電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其高壓電源充電端子、電子開關(guān)的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一存能模塊，電子開關(guān)、諧振電路之間的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一換流回路，所述電子開關(guān)進(jìn)一步包括：方波發(fā)生器、推挽電路、微分電路、變壓器、模擬比較單元、RS觸發(fā)器和功率單元，所述推挽電路的輸出端連接到微分電路的輸入端，所述變壓器次級側(cè)具有次級線圈，所述次級線圈與模擬比較單元、RS觸發(fā)器和功率單元依次串聯(lián)。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)不能在發(fā)生器工作時間充電的缺陷，重復(fù)利用了放電時間間隔進(jìn)行充電，實(shí)現(xiàn)了放電與充電交替進(jìn)行，可以滿足任意重復(fù)頻率，允許的最大放電重復(fù)頻率可達(dá)5MHz以上且間隔小于200ns。
【專利說明】
電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于高電壓功放技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器包括信號源和高壓放大器兩部分。其現(xiàn)有信號發(fā)生器多采用C-RL并聯(lián)諧振電路。這種電路要求高壓電源的充電時間遠(yuǎn)小于放電時間間隔。對于高頻次放電場合而言，這種電路工作原理不可行。原因是高壓電源的充電速率與控制電壓精度是一對矛盾，而且充電功率也太大。其次，現(xiàn)有電壓發(fā)生器中高壓放大器，DAC輸出電壓較低(如5V)。然而，在電磁兼容領(lǐng)域用戶對衰減振蕩波發(fā)生器不僅有諧振頻率要求，而且還有輸出電壓和電流水平要求?？紤]到用戶負(fù)載阻抗是確定的，因此，就需要放大DAC輸出的小信號。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明目的是提供一種電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，該衰減振蕩波電壓發(fā)生器克服了現(xiàn)有技術(shù)不能在發(fā)生器工作時間充電的缺陷，重復(fù)利用了放電時間間隔進(jìn)行充電，實(shí)現(xiàn)了放電與充電交替進(jìn)行，且發(fā)生器對高壓電源的充電速率幾乎沒有任何要求，滿足5kV以上高壓衰減振蕩發(fā)生器技術(shù)要求。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，包括:依次串聯(lián)連接的高壓電源充電端子、電子開關(guān)、諧振電路、運(yùn)算放大器和電壓放大單元，所述高壓電源充電端子、電子開關(guān)的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一存能模塊，所述電子開關(guān)、諧振電路之間的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一換流回路，所述諧振電路和運(yùn)算放大器之間設(shè)置有一低通濾波單元，此低通濾波單元的輸出端連接到運(yùn)算放大器的反相端，所述運(yùn)算放大器的同相端通過電阻接地，所述電壓放大單元與運(yùn)算放大器相背的一端連接有一阻抗變換單元；
所述電壓放大單元進(jìn)一步包括第一三極管、第二三極管和二極管，第一三極管、第二三極管各自的基極均與運(yùn)算放大器連接，所述二極管位于第一三極管、第二三極管各自的集電極之間；所述阻抗變換單元進(jìn)一步包括第三三極管、第四三極管，此第三三極管、第四三極管各自的基極分別與第一三極管、第二三極管各自的發(fā)射極連接，第三三極管、第四三極管各自發(fā)射極的接點(diǎn)作為所述電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器的輸出端；
所述電子開關(guān)進(jìn)一步包括:方波發(fā)生器、推挽電路、微分電路、變壓器、模擬比較單元、RS觸發(fā)器和功率單元，所述方波發(fā)生器與推挽電路之間設(shè)置有一非門，所述推挽電路的輸出端連接到微分電路的輸入端，所述變壓器次級側(cè)具有次級線圈，所述次級線圈與模擬比較單元、RS觸發(fā)器和功率單元依次串聯(lián)；
