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      一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置的制造方法

      文檔序號:10592373閱讀:583來源:國知局
      一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置的制造方法
      【專利摘要】本申請涉及一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,該氣球充氣裝置外表面安裝有氣致變色氣體傳感器,所述氣致變色氣體傳感器包括敏感單元、加熱單元和數據讀取單元;所述加熱單元和數據讀取單元與敏感單元的氧化鎢氣敏薄膜連接;所述加熱單元作為氧化鎢氣敏薄膜工作時的加熱源;所述敏感單元為中部為中空結構的雙層結構;該氣球充氣裝置基于WO3納米材料的氣敏性質和氣致變色性質,可以實現對氣球泄露氫氣的可視化檢測,反應響應時間短,靈敏度高,并且使用方便,易于操作,達到準確及時檢測氫氣泄漏的目的。
      【專利說明】
      _種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置
      技術領域
      [0001]本申請涉及充氣領域,具體涉及一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置。
      【背景技術】
      [0002]氣球充氣裝置可以用來給玩具氣球、氣象氣球等進行充氣,以使其達到正常工作,其中,充入氣體一般為氫氣,氫氣是密度最小的氣體,可以使氣球達到快速升空的目的。
      [0003]同時氫氣也是一種危險性氣體,在空氣中含量達到臨界值極易引發(fā)爆炸,因此,充氣過程中,對氫氣的檢測與監(jiān)控越發(fā)顯得重要。

      【發(fā)明內容】

      [0004]為克服相關技術中存在的問題,本申請?zhí)峁┮环N能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置。
      [0005]根據本申請實施例的第一方面,提供一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,所述氣球充氣裝置外表面安裝有氣致變色氣體傳感器,所述氣致變色氣體傳感器基于TO3氣敏材料和W03氣致變色材料;所述氣致變色氣體傳感器包括敏感單元、加熱單元和數據讀取單元;所述加熱單元和數據讀取單元與敏感單元的氧化媽氣敏薄膜連接;所述加熱單元作為氧化鎢氣敏薄膜工作時的加熱源;數據讀取單元處理氧化鎢氣敏薄膜的電導率變化信號以顯示目標氣體的濃度值;所述敏感單元為中空結構的雙層結構,形成雙層結構的A面結構和B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封;所述A面包括石英玻璃基底、叉指電極層和WO3氣敏薄膜層,WO3氣敏薄膜層為摻雜SnO2的WO3薄膜,可以實現對NO2氣體的檢測,所述B面包括石英玻璃基底和WO3氣致變色層,WO3氣致變色層為WO3納米線薄膜摻雜ΖηΤΡΡ-2-Ν02,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測;所述B面結構上還設置有2個用于目標氣體透入的透氣孔。A面中,所述SnO2的顆粒度小于70nm,所述WO3氣敏薄膜層厚度為700nm; B面中,所述WO3納米線長度約Iym,直徑約60nm。
      [0006]根據本申請實施例的第二方面,提供一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置的制備方法,優(yōu)選地,所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元的制作包括以下步驟:
      [0007]S1、制備A面結構,包括以下實施步驟:(I)取一定尺寸(4cm X 4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗20min; (2)在石英玻璃基底上旋涂一層光刻膠,厚度lwii,在叉指電極掩模版覆蓋下曝光6s,然后經過顯影50s后用去離子水清洗,采用磁控濺射方法鍍一層300nm厚的Cr膜作為叉指電極層,然后去除光刻膠;(3)將石英玻璃基底放入磁控派射儀中,抽真空至5X 10—4Pa以下,通入Ar和02的混合氣體,調節(jié)Ar:02比例為5:1,工作壓強為2.4Pa,在靶材為純度99.96%的金屬W靶磁控濺射28min,靶材為純度98%的金屬錫靶磁控濺射2min,得到摻雜SnO2的WO3薄膜,即WO3氣敏薄膜層;
      [0008]S2、制備B面結構,包括以下實施步驟:(1)取相同尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水、NaOH水溶液、去離子水超聲清洗,時間均為20min; (2)取20g鎢酸鈉溶于200ml水中,加入過量的濃鹽酸得到活性鎢酸沉淀,將其過濾,再用去離子水清洗直至檢測不到氯離子,然后將活性鎢酸沉淀溶于過氧化氫中,制得溶膠,旋涂于石英玻璃基底上,350°C處理Ih獲得種子層,厚度為20nm;(3)取鎢酸鈉粉末4.12g溶于60ml去離子水,用3M HCl溶液調節(jié)其pH為2.0,然后加入2.lg(0.3M)硫酸銨作為控制劑,將石英玻璃基底平放在去離子水中,攪拌I小時后,倒入不銹鋼水熱反應釜中,在烘箱中加熱至150°C保持10h,然后取出石英玻璃基底用去離子水清洗;(4)選用三氯甲烷為溶劑,取3.8g ZnTPP-2-NO2配制成5.0mg/ml的溶液,超聲處理20min,使溶液均勻,通過滴膠方式將所制溶液滴涂在石英玻璃基底表面,設定旋涂速度為3400rpm,旋涂時間為70s,最后將石英玻璃基底在真空干燥箱中60°C下干燥12h,得到摻雜ZnTPP-2-N02的WO3納米線薄膜,即WO3氣致變色層;
