō)明控制電路30C。
[0119]圖15是示出實(shí)施例3的控制電路的功能的框圖。
[0120]實(shí)施例3的控制電路30C不具有PC接口 36，在外部氣溫切換部311C中不具有選擇部313并且追加了經(jīng)由I/O接口 34C讀出溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的ID識(shí)別部319C，除此以外，與控制電路30A相同。虛線所示的塊是軟件的處理(CHJ31執(zhí)行程序的處理)，但不限于此，也可以是例如硬件。
[0121]溫度運(yùn)算處理部314C由溫度系數(shù)計(jì)算部315C、溫度值變換部316、溫度校正部317構(gòu)成。作為平均化處理部312的輸出的溫度信息、通過(guò)溫度值變換部316對(duì)溫度檢測(cè)用A/D變換器22的輸出進(jìn)行變換而得到的溫度檢測(cè)用二極管12的電壓信息以及來(lái)自ID識(shí)別部319C的溫度系數(shù)(K)被輸入到溫度系數(shù)計(jì)算部315C。將輸入到溫度系數(shù)計(jì)算部315C的溫度系數(shù)(K)、作為平均化處理部312的輸出的溫度信息以及通過(guò)溫度值變換部316對(duì)溫度檢測(cè)用A/D變換器22的輸出進(jìn)行變換而得到的溫度檢測(cè)用二極管12的電壓信息儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33。
[0122]利用圖16，說(shuō)明作為實(shí)施例3的電子裝置IC的制造法的一個(gè)工序的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的取得方法。
[0123]圖16是用于說(shuō)明實(shí)施例3的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0124]將溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存到電子裝置IC的工序除了步驟S20以夕卜，與實(shí)施例1相同。以下，說(shuō)明與步驟20相當(dāng)?shù)墓ば颉?br>[0125]首先，讀取IGBT10C的ID代碼(步驟S27C)。此處，在ID代碼中，包括溫度系數(shù)(K)、與第I值(VF(A))相當(dāng)?shù)闹?、與第2值(VF(H))相當(dāng)?shù)闹怠＝酉聛?lái)，將在ID代碼中包含的溫度系數(shù)(K)或者根據(jù)在ID代碼中包含的信息計(jì)算出的溫度系數(shù)(K)儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S28C)。接下來(lái)，使IGBT10C斷開(kāi)(步驟S21)。接下來(lái)，將環(huán)境溫度設(shè)定為作為第I溫度(A)的常溫(步驟S22)。從外部氣溫檢測(cè)器44輸入環(huán)境溫度。接下來(lái)，根據(jù)作為在環(huán)境溫度是第I溫度下的IGBT10C(溫度檢測(cè)用二極管12)的溫度信息的、來(lái)自溫度檢測(cè)用A/D變換器22的信號(hào)，通過(guò)溫度值變換部316計(jì)算VF，將其作為第I值(VF(A))儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S23)。
[0126]電子裝置IC的通常動(dòng)作時(shí)的動(dòng)作與電子裝置IA相同。
[0127]根據(jù)作為IGBT10C(溫度檢測(cè)用二極管12)的溫度信息的來(lái)自溫度檢測(cè)用A/D變換器22的信號(hào)，通過(guò)溫度值變換部316計(jì)算VF，將其作為第3值(VF(N))。溫度校正部317使用第3值(VF(N))和在存儲(chǔ)裝置33中儲(chǔ)存的溫度系數(shù)(K)、第I溫度(A)以及第I值(VF(A))，通過(guò)上述式(2)，計(jì)算IGBT10C的測(cè)定溫度(N)。
[0128]驅(qū)動(dòng)器用PWM控制部318控制PWM電路32，以生成作為開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)器信號(hào)(DRV)的P麗信號(hào)。另外，驅(qū)動(dòng)器用PffM控制部318具有以下功能:根據(jù)由溫度運(yùn)算處理部314C求出的IGBT10C的測(cè)定溫度結(jié)果，在接近預(yù)定溫度的情況下，控制PWM電路32以抑制開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)，或者在超過(guò)預(yù)定溫度的情況下判斷為異常狀態(tài)，控制PWM電路32以使開(kāi)關(guān)元件11的驅(qū)動(dòng)斷開(kāi)，從而保護(hù)IGBT10C。
[0129]根據(jù)實(shí)施例3，不需要如實(shí)施例1那樣的環(huán)境溫度變化、如實(shí)施例2那樣的與外部PC的連接，所以能夠削減調(diào)整工序。另外，在通常動(dòng)作時(shí)，得到與實(shí)施例1同樣的效果。
[0130][應(yīng)用例]
[0131]利用圖17，說(shuō)明實(shí)施例1至3的電子裝置的應(yīng)用例的電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)。
[0132]如圖17所示，應(yīng)用例的電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)200具備3相馬達(dá)40、使用6個(gè)實(shí)施例U^igbt1a的功率模塊100、實(shí)施例1的6個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC20A、實(shí)施例1的控制電路30A、電源電路(升壓電路)50以及電池60。功率模塊100在車輛等的驅(qū)動(dòng)時(shí)，根據(jù)通過(guò)電源電路50而升壓了的電壓，對(duì)功率模塊100內(nèi)部的開(kāi)關(guān)元件11進(jìn)行接通/斷開(kāi)控制，以使電流在3相馬達(dá)40的各相流過(guò)，通過(guò)該開(kāi)關(guān)的頻率，使車輛等的速度變化。另外，如果電池60的電壓充分高，則也可以不使用升壓電路。另外，在車輛等的制動(dòng)時(shí)，與在3相馬達(dá)40的各相中產(chǎn)生的電壓同步地對(duì)開(kāi)關(guān)兀件11進(jìn)行接通/斷開(kāi)控制，進(jìn)行所謂的整流動(dòng)作，變換為直流電壓而進(jìn)行再生。
[0133]在3相馬達(dá)40中，轉(zhuǎn)子由永久磁鐵構(gòu)成，電樞由線圈構(gòu)成，按照120度間隔配置3相(U相、V相、W相)的電樞繞組。線圈被三角形聯(lián)結(jié)，始終在U相、V相、W相的3個(gè)線圈中流過(guò)電流。
[0134]功率模塊100由上支路的U相用IGBT10UU、上支路的V相用電力用IGBT10UV、上支路的W相用電力用IGBT10UW、下支路的U相用電力用IGBT10LU、下支路的V相用電力用IGBT10LV、下支路的W相用電力用IGBT10LW構(gòu)成。此處，IGBT10UU、10UV、10UW、10LU、10LV、1LW 的結(jié)構(gòu)與在實(shí)施例1 中使用的 IGBT10A 相同。IGBT10UU、10UV、10UW、10LU、10LV、1LW 分別由具備開(kāi)關(guān)元件11、在開(kāi)關(guān)元件11的發(fā)射極與集電極之間并聯(lián)地連接了的回流二極管Dl以及溫度檢測(cè)用二極管12的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成?；亓鞫O管Dl被連接成按照與在開(kāi)關(guān)元件11中流過(guò)的電流相反的方向流過(guò)電流?；亓鞫O管Dl也可以不是與形成有開(kāi)關(guān)元件11和溫度檢測(cè)用二極管12的半導(dǎo)體基板相同的基板，在該情況下，優(yōu)選封入到與形成有開(kāi)關(guān)元件11和溫度檢測(cè)用二極管12的半導(dǎo)體基板相同的封裝體。
