一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法
【專利摘要】一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，包括：一鏡頭裝置，用于增大一VCSEL陣列成像距離；一圖像采集裝置，用于采集所述VCSEL陣列成像；和一分析判斷裝置，用于分析判斷所述圖像采集裝置采集的所述VCSEL陣列成像的信息，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)。一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，包括如下步驟：(A)提供一鏡頭裝置，設(shè)置于一VCSEL陣列的發(fā)光單元前方位置，使得所述VCSEL陣列的成像距離增大；(B)提供一圖像采集裝置，采集所述VCSEL陣列通過(guò)所述鏡頭裝置的成像；和(C)提供一分析判斷裝置，分析所述圖像采集裝置采集的所述VCSEL陣列成像信息，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】
一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，更進(jìn)一步，涉及一種應(yīng)用于投影模組的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser垂直腔面發(fā)射激光器)是一種新型半導(dǎo)體激光器，具有單縱模運(yùn)行、圓截面出射光、易于構(gòu)成二維陣列以及適于在線晶片級(jí)測(cè)試等優(yōu)越性能，被廣泛應(yīng)用于各個(gè)不同領(lǐng)域，如，在投影模組中的應(yīng)用。
[0003]VCSEL陣列在生產(chǎn)工藝過(guò)程中，不可避免的造成壞點(diǎn)，會(huì)引起模組的局部區(qū)域無(wú)光照，影響投影模組的功能，需要在使用之前挑選出來(lái)。其中，壞點(diǎn)是指不隨電流電壓變化，始終呈現(xiàn)統(tǒng)一亮度的像素點(diǎn)，表現(xiàn)為暗點(diǎn)。也就是說(shuō)，當(dāng)存在壞點(diǎn)的VCSEL陣列應(yīng)用于投影模組時(shí)，會(huì)使得投影模組由于部分區(qū)域接收不到VCSEL發(fā)生的激光的照射，從而影響投影模組的成像。
[0004]基于VCSEL陣列生產(chǎn)工藝過(guò)程中出現(xiàn)的問(wèn)題，因此，VCSEL陣列壞點(diǎn)檢測(cè)成為VCSEL應(yīng)用于投影模組之前必須進(jìn)行的過(guò)程。而VCSEL陣列檢測(cè)的方式以及檢測(cè)的準(zhǔn)確性決定應(yīng)用于投影模組的VCSEL陣列的好壞，從而影響整個(gè)投影模組的光學(xué)性能。
[0005]而在現(xiàn)有技術(shù)中，主要應(yīng)用的測(cè)試低功率VCSEL陣列的壞點(diǎn)方法主要是，通過(guò)給低功率VCSEL陣列通低電壓和低電流，改變電壓和電流條件，進(jìn)而通過(guò)人眼觀察通電之后的VCSEL陣列的發(fā)光或者說(shuō)成像情況，如果看到VCSEL陣列的某些位置亮度出現(xiàn)不隨電壓電流的改變而發(fā)生變化的情況，那么這些位置就是壞點(diǎn)位置，從而可以篩選出存在壞點(diǎn)的VCSEL陣列ο
[0006]從整個(gè)工藝過(guò)程可以看到，現(xiàn)有技術(shù)所采用的人工檢測(cè)方法，存在諸多不利因素。
[0007]首先，由于激光的發(fā)散角小以及垂直腔面激光發(fā)射器陣列的發(fā)光單元之間的間距較小，因此要通過(guò)觀察分辨不同的陣列點(diǎn)的發(fā)光情況，會(huì)相對(duì)困難或者分辨不清。相對(duì)來(lái)說(shuō)，這種方法適于存在較大面積連續(xù)的陣列壞點(diǎn)的情況，這種情況下，可以相對(duì)容易辨別出是否存在壞點(diǎn)。而當(dāng)只存在個(gè)別的壞點(diǎn)時(shí)，可能僅僅通過(guò)人眼很難觀察到，這就導(dǎo)致檢測(cè)過(guò)程中的準(zhǔn)確率下降。
[0008]其次，當(dāng)人眼長(zhǎng)期直接面對(duì)光源，目光長(zhǎng)時(shí)間集中于一個(gè)地方時(shí)，很容易造成視覺(jué)疲勞。在這種不可避免的情況下，同一個(gè)工作人員的檢測(cè)準(zhǔn)確率也會(huì)下降，可能使得原本可以檢測(cè)出的存在壞點(diǎn)的陣列，因?yàn)橐曈X(jué)疲勞而未被檢測(cè)出。
[0009]第三，在投影模組中應(yīng)用的VCSEL陣列每一個(gè)都必須經(jīng)過(guò)陣列壞點(diǎn)檢測(cè)這一道工序，也就是說(shuō)，壞點(diǎn)檢測(cè)必定是一個(gè)長(zhǎng)期而數(shù)量巨大的工作。因此在這樣固定而重復(fù)的工作過(guò)程中，人工檢測(cè)的方式，很明顯的存在問(wèn)題之一是效率較低。
