電子器件、電子器件的制造方法、電子設備以及移動體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供電子器件、電子器件的制造方法、電子設備以及移動體，具有接合強度高且能夠比較簡單地制造的金屬膜結(jié)構(gòu)。電子器件(100)具有：基材(110)；第1金屬膜(121)，其配置在基材(110)上，含有氮和鉻；以及第2金屬膜(122)，其配置在第1金屬膜(121)上，含有金，在第1金屬膜(121)中，氮原子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20％以上且100％以下。并且，對于第1金屬膜(121)中的氮原子的分布，被第1金屬膜(121)的基材(110)側(cè)的第1區(qū)域和第2金屬膜(122)側(cè)的第2區(qū)域夾著的第3區(qū)域比第1區(qū)域和第2區(qū)域大。
【專利說明】
電子器件、電子器件的制造方法、電子設備以及移動體
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及電子器件、電子器件的制造方法、電子設備以及移動體。
【背景技術】
[0002] 例如，作為各種電子器件中使用的電極，以往使用使Cr(鉻）層和Au(金)層層疊而 成的結(jié)構(gòu)，然而在這樣的結(jié)構(gòu)中，由于在制造中受到的熱等而使Cr層中的Cr擴散到Au層，Cr 層與Au層的接合強度(密合性)下降，導致Au層容易剝離。為了解決這樣的問題，在專利文獻 1中，作為電極，公開了在Cr層與Au層之間配置Ni(鎳)層的結(jié)構(gòu)。并且，在專利文獻2中，作為 電極，公開了在Cr層與Au層之間配置Ni-W(鎳-鎢)層的結(jié)構(gòu)。并且，在專利文獻3中公開了這 樣的結(jié)構(gòu):對Cr層的表面進行氮等離子體處理并形成CrN(氮化鉻），在其上配置Au層。
[0003] 專利文獻1:日本特開2013-243452號公報 [0004] 專利文獻2:日本特開2013-172368號公報
[0005] 專利文獻3:日本特開2007-013384號公報
[0006] 然而，在專利文獻1、2中，由于必須在Cr層與Au層之間形成防止Cr擴散的別的層， 因此電極的結(jié)構(gòu)復雜化，形成電極的工序也復雜化。另一方面，在專利文獻3中，氮等離子體 處理的加減困難，存在由于CrN層內(nèi)的N的分布而使CrN層與Au層的接合強度下降的可能性。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本發(fā)明的目的是提供一種具有接合強度高且能夠比較簡單地制造的金屬膜結(jié)構(gòu) 的電子器件、電子器件的制造方法、電子設備以及移動體。
[0008] 本發(fā)明是為了解決上述課題中的至少一部分而作成的，能夠作為以下的方式或者 應用例來實現(xiàn)。
[0009] 本應用例的電子器件，其特征在于，所述電子器件具有:基材，其具有第1面;第1金 屬膜，其配置在所述第1面上，含有氮和鉻；以及第2金屬膜，其配置在所述第1金屬膜的與所 述第1面相反一側(cè)的面上，含有金，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的數(shù)量是 鉻原子的數(shù)量的20%以上且100%以下的區(qū)域。
[0010] 由此，能夠提高第1金屬膜與第2金屬膜的接合強度。并且，根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠 比較簡單地制造電子器件。
[0011] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的 數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20%以上且50%以下的區(qū)域。
[0012] 由此，能夠進一步提高由第1金屬膜和第2金屬膜構(gòu)成的金屬膜結(jié)構(gòu)體與基材的接 合強度。
[0013] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的 數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的40%以上且100%以下的區(qū)域。
[0014]由此，例如能夠進一步提高第2金屬膜與鍵合線的接合強度。
[0015]在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的 數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的40%以上且50%以下的區(qū)域。
[0016]由此，能夠進一步提高由第1金屬膜和第2金屬膜構(gòu)成的金屬膜結(jié)構(gòu)體與基材的接 合強度，同時能夠進一步提高第2金屬膜與鍵合線的接合強度。
[0017]本應用例的電子器件，其特征在于，所述電子器件具有:基材，其具有第1面;第1金 屬膜，其配置在所述第1面上，含有氮和鉻；以及第2金屬膜，其配置在所述第1金屬膜的與所 述第1面相反一側(cè)的面上，含有金，所述第1金屬膜具有:位于所述基材側(cè)的第1區(qū)域、位于所 述第2金屬膜側(cè)的第2區(qū)域、和被所述第1區(qū)域與所述第2區(qū)域夾著的第3區(qū)域，所述第3區(qū)域 包含氮原子的分布比所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域大的區(qū)域。
[0018]由此，能夠提高第1金屬膜與第2金屬膜的接合強度。并且，根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠 比較簡單地制造電子器件。
[0019] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的 數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20%以上且100%以下的區(qū)域。
[0020] 由此，能夠進一步提高第1金屬膜與第2金屬膜的接合強度。
[0021] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的 數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20%以上且50%以下的區(qū)域。
[0022] 由此，能夠進一步提高由第1金屬膜和第2金屬膜構(gòu)成的金屬膜結(jié)構(gòu)體與基材的接 合強度。
[0023] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的 數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的40%以上且100%以下的區(qū)域。
[0024]由此，例如能夠進一步提高第2金屬膜與鍵合線的接合強度。
[0025] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的 數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的40%以上且50%以下的區(qū)域。
[0026] 由此，能夠進一步提高由第1金屬膜和第2金屬膜構(gòu)成的金屬膜結(jié)構(gòu)體與基材的接 合強度，同時能夠進一步提高第2金屬膜與鍵合線的接合強度。
[0027] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述基材包含石英、玻璃和硅中的一方。
[0028] 由此，例如能夠?qū)㈦娮悠骷糜诖钶d振動元件、電子部件的基板等，便利性提 尚。
[0029] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述電子器件具有:壓電基板；
[0030] 激勵電極，其配置在所述壓電基板上；以及連接電極，其配置在宿舍壓電基板上， 與所述激勵電極電連接，所述基材是所述壓電基板，所述激勵電極和所述連接電極中的至 少一方具有所述第1金屬膜和所述第2金屬膜。
[0031] 由此，得到具有優(yōu)異的特性的振動元件。
[0032] 本應用例的電子器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含以下工序:制備 基材的工序;第1成膜工序，在所述基材上，在含有氮的氛圍下通過濺射使含有鉻的第1金屬 膜成膜;以及第2成膜工序，在所述第1金屬膜上，通過濺射使含有金的第2金屬膜成膜。 [0033]由此，能夠提高第1金屬膜與第2金屬膜的接合強度，能夠容易制造具有機械強度 高的金屬膜結(jié)構(gòu)體的電子器件。
[0034]在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1成膜工序是以具有下述區(qū)域的方式成膜的 工序，在該區(qū)域中，所述第1金屬膜中的氮原子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20%以上且100% 以下。
[0035] 由此，能夠進一步提高由第1金屬膜和第2金屬膜構(gòu)成的金屬膜結(jié)構(gòu)體與基材的接 合強度。