所述微分電路的輸出端連接到變壓器初級側(cè)的初級線圈，所述次級線圈均依次連接有所述模擬比較單元、RS觸發(fā)器，此RS觸發(fā)器的輸出端連接到所述功率單元； 所述模擬比較單元包括并聯(lián)連接的第一模擬比較器、第二模擬比較器，此第一模擬比較器的同相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第一模擬比較器的反相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接，此第二模擬比較器的反相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第二模擬比較器的同相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接；
所述RS觸發(fā)器和功率單元之間設(shè)置有推挽放大電路，模擬比較單元內(nèi)第一模擬比較器、第二模擬比較器各自的反相輸入端作為相應(yīng)的參考地電位端，該參考地電位端作為功率單元、推挽放大電路的接地端;所述功率單元兩端分別連接高壓電源充電端子和諧振電路;一由第2電容和第3電阻并聯(lián)組成的反饋網(wǎng)絡(luò)模塊連接于運(yùn)算放大器的同相端和振蕩波高壓發(fā)生器的輸出端之間。
[0005]上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)方案如下:
1.上述方案中，所述存能模塊由低速儲能電容、中速儲能電容、高速儲能電容并聯(lián)組成。
[0006]2.上述方案中，所述低通濾波單元由第2電阻和第I電容組成。
[0007]3.上述方案中，所述微分電路包括電容和Rl電阻，此電容與變壓器的初級線圈串聯(lián)，所述Rl電阻與初級線圈并聯(lián)。
[0008]4.上述方案中，所述高速儲能電容、中速儲能電容和低速儲能電容分別采用云母電容、聚丙烯薄膜電容和電解電容。
[0009]由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn):
1.本發(fā)明電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其克服了現(xiàn)有技術(shù)不能在發(fā)生器工作時間充電的缺陷，重復(fù)利用了放電時間間隔進(jìn)行充電，實(shí)現(xiàn)了放電與充電交替進(jìn)行，且發(fā)生器對高壓電源的充電速率幾乎沒有任何要求，幾乎可以滿足任意重復(fù)頻率，允許的最大放電重復(fù)頻率可達(dá)5MHz以上(間隔小于200ns)，滿足5kV以上高壓衰減振蕩發(fā)生器技術(shù)要求，也完全可以覆蓋包括軍方和民用所有開放試驗(yàn)要求;其次，基于串聯(lián)諧振電路可降低系統(tǒng)對高壓充電電源的設(shè)計(jì)要求，且采用低通濾波單元將可將高頻噪聲濾除，換流回路保證了放電脈沖的可重復(fù)性，即連續(xù)多次放電。
[0010]2.本發(fā)明電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其采用了脈沖邊緣檢測先形成窄脈沖信號，在形成窄脈沖方波信號，再RS觸發(fā)器還原形成浮動地電位解調(diào)方波信號，該浮動地電位解調(diào)方波信號經(jīng)過推挽放大電路8放大至O?20V用以驅(qū)動功率單元7，驅(qū)動電路只需傳遞脈沖電壓的上升沿和下降沿信息即可，無需傳遞功率信號，大大降低了耦合變壓器的體積，突破了電子開關(guān)的任意脈寬技術(shù)，可滿足電力變化和脈沖功率絕大多數(shù)應(yīng)用;其次，其柵極浮動電源設(shè)計(jì)技術(shù)極大地方便了高壓串聯(lián)電子開關(guān)應(yīng)用，與自舉式驅(qū)動電路相比，這種驅(qū)動電路可滿足任意電壓等級(任意串聯(lián)數(shù))電子開關(guān)應(yīng)用。
[0011]3.本發(fā)明電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其電壓放大單元解決了DAC高頻小信號升壓和發(fā)生器阻抗變換問題，且一由第2電容和第3電阻并聯(lián)組成的反饋網(wǎng)絡(luò)模塊連接于運(yùn)算放大器的同相端和振蕩波高壓發(fā)生器的輸出端之間，具有自動糾錯波形功能，保證了衰減振蕩波電壓發(fā)生器輸出的波形與諧振電路輸出的波形一致性;其次，其高壓電源充電端子、電子開關(guān)的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一存能模塊，且存能模塊由低速儲能電容、中速儲能電容、高速儲能電容并聯(lián)組成，很好地解決了快速蓄能與造價之間的矛盾。