[0010]第四，人眼長(zhǎng)期直接面對(duì)光源，容易損傷人眼，這對(duì)于這種需要批量、長(zhǎng)期進(jìn)行的工序來(lái)說(shuō)，對(duì)于工作人員并不是一個(gè)良好的工作環(huán)境。而在自動(dòng)化如此先進(jìn)的科技條件下，更應(yīng)該考慮如何用機(jī)器去替代人工的操作，解放勞動(dòng)力。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種垂直腔面激光發(fā)生器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，其通過(guò)機(jī)器檢測(cè)陣列壞點(diǎn)的方式代替的人眼觀察檢測(cè)的方式。
[0012]本發(fā)明的另一目的在于提供一種垂直腔面激光發(fā)生器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，其中，一鏡頭裝置使得VCSEL陣列成像距離增大。
[0013]本發(fā)明的另一目的在于提供一種垂直腔面激光發(fā)生器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，其中，一圖像采集裝置能夠采集VCSEL陣列的成像，代替了人眼觀察的檢測(cè)方式。
[0014]本發(fā)明的另一目的在于提供一種垂直腔面激光發(fā)生器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，其中，一分析判斷裝置能夠準(zhǔn)確的分析所述圖像采集裝置的圖像信息，判斷VCSEL是否存在壞點(diǎn)，提高檢測(cè)的準(zhǔn)確率。
[0015]本發(fā)明的另一目的在于提供一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，其中，一偏振裝置調(diào)節(jié)VCSEL陣列的激光強(qiáng)度，防止所述圖像采集裝置的感光芯片過(guò)曝。
[0016]本發(fā)明的另一目的在于提供一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，其中，所述偏振裝置可以調(diào)節(jié)VCSEL陣列的激光強(qiáng)度，適于各種能量分布的VCSEL陣列。
[0017]本發(fā)明的另一目的在于提供一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，通過(guò)圖像采集裝置和所述分析判斷裝置采集判斷VCSEL陣列的壞點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)批量化檢測(cè)，提高工作效率。
[0018]本發(fā)明的另一目的在于提供一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，通過(guò)所述分析判斷裝置快速記錄VCSEL陣列的能量分布情況。
[0019]本發(fā)明的另一目的在于提供一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法，通過(guò)機(jī)器檢測(cè)代替人工操作，節(jié)省了勞動(dòng)力。
[0020]為了實(shí)現(xiàn)以上發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，包括:
[0021]—鏡頭裝置，用于增大一 VCSEL陣列成像距離；
[0022]—圖像采集裝置，用于采集所述VCSEL陣列成像；和
[0023]—分析判斷裝置，用于分析判斷所述圖像采集裝置采集的所述VCSEL陣列成像的信息，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)。
[0024]為了實(shí)現(xiàn)以上發(fā)明目的，本發(fā)明還提供一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，包括如下步驟:
[0025](A)提供一鏡頭裝置，設(shè)置于一 VCSEL陣列的發(fā)光單元前方位置，使得所述VCSEL陣列的成像距離增大；
[0026](B)提供一圖像采集裝置，采集所述VCSEL陣列通過(guò)所述鏡頭裝置的成像；和
[0027](C)提供一分析判斷裝置，分析所述圖像采集裝置采集的所述VCSEL陣列成像信息，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)。
[0028]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一偏振裝置，設(shè)置于所述鏡頭裝置光線入射方向。
[0029]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述鏡頭裝置的鏡頭孔徑略大于所述VCSEL陣列的發(fā)光面積。
[0030]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一承載裝置，用于提供所述VCSEL測(cè)試條件，所述承載裝置設(shè)于所述偏振裝置下方。
[0031]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述兩個(gè)偏振片可旋轉(zhuǎn)的設(shè)置于所述透鏡裝置和所述承載裝置之間。
[0032]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一支撐主體和一調(diào)節(jié)裝置，所述調(diào)節(jié)裝置安裝于所述支撐主體，所述承載裝置連接于調(diào)節(jié)裝置。