[0135]作為實(shí)施例1的IGBT10A、驅(qū)動(dòng)器IC20A、控制電路30A的代替，既可以使用實(shí)施例2的IGBT10B、驅(qū)動(dòng)器IC20B、控制電路30B，也可以使用實(shí)施例3的IGBT10C、驅(qū)動(dòng)器IC20C、控制電路30C。
[0136]在上述應(yīng)用例中，說(shuō)明了應(yīng)用于將直流變換為交流的逆變器的例子，但也可以應(yīng)用于在電源電路(升壓電路)50中使用的轉(zhuǎn)換器等電力變換裝置。
[0137]電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)200被用作HEV或者EV等的動(dòng)力源。電子裝置1A、1B、1C被用作車載用電子裝置。
[0138][安裝例]
[0139]如上所述，隔離器24、24B由片上變壓器構(gòu)成。以下，利用圖18，說(shuō)明片上變壓器。
[0140]圖18是用于說(shuō)明構(gòu)成實(shí)施例1至3的電子裝置的隔離器的片上變壓器的圖。
[0141]關(guān)于片上變壓器241，在具備發(fā)送脈沖發(fā)生電路242的一側(cè)的芯片DIEl處形成漩渦狀的線圈243，并在其上隔著由硅氧化膜等絕緣膜形成的層間膜244而形成漩渦狀的線圈245，與具備接收脈沖檢測(cè)電路246的一側(cè)的芯片DIE2通過(guò)接合導(dǎo)線247連接。換言之，關(guān)于片上變壓器241，在下層形成的線圈243和在上層形成的線圈245通過(guò)層間膜244而絕緣，經(jīng)由磁耦合248進(jìn)行信號(hào)傳送。例如，驅(qū)動(dòng)器IC20A的芯片DIEl與控制電路30A連接，在芯片DIE2處形成柵極電路21、溫度檢測(cè)用A/D變換器22，芯片DIEl和芯片DIE2被安裝到一個(gè)封裝體249。驅(qū)動(dòng)器IC20B、20C也能夠同樣地安裝。如果這樣安裝，則在電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)200中，能夠通過(guò)I個(gè)封裝體構(gòu)成控制電路30A，通過(guò)6個(gè)封裝體構(gòu)成驅(qū)動(dòng)器IC20A。在由光耦合器構(gòu)成隔離器的情況下，進(jìn)而需要光耦合器的6個(gè)封裝體。
[0142]利用圖19，說(shuō)明連接了使用實(shí)施例3的IGBT的功率模塊和實(shí)施例3的驅(qū)動(dòng)器IC的例子。圖19是示出功率模塊的結(jié)構(gòu)的圖，示出了3相控制的I相量。功率模塊100C具備3組IGBT10UC和回流二極管Dl的組，并且具備3組IGBT10LC和回流二極管Dl的組。IGBT10UC、1LC分別具備開(kāi)關(guān)元件11、溫度檢測(cè)用二極管12以及ID電路13C<JGBT10UC、1LC與實(shí)施例3的IGBT1C相同。
[0143]功率模塊100C具備:柵極端子Tl，用于對(duì)IGBT10UC的開(kāi)關(guān)元件11的柵極端子供給信號(hào)(Gate，柵極信號(hào))；傳感電流端子T2，用于從傳感發(fā)射極端子輸出傳感電流(Isense);電源端子(D+)，用于對(duì)集電極端子供給正電壓(DC+);以及驅(qū)動(dòng)端子T6，用于從發(fā)射極端子輸出驅(qū)動(dòng)電流(Drive)。另外，功率模塊100C具備:溫度檢測(cè)用端子T3，用于輸出IGBT10U(^9溫度檢測(cè)用二極管12正向電壓(Temp);以及接地端子T4，用于對(duì)陰極端子連接接地電壓(GND)0
[0144]功率模塊100C具備:柵極端子Tl，用于對(duì)IGBT10LC的開(kāi)關(guān)元件11的柵極端子供給信號(hào)(Gate);傳感電流端子Τ2，用于從傳感發(fā)射極端子輸出傳感電流(Isense);以及電源端子T7，用于對(duì)發(fā)射極端子供給負(fù)電壓(DC-)。另外，功率模塊100C具備:溫度檢測(cè)用端子T3，用于輸出IGBT10LC的溫度檢測(cè)用二極管12的正向電壓(Temp);以及接地端子T4，用于對(duì)陰極端子連接接地電壓(GND)。另外，IGBT10LC的集電極端子與驅(qū)動(dòng)端子T6連接。
[0145]ID電路13C由梯形電阻構(gòu)成，具備用于測(cè)定基準(zhǔn)電阻值(Ref)的端子、用于測(cè)定切斷電熔絲(e-Fuse)而得到的梯形電阻的電阻值(ID)的端子以及用于連接到GND的端子，分別與基準(zhǔn)電阻值測(cè)定端子T9、電阻值測(cè)定端子T8、接地端子T4連接。柵極端子Tl、傳感電流端子T2、溫度檢測(cè)用端子T3、接地端子T4、基準(zhǔn)電阻值測(cè)定端子T9、電阻值測(cè)定端子T8與驅(qū)動(dòng)器IC20C連接。
[0146]通過(guò)追加ID電路13C，將ID電路13C的GND端子和溫度檢測(cè)用二極管12的GND端子共用化，但針對(duì)每I個(gè)驅(qū)動(dòng)器1C，需要追加2根端子以及連接布線，整體追加12根端子以及連接布線。另外，在使用實(shí)施例2的IGBT1B (ID電路13B)的情況下也同樣地，需要針對(duì)每I個(gè)驅(qū)動(dòng)器1C，追加2根端子以及連接布線，整體追加12根端子以及連接布線。
[0147]【實(shí)施例4】
[0148]實(shí)施例4是不經(jīng)由驅(qū)動(dòng)器IC而得到IGBT的ID信息(溫度特性數(shù)據(jù))的例子。利用圖20，說(shuō)明實(shí)施例4的電子裝置ID的結(jié)構(gòu)。
[0149]圖20是用于說(shuō)明實(shí)施例4的電子裝置的框圖。
[0150]實(shí)施例4的電子裝置ID具備作為電力用半導(dǎo)體裝置的IGBT10D、作為第I半導(dǎo)體集成電路裝置的驅(qū)動(dòng)器IC20D以及作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路SODt3IGBTlOD與IGBT10C相同，但I(xiàn)D電路13C未與驅(qū)動(dòng)器IC20D連接。驅(qū)動(dòng)器IC20D與驅(qū)動(dòng)器IC20相同。控制電路30D代替控制電路30C的I/O接口 34C和ID識(shí)別部319C而具備PC接口 36和ID識(shí)別部319D。其他結(jié)構(gòu)與控制電路30C相同。ID識(shí)別部319D根據(jù)來(lái)自外部存儲(chǔ)裝置46b的ID測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)，取得溫度特性數(shù)據(jù)。
[0151 ]說(shuō)明向ID電路13C寫入溫度特性數(shù)據(jù)。
[0152]在IGBT10D的晶片制造時(shí)的晶片測(cè)試工序中，通過(guò)未圖示的測(cè)定器(探測(cè)裝置)，實(shí)施常溫、高溫測(cè)試。測(cè)定器根據(jù)此時(shí)得到的IGBT10D的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)(第I值(VF(A))、第2值(VF(H))、第I溫度(A)、第2溫度(H))，計(jì)算溫度系數(shù)(K)，作為晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)，記錄到外部存儲(chǔ)裝置(與實(shí)施例5的外部存儲(chǔ)裝置46a相當(dāng)?shù)拇鎯?chǔ)裝置)。未圖示的ID寫入裝置從在外部存儲(chǔ)裝置中記錄了的晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)中讀出溫度系數(shù)(K)，切斷ID電路13C的電熔絲等，從而設(shè)定溫度系數(shù)(K)。另外，也可以代替溫度系數(shù)(K)而通過(guò)切斷電熔絲等來(lái)設(shè)定第I值(VF(A))、第2值(VF(H))。在該情況下，優(yōu)選設(shè)定常溫的VF的典型值與第I值(VF(A))的差分?jǐn)?shù)據(jù)、高溫的VF的典型值與第2值(VF(H))的差分?jǐn)?shù)據(jù)以及參考數(shù)據(jù)。