【附圖說明】
[0012]附圖1為本發(fā)明電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器局部結(jié)構(gòu)示意圖一；
附圖2為本發(fā)明電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器局部結(jié)構(gòu)示意圖二；
附圖3為本發(fā)明衰減振蕩波電壓發(fā)生器中電子開關(guān)局部結(jié)構(gòu)示意圖一；
附圖4為附圖3的局部結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖5為本發(fā)明衰減振蕩波電壓發(fā)生器中電子開關(guān)局部結(jié)構(gòu)示意圖二。
[0013]以上附圖中:1、高壓電源充電端子；2、電子開關(guān)；21、方波發(fā)生器；22、推挽電路；23、微分電路;24、變壓器;25、模擬比較單元;251、第一模擬比較器;252、第二模擬比較器；26、RS觸發(fā)器;27、功率單元;28、推挽放大電路;281、第一功率MOS管;282、第二功率MOS管；283、第三功率MOS管;3、諧振電路;4、運(yùn)算放大器;5、電壓放大單元;6、存能模塊;61、低速儲能電容;62、中速儲能電容;63、高速儲能電容;7、換流回路;8、低通濾波單元;9、阻抗變換單元;10、反饋網(wǎng)絡(luò)模塊。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
實(shí)施例1: 一種電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，如附圖所示，包括:依次串聯(lián)連接的高壓電源充電端子1、電子開關(guān)2、諧振電路3、運(yùn)算放大器4和電壓放大單元5，所述高壓電源充電端子1、電子開關(guān)2的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一存能模塊6，所述電子開關(guān)2、諧振電路3之間的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一換流回路7，所述諧振電路3和運(yùn)算放大器4之間設(shè)置有一低通濾波單元8，此低通濾波單元8的輸出端連接到運(yùn)算放大器4的反相端，所述運(yùn)算放大器4的同相端通過電阻接地，所述電壓放大單元5與運(yùn)算放大器4相背的一端連接有一阻抗變換單元9;
所述電壓放大單元5進(jìn)一步包括第一三極管Ql、第二三極管Q2和二極管Dl，第一三極管Q1、第二三極管Q2各自的基極均與運(yùn)算放大器4連接，所述二極管Dl位于第一三極管Q1、第二三極管Q2各自的集電極之間；所述阻抗變換單元9進(jìn)一步包括第三三極管Q3、第四三極管Q4，此第三三極管Q3、第四三極管Q4各自的基極分別與第一三極管Ql、第二三極管Q2各自的發(fā)射極連接，第三三極管Q3、第四三極管Q4各自發(fā)射極的接點(diǎn)作為所述電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器的輸出端。
[0015]所述電子開關(guān)2進(jìn)一步包括:方波發(fā)生器21、推挽電路22、微分電路23、變壓器24、模擬比較單元25、RS觸發(fā)器26和功率單元27，所述方波發(fā)生器21與推挽電路22之間設(shè)置有一非門，所述推挽電路22的輸出端連接到微分電路23的輸入端，所述變壓器24次級側(cè)具有次級線圈，所述次級線圈與模擬比較單元25、RS觸發(fā)器26和功率單元27依次串聯(lián)；
所述微分電路23的輸出端連接到變壓器初級側(cè)的初級線圈，所述次級線圈均依次連接有所述模擬比較單元25、RS觸發(fā)器26，此RS觸發(fā)器26的輸出端連接到所述功率單元27;
所述模擬比較單元25包括并聯(lián)連接的第一模擬比較器251、第二模擬比較器252，此第一模擬比較器251的同相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第一模擬比較器251的反相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接，此第二模擬比較器252的反相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第二模擬比較器252的同相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接；