[0036] 在上述的應用例中，優(yōu)選的是，所述第1成膜工序是以具有下述區(qū)域的方式成膜的 工序，在該區(qū)域中，對于所述第1金屬膜中的氮原子的分布，被所述第1金屬膜的所述基材側(cè) 的第1區(qū)域和所述第2金屬膜側(cè)的第2區(qū)域夾著的第3區(qū)域比所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域大。 [0037]由此，能夠進一步提高第1金屬膜與第2金屬膜的接合強度。
[0038] 本應用例的電子設備，其特征在于，所述電子設備具有上述的電子器件。
[0039] 由此，得到可靠性高的電子設備。
[0040] 本應用例的移動體，其特征在于，所述移動體具有上述的電子器件。
[0041] 由此，得到可靠性高的移動體。
【附圖說明】
[0042] 圖1是本發(fā)明的第1實施方式的電子器件的剖視圖。
[0043] 圖2是示出現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的電子器件的元素分布的曲線圖。
[0044] 圖3是示出圖1所示的電子器件的元素分布的曲線圖。
[0045] 圖4是示出減少Cr(鉻)原子的擴散的原理的示意圖。
[0046] 圖5是示出金屬膜結(jié)構(gòu)體與基材的密合強度的曲線圖。
[0047] 圖6是說明SAICAS法的圖。
[0048]圖7是示出第2金屬膜與鍵合線的接合強度的曲線圖。
[0049]圖8是說明分開試驗的圖。
[0050] 圖9是示出第1金屬膜中的N(氮)原子的分布的圖。
[0051] 圖10是說明圖1所示的電子器件的制造方法的剖視圖。
[0052]圖11是說明圖1所示的電子器件的制造方法的剖視圖。
[0053]圖12是說明圖1所示的電子器件的制造方法的剖視圖。
[0054]圖13是說明圖1所示的電子器件的制造方法的剖視圖。
[0055]圖14是從上側(cè)觀察作為本發(fā)明的第2實施方式的電子器件的振動元件的立體圖。
[0056 ]圖15是從下側(cè)觀察圖14所示的振動元件的立體圖。
[0057] 圖16是圖14中的A-A線剖視圖。
[0058]圖17是示出加熱處理后的石英基板的撓曲的曲線圖。
[0059] 圖18是示出圖14所示的振動元件的頻率溫度特性的偏差的曲線圖。
[0060] 圖19是示出現(xiàn)有的振動元件的頻率溫度特性的偏差的曲線圖。
[0061] 圖20是從上側(cè)觀察作為本發(fā)明的第3實施方式的電子器件的振動元件的立體圖。
[0062 ]圖21是從下側(cè)觀察圖2 0所示的振動元件的立體圖。
[0063] 圖22是圖20中的B-B線剖視圖。
[0064] 圖23是本發(fā)明的第4實施方式的電子器件的剖視圖。
[0065] 圖24是本發(fā)明的第5實施方式的電子器件即振子的剖視圖。
[0066] 圖25是示出接合前的基底和蓋的放大剖視圖。
[0067]圖26是作為電子器件的變型例的振蕩器的剖視圖。
[0068]圖27是作為本發(fā)明的第6實施方式的電子器件的振動元件的剖視圖。
[0069]圖28是說明圖27所示的振動元件的制造方法的剖視圖。
[0070]圖29是說明圖27所示的振動元件的制造方法的剖視圖。
[0071]圖30是說明圖27所示的振動元件的制造方法的剖視圖。
[0072]圖31是示出樣品1的撓曲量的曲線圖。
[0073]圖32是示出樣品3的撓曲量的曲線圖。
[0074]圖33是示出樣品1的頻率溫度特性的偏差的曲線圖。
[0075]圖34是示出樣品2的頻率溫度特性的偏差的曲線圖。
[0076] 圖35是示出樣品3的頻率溫度特性的偏差的曲線圖。
[0077] 圖36是示出應用了本發(fā)明的電子設備的移動型（或筆記本型）的個人計算機的結(jié) 構(gòu)的立體圖。
[0078] 圖37是示出應用了本發(fā)明的電子設備的便攜電話機(還包含PHS)的結(jié)構(gòu)的立體 圖。
[0079] 圖38是示出應用了本發(fā)明的電子設備的數(shù)字照相機的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0080] 圖39是示出應用了本發(fā)明的移動體的汽車的立體圖。
[0081 ] 標號說明
[0082] 100:電子器件；110:基材；120:金屬膜結(jié)構(gòu)體；121:第1金屬膜；122:第2金屬膜； 200:振動元件;210:石英基板;220:電極;22U221A:第1金屬膜;222、222A:第2金屬膜;230: 第1電極;231 :激勵電極;232:連接電極;233:布線電極;240:第2電極;241 :激勵電極;242: 連接電極;243:布線電極;300:振動元件；310:石英基板;311:基部;312、313:振動臂；320: 電極;321:第1金屬膜;322:第2金屬膜;330:第1電極;331:激勵電極;332:連接電極;333:布 線電極;340:第2電極;341 :激勵電極;342:連接電極;343:布線電極;400:電子器件;410:電 子部件搭載基板;420:基板;430:端子;431:第1金屬膜;432:第2金屬膜;440:端子;441:第1 金屬膜;442:第2金屬膜;470:過孔;490:電子部件;500:振子;510:封裝;520:基底;521:凹 部;530:內(nèi)部端子;540:外部端子;560:導電性接合部件;580:接合層;590:蓋;600:振蕩器； 610:1C芯片;620:連接端子；1100:個人計算機；1102:鍵盤；1104:主體部；1106:顯示單元； 1108:顯示部；1200:便攜電話機；1202:操作按鈕；1204:接聽口； 1206通話口； 1208:顯示部； 1300:數(shù)字照相機；1302:殼體；1304:受光單元；1306 :快門按鈕；1308:存儲器；1310:顯示 部；1500:汽車;BW:鍵合線;S:收容空間；S1:第1區(qū)域;S2:第2區(qū)域;S3:第3區(qū)域。
【具體實施方式】
[0083]以下，根據(jù)附圖所示的實施方式，對本發(fā)明的電子器件、電子器件的制造方法、電 子設備以及移動體進行詳細說明。
[0084]〈第1實施方式〉
[0085]圖1是本發(fā)明的第1實施方式的電子器件的剖視圖。圖2是示出現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的電子器 件的元素分布的曲線圖。圖3是示出圖1所示的電子器件的元素分布的曲線圖。圖4是示出減 少Cr(鉻)原子的擴散的原理的示意圖。圖5是示出金屬膜結(jié)構(gòu)體與基材的密合強度的曲線 圖。圖6是說明SAICAS法的圖。圖7是示出第2金屬膜與鍵合線的接合強度的曲線圖。圖8是說 明分開試驗的圖。圖9是示出第1金屬膜中的N(氮)原子的分布的圖。圖10至圖13是分別說明 圖1所示的電子器件的制造方法的剖視圖。另外，以下，為了便于說明，將圖1中的上側(cè)設定 為"上"，將下側(cè)設定為"下"。
[0086] 如圖1所示，電子器件100至少一部分包含基材110和配置在基材110上的金屬膜結(jié) 構(gòu)體120。作為基材110,不作特別限定，例如，可以是后述的第2、第3實施方式那樣的振動基 板，也可以是后述的第4實施方式那樣的電子部件搭載基板。并且，作為基材110的構(gòu)成材 料，不作特別限定，例如，可以使用各種玻璃材料、各種樹脂材料、各種金屬材料、各種陶瓷 材料、各種壓電體材料等。另一方面，作為金屬膜結(jié)構(gòu)體120的用途，不作特別限定，例如在 基材110是所述的振動基板的情況下，可以用作使振動基板激勵的激勵電極等，在基材110 是構(gòu)成所述的電子部件搭載基板的情況下，可以用作端子或接合層。即，金屬膜結(jié)構(gòu)體120 不管是用于或不用于輸送電信號的金屬膜結(jié)構(gòu)體，都能應用于廣泛的用途。
[0087] 下面，對金屬膜結(jié)構(gòu)體120進行詳細說明。金屬膜結(jié)構(gòu)體120為雙層層疊結(jié)構(gòu)，其具 有:配置在基材110的上表面(第1面)上的第1金屬膜121、和配置在第1金屬膜121的上表面 (與基材110相反一側(cè)的面)上的第2金屬膜122。第1金屬膜121主要具有提高基材110與第2 金屬膜122的密合性的功能，第2金屬膜主要具有用于將金屬膜結(jié)構(gòu)體120整體作為導電體 即用于傳導電的導體膜的功能、或者提高與其它部件的接合強度的功能。
[0088]第2金屬膜122由Au(金）構(gòu)成。由此，成為導電性、接合性優(yōu)異的第2金屬膜122。如 在后述的制造方法中所說明那樣，該第2金屬膜122是通過利用濺射(sputtering)使Au成膜 而形成的。另外，第2金屬膜122除了 Au以外，還可以含有別的金屬元素和非金屬元素(例如， Si (硅）、0(氧）等）等。并且，作為第2金屬膜122的平均厚度，不作特別限定，例如，優(yōu)選是 10nm以上且lOOOnm以下的程度，更優(yōu)選是100nm以上且300nm以下的程度，進一步優(yōu)選是 110nm以上且120nm以下的程度。