[0153]接下來(lái)，利用圖21?23，說(shuō)明來(lái)自ID電路13C的溫度特性數(shù)據(jù)的讀取。圖21是示出實(shí)施例4的功率模塊的結(jié)構(gòu)的圖。圖22是示出實(shí)施例4的ID讀取裝置的一個(gè)例子的圖。圖23是用于說(shuō)明實(shí)施例4的ID電路的溫度特性數(shù)據(jù)的讀取的流程圖。
[0154]ID讀取裝置(ID READER)55D具備:探測(cè)器552D，用于連接到與功率模塊100D的ID電路13C連接的電極焊盤101;和ID讀取裝置(ID READER)551D，根據(jù)來(lái)自探測(cè)器552D的信號(hào)檢測(cè)溫度特性數(shù)據(jù)。在電極焊盤101中，包括與基準(zhǔn)電阻值測(cè)定端子T9、電阻值測(cè)定端子T8、接地端子T4相當(dāng)?shù)碾姌O焊盤。在功率模塊100D的裝配工序中，在將IGBT10D搭載到功率模塊的基板上后且密封前，ID讀取裝置55D將探測(cè)器552D連接到IGBT10D的電極焊盤101而從ID電路13C讀取溫度特性數(shù)據(jù)(步驟S271D)。之后，ID讀取裝置55D將已知IGBT10D在功率模塊100D處的搭載位置的信息和溫度特性數(shù)據(jù)作為ID測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)記錄到外部存儲(chǔ)裝置46b(步驟272D)。另外，步驟272D無(wú)需是功率模塊100D的裝配工序。
[0155]實(shí)施例4的控制電路30D代替經(jīng)由I/O接口34C讀出溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的ID識(shí)別部319C而具有經(jīng)由PC接口 36讀出溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的ID識(shí)別部319D，并且代替外部氣溫切換部311C而具有外部氣溫切換部311，除此以外，與控制電路30C相同。
[0156]利用圖24，說(shuō)明作為實(shí)施例4的電子裝置ID的制造法的一個(gè)工序的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的取得方法。
[0157]圖24是用于說(shuō)明實(shí)施例4的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。將溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存到電子裝置ID的工序除了步驟S27C、S28C以外，與實(shí)施例3相同。如上所述，通過(guò)功率模塊100D的裝配工序，進(jìn)行與步驟S27C相當(dāng)?shù)牟襟E。以下，說(shuō)明與步驟28C相當(dāng)?shù)墓ば颉?br>[0158]ID識(shí)別部319D從在外部存儲(chǔ)裝置46b中記錄了的ID測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)，經(jīng)由PC接口 36取得IGBT10C在功率模塊100D處的位置信息和溫度特性數(shù)據(jù)。此處，在溫度特性數(shù)據(jù)中，包括溫度系數(shù)(K)、與第I值(VF(A))相當(dāng)?shù)闹?、與第2值(VF(H))相當(dāng)?shù)闹?。接下?lái)，將根據(jù)在溫度特性數(shù)據(jù)中包含的溫度系數(shù)(K)或者在溫度特性數(shù)據(jù)中包含的信息來(lái)計(jì)算出的溫度系數(shù)(K)儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S28D)。
[0159]電子裝置ID的通常動(dòng)作時(shí)的動(dòng)作與電子裝置IC相同。另外，與實(shí)施例3同樣地，在電子裝置ID的通常動(dòng)作時(shí)，不需要外部氣溫檢測(cè)器44、PC45、外部存儲(chǔ)裝置46b以及ID讀取裝置MD。
[0160]根據(jù)實(shí)施例4，無(wú)需如實(shí)施例3那樣，連接ID電路13C和驅(qū)動(dòng)器IC20D，所以能夠削減端子以及連接布線。
[0161]【實(shí)施例5】
[0162]實(shí)施例5是不經(jīng)由驅(qū)動(dòng)器IC而得到IGBT的ID信息(芯片固有的ID代碼)的例子。利用圖25來(lái)說(shuō)明實(shí)施例5的電子裝置IE的結(jié)構(gòu)。
[0163]圖25是用于說(shuō)明實(shí)施例5的電子裝置的框圖。
[0164]實(shí)施例5的電子裝置IE具備作為電力用半導(dǎo)體裝置的IGBT10E、作為第I半導(dǎo)體集成電路裝置的驅(qū)動(dòng)器IC20E以及作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路SOEt3IGBTlOE與IGBT10A相同，但粘貼有記錄ID代碼的條形碼13E。驅(qū)動(dòng)器IC20E與驅(qū)動(dòng)器IC20相同?？刂齐娐?0E代替控制電路30B的ID識(shí)別部319B而具備ID識(shí)別部319E，不具備I/O接口 34B。控制電路30E的其他結(jié)構(gòu)與控制電路30B相同。ID識(shí)別部319E根據(jù)來(lái)自外部存儲(chǔ)裝置46a的晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)以及來(lái)自外部存儲(chǔ)裝置46b的ID測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)，取得溫度特性。
[0165]說(shuō)明向條形碼13E寫入ID代碼。
[0166]首先，在IGBT10E的晶片制造時(shí)的晶片測(cè)試工序中，通過(guò)未圖示的測(cè)定器(探測(cè)裝置)，實(shí)施常溫、高溫測(cè)試，將此時(shí)得到的IGBT10E的特性數(shù)據(jù)(VF(A)、VF(H)、K)與ID代碼一起，作為晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存到外部存儲(chǔ)裝置46a。另外，在晶片測(cè)試，在IGBT10E處形成條形碼13E或者粘貼封條來(lái)設(shè)定ID代碼。
[0167]接下來(lái)，利用圖26?28，說(shuō)明從條形碼13E讀取ID代碼。圖26是示出實(shí)施例5的功率模塊的結(jié)構(gòu)的圖。圖27是示出實(shí)施例5的ID讀取裝置的圖。圖28是用于說(shuō)明實(shí)施例5的ID代碼的讀取的流程圖。ID讀取裝置(ID READ DEVICE)55E具備用于讀取IGBT10E的條形碼13E的照相機(jī)552E或者條形碼讀取器553E和根據(jù)來(lái)自照相機(jī)552E或者條形碼讀取器553E的信號(hào)檢測(cè)ID代碼的ID讀取裝置(條形碼讀取裝置、BAR-CODE READER)551E。在功率模塊100E的裝配工序中，ID讀取裝置55E使用照相機(jī)552E或者條形碼讀取器553E從條形碼13E讀取ID代碼(步驟S271E)，將已知IGBT10E在功率模塊100E處的搭載位置的信息和ID代碼作為ID測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)記錄到外部存儲(chǔ)裝置46b(步驟272E)。
[0168]實(shí)施例5的控制電路30E代替經(jīng)由I/O接口34B讀出溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的ID識(shí)別部319B而具有經(jīng)由PC接口 36讀出溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的ID識(shí)別部319E，除此以外，與控制電路30B相同。