      [0009]S3、組裝:將制作完成的A面、B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封,即得所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元。
      [0010]本申請的實施例提供的技術方案包括以下有益效果:
      [0011]1.結構方面,創(chuàng)造性的采用雙層膜結構,結合了氧化鎢材料的氣敏特性和氣致變色特性,增大了器件的應用范圍;
      [0012]2.氧化鎢氣敏薄膜基于薄膜型電阻傳感器,薄膜通過磁控濺射方法制作,制作過程中通過控制氧分壓與摻雜氧化錫,使得薄膜對NO2的選擇性與靈敏度均大大提高;
      [0013]3.氧化鎢氣致變色薄膜為氧化鎢納米線摻雜四苯基卟啉鋅衍生物(ΖηΤΡΡ-2-Ν02)材料,該摻雜材料作為催化劑,大大提高了氧化鎢納米線對出的反應活性,提高了靈敏度,并且實現了對氫氣的“可視嗅覺”測量。
      [0014]本申請附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本申請的實踐了解到。應當理解的是,以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本申請。
      【附圖說明】
      [0015]此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分,示出了符合本發(fā)明的實施例,并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
      [0016]圖1是本發(fā)明采用的氣致變色氣體傳感器中敏感單元的示意圖。
      [0017]圖2是制備圖1中的敏感單元的流程圖。
      [0018]其中:1-石英玻璃基底,2-叉指電極層,3-W03氣敏薄膜層,4-中空結構,5_W03氣致變色層。
      【具體實施方式】
      [0019]這里將詳細地對示例性實施例進行說明,其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時,除非另有表示,不同附圖中的相同數字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實施方式。相反,它們僅是與如所附權利要求書中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
      [0020]下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現本申請的不同結構。為了簡化本申請的公開,下文中對特定例子的部件和設置進行描述。當然,它們僅僅為示例,并且目的不在于限制本申請。此外,本申請可以在不同例子中重復參考數字和/或字母。這種重復是為了簡化和清楚的目的,其本身不只是所討論各種實施例和/或設置之間的關系。此夕卜,本申請?zhí)峁┝说母鞣N特定的工藝和材料的例子,但是本領域普通技術人員可以意識到其他工藝的可應用性和/或其他材料的使用。另外,以下描述的第一特征在第二特征值“上”的結構可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實施例,也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實施例,這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
      [0021]在本申請的描述中,需要說明的是,除非另有規(guī)定和限定,術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解,例如,可以是機械連接或電連接,也可以是兩個元件內部的連通,可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,對于本領域的普通技術人員而言,可以根據具體情況理解上述術語的具體含義。
      [0022]現代社會,隨著經濟與工業(yè)的不斷發(fā)展,人類對各種自然資源的消耗不斷增加,由于追求經濟目標與環(huán)保意識的欠缺,環(huán)境的污染問題越發(fā)嚴重。與此同時,表現在氣體方面,生產生活中排放的各種易燃、易爆、有毒氣體以及環(huán)境中氣體的泄露、污染也是人們財產安全與人身安全的一大威脅。因此,氣體傳感器技術是當前研究的重要課題之一。氣體傳感器是一種能夠感知周圍環(huán)境目標氣體濃度變化并進行有效監(jiān)測的裝置或器件,其所依據的是物理原理或化學反應等,氣敏傳感器的類型主要有半導體氣敏傳感器、電化學氣體傳感器、接觸燃燒式氣敏傳感器、光學式氣敏傳感器等。WO3是一種理想的可控變色材料,可實現對可見光及近紅外輻射透過率的連續(xù)調節(jié)。從1969年Deb首次報道的非晶WO3薄膜的電致變色效應以來,陸續(xù)發(fā)現其氣致變色、光致變色、熱致變色等性能,同時,作為過渡金屬氧化物,三氧化鎢對某些氣體,如NO2、N0、冊3、H2、H2S等均表現敏感特性;與電致變色器件相比,WO3氣致變色器件具有系統(tǒng)結構簡單,成本相對低廉等優(yōu)點,因此將其氣致變色特性與氣敏特性相結合,對氣敏光學型傳感器件的發(fā)展有重要意義。
      [0023]本申請中采用的氣敏傳感器的工作原理為:氣敏傳感器是傳感技術的一個重要分支。根據結構和材料等可將氣敏傳感器分為不同類型,其中,金屬氧化物氣敏傳感器所采用的主要敏感材料是寬禁帶η型金屬氧化物半導體,其對多種氣體均表現良好的敏感特性。