所述RS觸發(fā)器26和功率單元27之間設(shè)置有推挽放大電路28，模擬比較單元25內(nèi)第一模擬比較器251、第二模擬比較器252各自的反相輸入端作為相應(yīng)的參考地電位端，該參考地電位端作為功率單元27、推挽放大電路28的接地端;所述功率單元27兩端分別連接高壓電源充電端子21和諧振電路23;—由第2電容和第3電阻并聯(lián)組成的反饋網(wǎng)絡(luò)模塊10連接于運(yùn)算放大器4的同相端和振蕩波高壓發(fā)生器的輸出端之間。
[0016]上述存能模塊6由低速儲能電容61、中速儲能電容62、高速儲能電容63并聯(lián)組成。
[0017]實(shí)施例2:—種電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，包括:依次串聯(lián)連接的高壓電源充電端子1、電子開關(guān)2、諧振電路3、運(yùn)算放大器4和電壓放大單元5，所述高壓電源充電端子1、電子開關(guān)2的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一存能模塊6，所述電子開關(guān)2、諧振電路3之間的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一換流回路7，所述諧振電路3和運(yùn)算放大器4之間設(shè)置有一低通濾波單元8，此低通濾波單元8的輸出端連接到運(yùn)算放大器4的反相端，所述運(yùn)算放大器4的同相端通過電阻接地，所述電壓放大單元5與運(yùn)算放大器4相背的一端連接有一阻抗變換單元9;
所述電壓放大單元5進(jìn)一步包括第一三極管Ql、第二三極管Q2和二極管Dl，第一三極管Q1、第二三極管Q2各自的基極均與運(yùn)算放大器4連接，所述二極管Dl位于第一三極管Q1、第二三極管Q2各自的集電極之間；所述阻抗變換單元9進(jìn)一步包括第三三極管Q3、第四三極管Q4，此第三三極管Q3、第四三極管Q4各自的基極分別與第一三極管Ql、第二三極管Q2各自的發(fā)射極連接，第三三極管Q3、第四三極管Q4各自發(fā)射極的接點(diǎn)作為所述電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器的輸出端。
[0018]所述電子開關(guān)2進(jìn)一步包括:方波發(fā)生器21、推挽電路22、微分電路23、變壓器24、模擬比較單元25、RS觸發(fā)器26和功率單元27，所述方波發(fā)生器21與推挽電路22之間設(shè)置有一非門，所述推挽電路22的輸出端連接到微分電路23的輸入端，所述變壓器24次級側(cè)具有次級線圈，所述次級線圈與模擬比較單元25、RS觸發(fā)器26和功率單元27依次串聯(lián)；
所述微分電路23的輸出端連接到變壓器初級側(cè)的初級線圈，所述次級線圈均依次連接有所述模擬比較單元25、RS觸發(fā)器26，此RS觸發(fā)器26的輸出端連接到所述功率單元27;
所述模擬比較單元25包括并聯(lián)連接的第一模擬比較器251、第二模擬比較器252，此第一模擬比較器251的同相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第一模擬比較器251的反相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接，此第二模擬比較器252的反相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第二模擬比較器252的同相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接；
所述RS觸發(fā)器26和功率單元27之間設(shè)置有推挽放大電路28，模擬比較單元25內(nèi)第一模擬比較器251、第二模擬比較器252各自的反相輸入端作為相應(yīng)的參考地電位端，該參考地電位端作為功率單元27、推挽放大電路28的接地端;所述功率單元27兩端分別連接高壓電源充電端子21和諧振電路23;—由第2電容和第3電阻并聯(lián)組成的反饋網(wǎng)絡(luò)模塊10連接于運(yùn)算放大器4的同相端和振蕩波高壓發(fā)生器的輸出端之間。
[0019]上述微分電路23包括電容Cl和Rl電阻，此電容Cl與變壓器24的初級線圈串聯(lián)，所述Rl電阻與初級線圈并聯(lián)。