[0169]利用圖29，說(shuō)明作為實(shí)施例5的電子裝置IE的制造法的一個(gè)工序的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的取得方法。
[0170]圖29是用于說(shuō)明實(shí)施例5的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0171]將溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存到電子裝置IE的工序除了步驟S27、S28以外，與實(shí)施例2相同。如上所述，通過(guò)功率模塊100E的裝配工序，進(jìn)行與步驟S27相當(dāng)?shù)牟襟E。以下，說(shuō)明與步驟28相當(dāng)?shù)墓ば颉?br>[0172]ID識(shí)別部319E從在外部存儲(chǔ)裝置46b中記錄了的ID測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)中，經(jīng)由PC接口36取得IGBT10E在功率模塊100E處的搭載位置信息和ID代碼。ID識(shí)別部319E根據(jù)ID代碼，從在外部存儲(chǔ)裝置46a中記錄了的晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)中取得IGBT10B的溫度特性數(shù)據(jù)。此處，在溫度特性數(shù)據(jù)中，包括溫度系數(shù)(K)、與第I值(VF(A))相當(dāng)?shù)闹?、與第2值(VF(H))相當(dāng)?shù)闹?。接下?lái)，將根據(jù)在溫度特性數(shù)據(jù)中包含的溫度系數(shù)(K)或者在溫度特性數(shù)據(jù)中包含的信息計(jì)算出的溫度系數(shù)(K)儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S28E)。
[0173]電子裝置IE的通常動(dòng)作時(shí)的動(dòng)作與電子裝置IB相同。另外，與實(shí)施例2同樣地，在電子裝置IE的通常動(dòng)作時(shí)，不需要外部氣溫檢測(cè)器44、PC45、外部存儲(chǔ)裝置46a、46b以及ID讀取裝置55E。
[0174]根據(jù)實(shí)施例5，無(wú)需如實(shí)施例2那樣連接ID電路13B和驅(qū)動(dòng)器IC20E，所以能夠削減端子以及連接布線。另外，無(wú)需如實(shí)施例4那樣在IGBT10E處設(shè)置ID電路，所以IGBT的制造變得容易，成本也能夠降低。
[0175]【實(shí)施例6】
[0176]實(shí)施例6是不經(jīng)由驅(qū)動(dòng)器IC而得到IGBT的ID信息(芯片固有的ID代碼)的其他例。利用圖30，說(shuō)明實(shí)施例6的電子裝置IF的結(jié)構(gòu)。
[0177]圖30是用于說(shuō)明實(shí)施例6的電子裝置的框圖
[0178]實(shí)施例6的電子裝置IF具備作為電力用半導(dǎo)體裝置的IGBT10F、作為第I半導(dǎo)體集成電路裝置的驅(qū)動(dòng)器IC20F以及作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路SOFt3IGBTlOF與IGBT10B相同，但I(xiàn)D電路13B未與驅(qū)動(dòng)器IC20F連接。驅(qū)動(dòng)器IC20F與驅(qū)動(dòng)器IC20、20E相同。控制電路30F與控制電路30E相同。ID識(shí)別部319E根據(jù)來(lái)自外部存儲(chǔ)裝置46a的晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)以及來(lái)自外部存儲(chǔ)裝置46b的ID測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)，取得溫度特性。
[0179]說(shuō)明向ID電路13B寫入ID代碼。
[0180]首先，在IGBT10F的晶片制造時(shí)的晶片測(cè)試工序中，通過(guò)未圖示的測(cè)定器(探測(cè)裝置)，實(shí)施常溫、高溫測(cè)試，將此時(shí)得到的IGBT10F的特性數(shù)據(jù)(VF(A)、VF(H)、K)與ID代碼一起作為晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存到外部存儲(chǔ)裝置46a。另外，在晶片測(cè)試時(shí)，通過(guò)切斷IGBT10F的ID電路13B的電熔絲等來(lái)設(shè)定ID代碼。
[0181]接下來(lái)，利用圖31，說(shuō)明從ID電路13B讀取ID代碼。圖31是用于說(shuō)明實(shí)施例6的ID代碼的讀取的流程圖。在功率模塊100F的裝配工序中，ID讀取裝置55D將探測(cè)器552D連接到端子而從ID電路13B讀取ID代碼(步驟S271F)，將已知IGBT10F在功率模塊100F處的搭載位置的信息和ID代碼作為ID測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)記錄到外部存儲(chǔ)裝置46b(步驟272F)。
[0182]作為實(shí)施例6的電子裝置IF的制造法的一個(gè)工序的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的取得方法與實(shí)施例5相同。
[0183]電子裝置IF的通常動(dòng)作時(shí)的動(dòng)作與電子裝置IB相同。另外，與實(shí)施例2同樣地，在電子裝置IF的通常動(dòng)作時(shí)不需要外部氣溫檢測(cè)器44、PC45、外部存儲(chǔ)裝置46a、46b以及ID讀取裝置MD。
[0184]根據(jù)實(shí)施例6，無(wú)需如實(shí)施例2那樣連接ID電路13B和驅(qū)動(dòng)器IC20F，所以能夠削減端子以及連接布線。
[0185]【實(shí)施例7】
[0186]實(shí)施例7是共用現(xiàn)有的IGBT的端子和ID電路的端子而得到ID信息(芯片固有的ID代碼)的例子。利用圖32，說(shuō)明實(shí)施例7的電子裝置IG的結(jié)構(gòu)。
[0187]圖32是用于說(shuō)明實(shí)施例7的電子裝置的框圖。
[0188]實(shí)施例7的電子裝置IG具備作為電力用半導(dǎo)體裝置的IGBT10G、作為第I半導(dǎo)體集成電路裝置的驅(qū)動(dòng)器IC20G以及作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路30G。
[0189]圖33是示出實(shí)施例7的IGBT的結(jié)構(gòu)的圖。IGBT10G對(duì)IGBT10B追加切換電路14，柵極端子Tl與用于測(cè)定ID電路13B的電阻值(ID)的端子共用，傳感電流端子T2與用于測(cè)定ID電路13B的基準(zhǔn)電阻值(Ref)的端子共用。通過(guò)從端子TlO輸入的信號(hào)(Select，選擇信號(hào))，控制切換電路14。
[0190]驅(qū)動(dòng)器IC20G除了 ID讀出電路25G以外，與驅(qū)動(dòng)器IC20B相同。ID讀出電路25G輸出控制切換電路14的信號(hào)，并且從輸出驅(qū)動(dòng)器信號(hào)(DRV)的信號(hào)線以及流過(guò)偏置電流的信號(hào)線輸入來(lái)自ID電路13B的信號(hào)，除此以外，與ID讀出電路25B相同。
[0191]控制電路30G代替控制電路30B的ID識(shí)別部319而具備ID識(shí)別部319G。其他結(jié)構(gòu)與控制電路30B相同。ID識(shí)別部319G根據(jù)來(lái)自ID讀出電路25G的信號(hào)，識(shí)別ID代碼。