[0033]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)裝置包括一 X軸調(diào)節(jié)器，一 Y軸調(diào)節(jié)器和一 Z軸調(diào)節(jié)器，所述承載裝置連接于所述X軸調(diào)節(jié)器和所述Y軸調(diào)節(jié)器，所述圖像采集裝置連接于所述Z軸調(diào)節(jié)器。
[0034]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述圖像采集裝置包括一感光芯片，用于采集所述VCSEL陣列的成像。
[0035]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述承載裝置包括一供電工裝和一散熱工裝。
[0036]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述偏振裝置為兩個(gè)偏振片。
[0037]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，進(jìn)一步包括步驟:(D)提供一偏振裝置，設(shè)置于所述鏡頭裝置光線入射方向，調(diào)節(jié)所述VCSEL陣列激光強(qiáng)度。
[0038]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述步驟(A)中，所述鏡頭裝置的鏡頭孔徑略大于所述VCSEL陣列的發(fā)光面積。
[0039]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述步驟(A)進(jìn)一步包括步驟:(Al)提供一承載裝置，用于承載所述VCSEL陣列，使得所述VCSEL陣列發(fā)光。
[0040]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述兩個(gè)偏振片可旋轉(zhuǎn)的設(shè)置于所述透鏡裝置和所述承載裝置之間。
[0041]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述步驟:
[0042](BI)提供一支撐主體和一調(diào)節(jié)裝置，調(diào)節(jié)所述承載裝置和所述圖像采集裝置；
[0043](B2)調(diào)節(jié)所述承載裝置，使得所述VCSEL陣列清晰成像于所述圖像采集裝置；
[0044](B3)調(diào)節(jié)所述偏振裝置，使得所述VCSEL陣列的激光強(qiáng)度適宜，防止所述感光芯片的過(guò)曝。
[0045]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述調(diào)節(jié)裝置包括一 X軸調(diào)節(jié)器，一 Y軸調(diào)節(jié)器和一 Z軸調(diào)節(jié)器，所述承載裝置連接于所述X軸調(diào)節(jié)器和所述Y軸調(diào)節(jié)器，所述圖像采集裝置連接于所述Z軸調(diào)節(jié)器。
[0046]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述圖像采集裝置包括一感光芯片，用于采集所述VCSEL陣列的成像
[0047]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述承載裝置包括一供電工裝和一散熱工裝。
[0048]優(yōu)選地，所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述步驟(D)中，所述偏振裝置為兩個(gè)偏振片。
【附圖說(shuō)明】
[0049]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一 VCSEL陣列的示意圖。
[0050]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法的部分示意圖，用于說(shuō)明鏡頭裝置。
[0051]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法的檢測(cè)系統(tǒng)示意圖。
[0052]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法的流程圖。
[0053]圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法的位置調(diào)節(jié)示意圖。
[0054]圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法的光強(qiáng)調(diào)節(jié)示意圖。
[0055]圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)及方法的方法框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0056]以下描述用于揭露本發(fā)明以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明。以下描述中的優(yōu)選實(shí)施例只作為舉例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到其他顯而易見(jiàn)的變型。在以下描述中界定的本發(fā)明的基本原理可以應(yīng)用于其他實(shí)施方案、變形方案、改進(jìn)方案、等同方案以及沒(méi)有背離本發(fā)明的精神和范圍的其他技術(shù)方案。