[0089] 另一方面，第1金屬膜121由Cr(鉻)和N(氮)構(gòu)成。如在后述的制造方法中所說明那 樣，該第1金屬膜121是通過在含有N的氣體氛圍中利用濺射使Cr成膜而形成的。根據(jù)這樣的 方法，能夠容易使第1金屬膜121成膜。并且，第1金屬膜121中的N原子的數(shù)量Nn是Cr原子的 數(shù)量N Cr的20 % (atm% (原子百分比））以上且100 %以下。即，Nn/N&是20 %以上且100 %以下。 另外，第1金屬膜121除了 Cr、N以外，還可以含有別的金屬元素或非金屬元素(例如，Si(硅）、 〇(氧)等)等。并且，作為第1金屬膜121的平均厚度，不作特別限定，例如，優(yōu)選是2nm以上且 300nm以下的程度，更優(yōu)選是2nm以上且5nm以下的程度。由此，能夠在充分發(fā)揮提高基材110 與第2金屬膜122的密合性的功能的同時，使第1金屬膜121盡量薄。
[0090] 這里，圖2作為現(xiàn)有例，示出在與第1金屬膜121對應的金屬膜由Cr構(gòu)成、并且與第2 金屬膜122對應的金屬膜由Au構(gòu)成的情況下的Au/Cr層疊金屬膜內(nèi)的Cr的擴散狀態(tài)，圖3示 出本實施方式的金屬膜結(jié)構(gòu)體120內(nèi)的Cr的擴散狀態(tài)。另外，圖2和圖3所示的數(shù)據(jù)是使用石 英基板作為基材110,通過濺射使第1金屬膜121、與第1金屬膜121對應的金屬膜、第2金屬膜 122以及與第2金屬膜122對應的金屬膜成膜之后，在260°CX 2小時的條件下進行加熱處理 后的分析結(jié)果。通過使用了ULVAC-PHI公司制造的"Quanterall(裝置名稱)"的X射線光電子 能譜法（XPS:X_ray Photoelectron Spectroscopy)進行。
[0091] 另外，分析裝置不限于上述的分析裝置，使用利用X射線光電子能譜法的其它分析 裝置、或者二次離子質(zhì)量分析法、電子線微觀分析法、俄歇電子能譜分析法、熒光X射線分析 法等的定性定量分析法，也可以進行相同的分析。并且，第1金屬膜121中的N原子的數(shù)量Nn 和Cr原子的數(shù)量NCr可以使用在第1金屬膜121的1個部位所測定的結(jié)果來確定，然而優(yōu)選的 是，可以使用與第1金屬膜121和第2金屬膜122重合的方向交叉的方向、即在第1金屬膜121 的面內(nèi)的多個部位例如2個部位至10個部位所測定的結(jié)果的平均值來確定。并且，在有多個 測定部位的情況下，各自的測定部位也可以是相鄰的測定部位大致等間隔地呈直線狀或平 面狀排列。用于確定第1金屬膜121中的N原子的數(shù)量Nn和Cr原子的數(shù)量N Cr的測定區(qū)域(上述 的1個部位處的測定區(qū)域，換句話說是1個部位處的測定面積)的大小不作特別限定，只要是 在使用上述的分析裝置時能夠設定的范圍即可。
[0092] 將圖2和圖3進行對比可知，通過采用本實施方式的結(jié)構(gòu)，跟與第1金屬膜121對應 的金屬膜由Cr構(gòu)成的情況、即在與第1金屬膜121對應的金屬膜中大體不含有N的情況相比 較，第1金屬膜121穩(wěn)定，第1金屬膜121中的Cr不擴散到第2金屬膜122內(nèi)。這被認為是因為， 如圖4所示，在第1金屬膜121中存在Cr xNy(x、y是1以上的整數(shù))和Cr，將Cr要擴散到第2金屬 膜122的力設定為Fa，將Cr要擴散到基材110的力設定為Fb，將Cr之間相吸的力設定為Fc，將 Cr xNy與Cr相吸的力設定為Fd，此時成為Fb> >Fd> >Fa> >Fc的關系。
[0093] 因此，與現(xiàn)有例相比較，由于第1金屬膜121中的Cr擴散到第2金屬膜122中的可能 性降低，因此能夠降低第1金屬膜121與第2金屬膜122的密合性的下降，能夠降低第2金屬膜 122的剝離。并且，由于第1金屬膜121中的Cr擴散到基材110中的可能性降低，因此能夠降低 基材110與第1金屬膜121的密合性(即，金屬膜結(jié)構(gòu)體120整體與基材110的密合性)的下降。 圖5是不出使用SAICAS(Surface And Interfacial Cutting Analysis System，表面與界 面切割分析系統(tǒng)）法測定基材110與金屬膜結(jié)構(gòu)體120的密合強度的結(jié)果的曲線圖。另外， SAICAS法是這樣的測定方法:如圖6所示，使用銳利的切刃從金屬膜結(jié)構(gòu)體120的表面連續(xù) 切削，根據(jù)金屬膜結(jié)構(gòu)體120內(nèi)的切削力求出剪切強度，根據(jù)界面切削中的力求出附著強 度。并且，該測定使用夕歹一公司制造的"SAICAS-NN(裝置名稱)"來進行。 另外，用于測定基材110與金屬膜結(jié)構(gòu)體120的密合強度的裝置不限于上述的裝置，使用利 用相同的測定方法的其它裝置，也可以進行相同的測定。如圖5所示可知，在N N/NCr是20%以 上且50 %以下的范圍內(nèi)，基材110與金屬膜結(jié)構(gòu)體120的密合性高。這樣的效果以下也稱為 "第1效果"。
[0094] 并且，與現(xiàn)有例相比較，第1金屬膜121中的Cr擴散到第2金屬膜122中的可能性降 低，第2金屬膜122中的Cr原子的數(shù)量降低，因此降低了Cr朝第2金屬膜122表面的析出，降低 了在第2金屬膜122的表面形成Cr氧化而成的Cr氧化膜的可能性。Cr氧化膜與Cr膜或Au膜相 比較，Cr氧化膜與金屬的密合性不良，因此第2金屬膜122表面處的Cr氧化膜少的話會使得 與其它金屬、例如鍵合線或金屬膜等金屬結(jié)構(gòu)物的接合強度提高。因此，例如能夠使第2金 屬膜122和鍵合線BW以高的接合強度連接。這里，圖7是示出通過分開試驗(Share test)來 測定第2金屬膜122與鍵合線BW的接合強度的結(jié)果的曲線圖。分開試驗是如圖8所示地使用 工具擠壓接合部來測定破壞時的荷載的方法。如圖7所示可知，在N N/NCr是20 %以上且100 % 以下的范圍內(nèi)，優(yōu)選的是在40%以上且100%以下的范圍內(nèi)，第2金屬膜122與鍵合線BW的接 合強度高。這樣的效果以下也稱為"第2效果"。
[0095] 這樣，在NN/NCr是20%以上且50%以下的范圍內(nèi)能特別發(fā)揮第1效果，在NN/N Cr是 40%以上且100%以下的范圍內(nèi)能特別發(fā)揮第2效果，因此，特別優(yōu)選NN/NCr是40%以上且 50%以下的范圍內(nèi)。由此，能夠?qū)⒌?金屬膜121與第2金屬膜122的密合性維持得高并同時 發(fā)揮第1效果和第2效果。
[0096]另外，當NN/NCr不到20%時，當加熱時，導致第1金屬膜121中的Cr擴散到第2金屬膜 122中，第1金屬膜121與第2金屬膜122的密合性下降。并且，Cr析出到第2金屬膜122的表面， 在第2金屬膜122的表面容易形成Cr氧化而成的Cr氧化膜，與鍵合線BW的連接強度下降。相 反，在N N/NCr大于100 %的情況下，第1金屬膜121與基材110的密合性變低，金屬膜結(jié)構(gòu)體120 從基材110剝離的可能性增大。
[0097] 并且，從圖3和圖9可知，對于第1金屬膜121中的N原子的分布，被第1金屬膜121的 基材110側(cè)的第1區(qū)域S1和第2金屬膜122側(cè)的第2區(qū)域S2夾著的第3區(qū)域S3(中央部）比第1區(qū) 域S1和第2區(qū)域S2大。更具體地，從第1、第2區(qū)域S1、S2朝向第3區(qū)域S3，N原子的分布量漸增。 通過具有這樣的分布，能夠減少第1、第2區(qū)域S1、S2中的Cr xNy的數(shù)量過多的情況，能夠抑制 第1金屬膜121與第2金屬膜122和基材110的密合性的下降。并且，能夠在發(fā)揮這樣的效果的 同時，使第1金屬膜121中的Cr xNy的數(shù)量更多，因此能夠更有效地降低Cr的擴散。因此，成為 接合強度更高的金屬膜結(jié)構(gòu)體120,并且，能夠使鍵合線BW以更高的接合強度與金屬膜結(jié)構(gòu) 體120連接。另外，第1金屬膜121即使不是在第1金屬膜121中的整個區(qū)域中具有上述的第1 區(qū)域、第2區(qū)域和第3區(qū)域，只要在第1金屬膜121中包含具有上述的第1區(qū)域、第2區(qū)域和第3 區(qū)域的區(qū)域，就能夠取得上述的效果中的至少一部分效果。
[0098] 以上，對電子器件100作了說明。另外，在本實施方式中，在基材110的上表面配置 有第1金屬膜121，然而例如，也可以在基材110與第1金屬膜121之間介有別的膜或部件。并 且，也可以在第2金屬膜122的與跟第1金屬膜121相接的面相反一側(cè)的面上進一步層疊金屬 膜。
[0099]并且，盡管未作特別限定，第1金屬膜121的上表面（即，第1金屬膜121與第2金屬膜 122的界面)例如可以定義為以Cr原子整體的95%包含在第1金屬膜121內(nèi)的方式設定的面。 [0100]并且，關于第1金屬膜121上下方向上的區(qū)域、即第1金屬膜121的范圍，例如還可以 將以Cr原子的數(shù)量最大這一點為基準包含有Cr原子整體的95%的范圍定義為第1金屬膜 121的上表面和下表面。
[0101]并且，在本實施方式中，在第1金屬膜121內(nèi)含有氮(N)和鉻(Cr)，然而不限于此，也 可以取代Cr而含有鈦(Ti)、鎳(Ni)、鎢(W)，鎳-鎢(鎳-鎢)等。而且，在本實施方式中，在第2 金屬膜122內(nèi)含有金(Au)，然而不限于此，也可以取代Au而含有銀(Ag)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鋁 (A1)等。并且，第1金屬膜121即使不是在第1金屬膜121的全部區(qū)域內(nèi)滿足上述的N N/NCr的范 圍，只要在第1金屬膜121中包含滿足上述的NN/N Cr的范圍的區(qū)域，就也可以取得上述的效果 中的至少一部分效果。