[0020]上述低通濾波單元8由第2電阻和第I電容組成。[0021 ]本發(fā)明電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器中電子開關(guān)工作過程如下:首先，方波發(fā)生器21產(chǎn)生TTL方波信號經(jīng)由微分電路23變換成只攜帶上升前沿和下降后沿的窄脈沖信號；然后，通過變壓器24耦合，在變壓器24次級側(cè)的次級線圈形成處理后窄脈沖信號，處理后窄脈沖信號再經(jīng)過模擬比較單元25形成窄脈沖方波信號，第一模擬比較器251的同相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第一模擬比較器251的反相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接，將處理后窄脈沖信號中正窄脈沖轉(zhuǎn)為為正窄脈沖方波，此第二模擬比較器252的反相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第二模擬比較器252的同相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接，將處理后窄脈沖信號中負(fù)窄脈沖轉(zhuǎn)為為負(fù)窄脈沖方波轉(zhuǎn)為為正窄脈沖方波；
所述窄脈沖方波信號通過RS觸發(fā)器26形成解調(diào)后的浮動地電位解調(diào)方波信號，該浮動地電位解調(diào)方波信號經(jīng)過推挽放大電路28放大至O?20V用以驅(qū)動功率單元27，供電電源的GND電位嵌位在功率MOSFET源極電位上，極大地方便了高壓串聯(lián)電子開關(guān)應(yīng)用。
[0022]本發(fā)明電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，如附圖所示，其中，諧振電容采用云母電容，諧振電感采用空心螺線管，電子開關(guān)SW采用MOSFET和SBD(肖特基二極管)組合器件，高速儲能、中速儲能和低速儲能電容分別采用云母電容、聚丙烯薄膜電容和電解電容，換流回路采用高壓繞線電阻。該電路可擴(kuò)展到5kV以上電壓等級。
[0023]在低壓高頻(如100MHz)衰減振蕩工作情況下，信號發(fā)生器部分可采用數(shù)字編程技術(shù)和DAC數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片實(shí)現(xiàn)。在這種應(yīng)用中可通過如圖2所示的電壓放大器抬高輸出電壓，從而滿足衰減發(fā)生器的輸出電流水平和輸出阻抗要求。
[0024]采用上述電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器時，其克服了現(xiàn)有技術(shù)不能在發(fā)生器工作時間充電的缺陷，重復(fù)利用了放電時間間隔進(jìn)行充電，實(shí)現(xiàn)了放電與充電交替進(jìn)行，且發(fā)生器對高壓電源的充電速率幾乎沒有任何要求，幾乎可以滿足任意重復(fù)頻率，允許的最大放電重復(fù)頻率可達(dá)5MHz以上(間隔小于200ns)，滿足5kV以上高壓衰減振蕩發(fā)生器技術(shù)要求，也完全可以覆蓋包括軍方和民用所有開放試驗(yàn)要求;其次，基于串聯(lián)諧振電路可降低系統(tǒng)對高壓充電電源的設(shè)計(jì)要求，且采用低通濾波單元將可將高頻噪聲濾除，換流回路保證了放電脈沖的可重復(fù)性，即連續(xù)多次放電；再次，其電壓放大單元解決了 DAC高頻小信號升壓和發(fā)生器阻抗變換問題;其次，其高壓電源充電端子、電子開關(guān)的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一存能模塊，且存能模塊由低速儲能電容、中速儲能電容、高速儲能電容并聯(lián)組成，很好地解決了快速蓄能與造價之間的矛盾;也具有自動糾錯波形功能，保證了衰減振蕩波電壓發(fā)生器輸出的波形與諧振電路輸出的波形一致性。