[0057]參照?qǐng)D1是一 VCSEL陣列示意圖。為了替代現(xiàn)有技術(shù)中的檢測(cè)過(guò)程中直接用人眼觀察判斷的方式需要從了解VCSEL的基本結(jié)構(gòu)以及成像方式出發(fā)，探究如何讓VCSEL成像不是去成像于人的視網(wǎng)膜，而是間接成像于成像設(shè)備，這樣可以初步替代工作人員人眼直接觀察的方式。
[0058]進(jìn)一步了解VCSEL陣列的具體結(jié)構(gòu)，可以知道，VCSEL陣列由多個(gè)發(fā)光單元100構(gòu)成，每一所述發(fā)光單元100以預(yù)定間距d排布于一發(fā)光表面200，相鄰兩個(gè)所述發(fā)光單元100之間間距較小，發(fā)射激光的發(fā)散角A小。由于存在這樣的特點(diǎn)，使得所述VCSEL陣列的成像距離發(fā)光面之間的成像距離D很近，通常情況約為0.2mm。
[0059]由圖中I及圖2中可以看到，成像距離D受所述VCSE陣列的發(fā)光單元100的預(yù)定間距d的影響。當(dāng)所述發(fā)光單元100的預(yù)定間距越小時(shí)，成像距離D越小，也就是說(shuō)，如果要明確的區(qū)分每一所述發(fā)光單元100的發(fā)光情況，觀察的成像必須在成像距離D范圍內(nèi)，如果在成像距離D之外，每一發(fā)光單元100的發(fā)光將分辨不清，或者說(shuō)成為一整個(gè)發(fā)光區(qū)域，而不是獨(dú)立的發(fā)光點(diǎn)。這種特點(diǎn)的存在，也是現(xiàn)有技術(shù)中人眼觀察的檢測(cè)方式存在的原因之一。人眼觀察時(shí)，在正常視力條件下，不受這個(gè)距離D的影響，因?yàn)槿搜鄣囊曈X(jué)可以直接到達(dá)所述發(fā)光面200，或者說(shuō)，所述發(fā)光單元100由所述發(fā)光面200位置發(fā)出的激光可以直接成像于人的視網(wǎng)膜，而基本不受成像距離D的影響。
[0060]在通常情況下，成像距離D約為0.2mm，也就是說(shuō)，如果要用成像裝置接收所述發(fā)光單元100的成像，應(yīng)該設(shè)置于0.2mm的范圍內(nèi)。可以了解到，對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的成像裝置來(lái)說(shuō)，很難實(shí)現(xiàn)在這個(gè)范圍的成像?；诔上窬嚯xD限制的問(wèn)題存在，提出的解決方案，就是增大成像距離D，使得成像位置向后推移，從而可以通過(guò)成像裝置去接收成像。
[0061]參照?qǐng)D2是根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)的部分示意圖，根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)包括一鏡頭裝置10，用于增大所述VCSEL的成像距離D。通過(guò)所述鏡頭裝置10使得所述VCSEL陣列的成像距離D增大，從而可以在更遠(yuǎn)距離接收到所述VCSEL陣列的成像。
[0062]參照?qǐng)D7，相應(yīng)地，在問(wèn)題的基礎(chǔ)上，提出垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，包括如下步驟:(A)提供一鏡頭裝置10，設(shè)置于一 VCSEL陣列的發(fā)光前方位置，使得所述VCSEL陣列的成像距離增大。
[0063]參照?qǐng)D3，圖4，為了使得所述VCSEL陣列成像，檢測(cè)所述VCSEL陣列的發(fā)光情況，需要先使得所述VCSEL陣列發(fā)出激光，提供所述VCSEL陣列發(fā)光的基本條件。根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)包括一承載裝置20，用于承載所述VCSEL陣列，并且提供所述VCSEL陣列發(fā)光的基本條件，如提供連接于外部電源，以供所述VCSEL工作電能，提供熱傳導(dǎo)裝置，使得所述VCSEL發(fā)光過(guò)程中能夠散熱，以使得檢測(cè)過(guò)程不影響VCSEL的本身性能。
[0064]值得一提的是，所述承載裝置20可以包括一供電工裝21和一散熱工裝22。所述供電工裝21用于連接于外部電源裝置，以提供所述VCSEL陣列發(fā)光的工作電源。所述散熱工裝22用于所述VCSEL陣列發(fā)光過(guò)程中的散熱，以使得所述VCSEL的正常工作。
[0065]所述鏡頭裝置10位于所述承載裝置20上方，也就是說(shuō)，在檢測(cè)的過(guò)程中，所述VCSEL陣列被承載于所述承載裝置20上方，位于所述承載裝置20和所述鏡頭裝置10之間。
[0066]相應(yīng)地，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法中，需要先實(shí)現(xiàn)使得所述VCSEL陣列發(fā)光的條件，以得到所述VCSEL陣列發(fā)光后的成像。因此，所述步驟(A)中包括如下步驟:(Al)提供一承載裝置20，用于承載所述VCSEL陣列，使得所述VCSEL陣列發(fā)光。