      [0024]半導體金屬氧化物氣敏傳感器的敏感機理為:敏感材料被制作成為薄膜等利于接觸大氣的結構,在加熱情況下,當其暴露于大氣中時,敏感材料的表面總是會吸附一定量的氧離子,形成表面勢皇和空間電荷層,會使敏感材料的表面電子濃度下降,進而電導率下降;當目標氣體為還原性氣體時(如C(KH2),該還原性氣體會吸附在敏感材料表面,并與表面的氧發(fā)生反應,使表面電子濃度上升,電導率隨之上升;當目標氣體為氧化性氣體時(如NO2),該氧化性氣體在敏感材料表面的吸附更進一步增加了氧的吸附量,使得敏感材料的電導率進一步下降;即目標氣體的濃度與敏感材料的電導率有相關性,由此,通過測定敏感材料電導率的變化從而測定目標氣體的濃度。
      [0025]氣致變色是指材料接觸到某些氣體后,因為發(fā)生的可逆化學反應使得材料產生對特性波長的光吸收的顯色效應,材料的吸收光譜會發(fā)生變化,宏觀表現為材料顏色的變化。具體到WO3接觸氫氣后,其與氫氣發(fā)生可逆反應,會形成鎢青銅結構(HxWO4),由于該結構為藍色,表現為WO3薄膜的顏色會由原來的透明變色藍色,又因為薄膜顏色的變化會使得其透過的光強度發(fā)生變化,即薄膜的透光率發(fā)生變化,因此可以通過測量薄膜的透光率測定氫氣的濃度。
      [0026]本申請基于WO3材料的氣致變色性質和氣敏性質,通過雙層膜結構將其結合;一方面,WO3氣敏薄膜可以在外接電源和加熱的情況下測量NO2濃度,另一方面,在不能加熱和不加電等有特殊要求的環(huán)境下,WO3氣敏薄膜材料表現出局限性,此時可以通過WO3氣致變色薄膜對H2進行檢測。
      [0027]實施例1:
      [0028]提供一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,所述氣球充氣裝置外表面安裝有氣致變色氣體傳感器,所述氣致變色氣體傳感器基于WO3氣敏材料和WO3氣致變色材料;所述氣致變色氣體傳感器包括敏感單元、加熱單元和數據讀取單元;所述加熱單元和數據讀取單元與敏感單元的氧化鎢氣敏薄膜連接;所述加熱單元作為氧化鎢氣敏薄膜工作時的加熱源;數據讀取單元處理氧化鎢氣敏薄膜的電導率變化信號以顯示目標氣體的濃度值。
      [0029]圖1是本發(fā)明采用的氣致變色氣體傳感器中敏感單元的示意圖。參照圖1,該敏感單元為中空結構的雙層結構,形成雙層結構的A面結構和B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封;所述A面包括石英玻璃基底、叉指電極層和WO3氣敏薄膜層,WO3氣敏薄膜層為摻雜SnO2的WO3薄膜,可以實現對NO2氣體的檢測,所述B面包括石英玻璃基底和WO3氣致變色層,WO3氣致變色層為WO3納米線薄膜摻雜ΖηΤΡΡ-2-Ν02,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測;所述B面結構上還設置有2個用于目標氣體透入的透氣孔。A面中,所述Sn02的顆粒度小于70nm,所述W03氣敏薄膜層厚度為700nm;B面中,所述W03納米線長度約Iym,直徑約60nm ;
      [0030]圖2是根據一示例性實施例示出的制備敏感單元的流程圖,如圖2所示,包括以下步驟:
      [0031 ] S1、制備A面結構,包括以下實施步驟:(I)取一定尺寸(4cm X 4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗20min; (2)在石英玻璃基底上旋涂一層光刻膠,厚度lwii,在叉指電極掩模版覆蓋下曝光6s,然后經過顯影50s后用去離子水清洗,采用磁控濺射方法鍍一層300nm厚的Cr膜作為叉指電極層,然后去除光刻膠;(3)將石英玻璃基底放入磁控派射儀中,抽真空至5X 10—4Pa以下,通入Ar和02的混合氣體,調節(jié)Ar:02比例為5:1,工作壓強為2.4Pa,在靶材為純度99.96%的金屬W靶磁控濺射28min,靶材為純度98%的金屬錫靶磁控濺射2min,得到摻雜SnO2的WO3薄膜,即WO3氣敏薄膜層;
      [0032]S2、制備B面結構,包括以下實施步驟:(1)取相同尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水、NaOH水溶液、去離子水超聲清洗,時間均為20min; (2)取20g鎢酸鈉溶于200ml水中,加入過量的濃鹽酸得到活性鎢酸沉淀,將其過濾,再用去離子水清洗直至檢測不到氯離子,然后將活性鎢酸沉淀溶于過氧化氫中,制得溶膠,旋涂于石英玻璃基底上,350°C處理Ih獲得種子層,厚度為20nm;(3)取鎢酸鈉粉末4.12g溶于60ml去離子水,用3M HCl溶液調節(jié)其pH為2.0,然后加入2.lg(0.3M)硫酸銨作為控制劑,將石英玻璃基底平放在去離子水中,攪拌I小時后,倒入不銹鋼水熱反應釜中,在烘箱中加熱至150°C保持10h,然后取出石英玻璃基底用去離子水清洗;(4)選用三氯甲烷為溶劑,取3.8g ZnTPP-2-NO2配制成5.0mg/ml的溶液,超聲處理20min,使溶液均勻,通過滴膠方式將所制溶液滴涂在石英玻璃基底表面,設定旋涂速度為3400rpm,旋涂時間為70s,最后將石英玻璃基底在真空干燥箱中60°C下干燥12h,得到摻雜ZnTPP-2-N02的WO3納米線薄膜,即WO3氣致變色層;
      [0033]S3、組裝:將制作完成的A面、B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封,即得所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元。
      [0034]關于上述實施例中的裝置,其中各個模塊執(zhí)行操作的具體方式已經在有關該方法的實施例中進行了詳細描述,此處將不做詳細闡述說明。
      [0035]數據測試:
      [0036]A面中,氣敏測試在氣敏元件測試系統(tǒng)上完成,將制作好的器件放入石英管中,加熱單元加熱使敏感單元的工作溫度為120°C,待穩(wěn)定后,通入由空氣和一定濃度NO2配置的混合氣體,保持30min,再次通入純空氣,記錄WO3氣敏薄膜層的電阻值,分別為R(M)2)和R(air),定義氣敏靈敏度為:S = R(N02)/R(air),響應時間定義為通入測試氣體后電阻變化至IJ最大變化電阻的80%所需要的時間。測試發(fā)現,該氧化鎢氣敏薄膜在Sppm濃度的NO2氣體中靈敏度為30;最小響應時間為12s;經過100次疲勞測試,電阻響應值下降到原來的83%。WO3氣敏薄膜表現出良好的靈敏度、響應時間和重復性。
      [0037]B面中,采用分光光度計對不同濃度出氣氛中WO3氣致變色層進行透光率測試,定義T0為未通H2時樣品的透光率,T為通入一定濃度出時樣品的透光率,相對透光率:,在通入H2濃度為5000ppm時,相對透光率隨波長變化,最小為4%,最大為64%,并且經過約1min,相對透光率趨于穩(wěn)定,可見隨被測氣體通入,氧化鎢氣致變色層透光率下降,表現為薄膜顏色由原來的透明變?yōu)樗{色,響應時間短,表現良好的氣致變色性能。
      [0038]測試發(fā)現,該氣球充氣裝置安裝有氣致變色氣體傳感器,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測,并且響應時間短,靈敏度高,變色范圍較大,實現了意想不到的效果,具有一定的實際應用價值。
      [0039]實施例2:
      [0040]提供一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,所述氣球充氣裝置外表面安裝有氣致變色氣體傳感器,所述氣致變色氣體傳感器基于WO3氣敏材料和WO3氣致變色材料;所述氣致變色氣體傳感器包括敏感單元、加熱單元和數據讀取單元;所述加熱單元和數據讀取單元與敏感單元的氧化鎢氣敏薄膜連接;所述加熱單元作為氧化鎢氣敏薄膜工作時的加熱源;數據讀取單元處理氧化鎢氣敏薄膜的電導率變化信號以顯示目標氣體的濃度值。
      [0041]圖1是本發(fā)明采用的氣致變色氣體傳感器中敏感單元的示意圖。參照圖1,該敏感單元為中空結構的雙層結構,形成雙層結構的A面結構和B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封;所述A面包括石英玻璃基底、叉指電極層和WO3氣敏薄膜層,WO3氣敏薄膜層為摻雜SnO2的WO3薄膜,可以實現對NO2氣體的檢測,所述B面包括石英玻璃基底和WO3氣致變色層,WO3氣致變色層為WO3納米線薄膜摻雜ΖηΤΡΡ-2-Ν02,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測;所述B面結構上還設置有2個用于目標氣體透入的透氣孔。A面中,所述Sn02的顆粒度小于55nm,所述W03氣敏薄膜層厚度為500nm;B面中,所述W03納米線長度約0.5μηι,直徑約60nm;
      [0042]圖2是根據一示例性實施例示出的制備敏感單元的流程圖,如圖2所示,包括以下步驟:
      [0043]S1、制備A面結構,包括以下實施步驟:(I)取一定尺寸(4cm X 4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗20min; (2)在石英玻璃基底上旋涂一層光刻膠,厚度lwii,在叉指電極掩模版覆蓋下曝光6s,然后經過顯影50s后用去離子水清洗,采用磁控濺射方法鍍一層300nm厚的Cr膜作為叉指電極層,然后去除光刻膠;(3)將石英玻璃基底放入磁控派射儀中,抽真空至5X 10—4Pa以下,通入Ar和02的混合氣體,調節(jié)Ar:02比例為5:1,工作壓強為2.4Pa,在靶材為純度99.96%的金屬W靶磁控濺射28min,靶材為純度98%的金屬錫靶磁控濺射2min,得到摻雜SnO2的WO3薄膜,即WO3氣敏薄膜層;
      [0044]S2、制備B面結構,包括以下實施步驟:(1)取相同尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水、NaOH水溶液、去離子水超聲清洗,時間均為20min; (2)取20g鎢酸鈉溶于200ml水中,加入過量的濃鹽酸得到活性鎢酸沉淀,將其過濾,再用去離子水清洗直至檢測不到氯離子,然后將活性鎢酸沉淀溶于過氧化氫中,制得溶膠,旋涂于石英玻璃基底上,330°C處理Ih獲得種子層,厚度為20nm;(3)取鎢酸鈉粉末4.12g溶于60ml去離子水,用3M HCl溶液調節(jié)其pH為2.0,然后加入2.lg(0.3M)硫酸銨作為控制劑,將石英玻璃基底平放在去離子水中,攪拌I小時后,倒入不銹鋼水熱反應釜中,在烘箱中加熱至150°C保持10h,然后取出石英玻璃基底用去離子水清洗;(4)選用三氯甲烷為溶劑,取3.8g ZnTPP-2-NO2配制成5.4mg/ml的溶液,超聲處理20min,使溶液均勻,通過滴膠方式將所制溶液滴涂在石英玻璃基底表面,設定旋涂速度為3400rpm,旋涂時間為70s,最后將石英玻璃基底在真空干燥箱中60°C下干燥12h,得到摻雜ZnTPP-2-N02的WO3納米線薄膜,即WO3氣致變色層;
      [0045]S3、組裝:將制作完成的A面、B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封,即得所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元。
      [0046]關于上述實施例中的裝置,其中各個模塊執(zhí)行操作的具體方式已經在有關該方法的實施例中進行了詳細描述,此處將不做詳細闡述說明。
      [0047]數據測試:
      [0048]A面中,氣敏測試在氣敏元件測試系統(tǒng)上完成,將制作好的器件放入石英管中,加熱單元加熱使敏感單元的工作溫度為120°C,待穩(wěn)定后,通入由空氣和一定濃度NO2配置的混合氣體,保持30min,再次通入純空氣,記錄WO3氣敏薄膜層的電阻值,分別為R(M)2)和R(air),定義氣敏靈敏度為:S = R(N02)/R(air),響應時間定義為通入測試氣體后電阻變化至IJ最大變化電阻的80%所需要的時間。測試發(fā)現,該氧化鎢氣敏薄膜在Sppm濃度的NO2氣體中靈敏度為30;最小響應時間為15s;經過100次疲勞測試,電阻響應值下降到原來的86%。WO3氣敏薄膜表現出良好的靈敏度、響應時間和重復性。
      [0049]B面中,采用分光光度計對不同濃度出氣氛中WO3氣致變色層進行透光率測試,定義T0為未通H2時樣品的透光率,T為通入一定濃度出時樣品的透光率,相對透光率:,在通入H2濃度為5000ppm時,相對透光率隨波長變化,最小為7%,最大為65%,并且經過約1min,相對透光率趨于穩(wěn)定,可見隨被測氣體通入,氧化鎢氣致變色層透光率下降,表現為薄膜顏色由原來的透明變?yōu)樗{色,響應時間短,表現良好的氣致變色性能。
      [0050]測試發(fā)現,該氣球充氣裝置安裝有氣致變色氣體傳感器,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測,并且響應時間短,靈敏度高,變色范圍較大,實現了意想不到的效果,具有一定的實際應用價值。
      [0051 ] 實施例3:
      [0052]提供一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,所述氣球充氣裝置外表面安裝有氣致變色氣體傳感器,所述氣致變色氣體傳感器基于WO3氣敏材料和WO3氣致變色材料;所述氣致變色氣體傳感器包括敏感單元、加熱單元和數據讀取單元;所述加熱單元和數據讀取單元與敏感單元的氧化鎢氣敏薄膜連接;所述加熱單元作為氧化鎢氣敏薄膜工作時的加熱源;數據讀取單元處理氧化鎢氣敏薄膜的電導率變化信號以顯示目標氣體的濃度值。
      [0053]圖1是本發(fā)明采用的氣致變色氣體傳感器中敏感單元的示意圖。參照圖1,該敏感單元為中空結構的雙層結構,形成雙層結構的A面結構和B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封;所述A面包括石英玻璃基底、叉指電極層和WO3氣敏薄膜層,WO3氣敏薄膜層為摻雜SnO2的WO3薄膜,可以實現對NO2氣體的檢測,所述B面包括石英玻璃基底和WO3氣致變色層,WO3氣致變色層為WO3納米線薄膜摻雜ΖηΤΡΡ-2-Ν02,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測;所述B面結構上還設置有2個用于目標氣體透入的透氣孔。A面中,所述Sn02的顆粒度小于60nm,所述W03氣敏薄膜層厚度為500nm;B面中,所述W03納米線長度約Iym,直徑約60nm ;
      [0054]圖2是根據一示例性實施例示出的制備敏感單元的流程圖,如圖2所示,包括以下步驟:
      [0055]S1、制備A面結構,包括以下實施步驟:(I)取一定尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗20min; (2)在石英玻璃基底上旋涂一層光刻膠,厚度1.5μπι,在叉指電極掩模版覆蓋下曝光6s,然后經過顯影50s后用去離子水清洗,采用磁控濺射方法鍍一層300nm厚的Cr膜作為叉指電極層,然后去除光刻膠;(3)將石英玻璃基底放入磁控派射儀中,抽真空至5X 10—4Pa以下,通入Ar和02的混合氣體,調節(jié)Ar:02比例為5:4,工作壓強為2.4Pa,在靶材為純度99.96 %的金屬W靶磁控濺射28min,靶材為純度98 %的金屬錫靶磁控濺射2min,得到摻雜SnO2的WO3薄膜,即WO3氣敏薄膜層;
      [0056]S2、制備B面結構,包括以下實施步驟:(1)取相同尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水、NaOH水溶液、去離子水超聲清洗,時間均為20min; (2)取22g鎢酸鈉溶于200ml水中,加入過量的濃鹽酸得到活性鎢酸沉淀,將其過濾,再用去離子水清洗直至檢測不到氯離子,然后將活性鎢酸沉淀溶于過氧化氫中,制得溶膠,旋涂于石英玻璃基底上,350°C處理Ih獲得種子層,厚度為20nm;(3)取鎢酸鈉粉末4.12g溶于60ml去離子水,用3M HCl溶液調節(jié)其pH為2.0,然后加入2.lg(0.3M)硫酸銨作為控制劑,將石英玻璃基底平放在去離子水中,攪拌I小時后,倒入不銹鋼水熱反應釜中,在烘箱中加熱至150°C保持10h,然后取出石英玻璃基底用去離子水清洗;(4)選用三氯甲烷為溶劑,取3.8g ZnTPP-2-NO2配制成5.0mg/ml的溶液,超聲處理20min,使溶液均勻,通過滴膠方式將所制溶液滴涂在石英玻璃基底表面,設定旋涂速度為3400rpm,旋涂時間為70s,最后將石英玻璃基底在真空干燥箱中60°C下干燥12h,得到摻雜ZnTPP-2-N02的WO3納米線薄膜,即WO3氣致變色層;
      [0057]S3、組裝:將制作完成的A面、B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封,即得所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元。
      [0058]關于上述實施例中的裝置,其中各個模塊執(zhí)行操作的具體方式已經在有關該方法的實施例中進行了詳細描述,此處將不做詳細闡述說明。
      [0059]數據測試:
      [0060]A面中,氣敏測試在氣敏元件測試系統(tǒng)上完成,將制作好的器件放入石英管中,加熱單元加熱使敏感單元的工作溫度為120°C,待穩(wěn)定后,通入由空氣和一定濃度NO2配置的混合氣體,保持30min,再次通入純空氣,記錄WO3氣敏薄膜層的電阻值,分別為R(M)2)和R(air),定義氣敏靈敏度為:S = R(N02)/R(air),響應時間定義為通入測試氣體后電阻變化至IJ最大變化電阻的80%所需要的時間。測試發(fā)現,該氧化鎢氣敏薄膜在Sppm濃度的NO2氣體中靈敏度為30;最小響應時間為15s;經過100次疲勞測試,電阻響應值下降到原來的86%。WO3氣敏薄膜表現出良好的靈敏度、響應時間和重復性。
      [0061]B面中,采用分光光度計對不同濃度出氣氛中WO3氣致變色層進行透光率測試,定義T0為未通H2時樣品的透光率,T為通入一定濃度出時樣品的透光率,相對透光率:,在通入H2濃度為5000ppm時,相對透光率隨波長變化,最小為5%,最大為61 %,并且經過約1min,相對透光率趨于穩(wěn)定,可見隨被測氣體通入,氧化鎢氣致變色層透光率下降,表現為薄膜顏色由原來的透明變?yōu)樗{色,響應時間短,表現良好的氣致變色性能。
      [0062]測試發(fā)現,該氣球充氣裝置安裝有氣致變色氣體傳感器,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測,并且響應時間短,靈敏度高,變色范圍較大,實現了意想不到的效果,具有一定的實際應用價值。
      [0063]實施例4:
      [0064]提供一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,所述氣球充氣裝置外表面安裝有氣致變色氣體傳感器,所述氣致變色氣體傳感器基于WO3氣敏材料和WO3氣致變色材料;所述氣致變色氣體傳感器包括敏感單元、加熱單元和數據讀取單元;所述加熱單元和數據讀取單元與敏感單元的氧化鎢氣敏薄膜連接;所述加熱單元作為氧化鎢氣敏薄膜工作時的加熱源;數據讀取單元處理氧化鎢氣敏薄膜的電導率變化信號以顯示目標氣體的濃度值。
      [0065]圖1是本發(fā)明采用的氣致變色氣體傳感器中敏感單元的示意圖。參照圖1,該敏感單元為中空結構的雙層結構,形成雙層結構的A面結構和B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封;所述A面包括石英玻璃基底、叉指電極層和WO3氣敏薄膜層,WO3氣敏薄膜層為摻雜SnO2的WO3薄膜,可以實現對NO2氣體的檢測,所述B面包括石英玻璃基底和WO3氣致變色層,WO3氣致變色層為WO3納米線薄膜摻雜ΖηΤΡΡ-2-Ν02,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測;所述B面結構上還設置有2個用于目標氣體透入的透氣孔。A面中,所述Sn02的顆粒度小于40nm,所述W03氣敏薄膜層厚度為600nm;B面中,所述WO3納米線長度約I.2μπι,直徑約50nm;
      [0066]圖2是根據一示例性實施例示出的制備敏感單元的流程圖,如圖2所示,包括以下步驟:
      [0067]S1、制備A面結構,包括以下實施步驟:(I)取一定尺寸(4cm X 4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗20min; (2)在石英玻璃基底上旋涂一層光刻膠,厚度lwii,在叉指電極掩模版覆蓋下曝光6s,然后經過顯影50s后用去離子水清洗,采用磁控濺射方法鍍一層300nm厚的Cr膜作為叉指電極層,然后去除光刻膠;(3)將石英玻璃基底放入磁控派射儀中,抽真空至5X 10—4Pa以下,通入Ar和02的混合氣體,調節(jié)Ar:02比例為5:1,工作壓強為2.4Pa,在靶材為純度99.96%的金屬W靶磁控濺射28min,靶材為純度98%的金屬錫靶磁控濺射2min,得到摻雜SnO2的WO3薄膜,即WO3氣敏薄膜層;
      [0068]S2、制備B面結構,包括以下實施步驟:(1)取相同尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水、NaOH水溶液、去離子水超聲清洗,時間均為20min; (2)取20g鎢酸鈉溶于200ml水中,加入過量的濃鹽酸得到活性鎢酸沉淀,將其過濾,再用去離子水清洗直至檢測不到氯離子,然后將活性鎢酸沉淀溶于過氧化氫中,制得溶膠,旋涂于石英玻璃基底上,350°C處理Ih獲得種子層,厚度為20nm; (3)取鎢酸鈉粉末3.2g溶于60ml去離子水,用3M HCl溶液調節(jié)其pH為2.0,然后加入2.lg(0.3M)硫酸銨作為控制劑,將石英玻璃基底平放在去離子水中,攪拌I小時后,倒入不銹鋼水熱反應釜中,在烘箱中加熱至150°C保持10h,然后取出石英玻璃基底用去離子水清洗;(4)選用三氯甲烷為溶劑,取2.8g ZnTPP-2-NO2配制成5.0mg/ml的溶液,超聲處理20min,使溶液均勻,通過滴膠方式將所制溶液滴涂在石英玻璃基底表面,設定旋涂速度為3400rpm,旋涂時間為70s,最后將石英玻璃基底在真空干燥箱中60°C下干燥12h,得到摻雜ZnTPP-2-N02的WO3納米線薄膜,即WO3氣致變色層;
      [0069]S3、組裝:將制作完成的A面、B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封,即得所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元。
      [0070]關于上述實施例中的裝置,其中各個模塊執(zhí)行操作的具體方式已經在有關該方法的實施例中進行了詳細描述,此處將不做詳細闡述說明。
      [0071]數據測試:
      [0072]A面中,氣敏測試在氣敏元件測試系統(tǒng)上完成,將制作好的器件放入石英管中,加熱單元加熱使敏感單元的工作溫度為120°C,待穩(wěn)定后,通入由空氣和一定濃度NO2配置的混合氣體,保持30min,再次通入純空氣,記錄WO3氣敏薄膜層的電阻值,分別為R(M)2)和R(air),定義氣敏靈敏度為:S = R(N02)/R(air),響應時間定義為通入測試氣體后電阻變化至IJ最大變化電阻的80%所需要的時間。測試發(fā)現,該氧化鎢氣敏薄膜在Sppm濃度的NO2氣體中靈敏度為35;最小響應時間為15s;經過100次疲勞測試,電阻響應值下降到原來的86%。WO3氣敏薄膜表現出良好的靈敏度、響應時間和重復性。