[0102] 下面，對電子器件100的制造方法進行說明。電子器件100的制造方法具有:第1成 膜工序，如圖11所示，在基材110上，在含有N(氮）的氣體氛圍下對Cr進行濺射來使第1金屬 膜121成膜;第2成膜工序，如圖12所示，在第1金屬膜121上，對Au進行濺射來使第2金屬膜 122成膜；以及構(gòu)圖工序，如圖13所示，使用光刻技法和蝕刻技法來對第2金屬膜121、122進 行構(gòu)圖。另外，含有N的氣體除了例如氮(N)以外，也還可以含有氬(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、氪 (Kr)、氙(Xe)等稀有氣體。
[0103] 并且，在第1成膜工序中，通過控制氛圍中的N的量(濃度），而如上所述地將第1金 屬膜121中的N原子的數(shù)量設定為Cr原子的數(shù)量的20%以上且100%以下。并且，對于第1金 屬膜121中的N原子的分布，能夠使第3區(qū)域S3比第1區(qū)域S1和第2區(qū)域S2大。由此，能夠形成 上述的第1金屬膜121，能夠發(fā)揮上述的效果。
[0104]根據(jù)這樣的制造方法，與以往相比較能夠在不增加工序的情況下形成金屬膜結(jié)構(gòu) 體120。并且，由于能夠在成膜第2金屬膜122之前使第1金屬膜121穩(wěn)定化，因此能夠在使第2 金屬膜122成膜之后，有效地降低第1金屬膜121中的Cr向第2金屬膜122的擴散。并且，根據(jù) 這樣的制造方法，還能夠連續(xù)進行第1成膜工序和第2成膜工序。即，在成膜工序中，還能夠 在不將基材110從用于對金屬膜進行制膜的腔(成膜室）內(nèi)取出的情況下連續(xù)進行第1成膜 工序和第2成膜工序，因此還能夠容易進行電子器件100的制造。
[0105] 〈第2實施方式〉
[0106] 圖14是從上側(cè)觀察作為本發(fā)明的第2實施方式的電子器件的振動元件的立體圖。 圖15是從下側(cè)觀察圖14所示的振動元件的立體圖。圖16是圖14中的A-A線剖視圖。圖17是示 出加熱處理后的石英基板的撓曲的曲線圖。圖18是示出圖14所示的振動元件的頻率溫度特 性的偏差的曲線圖。圖19是示出現(xiàn)有的振動元件的頻率溫度特性的偏差的曲線圖。
[0107] 以下，以與上述的實施方式的不同點為中心對第2實施方式的電子器件（振動元 件)進行說明，關于相同的事項，省略其說明。
[0108] 如圖14和圖15所示，電子器件即振動元件200具有石英基板(壓電基板)210和形成 在石英基板210上的電極220。在這樣的振動元件200中，石英基板210相當于所述的第1實施 方式的基材110,電極220相當于金屬膜結(jié)構(gòu)體120。
[0109] 石英基板210進行厚度剪切振動。當將石英的結(jié)晶軸設定為X軸（電軸）、Y軸(機械 軸)和Z軸(光軸)時，石英基板210是沿著使XZ面繞X軸旋轉(zhuǎn)預定角度0后的平面切出的"旋轉(zhuǎn) Y切石英基板"，在本實施方式中，特別是沿著旋轉(zhuǎn)0 = 35° 15'后的平面切出的"AT切石英基 板"。通過使用這樣的石英基板210,得到具有優(yōu)異的溫度特性的振動元件200。不過，作為石 英基板210,只要能夠激勵厚度剪切振動，就不限定于AT切石英基板，也可以使用例如BT切、 SC切的石英基板。另外，以下，將對應于角度0繞X軸旋轉(zhuǎn)后的Y軸和Z軸設定為Y'軸和Z'軸。
[0110] 石英基板210是在Y'軸方向上具有厚度、在XZ'面方向擴展的平板狀。并且，石英基 板210在平面視圖中，呈以X軸方向為長邊、以Z'軸方向為短邊的矩形形狀。不過，作為石英 基板210的平面視圖形狀，不作特別限定，例如，也可以是呈X軸方向和Z'軸方向的長度大致 相等的正方形狀，也可以是呈以X軸方向為短邊、以Z'軸方向為長邊的矩形形狀。并且，石英 基板210不限定于平板狀，振動區(qū)域在厚度方向上在兩個主面上突出的雙臺面?夕 f)型、振動區(qū)域在厚度方向上僅從一個主面突出的單臺面型，也可以是振 動區(qū)域凹下的倒臺面型，也可以實施對基板的周圍進行研磨的傾斜加工、使上表面和下表 面為凸曲面的雙凸加工、僅使一個面為凸曲面的單凸加工。另外，在雙臺面型或單臺面型 中，振動區(qū)域的突出形狀可以是僅一段突出的單段臺面形狀，也可以是2段以上突出的多段 臺面形狀。
[0111] 電極220具有第1電極230和第2電極240。并且，第1電極230具有:激勵電極231、連 接電極232、以及布線電極233。同樣，第2電極240具有:激勵電極241、連接電極242、以及布 線電極243。
[0112]激勵電極231配置在石英基板210的上表面(+Y'軸側(cè)的主面），激勵電極241配置在 石英基板210的下表面（一Y'軸側(cè)的主面），與激勵電極231對置。即，激勵電極231和激勵電 極241以夾住石英基板210、在平面視圖中重合的方式配置。并且，石英基板210的由激勵電 極231、241夾住的區(qū)域為厚度剪切振動被激勵的振動區(qū)域。并且，連接電極232、242在￥'軸 方向上排列配置在石英基板210的下表面的+X軸側(cè)的端部。并且，以使激勵電極231和連接 電極232連接的方式配置布線電極233,以使激勵電極241和連接電極242連接的方式配置布 線電極243。
[0113]如圖16所示，第1、第2電極230、240呈雙層層疊結(jié)構(gòu)，其具有：以與石英基板210的 表面相接的方式配置的第1金屬膜221、和以與第1金屬膜221的根石英基板210相接的面的 相反一側(cè)的面相接的方式形成(層疊）的第2金屬膜222。第1金屬膜221是與所述的第1實施 方式的第1金屬膜121相同的結(jié)構(gòu)，第2金屬膜222是與所述的第1實施方式的第2金屬膜122 相同的結(jié)構(gòu)。因此，降低了 Cr朝第2金屬膜222的擴散，能夠發(fā)揮與所述的第1實施方式相同 的效果。
[0114] 并且，作為本實施方式特有的效果，由于降低了第1金屬膜221中的Cr原子朝第2金 屬膜222的擴散，因此抑制了第2金屬膜222的電阻值的上升，得到CI值低的振動元件200。
[0115] 并且，根據(jù)與第1實施方式相同的效果，由于降低了在第2金屬膜222的表面形成Cr 氧化膜的可能性，因此能夠?qū)⒌?、第2電極230、240的隨時間的質(zhì)量變化、即由氧(0)原子與 析出到第2金屬膜222表面的Cr結(jié)合(氧化）引起的質(zhì)量增加等抑制得小(優(yōu)選地，能夠抑制 到大致零），并且，能夠降低由Cr氧化膜產(chǎn)生的應力引起的石英基板210的撓曲。因此，得到 振動元件200的諧振頻率的隨時間的變化(伴隨時間變化的振動元件200的諧振頻率的變 動、伴隨時間變化的振動元件200的頻率溫度特性的變動等）、多個振動元件200之間的頻率 溫度特性的偏差等小的振動元件200。
[0116] 圖17是針對振動元件200和現(xiàn)有的振動元件（與第1金屬膜221對應的金屬膜由Cr 構(gòu)成、與第2金屬膜222對應的金屬膜由Au構(gòu)成的振動元件)分別施加多次加熱處理、對加熱 處理后的振動元件的撓曲（從沿著X軸的方向的Y'軸方向的高度的最大值減去最小值后的 值，即振動元件的X軸方向上的翹曲量)作了評價的曲線圖。另外，用實線表示振動元件200， 用虛線表示現(xiàn)有的振動元件。并且，在圖17中，最左側(cè)所示的數(shù)據(jù)表示加熱處理前的振動元 件的撓曲量，示出隨著從該數(shù)據(jù)向右側(cè)移而增加加熱處理的次數(shù)的情況下的振動元件的撓 曲量。從該圖可知，在振動元件200中，在加熱處理后幾乎不產(chǎn)生撓曲，而在現(xiàn)有的振動元件 中，在加熱處理后產(chǎn)生大的撓曲。并且，從該圖可知，振動元件200在加熱處理前，與現(xiàn)有的 振動元件相比較撓曲量的絕對值(大小)小。
[0117]并且，作為其它效果，能夠降低多個振動元件200的個體間的頻率(頻率溫度特性） 的偏差，能夠制造與現(xiàn)有的振動元件相比較個體間的頻率偏差小的、更均質(zhì)的振動元件 200。圖18是準備10個振動元件200、測定各自的頻率溫度特性并在1個曲線圖上重疊記載的 曲線圖。另一方面，圖19是準備10個現(xiàn)有的振動元件、測定各自的頻率溫度特性并在1個曲 線圖上記載的曲線圖。從這些圖可知，多個振動元件200中的頻率溫度特性的個體間的偏差 與現(xiàn)有的振動元件中的頻率溫度特性的個體間的偏差相比得到充分降低。
[0118]另外，也可以在第2金屬膜222的與第1金屬膜221相接的面相反一側(cè)的面上進一步 層疊金屬膜。并且，在本實施方式中，在激勵電極231、241、連接電極232、242和布線電極 233、243全部使用第1金屬膜221和第2金屬膜222,然而不限于此，也可以在激勵電極231、 241、連接電極232、242和布線電極233、243中的至少1方使用第1金屬膜221和第2金屬膜 222,從而能夠得到與本實施方式和第1實施方式相同的效果中的至少一部分效果。