[0067]值得一提是，所述鏡頭裝置10的選型需要根據(jù)所述VCSEL需要成像的位置選擇，選擇相適應(yīng)的鏡頭焦距。所述鏡頭裝置10的鏡頭通光孔徑需要略大于發(fā)光陣列的面積，以使得所述VCSEL陣列能夠通過(guò)所述鏡頭裝置10實(shí)現(xiàn)成像于較遠(yuǎn)的距離。
[0068]進(jìn)一步，得到在較遠(yuǎn)距離成像后，則可以用感光元件去接收所述VCSEL陣列的成像。根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)一步包括一圖像采集裝置30，用于采集所述VCSEL陣列通過(guò)所述鏡頭裝置20所成的像。
[0069]更進(jìn)一步，所述圖像采集裝置30包括一感光芯片31和一圖像采集軟件32，所述VCSEL陣列成像于所述感光芯片31，通過(guò)所述圖像采集軟件32記錄所述VCSEL陣列在所述感光芯片31的成像信息。
[0070]相應(yīng)地，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法包括如下步驟:
[0071](B)提供一圖像采集裝置30，采集所述VCSEL陣列通過(guò)所述鏡頭裝置20的成像。
[0072]由上述可知，所述圖像采集裝置30將所述VCSEL陣列通過(guò)所述鏡頭裝置20所成的像進(jìn)行采集，記錄，得到整個(gè)VCSEL陣列的成像信息，而所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)需要完成的工作是判斷所述VCSEL的壞點(diǎn)情況，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)，存在的壞點(diǎn)的位置等信息。因此，進(jìn)一步，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列進(jìn)一步包括一分析判斷裝置40，用于分析所述圖像采集裝置30采集的所述VCSEL陣列的成像信息，通過(guò)分析所述圖像采集裝置30的采集的所述VCSEL陣列的成像信息判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)。
[0073]相應(yīng)地，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法包括如下步驟:(C)提供一分析判斷裝置40，分析所述圖像采集裝置采集的所述VCSEL陣列成像信息，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)。
[0074]值得一提的是，所述分析判斷裝置40可以是分析判斷軟件，安裝于一計(jì)算機(jī)設(shè)備，從而通過(guò)所述分析判斷軟件在所述計(jì)算機(jī)設(shè)備的運(yùn)行，分析所述圖像采集裝置30采集的所述VCSEL陣列的成像信息，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)，進(jìn)一步，可以判斷出所述VCSEL陣列的壞點(diǎn)的具體位置，實(shí)現(xiàn)快速記錄所述VCSEL陣列的能量分布情況，從而提高測(cè)試的準(zhǔn)確度和測(cè)試效率。
[0075]進(jìn)一步，為了更加準(zhǔn)確、方便地采集所述VCSEL陣列的成像信息，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)包括一支撐主體50和調(diào)節(jié)裝置60，用于支撐、調(diào)節(jié)所述承載裝置20，所述鏡頭裝置10以及所述圖像采集裝置30。
[0076]參照?qǐng)D6，所述多個(gè)調(diào)節(jié)裝置60包括一 X軸調(diào)節(jié)器61，一 Y軸調(diào)節(jié)器62和一 Z軸調(diào)節(jié)器63。所述X軸調(diào)節(jié)器61，所述Y軸調(diào)節(jié)器62和所述Z軸調(diào)節(jié)器63分別安裝于所述支撐主體50。
[0077]所述承載裝置20連接于所述X軸調(diào)節(jié)器61和所述Y軸調(diào)節(jié)器62，通過(guò)所述X軸調(diào)節(jié)器和所述Y軸調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)所述承載裝置20在X軸方向和Y軸方向的位置，從而達(dá)到調(diào)節(jié)位于所述承載裝置20上的所述VCSEL陣列在X軸方向和在Y軸的方向，從而使得圖像采集裝置30準(zhǔn)確地采集到所述VCSEL陣列通過(guò)所述鏡頭裝置10所成的像。
[0078]所述圖像采集裝置30連接于所述Z軸調(diào)節(jié)器63，以通過(guò)所述Z軸調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)所述圖像采集裝置30與所述鏡頭裝置10之間的距離，使得所述VCSEL陣列通過(guò)所述鏡頭裝置10所成的像清晰的采集于所述圖像采集裝置30。