[0192]在IGBT10G的晶片制造時(shí)的晶片測(cè)試工序中，通過(guò)未圖示的測(cè)定器(探測(cè)裝置)，實(shí)施常溫、高溫測(cè)試，將此時(shí)得到的IGBT10G的特性數(shù)據(jù)(VF(A)、VF(H)、K)與ID代碼一起作為晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存到外部存儲(chǔ)裝置46。另外，在晶片測(cè)試時(shí)，通過(guò)切斷IGBT10G的ID電路13B的電熔絲等來(lái)設(shè)定ID代碼。
[0193]利用圖34，說(shuō)明作為實(shí)施例7的電子裝置IG的制造法的一個(gè)工序的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的取得方法。
[0194]圖34是用于說(shuō)明實(shí)施例7的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0195]電子裝置IG的制造方法除了在步驟S27之前并且步驟28之后加入新的處理以外，與實(shí)施例2相同。以下，說(shuō)明步驟27、28以及其前后的步驟。
[0196]首先，ID識(shí)別部319G將用于切換電路14將ID電路13B的輸出連接到柵極端子Tl以及溫度檢測(cè)用端子T3的信號(hào)(Select)輸入到端子TlO(步驟S31)。ID識(shí)別部319G讀取IGBT10G的ID代碼(步驟S27)。接下來(lái)，ID識(shí)別部319G通過(guò)ID代碼從儲(chǔ)存晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)的外部存儲(chǔ)裝置46取得溫度系數(shù)(K)，并儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S28)。接下來(lái)，ID識(shí)別部319G將用于切換電路14將ID電路13B的輸出從柵極端子Tl以及溫度檢測(cè)用端子T3切斷的信號(hào)(Select)輸入到端子TlO(步驟S31)。
[0197]電子裝置IG的通常動(dòng)作時(shí)的動(dòng)作與電子裝置IB相同。另外，與實(shí)施例2同樣地，在電子裝置IG的通常動(dòng)作時(shí)，不需要外部氣溫檢測(cè)器44、PC45以及外部存儲(chǔ)裝置46。
[0198]根據(jù)實(shí)施例7，切換電路共用ID讀取的端子和通常動(dòng)作時(shí)使用的端子，所以能夠削減端子以及連接布線。通過(guò)來(lái)自CPU的信號(hào)(Select)進(jìn)行切換電路的控制，但僅當(dāng)在板上安裝IGBT并且進(jìn)行系統(tǒng)合并測(cè)試的初始階段時(shí)執(zhí)行ID信息的獲得，所以信號(hào)(Select)也可以通過(guò)板上的管腳設(shè)定來(lái)進(jìn)行。也可以代替儲(chǔ)存IGBT固有的ID代碼的ID電路13B而使用儲(chǔ)存IGBT的溫度特性數(shù)據(jù)的ID電路13C。
[0199]【實(shí)施例8】
[0200]實(shí)施例8是通過(guò)串行接口得到ID信息(芯片固有的ID代碼)的例子。利用圖35，說(shuō)明實(shí)施例8的電子裝置IH的結(jié)構(gòu)。
[0201]圖35是用于說(shuō)明實(shí)施例8的電子裝置的框圖。
[0202]實(shí)施例8的電子裝置IH具備作為電力用半導(dǎo)體裝置的IGBT10H、作為第I半導(dǎo)體集成電路裝置的驅(qū)動(dòng)器IC20H以及作為第2半導(dǎo)體集成電路裝置的控制電路30H。
[0203]IGBT10H代替IGBT10B的ID電路13B而具備用數(shù)字電路存儲(chǔ)ID代碼并且具有對(duì)ID代碼進(jìn)行串行通信的接口功能的ID電路13H。其他結(jié)構(gòu)與IGBT1B相同。
[0204]驅(qū)動(dòng)器IC20H除了 ID讀出電路25H以外，與驅(qū)動(dòng)器IC20B相同。ID讀出電路25H不是如ID讀出電路25B那樣將模擬的ID代碼變換為數(shù)字的串行信號(hào)，而具有通過(guò)串行通信從ID電路13H接受數(shù)字的ID代碼并提交給控制電路30H的功能。
[0205]控制電路30H代替控制電路30B的ID識(shí)別部319而具備ID識(shí)別部319H，代替I/O接口34B而具備I/O接口34H。其他結(jié)構(gòu)與控制電路30B相同。ID識(shí)別部319H根據(jù)來(lái)自ID讀出電路25H的信號(hào)，識(shí)別ID代碼。
[0206]在IGBT10H的晶片制造時(shí)的晶片測(cè)試工序中，通過(guò)未圖示的測(cè)定器(探測(cè)裝置)，實(shí)施常溫、高溫測(cè)試，將此時(shí)得到的IGBT10H的特性數(shù)據(jù)(VF(A)、VF(H)、K)與ID代碼一起作為晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存到外部存儲(chǔ)裝置46。另外，在晶片測(cè)試時(shí)，通過(guò)切斷IGBT10H的ID電路13H的電熔絲等來(lái)設(shè)定ID代碼。
[0207]利用圖36以及圖37，說(shuō)明通過(guò)串行通信從功率模塊內(nèi)的IGBT的ID電路讀取ID代碼的方法。圖36是示出實(shí)施例8的驅(qū)動(dòng)器IC和IBGT的連接例的框圖。圖37是圖36的結(jié)構(gòu)中的串行通信的時(shí)序圖。
[0208]將3相控制中的上支路側(cè)(高側(cè))的IGBT的ID電路級(jí)聯(lián)地連接，按照U相用的驅(qū)動(dòng)器IC20H、U相的ID電路13H、V相的ID電路13H、W相的ID電路13H、驅(qū)動(dòng)器IC20H的順序進(jìn)行連接。將下支路側(cè)(低側(cè))的ID電路也級(jí)聯(lián)地連接，按照U相用的驅(qū)動(dòng)器IC20H、U相的ID電路13H、V相的ID電路13H、W相的ID電路13H、驅(qū)動(dòng)器IC20H的順序進(jìn)行連接。從驅(qū)動(dòng)器IC20H的時(shí)鐘端子輸出串行時(shí)鐘信號(hào)(SCK)，并輸入到U相的ID電路13H的時(shí)鐘端子、V相的ID電路13H的時(shí)鐘端子、W相的ID電路13H的時(shí)鐘端子。從驅(qū)動(dòng)器IC20H的數(shù)據(jù)輸出端子SO輸出串行數(shù)據(jù)，并輸入到U相的ID電路13H的數(shù)據(jù)輸入端子DIJJ ο從U相的ID電路13H的數(shù)據(jù)輸出端子00_1]輸出串行數(shù)據(jù)，并輸入到V相的ID電路13H的數(shù)據(jù)輸入端子DI_V。從V相的ID電路13H的數(shù)據(jù)輸出端子00_￥輸出串行數(shù)據(jù)，并輸入到W相的ID電路13H的數(shù)據(jù)輸入端子D I_W。從W相的ID電路13H的數(shù)據(jù)輸出端子D0_W輸出串行數(shù)據(jù)，并輸入到驅(qū)動(dòng)器IC20H的數(shù)據(jù)輸入端子SI。另外，V相用的驅(qū)動(dòng)器IC20H與U相的IGBT10H的開(kāi)關(guān)元件11以及溫度檢測(cè)用二極管12連接，但不與ID電路13H連接。W相用的驅(qū)動(dòng)器IC20H與W相的IGBT10H的開(kāi)關(guān)元件11以及溫度檢測(cè)用二極管12連接，但不與ID電路13H連接。
[0209]例如，構(gòu)成為在ID電路13H中設(shè)定7比特長(zhǎng)的ID代碼，從驅(qū)動(dòng)器IC20H將串行數(shù)據(jù)按照ΤΧ(0)、ΤΧ(1)、...、ΤΧ(6)的順序發(fā)送到U相的ID電路13Η。在U相的ID電路13Η中，預(yù)先設(shè)定了IDJJ(O)、ID_U(1)、...、ID_U(6)的ID代碼，依次發(fā)送到V相的ID電路13H。在V相的ID電路13H中，預(yù)先設(shè)定了ID_V(0)、ID_V(1)、...、ID_V(6)的ID代碼，依次發(fā)送到W相的ID電路 13H。在W相的ID電路 13H中，預(yù)先設(shè)定了ID_W(0)、ID_W(1)、...、ID_W(6)的ID代碼，依次發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器IC20H。由此，通過(guò)與來(lái)自CPU31的串行信號(hào)輸出同步地，從數(shù)據(jù)輸出端子D0_W輸入到CPU31，能夠按照W相的IGBT的ID代碼、V相的IGBT的ID代碼、U相的IGBT的ID代碼、CPU31的輸出信息的順序獲得。