[0119] 以上，對本實施方式的電子器件作了說明。另外，在本實施方式中，對使用石英基 板作為壓電基板的結(jié)構(gòu)作了說明，然而作為壓電基板，不限定于此，也可以使用鈮酸鋰 (LiNb0 3)、鉭酸鋰(LiTa03)、四硼酸鋰(Li2B4〇7)、硅酸鎵鑭(LasGasSiOw)等的石英基板以外 的壓電單晶、鋯鈦酸鉛(PZT)等的壓電陶瓷等的壓電材料等。并且，在本實施方式中，使用石 英基板的壓電效果作為激勵元件200的激勵手段，然而不限于此，也可以使用利用庫侖力的 靜電驅(qū)動。并且，在本實施方式中，對使用石英基板作為振動元件200的基材110的結(jié)構(gòu)作了 說明，然而不限于此，還可以使用硅半導體材料、玻璃或者陶瓷等，作為振動元件200的激勵 手段，也可以在基材110上形成壓電材料來使用該壓電材料的壓電效果，也可以使用利用庫 侖力的靜電驅(qū)動。并且，振動元件200也可以是SAW(Surface Acoustic Wave，表面聲波）諧 振元件、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統(tǒng))振動元件。并且，振動元 件200也可以是檢測物理量的元件、例如、慣性傳感器(加速度傳感器、陀螺傳感器等）、力傳 感器(傾斜傳感器等)用的元件。
[0120] 〈第3實施方式〉
[0121] 圖20是從上側(cè)觀察作為本發(fā)明的第3實施方式的電子器件的振動元件的立體圖。 圖21是從下側(cè)觀察圖20所示的振動元件的立體圖。圖22是圖20中的B-B線剖視圖。
[0122] 以下，以與上述的實施方式的不同點為中心對第3實施方式的電子器件（振動元 件)進行說明，關于相同的事項，省略其說明。
[0123] 本發(fā)明的第3實施方式的電子器件除了振動元件的形狀不同以外，與所述的第2實 施方式相同。
[0124] 如圖20和圖21所示，電子器件即振動元件300具有:石英基板(壓電基板)310、和形 成在石英基板310上的電極320。在這樣的振動元件300中，石英基板310相當于所述的第1實 施方式的基材110,電極320相當于金屬膜結(jié)構(gòu)體120。
[0125] 石英基板310是使Z軸為厚度方向的"Z切石英基板"。不過，例如，石英基板310的厚 度方向也可以相對于Z軸稍許傾斜。這樣的石英基板310具有:基部311、和彼此并列地從基 部311朝+Y軸方向延伸的一對振動臂312、313。并且，在振動臂312的上表面(+Z軸側(cè)的面)和 下表面（一 Z軸側(cè)的面)形成有槽，在振動臂313的上表面和下表面也形成有槽。通過形成這 樣的槽，能夠降低熱彈性損失。另外，也可以在振動臂312、313的上表面和下表面不形成槽， 也可以在振動臂312、313的上表面和下表面中的至少一個面形成有槽，也可以僅在振動臂 312、313中的一個振動臂的上表面和下表面形成有槽，也可以僅在振動臂312、313中的一個 振動臂的上表面和下表面中的一個面形成有槽。
[0126] 電極320具有第1電極330和第2電極340。并且，第1電極330具有:激勵電極331、連 接電極332、以及布線電極333。同樣，第2電極340具有:激勵電極341、連接電極342、以及布 線電極343。
[0127] 激勵電極331配置在振動臂312的上表面和下表面、以及振動臂313的兩側(cè)面，激勵 電極341配置在振動臂312的兩側(cè)面、以及振動臂313的上表面和下表面。并且，連接電極 332、 342配置在基部311。并且，以使激勵電極331和連接電極332連接的方式配置布線電極 333, 以使激勵電極341和連接電極342連接的方式配置布線電極343。
[0128] 如圖22所示，第1、第2電極330、340呈雙層層疊結(jié)構(gòu)，其具有：以與石英基板310的 表面相接的方式配置的第1金屬膜321、和以與第1金屬膜321的跟石英基板310相接的面的 相反一側(cè)的面相接的方式形成(層疊）的第2金屬膜322。第1金屬膜321是與所述的第1實施 方式的第1金屬膜121相同的結(jié)構(gòu)，第2金屬膜322是與所述的第1實施方式的第2金屬膜122 相同的結(jié)構(gòu)。因此，降低了 Cr朝第2金屬膜222的擴散，能夠發(fā)揮與所述的第1、第2實施方式 相同的效果。另外，在本實施方式中，對振動元件是具有一對振動臂的所謂的音叉型的振動 元件的例子作了說明，然而不限于此，振動元件也可以是具有至少2對振動臂而使用其中的 一對振動臂驅(qū)動振動元件并使用另一對振動臂檢測施加給振動元件的外力并檢測施加給 振動元件的物理量的元件，例如慣性傳感器(加速度傳感器、陀螺傳感器等）、力傳感器(傾 斜傳感器等)用的元件。
[0129] 〈第4實施方式〉
[0130] 圖23是本發(fā)明的第4實施方式的電子器件的剖視圖。
[0131] 以下，以與上述的實施方式的不同點為中心對第4實施方式的電子器件進行說明， 關于相同的事項，省略其說明。
[0132]如圖23所不，電子器件400具有：電子部件搭載基板410、和搭載在電子部件搭載基 板410上的1C等的電子部件490。并且，電子部件搭載基板410具有:基板420;端子430，其配 置在基板420的上表面，經(jīng)由鍵合線BW與電子部件490電連接；以及端子440，其配置在基板 420的下表面，經(jīng)由過孔470與端子430電連接。在這樣的電子器件400中，基板420相當于所 述的第1實施方式的基材110,端子430、440相當于金屬膜結(jié)構(gòu)體120。另外，電子部件490的 位于上表面?zhèn)鹊呐c鍵合線BW連接的端子也可以是金屬膜結(jié)構(gòu)體120。
[0133] 作為基板420，不作特別限定，例如，還可以使用硅基板、玻璃基板、陶瓷基板等。另 外，作為構(gòu)成玻璃基板的玻璃材料，不作特別限定，例如，能夠使用硼硅酸玻璃、石英玻璃、 鈉玻璃(鈉鈣玻璃）、鉀玻璃、無堿玻璃等。并且，作為構(gòu)成陶瓷基板的材料，不作特別限定， 例如，能夠使用氧化鋁、氧化鋯等的氧化物系陶瓷、氮化鋁、氮化硅等的氮化物系陶瓷、碳化 硅等的碳化物系陶瓷等的各種陶瓷。
[0134] 并且，端子430呈雙層層疊結(jié)構(gòu)，其具有：以與基板420的表面相接的方式配置的第 1金屬膜431、和以與第1金屬膜431的跟基板420相接的面的相反一側(cè)的面相接的方式形成 (層疊）的第2金屬膜432。同樣，端子440呈雙層層疊結(jié)構(gòu)，其具有：以與基板420的表面相接 的方式配置的第1金屬膜441、和以與第1金屬膜441的跟基板420相接的面的相反一側(cè)的面 相接的方式形成(層疊)的第2金屬膜442。
[0135] 這些第1金屬膜431、441是與所述的第1實施方式的第1金屬膜121相同的結(jié)構(gòu)，第2 金屬膜432、442是與第2金屬膜122相同的結(jié)構(gòu)。因此，降低了Cr朝第2金屬膜432、442的擴 散，能夠發(fā)揮與所述的第1實施方式相同的效果。即，能夠提高基板420與第1金屬膜431、441 的密合性以及第1金屬膜431、441與第2金屬膜432、442的密合性，并且能夠提高端子430與 鍵合線BW的接合強度。另外，也可以在第2金屬膜432的與第1金屬膜431相接的面的相反一 側(cè)的面、以及第2金屬膜442的與第1金屬膜441相接的面的相反一側(cè)的面上分別進一步層疊 金屬膜。
[0136] 〈第5實施方式〉
[0137] 圖24是本發(fā)明的第5實施方式的電子器件即振子的剖視圖。圖25是示出接合前的 基底和蓋的放大剖視圖。
[0138] 以下，以與上述的實施方式的不同點為中心對第5實施方式的電子器件進行說明， 關于相同的事項，省略其說明。
[0139] 如圖24所示，電子器件即振子500具有:所述的振動元件200、和收容振動元件200 的封裝510。并且，封裝510具有:具有凹部521的腔體狀的基底520、和經(jīng)由接合層580與基底 520接合的蓋590。在凹部521被蓋590蓋住而形成的收容空間S內(nèi)收納有振動元件200。收容 空間S也可以處于例如減壓(真空)狀態(tài)。并且，也可以封入氮、氦、氬等的惰性氣體。
[0140] 作為基底520的構(gòu)成材料，不作特別限定，例如，能夠使用氧化鋁、氧化鋯等的氧化 物系陶瓷、氮化鋁、氮化硅等的氮化物系陶瓷、碳化硅等的碳化物系陶瓷等的各種陶瓷、玻 璃材料、硅等。并且，作為蓋590的構(gòu)成材料，不作特別限定，例如，能夠使用氧化鋁、氧化鋯 等的氧化物系陶瓷、氮化鋁、氮化硅等的氮化物系陶瓷、碳化硅等的碳化物系陶瓷等的各種 陶瓷、玻璃材料、硅、金屬等。并且，作為蓋590的構(gòu)成材料，只要是線性膨脹系數(shù)與基底52的 構(gòu)成材料近似的部件即可。例如，在基底520的構(gòu)成材料采用所述的陶瓷的情況下，優(yōu)選的 是采用可伐合金等的合金。
[0141] 并且，在基底520內(nèi)配置有內(nèi)部端子530、和經(jīng)由未圖示的內(nèi)部布線與內(nèi)部端子530 電連接的外部端子540，振動元件200經(jīng)由使Au、Ag、Cu、A1等的導電性填料分散到娃系、環(huán)氧 系、丙烯酸系、聚酰亞胺系、雙馬來酰亞胺系等的樹脂材料內(nèi)而成的導電性粘接劑、或者金 屬凸點、焊料等導電性接合部件560而被固定在內(nèi)部端子530上。在這樣的振子500中，基底 520和蓋590相當于所述的第1實施方式的基材110,內(nèi)部端子530和外部端子540相當于金屬 膜結(jié)構(gòu)體120,而且，接合層580是基于金屬膜結(jié)構(gòu)體120而形成的。