[0079]值得一提的是，所述VCSEL陣列在發(fā)光的過(guò)程中由于VCSEL陣列的能量不同，如，不同的VCSEL陣列或者同一 VCSEL陣列的不同位置的能量不同，從而可能導(dǎo)致所述圖像采集裝置30的所述感光芯片31過(guò)曝，需要對(duì)這種情況進(jìn)行優(yōu)化。根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)包括一偏振裝置70，所述偏振裝置70用于調(diào)節(jié)進(jìn)入所述圖像采集裝置30的所述VCSEL陣列的激光的強(qiáng)度，從而能夠適用于各種能量分布的VCSEL陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)。
[0080]更進(jìn)一步，所述偏振裝置70包括兩個(gè)偏振片71可旋轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝于所述偏振裝置70，所述兩個(gè)偏正片71相互配合，通過(guò)兩個(gè)所述偏振片71的相對(duì)旋轉(zhuǎn)角度來(lái)調(diào)節(jié)所述VCSEL陣列的激光強(qiáng)度，以防止所述圖像采集裝置30的所述感光芯片31的過(guò)曝現(xiàn)象。
[0081]所述垂直腔面發(fā)射激光器陣列進(jìn)一步包括步驟:(D)提供一偏振裝置70，設(shè)置于所述鏡頭裝置10光線入射方向，調(diào)節(jié)所述VCSEL陣列激光強(qiáng)度。
[0082]在所述步驟⑶中，需要實(shí)現(xiàn)對(duì)所述VCSEL陣列成像的準(zhǔn)確采集，以保證在分析判斷過(guò)程中的信息的準(zhǔn)確性，因?yàn)樵谶M(jìn)行采集之前，需要確定所述圖像采集裝置30和VCSEL陣列的相對(duì)位置，或者說(shuō)確定所述圖像采集裝置30和所述鏡頭裝置10的相對(duì)位置。根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述支撐主體50和所述調(diào)節(jié)裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)所述圖像采集裝置30和所述VCSEL相對(duì)位置以及距離的調(diào)節(jié)。通過(guò)調(diào)節(jié)所述X軸調(diào)節(jié)器61和所述Y軸調(diào)節(jié)器62調(diào)節(jié)所述承載裝置20的位置，從而調(diào)節(jié)所述圖像采集裝置30和所述VCSEL陣列的水平反向的相對(duì)位置。通過(guò)調(diào)節(jié)所述Z軸調(diào)節(jié)器63調(diào)節(jié)所述圖像采集裝置30在豎直方向上的位置，從而調(diào)節(jié)所述圖像采集裝置30和所述VCSEL陣列的距離大小，從而使得所述圖像采集裝置30的所述感光芯片31獲得所述VCSEL陣列的清晰成像。因此，所述步驟(B)包括如下步驟:
[0083](BI)提供一支撐主體50和一調(diào)節(jié)裝置60，調(diào)節(jié)所述承載裝置20和所述圖像采集裝置30 ;
[0084](B2)調(diào)節(jié)所述承載裝置20，使得所述VCSEL陣列清晰成像于所述圖像采集裝置30 ；
[0085](B3)調(diào)節(jié)所述偏振裝置70，使得所述VCSEL陣列的激光強(qiáng)度適宜，防止所述感光芯片31的過(guò)曝。
[0086]也就是說(shuō)，先完成對(duì)所述承載裝置20，所述圖像采集裝置30以及所述偏振轉(zhuǎn)置70的調(diào)節(jié)，再通過(guò)所述圖像采集裝置30進(jìn)行圖像采集。
[0087]本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，上述描述及附圖中所示的本發(fā)明的實(shí)施例只作為舉例而并不限制本發(fā)明。本發(fā)明的目的已經(jīng)完整并有效地實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的功能及結(jié)構(gòu)原理已在實(shí)施例中展示和說(shuō)明，在沒(méi)有背離所述原理下，本發(fā)明的實(shí)施方式可以有任何變形或修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括: 一鏡頭裝置，用于增大一 VCSEL陣列成像距離； 一圖像采集裝置，用于采集所述VCSEL陣列成像；和 一分析判斷裝置，用于分析判斷所述圖像采集裝置采集的所述VCSEL陣列成像的信息，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)。2.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一偏振裝置，設(shè)置于所述鏡頭裝置光線入射方向。3.如權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述鏡頭裝置的鏡頭孔徑略大于所述VCSEL陣列的發(fā)光面積。4.如權(quán)利要求3所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一承載裝置，用于提供所述VCSEL測(cè)試條件，所述承載裝置設(shè)于所述偏振裝置下方。5.