[0210]另外，按照特定圖案輸出來(lái)自CPU31的輸出信息，通過(guò)菊鏈結(jié)構(gòu)，確認(rèn)IGBT芯片搭載，或者從CPU31發(fā)送已知的特定圖案，從而能夠施加信號(hào)同步(ID代碼從何處開(kāi)始)。另外，還能夠通過(guò)最后輸入了的來(lái)自CPU31的TX(n)信號(hào)，確認(rèn)是否有數(shù)據(jù)讀取的定時(shí)偏差。
[0211]利用圖38，說(shuō)明作為實(shí)施例8的電子裝置IH的制造法的一個(gè)工序的溫度檢測(cè)用二極管12的溫度特性數(shù)據(jù)的取得方法。
[0212]圖38是用于說(shuō)明實(shí)施例8的溫度系數(shù)計(jì)算部處理的流程圖。
[0213]電子裝置IH的制造方法除了步驟S27以及步驟28的處理不同以外，與實(shí)施例2相同。以下，說(shuō)明與步驟27、28相當(dāng)?shù)墓ば颉?br>[0214]首先，ID識(shí)別部319Η經(jīng)由驅(qū)動(dòng)器IC20H將串行時(shí)鐘信號(hào)(SK)輸出到各相的IGBT10H，將串行數(shù)據(jù)輸出到U相的IGBT10H的數(shù)據(jù)輸入端子DI_U(步驟3271!1)。10識(shí)別部319Η從W相的IGBT10H的數(shù)據(jù)輸出端子D0_W讀取各相的IGBT10H的ID代碼(步驟S27)。接下來(lái)，ID識(shí)別部319H通過(guò)各相的IGBT10H的ID代碼從儲(chǔ)存晶片測(cè)定數(shù)據(jù)庫(kù)的外部存儲(chǔ)裝置46取得溫度系數(shù)(K)，并儲(chǔ)存到存儲(chǔ)裝置33(步驟S28)。
[0215]電子裝置IH的通常動(dòng)作時(shí)的動(dòng)作與電子裝置IB相同。另外，與實(shí)施例2同樣地，在電子裝置IH的通常動(dòng)作時(shí)，不需要外部氣溫檢測(cè)器44、PC45以及外部存儲(chǔ)裝置46。
[0216]根據(jù)實(shí)施例8，僅I相的驅(qū)動(dòng)器IC與IGBT的ID電路連接，所以能夠削減端子以及連接布線。也可以在ID電路13H中不儲(chǔ)存IGBT固有的ID代碼而儲(chǔ)存IGBT的溫度特性數(shù)據(jù)。
[0217]以上，根據(jù)實(shí)施方式，具體地說(shuō)明了由本
【發(fā)明人】完成的發(fā)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，當(dāng)然能夠?qū)嵤└鞣N變更。
[0218]以下，作為附記，記載實(shí)施方式。
[0219](附記I)
[0220]—種內(nèi)置開(kāi)關(guān)元件和溫度檢測(cè)用二極管的電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法，包括:
[0221](a)準(zhǔn)備儲(chǔ)存所述溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性數(shù)據(jù)的電子裝置的步驟；
[0222](b)驅(qū)動(dòng)所述開(kāi)關(guān)元件的步驟；
[0223](C)從所述溫度檢測(cè)用二極管檢測(cè)溫度信息的步驟；
[0224](d)根據(jù)所述溫度信息和所述溫度特性數(shù)據(jù)檢測(cè)所述電力用半導(dǎo)體裝置的溫度的步驟；以及
[0225](e)在所述(d)步驟中檢測(cè)的溫度超過(guò)預(yù)定溫度的情況下，停止或者抑制所述開(kāi)關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)的步驟，
[0226]所述溫度特性數(shù)據(jù)是溫度系數(shù)、第I溫度環(huán)境的溫度以及所述第I溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息。
[0227](附記2)
[0228]在附記I的電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，
[0229]所述溫度特性數(shù)據(jù)是通過(guò)以下步驟計(jì)算出的，SP:
[0230](al)檢測(cè)所述第I溫度環(huán)境的溫度，
[0231](a2)在所述第I溫度環(huán)境中檢測(cè)所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息，
[0232](a3)檢測(cè)第2溫度環(huán)境的溫度，
[0233](a4)在所述第2溫度環(huán)境中檢測(cè)所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息，
[0234](a5)根據(jù)在所述(al)至(a4)中得到的所述溫度以及所述電壓信息來(lái)進(jìn)行計(jì)算。
[0235](附記3)
[0236]在附記I的電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，
[0237]所述溫度特性數(shù)據(jù)是是通過(guò)以下步驟而得到的，即:
[0238](al)檢測(cè)第I溫度環(huán)境的溫度，
[0239](a2)在所述第I溫度環(huán)境中檢測(cè)所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息，
[0240](a3)從所述電力用半導(dǎo)體裝置識(shí)別該電力用半導(dǎo)體裝置的辨別信息，
[0241](a4)從外部存儲(chǔ)裝置取得與所述辨別信息對(duì)應(yīng)的溫度特性數(shù)據(jù)。
[0242](附記4)
[0243]在附記3的電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，
[0244]所述溫度特性數(shù)據(jù)是通過(guò)制造該電力用半導(dǎo)體裝置時(shí)的晶片測(cè)試的第I溫度環(huán)境以及第2溫度環(huán)境中的測(cè)試得到的溫度系數(shù)。
[0245](附記5)
[0246]在附記3的電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，
[0247]所述溫度特性數(shù)據(jù)是通過(guò)制造該電力用半導(dǎo)體裝置時(shí)的晶片測(cè)試的第I溫度環(huán)境以及第2溫度環(huán)境中的測(cè)試得到的溫度系數(shù)、第I溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息以及第2溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息。
[0248](附記6)
[0249]在附記3的電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，
[0250]所述溫度特性數(shù)據(jù)是通過(guò)以下步驟而得到的，即:
[0251](a5)當(dāng)在所述(a2)中得到的電壓信息與晶片測(cè)試時(shí)的第I溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息的差分是預(yù)定值以上的情況下，校正溫度偏移。
[0252](附記7)
[0253]在附記I的電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，