[0142] 如圖25所示，在接合前的基底520的上表面配置有接合用的金屬膜結(jié)構(gòu)體120,同 樣，在蓋590的下表面也配置有接合用的金屬膜結(jié)構(gòu)體120。并且，通過在使這些金屬膜結(jié)構(gòu) 體120之間接觸的狀態(tài)下進行加壓和加熱中的至少一方來形成接合層580,使基底520與蓋 590接合。如上所述，由于在第2金屬膜122的表面難以形成Cr氧化膜，因此能夠使第2金屬膜 122之間更牢固地接合。另外，位于基底520的上表面的金屬膜結(jié)構(gòu)體120和位于蓋590的下 表面的金屬膜結(jié)構(gòu)體120也可以導電性粘接劑、金屬膜、焊料或焊劑等導電性接合部件來接 合，并且，接合用的金屬膜結(jié)構(gòu)體120形成在基底520的上表面和蓋590的下表面中的一側(cè)， 在基底520的上表面和蓋590的下表面中的另一側(cè)也可以形成有用于與金屬膜結(jié)構(gòu)體接合 的導電性粘接劑、金屬膜、焊料或焊劑等。
[0143] 以上，對本實施方式作了說明，然而例如也可以通過在本實施方式的振子500的封 裝510內(nèi)收容具有使振動元件200振蕩的振蕩電路的1C芯片，從而作為振蕩器來使用。以下， 對該振蕩器的一例進行說明。
[0144] 圖26是作為電子器件的變型例的振蕩器的剖視圖。圖26所示的振蕩器600具有:振 子500、和用于驅(qū)動振動元件200的1C芯片610。在這樣的振蕩器600中，在基底520的凹部521 固定有1C芯片610。1C芯片610與形成在凹部521的底面的多個連接端子620電連接。多個連 接端子620有與內(nèi)部端子530連接的連接端子、和與外部端子540連接的連接端子。1C芯片 610具有用于控制振動元件200的振蕩電路，當通過1C芯片610驅(qū)動振動元件200時，能夠取 出預定的頻率的信號。
[0145] 〈第6實施方式〉
[0146] 圖27是作為本發(fā)明的第6實施方式的電子器件的振動元件的剖視圖。圖28至圖30 是分別說明圖27所示的振動元件的制造方法的剖視圖。圖31是示出樣品1的撓曲量的曲線 圖。圖32是示出樣品3的撓曲量的曲線圖。圖33是示出樣品1的頻率溫度特性的偏差的曲線 圖。圖34是示出樣品2的頻率溫度特性的偏差的曲線圖。圖35是示出樣品3的頻率溫度特性 的偏差的曲線圖。另外，圖27是與圖14中的A-A線剖視圖相當?shù)膱D。
[0147] 以下，以與上述的實施方式的不同點為中心對第6實施方式的電子器件進行說明， 關于相同的事項，省略其說明。
[0148] 第6實施方式的電子器件除了電極的結(jié)構(gòu)不同以外，與所述的第2實施方式相同。 并且，對與所述的第2實施方式相同的結(jié)構(gòu)附上相同標號。
[0149] 如圖27所示，電極220(第1、第2電極230、240)呈雙層層疊結(jié)構(gòu)，其具有：以與石英 基板210的表面相接的方式配置的第1金屬膜221A、和以與第1金屬膜221A的跟石英基板210 相接的面的相反一側(cè)的面相接的方式形成(層疊)的第2金屬膜222A。
[0150]第1金屬膜221A是以金屬材料（以下也稱為"主成分金屬材料"）的氧化物為主材料 而構(gòu)成的。如后述的制造方法中所說明那樣，該第1金屬膜221A是通過在含有02(氧）的氛圍 中使主成分金屬材料成膜而形成的。根據(jù)這樣的方法，能夠容易使第1金屬膜221A成膜。這 樣，當?shù)?金屬膜221A由金屬氧化物構(gòu)成時，如以往那樣，與第1金屬膜221A由Cr (金屬材料） 構(gòu)成的情況相比較，第1金屬膜221A穩(wěn)定化，第1金屬膜221A中的主成分金屬材料擴散到第2 金屬膜222A的可能性降低。
[0151] 因此，首先，第1，抑制了第2金屬膜222A的電阻值的上升，得到CI值低的振動元件 200。并且，第2,降低了第1金屬膜221A的主成分金屬材料朝第2金屬膜222A表面的析出，降 低了在第2金屬膜222A表面形成第1金屬膜221A的主成分金屬材料氧化而成的氧化膜的可 能性。因此，能夠?qū)⒌?、第2電極230、240的隨時間的質(zhì)量變化、即由氧(0)原子與析出到第2 金屬膜222A表面的Cr結(jié)合（氧化）引起的質(zhì)量增加等抑制得?。▋?yōu)選地，能夠抑制到大致 零）。因此，得到振動元件200的諧振頻率的隨時間的變化(伴隨時間變化的振動元件200的 諧振頻率的變動、伴隨時間變化的振動元件200的頻率溫度特性的變動等）、多個振動元件 200之間的頻率溫度特性的偏差等小的振動元件200。并且，由于降低了在第2金屬膜222A表 面處形成第1金屬膜221A的主成分金屬材料的氧化膜的可能性，因此能夠有效地減少由于 由第1金屬膜221A的主成分金屬材料的氧化膜產(chǎn)生的應力而使石英基板210非本意地撓曲 的情況。而且，第3,能夠降低多個振動元件200的個體間的頻率(特別是，頻率溫度特性）的 偏差，能夠制造與現(xiàn)有的振動元件相比較個體間的頻率偏差小的、更均質(zhì)的振動元件200。
[0152] 這里，第1金屬膜221A的氧化率A不作特別限定，然而優(yōu)選的是滿足20% < AS 50% 的關系，更優(yōu)選的是滿足23% < AS 40%。這樣，通過使第1金屬膜221A為不完全的氧化膜， 能夠得到這樣的第1金屬膜221A:在將與石英基板210和第2金屬膜222A的密合性維持得充 分高的狀態(tài)下，有效地降低金屬成分朝第2金屬膜222A的擴散。
[0153] 另外，本實施方式中所說的"氧化率A"能夠根據(jù)第1金屬膜221A的氧含有率來求 出。即，將當?shù)?金屬膜221A的主成分金屬材料完全氧化時(在主成分金屬材料是Cr的情況 下，第1金屬膜221A中的全部Cr成為Cr 2〇3時）的第1金屬膜221A的氧含有量設定為N1，將實際 的第1金屬膜221A中的氧含有量設定為N2時，能夠根據(jù)(N2/N1) X 100 ( % )來求出。并且，氧 含有量能夠通過X射線光電子能譜法、二次離子質(zhì)量分析法、電子線微觀分析法、俄歇電子 能譜分析法、熒光X射線分析法等的定性定量分析來確定。
[0154] 并且，優(yōu)選的是，第1金屬膜221A的氧化率A在第1金屬膜221A的全部區(qū)域中大致均 一。特別是，優(yōu)選的是氧化率A沿著第1金屬膜221A的厚度方向大致恒定。例如，當將第1金屬 膜221A的上表面(第2金屬膜222A側(cè)的面)處的氧化率設定為A1，將第1金屬膜221A的下表面 (石英基板210側(cè)的面)處的氧化率設定為A2時，優(yōu)選的是滿足0% < |A1 - A2| <2%的關系， 更優(yōu)選的是滿足0% < |A1 - A2| < 1%的關系。由此，能夠得到均質(zhì)的第1金屬膜221A，能夠 更有效地發(fā)揮上述效果。
[0155] 作為這樣的第1金屬膜221A的主成分金屬材料，優(yōu)選的是將與石英基板210和第2 金屬膜222A的密合性高的材料、具體地是鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉬(Mo)、銀(Ag)、 鋁(A1)等的金屬元素、其氧化物作為主材料而構(gòu)成。并且，其中，主成分金屬材料優(yōu)選是鉻 (Cr)、鎳(Ni)。由此，能夠比較簡單地形成氧化物。另外，第1金屬膜221A也可以除了上述的 主材料以外，還含有與上述不同的金屬元素和非金屬元素(例如，Si、C、B等）。
[0156] 并且，第1金屬膜221A的平均厚度不作特別限定，然而優(yōu)選的是3nm以上且300nm以 下的程度，更優(yōu)選的是5nm以上且250nm以下的程度。通過將第1金屬膜221A的平均厚度設定 在所述范圍內(nèi)，可確保了針對石英基板210充分的密合性。
[0157] 另一方面，作為第2金屬膜222A的構(gòu)成材料，列舉了電傳導性特別高的材料，具體 地是金(Au)、鉑(Pt)那樣的貴金屬元素。由此，得到導電性優(yōu)異的第1、第2電極230、240。另 外，第2金屬膜222A也可以除了上述的主材料以外，還含有與上述不同的金屬元素和非金屬 兀素(例如，Si、C、B等）。
[0158] 第2金屬膜222A的平均厚度不作特別限定，然而例如，優(yōu)選的是10nm以上且lOOOnm 以下的程度，更優(yōu)選的是20nm以上且800nm以下的程度。
[0159] 下面，對振動元件200的制造方法進行說明。振動元件200的制造方法具有:第1成 膜工序，在石英基板210上使第1金屬膜221A成膜;第2成膜工序，在第1金屬膜221A上使第2 金屬膜222A成膜；以及構(gòu)圖工序，對第1金屬膜221A和第2金屬膜222A進行構(gòu)圖，形成第1電 極230和第2電極240(電極220)。以下，對各工序依次進行說明。
[0160] [第1成膜工序]
[0161] 首先，如圖28所示，在石英基板210的表面形成第1金屬膜221A。具體地，在供給氧 (氧化劑)的同時，在石英基板210上，利用真空蒸鍍法、濺射法那樣的各種氣相成膜法使第1 金屬膜221A的主成分金屬材料(Cr、Ni等)成膜。于是，使主成分金屬材料成膜并氧化，在石 英基板210上得到以主成分金屬材料的氧化物為主材料的第1金屬膜221A。根據(jù)這樣的方 法，能夠簡單地形成氧化率均質(zhì)的第1金屬膜221A。另外，作為氧供給量，不作特別限定，然 而優(yōu)選的是5sccm(standard cc/min，標準cc/min)以上且lOsccm以下的程度（seem: latm、 25°C的狀態(tài)下的每1分鐘流動的氣體量(1 cc = 1 cm3))。
[0162] [第2成膜工序]