如權(quán)利要求4所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述偏振裝置可旋轉(zhuǎn)的設(shè)置于所述透鏡裝置和所述承載裝置之間。6.如權(quán)利要求5所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一支撐主體和一調(diào)節(jié)裝置，所述調(diào)節(jié)裝置安裝于所述支撐主體，所述承載裝置連接于調(diào)節(jié)裝置。7.如權(quán)利要求6所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)裝置包括一 X軸調(diào)節(jié)器，一 Y軸調(diào)節(jié)器和一 Z軸調(diào)節(jié)器，所述承載裝置連接于所述X軸調(diào)節(jié)器和所述Y軸調(diào)節(jié)器，所述圖像采集裝置連接于所述Z軸調(diào)節(jié)器。8.如權(quán)利要求1至7任一所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述圖像采集裝置包括一感光芯片，用于采集所述VCSEL陣列的成像。9.如權(quán)利要求1至7任一所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述承載裝置包括一供電工裝和一散熱工裝。10.如權(quán)利要求1至7任一所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，所述偏振裝置為兩個(gè)偏振片。11.一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，其特征在于，包括如下步驟: (A)提供一鏡頭裝置，設(shè)置于一VCSEL陣列的發(fā)光單元前方位置，使得所述VCSEL陣列的成像距離增大； (B)提供一圖像采集裝置，采集所述VCSEL陣列通過(guò)所述鏡頭裝置的成像；和 (C)提供一分析判斷裝置，分析所述圖像采集裝置采集的所述VCSEL陣列成像信息，判斷所述VCSEL陣列是否存在壞點(diǎn)。12.如權(quán)利要求11所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，進(jìn)一步包括步驟:(D)提供一偏振裝置，設(shè)置于所述鏡頭裝置光線入射方向，調(diào)節(jié)所述VCSEL陣列激光強(qiáng)度。13.如權(quán)利要求12所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述步驟(A)中，所述鏡頭裝置的鏡頭孔徑略大于所述VCSEL陣列的發(fā)光面積。14.如權(quán)利要求13所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述步驟(A)進(jìn)一步包括步驟:(Al)提供一承載裝置，用于承載所述VCSEL陣列，使得所述VCSEL陣列發(fā)光。15.如權(quán)利要求14所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述兩個(gè)偏振片可旋轉(zhuǎn)的設(shè)置于所述透鏡裝置和所述承載裝置之間。16.如權(quán)利要求15所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述步驟: (BI)提供一支撐主體和一調(diào)節(jié)裝置，調(diào)節(jié)所述承載裝置和所述圖像采集裝置； (B2)調(diào)節(jié)所述承載裝置，使得所述VCSEL陣列清晰成像于所述圖像采集裝置； (B3)調(diào)節(jié)所述偏振裝置，使得所述VCSEL陣列的激光強(qiáng)度適宜，防止所述感光芯片的過(guò)曝。17.如權(quán)利要求16所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述調(diào)節(jié)裝置包括一 X軸調(diào)節(jié)器，一 Y軸調(diào)節(jié)器和一 Z軸調(diào)節(jié)器，所述承載裝置連接于所述X軸調(diào)節(jié)器和所述Y軸調(diào)節(jié)器，所述圖像采集裝置連接于所述Z軸調(diào)節(jié)器。18.如權(quán)利要求11至17任一所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述圖像采集裝置包括一感光芯片，用于采集所述VCSEL陣列的成像。19.如權(quán)利要求11至17任一所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述承載裝置包括一供電工裝和一散熱工裝。20.如權(quán)利要求12至17任一所述的垂直腔面發(fā)射激光器陣列的壞點(diǎn)檢測(cè)方法，所述步驟(D)中，所述偏振裝置為兩個(gè)偏振片。
【文檔編號(hào)】G01M11/02GK105987807SQ201510082926
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月15日
【發(fā)明人】張扣文, 魯丁, 李強(qiáng), 余夢(mèng)璐
【申請(qǐng)人】寧波舜宇光電信息有限公司