      [0073]B面中,采用分光光度計對不同濃度出氣氛中WO3氣致變色層進行透光率測試,定義T0為未通H2時樣品的透光率,T為通入一定濃度出時樣品的透光率,相對透光率:,在通入H2濃度為5000ppm時,相對透光率隨波長變化,最小為4 %,最大為59.7%,并且經過約1min,相對透光率趨于穩(wěn)定,可見隨被測氣體通入,氧化鎢氣致變色層透光率下降,表現為薄膜顏色由原來的透明變?yōu)樗{色,響應時間短,表現良好的氣致變色性能。
      [0074]測試發(fā)現,該氣球充氣裝置安裝有氣致變色氣體傳感器,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測,并且響應時間短,靈敏度高,變色范圍較大,實現了意想不到的效果,具有一定的實際應用價值。
      [0075]實施例5:
      [0076]提供一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,所述氣球充氣裝置外表面安裝有氣致變色氣體傳感器,所述氣致變色氣體傳感器基于WO3氣敏材料和WO3氣致變色材料;所述氣致變色氣體傳感器包括敏感單元、加熱單元和數據讀取單元;所述加熱單元和數據讀取單元與敏感單元的氧化鎢氣敏薄膜連接;所述加熱單元作為氧化鎢氣敏薄膜工作時的加熱源;數據讀取單元處理氧化鎢氣敏薄膜的電導率變化信號以顯示目標氣體的濃度值。
      [0077]圖1是本發(fā)明采用的氣致變色氣體傳感器中敏感單元的示意圖。參照圖1,該敏感單元為中空結構的雙層結構,形成雙層結構的A面結構和B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封;所述A面包括石英玻璃基底、叉指電極層和WO3氣敏薄膜層,WO3氣敏薄膜層為摻雜SnO2的WO3薄膜,可以實現對NO2氣體的檢測,所述B面包括石英玻璃基底和WO3氣致變色層,WO3氣致變色層為WO3納米線薄膜摻雜ΖηΤΡΡ-2-Ν02,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測;所述B面結構上還設置有2個用于目標氣體透入的透氣孔。A面中,所述Sn02的顆粒度小于80nm,所述W03氣敏薄膜層厚度為400nm;B面中,所述W03納米線長度約Iym,直徑約30nm ;
      [0078]圖2是根據一示例性實施例示出的制備敏感單元的流程圖,如圖2所示,包括以下步驟:
      [0079]S1、制備A面結構,包括以下實施步驟:(1)取一定尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗20min; (2)在石英玻璃基底上旋涂一層光刻膠,厚度lwii,在叉指電極掩模版覆蓋下曝光6s,然后經過顯影50s后用去離子水清洗,采用磁控濺射方法鍍一層300nm厚的Cr膜作為叉指電極層,然后去除光刻膠;(3)將石英玻璃基底放入磁控派射儀中,抽真空至5X 10—4Pa以下,通入Ar和02的混合氣體,調節(jié)Ar:02比例為5:1,工作壓強為2.4Pa,在靶材為純度99.96%的金屬W靶磁控濺射28min,靶材為純度98%的金屬錫靶磁控濺射2min,得到摻雜SnO2的WO3薄膜,即WO3氣敏薄膜層;
      [0080]S2、制備B面結構,包括以下實施步驟:(1)取相同尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水、NaOH水溶液、去離子水超聲清洗,時間均為20min; (2)取20g鎢酸鈉溶于200ml水中,加入過量的濃鹽酸得到活性鎢酸沉淀,將其過濾,再用去離子水清洗直至檢測不到氯離子,然后將活性鎢酸沉淀溶于過氧化氫中,制得溶膠,旋涂于石英玻璃基底上,350°C處理Ih獲得種子層,厚度為20nm;(3)取鎢酸鈉粉末4.12g溶于60ml去離子水,用3M HCl溶液調節(jié)其pH為2.0,然后加入2.5g(0.3M)硫酸銨作為控制劑,將石英玻璃基底平放在去離子水中,攪拌I小時后,倒入不銹鋼水熱反應釜中,在烘箱中加熱至150°C保持10h,然后取出石英玻璃基底用去離子水清洗;(4)選用三氯甲烷為溶劑,取3.8g ZnTPP-2-NO2配制成5.6mg/ml的溶液,超聲處理20min,使溶液均勻,通過滴膠方式將所制溶液滴涂在石英玻璃基底表面,設定旋涂速度為3400rpm,旋涂時間為70s,最后將石英玻璃基底在真空干燥箱中60°C下干燥12h,得到摻雜ZnTPP-2-N02的WO3納米線薄膜,即WO3氣致變色層;
      [0081]S3、組裝:將制作完成的A面、B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封,即得所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元。
      [0082]關于上述實施例中的裝置,其中各個模塊執(zhí)行操作的具體方式已經在有關該方法的實施例中進行了詳細描述,此處將不做詳細闡述說明。
      [0083]數據測試:
      [0084]A面中,氣敏測試在氣敏元件測試系統(tǒng)上完成,將制作好的器件放入石英管中,加熱單元加熱使敏感單元的工作溫度為120°C,待穩(wěn)定后,通入由空氣和一定濃度NO2配置的混合氣體,保持30min,再次通入純空氣,記錄WO3氣敏薄膜層的電阻值,分別為R(M)2)和R(air),定義氣敏靈敏度為:S = R(N02)/R(air),響應時間定義為通入測試氣體后電阻變化至IJ最大變化電阻的80%所需要的時間。測試發(fā)現,該氧化鎢氣敏薄膜在Sppm濃度的NO2氣體中靈敏度為30;最小響應時間為15s;經過100次疲勞測試,電阻響應值下降到原來的80%。WO3氣敏薄膜表現出良好的靈敏度、響應時間和重復性。