[0254]所述溫度特性數(shù)據(jù)是通過(guò)以下步驟而得到的，即:
[0255](al)檢測(cè)第I溫度環(huán)境的溫度，
[0256](a2)在所述第I溫度環(huán)境中檢測(cè)所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息，
[0257](a3)從所述電力用半導(dǎo)體裝置取得所述溫度檢測(cè)用的溫度特性數(shù)據(jù)。
[0258](附記8)
[0259]在附記7的電力用半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法中，
[0260]所述溫度特性數(shù)據(jù)是通過(guò)制造該電力用半導(dǎo)體裝置時(shí)的晶片測(cè)試的第I溫度環(huán)境以及第2溫度環(huán)境中的測(cè)試得到的溫度系數(shù)、或者第I溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息以及第2溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息。
[0261](附記9)
[0262]—種電子裝置的制造方法，包括:
[0263](a)準(zhǔn)備內(nèi)置開(kāi)關(guān)元件和溫度檢測(cè)用二極管的電力用半導(dǎo)體裝置、具有驅(qū)動(dòng)所述開(kāi)關(guān)元件的柵極電路的第I半導(dǎo)體集成電路裝置以及具有控制所述柵極電路的控制部和可電改寫的非易失性存儲(chǔ)器的第2半導(dǎo)體集成電路裝置的工序；以及
[0264](b)取得所述溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性數(shù)據(jù)的工序。
[0265](附記10)
[0266]在附記9的電子裝置的制造方法中，
[0267]所述(b)工序包括:
[0268](bl)檢測(cè)第I溫度環(huán)境的溫度，并儲(chǔ)存到非易失性存儲(chǔ)器的步驟；
[0269](b2)在所述第I溫度環(huán)境中檢測(cè)所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息，并儲(chǔ)存到所述非易失性存儲(chǔ)器的步驟；
[0270](b3)檢測(cè)第2溫度環(huán)境的溫度的步驟；
[0271](b4)在所述第2溫度環(huán)境中檢測(cè)所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息的步驟;以及
[0272](b5)根據(jù)在所述(bl)至(b4)的步驟中得到的所述溫度以及所述電壓信息，取得溫度特性數(shù)據(jù)，并儲(chǔ)存到所述非易失性存儲(chǔ)器的步驟。
[0273](附記11)
[0274]在附記9的電子裝置的制造方法中，
[0275]所述(b)工序包括:
[0276](bl)檢測(cè)第I溫度環(huán)境的溫度，并儲(chǔ)存到非易失性存儲(chǔ)器的步驟；
[0277](b2)在所述第I溫度環(huán)境中檢測(cè)所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息，并儲(chǔ)存到所述非易失性存儲(chǔ)器的步驟；
[0278](b3)從所述電力用半導(dǎo)體裝置識(shí)別該電力用半導(dǎo)體裝置的辨別信息的步驟;以及
[0279](b4)從外部數(shù)據(jù)庫(kù)取得與所述辨別信息對(duì)應(yīng)的溫度特性數(shù)據(jù)，并儲(chǔ)存到所述非易失性存儲(chǔ)器的步驟。
[0280](附記12)
[0281 ]在附記10的電子裝置的制造方法中，
[0282]所述溫度特性數(shù)據(jù)是在制造該電力用半導(dǎo)體裝置時(shí)的晶片測(cè)試的第I溫度環(huán)境以及第2溫度環(huán)境中通過(guò)測(cè)試得到的溫度系數(shù)。
[0283](附記13)
[0284]在附記11的電子裝置的制造方法中，
[0285]所述溫度特性數(shù)據(jù)是在制造該電力用半導(dǎo)體裝置時(shí)的晶片測(cè)試的第I溫度環(huán)境以及第2溫度環(huán)境中通過(guò)測(cè)試得到的溫度系數(shù)、第I溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息以及第2溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息。
[0286](附記14)
[0287]在附記13的電子裝置的制造方法中，
[0288]所述(b)工序還包括
[0289](b5)在所述(b2)步驟中得到的電壓信息與晶片測(cè)試時(shí)的第I溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息的差分是預(yù)定值以上的情況下，校正溫度偏移的步驟。
[0290](附記15)
[0291 ]在附記9的電子裝置的制造方法中，
[0292]所述(b)工序包括:
[0293](bl)檢測(cè)第I溫度環(huán)境的溫度，并儲(chǔ)存到非易失性存儲(chǔ)器的步驟；
[0294](b2)在所述第I溫度環(huán)境中檢測(cè)所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息，并儲(chǔ)存到所述非易失性存儲(chǔ)器的步驟；以及
[0295](b3)從所述電力用半導(dǎo)體裝置取得所述溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性數(shù)據(jù)，并儲(chǔ)存到所述非易失性存儲(chǔ)器的步驟。
[0296](附記16)
[0297]在附記15的電子裝置的制造方法中，
[0298]所述溫度特性數(shù)據(jù)是通過(guò)制造該電力用半導(dǎo)體裝置時(shí)的晶片測(cè)試的常溫以及高溫測(cè)試得到的溫度系數(shù)、或者第I溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息以及第2溫度環(huán)境中的所述溫度檢測(cè)用二極管的電壓信息。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子裝置，其特征在于，具備: 電力用半導(dǎo)體裝置； 第I半導(dǎo)體集成電路裝置，驅(qū)動(dòng)所述電力用半導(dǎo)體裝置；以及 第2半導(dǎo)體集成電路裝置，控制所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置， 所述電力用半導(dǎo)體裝置具備: 開(kāi)關(guān)晶體管；以及 溫度檢測(cè)用二極管， 所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置具備: 驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)所述開(kāi)關(guān)晶體管；以及 檢測(cè)電路，從所述溫度檢測(cè)用二極管檢測(cè)VF， 所述第2半導(dǎo)體集成電路裝置具備: 控制部，控制所述驅(qū)動(dòng)電路； 外部氣溫取得部，取得外部氣溫信息； 存儲(chǔ)裝置，儲(chǔ)存所述溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性數(shù)據(jù)和第I溫度下的基于來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)的第I值;以及 溫度運(yùn)算處理部，根據(jù)基于來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)的第3值、所述溫度特性數(shù)據(jù)、由所述外部氣溫取得部取得的所述第I溫度以及所述第I值，計(jì)算所述電力用半導(dǎo)體裝置的溫度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于， 所述第2半導(dǎo)體集成電路裝置具備溫度系數(shù)計(jì)算部，該溫度系數(shù)計(jì)算部根據(jù)所述第I值和在由所述外部氣溫取得部取得的第2溫度下基于來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)的第2值，計(jì)算所述溫度特性數(shù)據(jù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于， 所述外部氣溫取得部根據(jù)對(duì)外部氣溫檢測(cè)器的輸出進(jìn)行A/D變換而得到的值或者PC溫度設(shè)定值來(lái)取得。