功率mos失效位置的判定方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種功率MOS失效位置的判定方法，包含：步驟1，去除樣品芯片表面鈍化層，暴露出金屬；步驟2，采用亮點(diǎn)定位工具定位出亮點(diǎn)；步驟3，采用激光成像技術(shù)，記錄下亮點(diǎn)及其周?chē)木Я５男蚊?；步驟4，在亮點(diǎn)附近做出標(biāo)記位置；步驟5，在聚焦離子束機(jī)臺(tái)下找到標(biāo)記位置，并找到亮點(diǎn)對(duì)應(yīng)的晶粒交界，進(jìn)行切片分析，從而找到失效位置。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
功率MOS失效位置的判定方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域，特別是指一種功率M0S失效位置的判定方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]功率M0S是多子導(dǎo)電性器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、易驅(qū)動(dòng)、不存在二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用非常廣泛。功率M0S的特點(diǎn)是器件頂層有大面積金屬遮蔽，在金屬下方是大量重復(fù)cell (體胞)單元。[〇〇〇3]傳統(tǒng)針對(duì)集成電路的失效分析，尤其是失效定點(diǎn)技術(shù)，可以根據(jù)發(fā)光位置，這個(gè)發(fā)光點(diǎn)位置，周?chē)胁煌碾娐凡季€，很容易通過(guò)版圖找到這個(gè)位置，在后續(xù)的物理失效分析中，只要結(jié)合版圖數(shù)據(jù)逐層去研究，就可以最終找到失效根源從而輕易找到失效位置，如圖 1所示。但是對(duì)于功率M0S，頂層具有大量的金屬遮蔽，如圖2中所示，而在金屬遮蔽之下是大量的相同的體胞，為重復(fù)單元，所有的cell周?chē)际窍嗤腸ell，很難進(jìn)行進(jìn)一步的定位， 因?yàn)榱咙c(diǎn)附近全部都一樣，即沒(méi)有特征圖形，無(wú)法找到具體失效位置，給失效分析定位帶來(lái)了困難。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種功率M0S失效位置的判定方法，解決功率 M0S失效位置難以確定的問(wèn)題。
[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種功率M0S失效位置的判定方法，包含如下的步驟:
[0006]步驟1，去除樣品芯片表面鈍化層，暴露出金屬；
[0007]步驟2,采用亮點(diǎn)定位工具定位出亮點(diǎn)；
[0008]步驟3,采用激光成像技術(shù)，記錄下亮點(diǎn)及其周?chē)木Я５男蚊玻?br>[0009]步驟4,在亮點(diǎn)附近做出標(biāo)記位置；
[0010]步驟5,在聚焦離子束機(jī)臺(tái)下找到標(biāo)記位置，并找到亮點(diǎn)對(duì)應(yīng)的晶粒交界，進(jìn)行切片分析，從而找到失效位置。[〇〇11]所述步驟1中，去除表面鈍化層采用反應(yīng)離子刻蝕機(jī)臺(tái)。
[0012]所述步驟2中，亮點(diǎn)定位工具包含但不僅限于EMM1、0BIRCH、LC。
[0013]所述步驟4中，標(biāo)記位置距離亮點(diǎn)5?50_，采用激光打出標(biāo)記。
[0014]本發(fā)明所述的功率M0S失效位置的判定方法，可以簡(jiǎn)單方便地定位失效芯片的失效位置，便于對(duì)缺陷進(jìn)行及時(shí)有效地分析。本發(fā)明所述的方式不僅適用于功率M0S這種有大量重復(fù)體胞單元的芯片，對(duì)于其他的芯片也同樣適用?！靖綀D說(shuō)明】
[0015]圖1是集成電路亮點(diǎn)定位示意圖。
[0016]圖2是功率M0S器件頂視圖以及去除表面金屬后的體胞圖。
[0017]圖3是去除芯片表面鈍化層之后的示意圖。[0〇18]圖4是米用殼點(diǎn)定位工具定位殼點(diǎn)不意圖。
[0019]圖5是激光成像記錄下亮點(diǎn)及其周?chē)木Я５男蚊驳氖疽鈭D。
[0020]圖6激光打出標(biāo)記位置示意圖。
[0021]圖7是切片分析示意圖。[〇〇22]圖8是本發(fā)明方法流程圖。【具體實(shí)施方式】
[0023]本發(fā)明所述的一種功率M0S失效位置的判定方法，包含如下的步驟:
[0024]步驟1，如圖3所示，采用反應(yīng)離子刻蝕機(jī)臺(tái)，將樣品芯片表面鈍化層去除，暴露出表面的金屬層。[〇〇25] 步驟2,采用亮點(diǎn)定位工具，如^11、(》11?01、^:等工具定位出亮點(diǎn)，如圖4中所示的斑點(diǎn)。
[0026]步驟3,采用激光成像技術(shù)，記錄下亮點(diǎn)及其周?chē)木Я５男蚊?，如圖5所示。[〇〇27]步驟4,如圖6所示，在亮點(diǎn)附近距離L為5?50wii的位置使用激光在表面做出標(biāo)記位置。
[0028]步驟5,在聚焦離子束機(jī)臺(tái)下找到圖6中所示的標(biāo)記位置，并找到亮點(diǎn)對(duì)應(yīng)的晶粒交界，進(jìn)行切片分析，從而找到失效位置，在該切面圖像下可以看到芯片的具體缺陷如圖7 所示，分析該缺陷的成因，可對(duì)后續(xù)的工藝進(jìn)行調(diào)整。
[0029]以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本發(fā)明。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種功率MOS失效位置的判定方法，其特征在于:包含如下的步驟:步驟1，去除樣品芯片表面鈍化層，暴露出金屬；步驟2,采用亮點(diǎn)定位工具定位出亮點(diǎn)；步驟3,采用激光成像技術(shù)，記錄下亮點(diǎn)及其周?chē)木Я５男蚊?；步驟4，在亮點(diǎn)附近做出標(biāo)記位置；步驟5,在聚焦離子束機(jī)臺(tái)下找到標(biāo)記位置，并找到亮點(diǎn)對(duì)應(yīng)的晶粒交界，進(jìn)行切片分 析，從而找到失效位置。2.如權(quán)利要求1所述的功率M0S失效位置的判定方法，其特征在于:所述步驟1中，去除 表面鈍化層采用反應(yīng)離子刻蝕機(jī)臺(tái)。3.如權(quán)利要求1所述的功率M0S失效位置的判定方法，其特征在于:所述步驟2中，亮點(diǎn) 定位工具包含但不僅限于EMM1、OBIRCH、LC。4.如權(quán)利要求1所述的功率MOS失效位置的判定方法，其特征在于:所述步驟4中，標(biāo)記 位置距離亮點(diǎn)5?50M1，采用激光打出標(biāo)記。
【文檔編號(hào)】G01R31/311GK106019118SQ201610329281
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月18日
【發(fā)明人】馬香柏
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司