[0163] 然后，如圖29所示，在第1金屬膜221A的表面形成第2金屬膜222A。第2金屬膜222A 是通過在第1金屬膜221A上利用真空蒸鍍法、濺射法那樣的各種氣相成膜法使第2金屬膜 222A的構(gòu)成材料(Au、Pt等)成膜而得到的。
[0164] [構(gòu)圖工序]
[0165] 然后，如圖30所示，通過對第1、第2金屬膜221A、222A的層疊體進行構(gòu)圖，得到第1、 第2電極230、240。另外，層疊體的構(gòu)圖能夠使用光刻技法和蝕刻技法(濕蝕刻、干蝕刻等)來 進行。通過以上，得到振動元件200。
[0166] 根據(jù)這樣的制造方法，由于能夠在使第2金屬膜222A成膜之前使第1金屬膜221A穩(wěn) 定化，因此能夠在第2金屬膜222A成膜后，有效地降低第1金屬膜221A中的金屬材料朝第2金 屬膜222A的擴散。并且，根據(jù)這樣的制造方法，還能夠連續(xù)進行第1成膜工序和第2成膜工 序，即，在成膜工序中，還能夠在不將石英基板210從用于對金屬膜進行制膜的腔(成膜室） 內(nèi)取出的情況下連續(xù)進行第1成膜工序和第2成膜工序，因此還能夠容易進行振動元件200 的制造。
[0167] 下面，根據(jù)實驗結(jié)果對本實施方式的效果進行說明。
[0168] [振動元件的制造]
[0169] (樣品 1)
[0170] 首先，準備AT切的石英基板，在石英基板上通過蒸鍍法供給氧的同時使鉻成膜。由 此，得到以氧化絡為主材料的第1金屬膜。另外，將氧供給量設定為5sccm(latm、25°C )。然 后，在第1金屬膜上通過蒸鍍法使金成膜。由此，得到第2金屬膜。然后，通過光刻和濕蝕刻對 由第1金屬膜和第2金屬膜構(gòu)成的層疊體進行構(gòu)圖而得到電極。這樣，制造出具有雙層結(jié)構(gòu) 的電極的振動元件。另外，電極的結(jié)構(gòu)如以下所述。
[0171] 〈電極的結(jié)構(gòu)〉
[0172] ?第1金屬膜主成分:氧化鉻(Cr203)
[0173] ?第1金屬膜的平均厚度：15nm
[0174] ?第1金屬膜的氧化率:40%
[0175] ?第2金屬膜主成分:金(Au)
[0176] ?第2金屬膜的平均厚度:200nm
[0177] (樣品 2)
[0178]除了將使第1金屬膜成膜時的氧供給量變更為l〇SCcm(latm，25°C)以外，與所述的 樣品1同樣地制造振動元件。另外，得到的電極的結(jié)構(gòu)如以下所述。
[0179] 〈電極的結(jié)構(gòu)〉
[0180] ?第1金屬膜主成分:氧化鉻(Cr2〇3)
[0181] ?第1金屬膜的平均厚度：15nm
[0182] ?第1金屬膜的氧化率:40%
[0183] ?第2金屬膜主成分:金(Au)
[0184] ?第2金屬膜的平均厚度:200nm
[0185] (樣品 3)
[0186] 除了在使第1金屬膜成膜時不供給氧以外，與所述的樣品1同樣地制造振動元件。 即，首先，準備AT切的石英基板，在石英基板上通過蒸鍍法不供給氧而使鉻成膜，得到以鉻 為主材料的第1金屬膜。然后，在第1金屬膜上通過蒸鍍法使金成膜，得到以金為主材料的第 2金屬膜。然后，通過光刻和濕蝕刻對由第1金屬膜和第2金屬膜構(gòu)成的層疊體進行構(gòu)圖而得 到電極。這樣，制造出具有雙層結(jié)構(gòu)的電極的振動元件。另外，電極的結(jié)構(gòu)如以下所述。
[0187] 〈電極的結(jié)構(gòu)〉
[0188] ?第1金屬膜主成分:鉻
[0189] ?第1金屬膜的平均厚度：15nm
[0190] ?第2金屬膜主成分:金
[0191] ?第2金屬膜的平均厚度:200nm
[0192] (樣品 4)
[0193] 除了省略第1金屬膜以外，與所述的樣品1同樣地制造振動元件。另外，電極的結(jié)構(gòu) 如以下所述。
[0194] 〈電極的結(jié)構(gòu)〉
[0195] ?第2金屬膜主成分:金
[0196] ?第2金屬膜的平均厚度:200nm
[0197] [振動元件的評價]
[0198] 針對各樣品1~4，進行了下述的評價。
[0199] (剝離強度）
[0200] 針對使用各樣品1~4得到的各10個振動元件，評價了石英基板與電極之間的剝離 強度。另外，剝離強度的評價以90°剝離試驗(JIS-Z 0237)為基準進行。下述的表1示出其結(jié) 果。并且，在表1中，針對各樣品，記入了 10個振動元件的平均值。
[0201] [表1]
[0203]從表1可知，樣品1、2的剝離強度不遜色于樣品3的剝離強度。因此可知，樣品1、2均 為石英基板和電極的密合性高、機械強度優(yōu)異的振動元件。
[0204](石英基板的撓曲）
[0205] 針對使用樣品1和樣品3得到的振動元件，在260°CX 2小時的條件下進行加熱處 理，對加熱處理前后的石英基板的撓曲作了評價。圖31和圖32示出其結(jié)果。
[0206] 從圖31可知，在樣品1的振動元件中，在X軸、Z'軸方向的任一軸方向上，在加熱前 和加熱后的石英基板幾乎不產(chǎn)生撓曲，并且在加熱前后的撓曲量的變化也小。與此相對，從 圖32可知，在樣品3中，在X軸、Z'軸方向的任一軸方向上，在加熱前的石英基板產(chǎn)生撓曲，特 別是在X軸方向上產(chǎn)生大的撓曲。并且，在樣品3中，在加熱前后，特別是在X軸方向上在石英 基板產(chǎn)生大的撓曲量的變化。推測其原因為:在樣品1中，由于降低了第1金屬膜中的Cr朝第 2金屬膜的擴散，因此減少了 Cr析出到第2金屬膜的表面而形成其氧化膜(Cr2〇3)的情況。由 此可知，使用樣品1得到的振動元件由于降低了石英基板的撓曲，并且降低了在加熱前后的 石英基板的撓曲量變化，因此是隨時間的頻率變化小的振動元件。
[0207](頻率溫度特性）
[0208]針對使用樣品1、2、3得到的各10個振動元件，評價了頻率溫度特性。圖33至圖35示 出其結(jié)果。從圖33至圖35可知，在樣品1、2中，與樣品3相比較，充分降低了 10個振動元件的 頻率溫度特性的偏差。
[0209]以上，對本實施方式作了說明。另外，在本實施方式中，第1金屬膜221A以金屬材料 的氧化物為主材料而構(gòu)成，然而第1金屬膜221A也可以以金屬材料的氮化物為主材料而構(gòu) 成。即使第1金屬膜221A以金屬材料的氮化物為主材料而構(gòu)成，也可以發(fā)揮與本實施方式相 同的效果。在該情況下，第1金屬膜221A能夠通過使主成分金屬材料在含有氮的氛圍中成膜 而形成。并且，作為第1金屬膜221A的氮化率，優(yōu)選的是滿足與上述的氧化率A相同的范圍。 另外，即使將本實施方式的第1金屬膜221A用于所述的實施方式1和實施方式3至實施方式5 的第1金屬膜121、221、321、431、441，將本實施方式的第2金屬膜222A用于所述的實施方式1 和實施方式3至實施方式5的第2金屬膜122、222、322、432、442，也可以取得與本實施方式相 同的效果。并且，在本實施方式中，對第1金屬膜221A的氧化率A或氮化率A沿第1金屬膜221A 的全部區(qū)域、特別是沿厚度方向大致恒定的情況作了說明，然而不限于此，通過采用所述的 實施方式1至實施方式5那樣的氧化率A或氮化率A，也可以得到與所述的實施方式1至實施 方式5相同的效果。
[0210][電子設備]
[0211]下面，對具有本發(fā)明的電子器件的電子設備進行說明。
[0212] 圖36是示出應用了本發(fā)明的電子設備的移動型（或筆記本型）的個人計算機的結(jié) 構(gòu)的立體圖。
[0213] 在該圖中，個人計算機1100由具有鍵盤1102的主體部1104和具有顯示部1108的顯 示單元1106構(gòu)成，顯示單元1106經(jīng)由鉸鏈構(gòu)造部可轉(zhuǎn)動地支承于主體部1104。在這樣的個 人計算機1100中內(nèi)置有例如作為振蕩器使用的振子500。
[0214] 圖37是示出應用了本發(fā)明的電子設備的便攜電話機(還包含PHS)的結(jié)構(gòu)的立體 圖。
[0215] 在該圖中，便攜電話機1200具有天線(未圖示）、多個操作按鈕1202、接聽口 1204以 及通話口 1206,在操作按鈕1202與接聽口 1204之間配置有顯示部1208。在這樣的便攜電話 機1200中內(nèi)置有例如作為振蕩器使用的振子500。
[0216] 圖38是示出應用了本發(fā)明的電子設備的數(shù)字照相機的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0217] 在該圖中，在數(shù)字照相機1300中的殼體(機身）1302的背面設置有顯示部1310，構(gòu) 成為根據(jù)CCD的攝像信號進行顯示，顯示部1310作為將被攝體顯示為電子圖像的取景器發(fā) 揮功能。并且，在殼體1302的正面?zhèn)龋▓D中背面?zhèn)?設有包含光學鏡頭(攝像光學系統(tǒng))和CCD 等的受光單元1304。并且，當攝影者確認顯示部1310中顯示的被攝體像并按下快門按鈕 1306時，該時刻的CCD的攝像信號被傳送到存儲器1308中并被存儲。在這樣的數(shù)字照相機 1300中內(nèi)置有例如作為振蕩器使用的振子500。
[0218] 這樣的電子設備由于具有振子500，因此具有優(yōu)異的可靠性。
[0219] 并且，作為電子設備的另一例，列舉有這樣的傳送裝置:使用作為上述的第5實施 方式的變型例的振蕩器600作為基準信號源或者電壓可變型振蕩器(VC0)等，例如作為與終 端通過有線或無線進行通信的移動體終端基站用裝置、局域網(wǎng)設備等發(fā)揮功能。本實施方 式的電子設備應用例如上述的各實施方式的振動元件200、300、上述的實施方式的電子器 件400、上述的實施方式的振子500、或者作為上述的實施方式的變型例的振蕩器600,由此， 從振動元件200、300、電子器件400、振子500或者振蕩器600輸出穩(wěn)定的頻率信號作為供給 到傳送裝置的時鐘源，因此，例如還可以應用于通信基站等能夠使用的高性能和高可靠性 的傳送設備。