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于， 所述電力用半導(dǎo)體裝置具備具有該電力用半導(dǎo)體裝置的ID信息的ID電路， 所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置具備從所述ID電路讀出所述ID信息的ID讀出電路， 所述第2半導(dǎo)體集成電路裝置具備識(shí)別來(lái)自所述ID讀出電路的所述ID信息的ID識(shí)別部， 根據(jù)所述ID信息，將通過(guò)制造所述電力用半導(dǎo)體裝置時(shí)的晶片測(cè)試而得到的所述溫度特性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存到所述存儲(chǔ)裝置。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置，其特征在于， 所述第2半導(dǎo)體集成電路裝置具備用于將在外部存儲(chǔ)裝置中儲(chǔ)存的所述溫度特性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存到所述存儲(chǔ)裝置的PC接口。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置，其特征在于， 所述溫度特性數(shù)據(jù)是通過(guò)所述晶片測(cè)試的第I溫度以及第2溫度下的測(cè)試得到的數(shù)據(jù)。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置，其特征在于， 在所述ID信息中包括所述溫度特性數(shù)據(jù)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于， 所述溫度特性是通過(guò)所述晶片測(cè)試的第I溫度以及第2溫度下的測(cè)試得到的。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于， 所述第2半導(dǎo)體集成電路裝置具備CPU和儲(chǔ)存程序的存儲(chǔ)器。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于， 所述存儲(chǔ)裝置以及存儲(chǔ)器是閃存存儲(chǔ)器。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于， 所述控制部在根據(jù)來(lái)自所述檢測(cè)電路的溫度信息和在所述存儲(chǔ)裝置中儲(chǔ)存的所述溫度特性數(shù)據(jù)而檢測(cè)的溫度超過(guò)預(yù)定溫度的情況下，停止或者抑制所述驅(qū)動(dòng)電路。12.一種電子裝置，其特征在于，具備: 電力用半導(dǎo)體裝置； 第I半導(dǎo)體集成電路裝置，驅(qū)動(dòng)所述電力用半導(dǎo)體裝置；以及 第2半導(dǎo)體集成電路裝置，控制所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置， 所述電力用半導(dǎo)體裝置具備: 開(kāi)關(guān)晶體管； 溫度檢測(cè)用二極管；以及 ID存儲(chǔ)部，記錄該電力用半導(dǎo)體裝置的ID信息， 所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置具備: 驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)所述開(kāi)關(guān)晶體管；以及 檢測(cè)電路，從所述溫度檢測(cè)用二極管檢測(cè)VF， 所述第2半導(dǎo)體集成電路裝置具備: 控制部，控制所述驅(qū)動(dòng)電路； 外部氣溫取得部，取得外部氣溫信息； 存儲(chǔ)裝置，儲(chǔ)存所述溫度檢測(cè)用二極管的溫度特性和第I溫度下的基于來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)的第I值； 溫度運(yùn)算處理部，根據(jù)基于來(lái)自所述檢測(cè)電路的信號(hào)的第3值、所述溫度特性數(shù)據(jù)、由所述外部氣溫取得部取得的所述第I溫度以及所述第I值，計(jì)算所述電力用半導(dǎo)體裝置的溫度；以及 ID識(shí)別部，識(shí)別來(lái)自所述ID存儲(chǔ)部的所述ID信息， 根據(jù)所述ID信息，將通過(guò)制造所述電力用半導(dǎo)體裝置時(shí)的晶片測(cè)試得到的所述溫度特性儲(chǔ)存到所述存儲(chǔ)裝置。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子裝置，其特征在于， 所述ID存儲(chǔ)部是設(shè)置于所述電力用半導(dǎo)體裝置內(nèi)的ID電路， 所述ID電路具備第I端子和第2端子。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于， 所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置具備ID讀出電路，與所述第I端子以及所述第2端子連接， 所述ID信息是經(jīng)由所述ID讀出電路而讀出的。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于， 所述ID信息通過(guò)該電子裝置的外部的ID讀取裝置而讀出，并儲(chǔ)存到外部的存儲(chǔ)裝置。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子裝置，其特征在于， 所述ID電路還具備: 梯形電阻；以及 電熔絲， 所述第I端子是用于測(cè)定通過(guò)所述電熔絲切斷所述梯形電阻而得到的電阻值的端子， 所述第2端子是用于測(cè)定基準(zhǔn)電阻值的端子。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子裝置，其特征在于， 所述電力用半導(dǎo)體裝置還具備切換電路， 所述切換電路進(jìn)行所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極端子與所述第I端子的連接以及切斷、所述溫度檢測(cè)用二極管的陽(yáng)極端子與所述第2端子的連接以及切斷。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子裝置，其特征在于， 所述第I半導(dǎo)體集成電路裝置與串行時(shí)鐘信號(hào)同步地將串行數(shù)據(jù)供給到所述ID電路，所述ID電路將所述ID信息與所述串行時(shí)鐘信號(hào)同步地輸出到外部。19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子裝置，其特征在于， 在所述ID信息中包括所述溫度特性數(shù)據(jù)。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子裝置，其特征在于， 所述ID存儲(chǔ)部是設(shè)置于所述電力用半導(dǎo)體裝置的條形碼。
【文檔編號(hào)】G01K7/01GK105938022SQ201610121559
【公開(kāi)日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年3月4日
【發(fā)明人】鶴丸誠(chéng)
【申請(qǐng)人】瑞薩電子株式會(huì)社