[0025]上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其特征在于:包括:依次串聯(lián)連接的高壓電源充電端子(I)、電子開關(guān)(2)、諧振電路(3)、運(yùn)算放大器(4)和電壓放大單元(5)，所述高壓電源充電端子(I)、電子開關(guān)(2)的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一存能模塊(6)，所述電子開關(guān)(2)、諧振電路(3)之間的接點(diǎn)與接地之間設(shè)置有一換流回路(7)，所述諧振電路(3)和運(yùn)算放大器(4)之間設(shè)置有一低通濾波單元(8)，此低通濾波單元(8)的輸出端連接到運(yùn)算放大器(4)的反相端，所述運(yùn)算放大器(4)的同相端通過電阻接地，所述電壓放大單元(5)與運(yùn)算放大器(4)相背的一端連接有一阻抗變換單元(9); 所述電壓放大單元(5)進(jìn)一步包括第一三極管(Q1)、第二三極管(Q2)和二極管(D1)，第一三極管(Q1)、第二三極管(Q2)各自的基極均與運(yùn)算放大器(4)連接，所述二極管(Dl)位于第一三極管(Q1)、第二三極管(Q2)各自的集電極之間；所述阻抗變換單元(9)進(jìn)一步包括第三三極管(Q3)、第四三極管(Q4)，此第三三極管(Q3)、第四三極管(Q4)各自的基極分別與第一三極管(Ql)、第二三極管(Q2 )各自的發(fā)射極連接，第三三極管(Q3 )、第四三極管(Q4 )各自發(fā)射極的接點(diǎn)作為所述振蕩波高壓發(fā)生器的輸出端； 所述電子開關(guān)(2)進(jìn)一步包括:方波發(fā)生器(21)、推挽電路(22)、微分電路(23)、變壓器(24)、模擬比較單元(25)、RS觸發(fā)器(26)和功率單元(27)，所述方波發(fā)生器(21)與推挽電路(22)之間設(shè)置有一非門，所述推挽電路(22)的輸出端連接到微分電路(23)的輸入端，所述變壓器(24)次級側(cè)具有次級線圈，所述次級線圈與模擬比較單元(25)、RS觸發(fā)器(26)和功率單兀(27)依次串聯(lián)； 所述微分電路(23)的輸出端連接到變壓器初級側(cè)的初級線圈，所述次級線圈均依次連接有所述模擬比較單元(25)、RS觸發(fā)器(26)，此RS觸發(fā)器(26)的輸出端連接到所述功率單元(27); 所述模擬比較單元(25)包括并聯(lián)連接的第一模擬比較器(251)、第二模擬比較器(252),此第一模擬比較器(251)的同相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第一模擬比較器(251)的反相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接，此第二模擬比較器(252)的反相輸入端與次級線圈的高電位輸出端連接，此第二模擬比較器(252)的同相輸入端與次級線圈的低電位輸出端連接； 所述RS觸發(fā)器(26)和功率單元(27)之間設(shè)置有推挽放大電路(28)，模擬比較單元(25)內(nèi)第一模擬比較器(251)、第二模擬比較器(252)各自的反相輸入端作為相應(yīng)的參考地電位端，該參考地電位端作為功率單元(27 )、推挽放大電路(28 )的接地端;所述功率單元(27 )兩端分別連接高壓電源充電端子(21)和諧振電路(23);—由第2電容和第3電阻并聯(lián)組成的反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(10)連接于運(yùn)算放大器(4)的同相端和振蕩波高壓發(fā)生器的輸出端之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其特征在于:所述低通濾波單元(8)由第2電阻和第I電容組成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其特征在于:所述微分電路(23)包括電容(Cl)和Rl電阻，此電容(Cl)與變壓器(24)的初級線圈串聯(lián)，所述Rl電阻與初級線圈并聯(lián)。4.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其特征在于:所述存能模塊(6)由低速儲能電容(61)、中速儲能電容(62)、高速儲能電容(63)并聯(lián)組成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁兼容試驗(yàn)用衰減振蕩波電壓發(fā)生器，其特征在于:所述高速儲能電容(63)、中速儲能電容(62)和低速儲能電容(61)分別采用云母電容、聚丙烯薄膜電容和電解電容。
【文檔編號】G01R1/28GK106018894SQ201610284037
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月3日
【發(fā)明人】陳鵬, 于輝, 黃學(xué)軍
【申請人】蘇州泰思特電子科技有限公司