      [0085]B面中,采用分光光度計對不同濃度出氣氛中WO3氣致變色層進行透光率測試,定義T0為未通H2時樣品的透光率,T為通入一定濃度出時樣品的透光率,相對透光率:,在通入H2濃度為5000ppm時,相對透光率隨波長變化,最小為4 %,最大為59.7%,并且經過約1min,相對透光率趨于穩(wěn)定,可見隨被測氣體通入,氧化鎢氣致變色層透光率下降,表現為薄膜顏色由原來的透明變?yōu)樗{色,響應時間短,表現良好的氣致變色性能。
      [0086]測試發(fā)現,該氣球充氣裝置安裝有氣致變色氣體傳感器,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測,并且響應時間短,靈敏度高,變色范圍較大,實現了意想不到的效果,具有一定的實際應用價值。
      [0087]本領域技術人員在考慮說明書及實踐這里公開的發(fā)明后,將容易想到本發(fā)明的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本發(fā)明的任何變型、用途或者適應性變化,這些變型、用途或者適應性變化遵循本發(fā)明的一般性原理并包括本申請未公開的本技術領域中的公知常識或慣用技術手段。說明書和實施例僅被視為示例性的,本發(fā)明的真正范圍和精神由下面的權利要求指出。
      [0088]應當理解的是,本發(fā)明并不局限于上面已經描述并在附圖中示出的精確結構,并且可以在不脫離其范圍進行各種修改和改變。本發(fā)明的范圍僅由所附的權利要求來限制。
      【主權項】
      1.一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,其特征在于,所述氣球充氣裝置外表面安裝有氣致變色氣體傳感器,所述氣致變色氣體傳感器基于WO3氣敏材料和WO3氣致變色材料;所述氣致變色氣體傳感器包括敏感單元、加熱單元和數據讀取單元;所述加熱單元和數據讀取單元與敏感單元的氧化媽氣敏薄膜連接;所述加熱單元作為氧化媽氣敏薄膜工作時的加熱源;數據讀取單元處理氧化鎢氣敏薄膜的電導率變化信號以顯示目標氣體的濃度值;所述敏感單元為中空結構的雙層結構,形成雙層結構的A面結構和B面結構相對放置,距離.500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封;所述A面包括石英玻璃基底、叉指電極層和WO3氣敏薄膜層,WO3氣敏薄膜層為摻雜SnO2的WO3薄膜,可以實現對NO2氣體的檢測,所述B面包括石英玻璃基底和WO3氣致變色層,WO3氣致變色層為WO3納米線薄膜摻雜ΖηΤΡΡ-2-Ν02,利用氣致變色原理可以實現對氫氣的可視化檢測;所述B面結構上還設置有2個用于目標氣體透入的透氣孔;A面中,所述SnO2的顆粒度小于70nm,所述WO3氣敏薄膜層厚度為.700nm ; B面中,所述W03納米線長度約Iym,直徑約60nm。2.制備權利要求1所述的一種能夠檢查氫氣泄漏的氣球充氣裝置,其特征在于,其中,所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元的制作包括以下步驟: S1、制備A面結構,包括以下實施步驟: (1)取一定尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗20min; (2)在石英玻璃基底上旋涂一層光刻膠,厚度Ιμπι,在叉指電極掩模版覆蓋下曝光6s,然后經過顯影50s后用去離子水清洗,采用磁控濺射方法鍍一層300nm厚的Cr膜作為叉指電極層,然后去除光刻膠; (3)將石英玻璃基底放入磁控濺射儀中,抽真空至5X 10—4Pa以下,通入Ar和02的混合氣體,調節(jié)Ar: O2比例為5:1,工作壓強為2.4Pa,在靶材為純度99.96 %的金屬W靶磁控濺射28min,靶材為純度98%的金屬錫靶磁控濺射2min,得到摻雜SnO2的WO3薄膜,即WO3氣敏薄膜層; S2、制備B面結構,包括以下實施步驟: (1)取相同尺寸(4cmX4cm)的石英玻璃基底,依次經過丙酮、乙醇、去離子水、NaOH水溶液、去離子水超聲清洗,時間均為20min; (2)取20g鎢酸鈉溶于200ml水中,加入過量的濃鹽酸得到活性鎢酸沉淀,將其過濾,再用去離子水清洗直至檢測不到氯離子,然后將活性鎢酸沉淀溶于過氧化氫中,制得溶膠,旋涂于石英玻璃基底上,350°C處理Ih獲得種子層,厚度為20nm; (3)取鎢酸鈉粉末4.12g溶于60ml去離子水,用3MHCl溶液調節(jié)其pH為2.0,然后加入.2.lg(0.3M)硫酸銨作為控制劑,將石英玻璃基底平放在去離子水中,攪拌I小時后,倒入不銹鋼水熱反應釜中,在烘箱中加熱至150°C保持10h,然后取出石英玻璃基底用去離子水清洗; (4)選用三氯甲烷為溶劑,取3.8g ZnTPP-2-N02配制成5.0mg/ml的溶液,超聲處理20min,使溶液均勻,通過滴膠方式將所制溶液滴涂在石英玻璃基底表面,設定旋涂速度為3400rpm,旋涂時間為70s,最后將石英玻璃基底在真空干燥箱中60°C下干燥12h,得到摻雜ZnTPP-2-N02的WO3納米線薄膜,即WO3氣致變色層; S3、組裝:將制作完成的A面、B面結構相對放置,距離500μπι,Α面結構和B面結構交接的周邊采用膠體密封,即得所述氣致變色氣體傳感器的敏感單元。
      【文檔編號】G01N21/25GK105954201SQ201610257504
      【公開日】2016年9月21日
      【申請日】2016年4月21日
      【發(fā)明人】林業(yè)城
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