[0220]另外，本發(fā)明的電子設備除了圖36的個人計算機、圖37的便攜電話機、圖38的數(shù)字 照相機以外，例如還可以應用于智能電話、平板終端、鐘表(包含智能手表）、噴射式噴出裝 置(例如噴墨打印機）、膝上型個人計算機、路由器、交換機等的存儲區(qū)域網(wǎng)絡設備、局域網(wǎng) 設備、移動體終端基站用設備、電視機、HMD(頭戴式顯示器)等的可穿戴式終端、攝像機、錄 像機、汽車導航裝置、實時時鐘裝置、尋呼機、電子記事本(也包含帶通信功能）、電子詞典、 計算器、電子游戲設備、文字處理器、工作站、電視電話、防盜用電視監(jiān)視器、電子望遠鏡、 P0S終端、醫(yī)療設備(例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電圖計測裝置、超聲波診斷裝置、 電子內(nèi)窺鏡）、魚群探測器、具有有線或無線的通信功能且能夠發(fā)送各種數(shù)據(jù)的燃氣表、水 表、電表(智能儀表)等的各種測定設備、計量儀器類(例如車輛、飛機、船舶的計量儀器類）、 飛行模擬器、運動追蹤、運動跟蹤、運動控制器、PDR (步行者位置方位測定)等。
[0221][移動體]
[0222] 下面，對應用本發(fā)明的移動體的汽車進行說明。
[0223] 圖39是示出應用了本發(fā)明的移動體的汽車的立體圖。
[0224] 如圖39所示，在汽車1500中安裝有例如作為振蕩器使用的振子500。振子500能夠 廣泛應用于例如無鑰匙進入系統(tǒng)、防盜器、汽車導航系統(tǒng)、汽車空調(diào)、防抱死制動系統(tǒng) (ABS)、安全氣囊、輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)（TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、發(fā)動機 控制器、混合動力汽車及電動汽車的電池監(jiān)視器、以及車體姿勢控制系統(tǒng)等的電子控制單 元(EQJ:electronic control unit)。這樣，通過將振子500內(nèi)置于汽車1500中，得到可靠性 高的汽車1500。
[0225] 以上，根據(jù)圖示的實施方式說明了本發(fā)明的電子器件、電子器件的制造方法、電子 設備以及移動體，然而本發(fā)明不限定于此，各部的結(jié)構(gòu)能夠置換為具有同樣功能的任意構(gòu) 成的結(jié)構(gòu)。并且，在本發(fā)明中也可以附加其它任意的構(gòu)成物。并且，也可以適當組合各實施 方式。
【主權(quán)項】
1. 一種電子器件，其特征在于，所述電子器件具有： 基材，其具有第1面； 第1金屬膜，其配置在所述第1面上，含有氮和鉻；以及 第2金屬膜，其配置在所述第1金屬膜的與所述第1面相反一側(cè)的面上，含有金， 所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20%以上且 100%以下的區(qū)域。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原 子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20%以上且50%以下的區(qū)域。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原 子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的40%以上且100%以下的區(qū)域。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原 子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的40%以上且50%以下的區(qū)域。5. -種電子器件，其特征在于，所述電子器件具有： 基材，其具有第1面； 第1金屬膜，其配置在所述第1面上，含有氮和鉻；以及 第2金屬膜，其配置在所述第1金屬膜的與所述第1面相反一側(cè)的面上，含有金， 所述第1金屬膜具有:位于所述基材側(cè)的第1區(qū)域、位于所述第2金屬膜側(cè)的第2區(qū)域、和 被所述第1區(qū)域與所述第2區(qū)域夾著的第3區(qū)域， 所述第3區(qū)域包含氮原子的分布比所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域大的區(qū)域。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原 子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20%以上且100%以下的區(qū)域。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原 子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的20%以上且50%以下的區(qū)域。8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原 子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的40%以上且100%以下的區(qū)域。9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中，所述第1金屬膜包含所述第1金屬膜中的氮原 子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量的40%以上且50%以下的區(qū)域。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述基材包含石英、玻璃和娃中的一方。11. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中，所述基材包含石英、玻璃和娃中的一方。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述電子器件具有： 壓電基板； 激勵電極，其配置在所述壓電基板上；以及 連接電極，其配置在所述壓電基板上，與所述激勵電極電連接， 所述基材是所述壓電基板， 所述激勵電極和所述連接電極中的至少一方具有所述第1金屬膜和所述第2金屬膜。13. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中，所述電子器件具有： 壓電基板； 激勵電極，其配置在所述壓電基板上；以及 連接電極，其配置在所述壓電基板上，與所述激勵電極電連接， 所述基材是所述壓電基板， 所述激勵電極和所述連接電極中的至少一方具有所述第1金屬膜和所述第2金屬膜。14. 一種電子器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含以下工序： 制備基材的工序； 第1成膜工序，在所述基材上，在含有氮的氛圍下通過濺射使含有氮和鉻的第1金屬膜 成膜；以及 第2成膜工序，在所述第1金屬膜上，通過濺射使含有金的第2金屬膜成膜。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子器件的制造方法，其中，所述第1成膜工序是以具有下 述區(qū)域的方式成膜的工序，在該區(qū)域中，所述第1金屬膜中的氮原子的數(shù)量是鉻原子的數(shù)量 的20%以上且100%以下。16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子器件的制造方法，其中，所述第1成膜工序是以具有下 述區(qū)域的方式成膜的工序，在該區(qū)域中，對于所述第1金屬膜中的氮原子的分布，被所述第1 金屬膜的所述基材側(cè)的第1區(qū)域和所述第2金屬膜側(cè)的第2區(qū)域夾著的第3區(qū)域比所述第1區(qū) 域和所述第2區(qū)域大。17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子器件的制造方法，其中，所述第1成膜工序是以具有下 述區(qū)域的方式成膜的工序，在該區(qū)域中，對于所述第1金屬膜中的氮原子的分布，被所述第1 金屬膜的所述基材側(cè)的第1區(qū)域和所述第2金屬膜側(cè)的第2區(qū)域夾著的第3區(qū)域比所述第1區(qū) 域和所述第2區(qū)域大。18. -種電子設備，其特征在于，所述電子設備具有權(quán)利要求1所述的電子器件。19. 一種電子設備，其特征在于，所述電子設備具有權(quán)利要求5所述的電子器件。20. -種移動體，其特征在于，所述移動體具有權(quán)利要求1所述的電子器件。
【文檔編號】G01C19/5649GK106052666SQ201610181833
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年3月28日 公開號201610181833.1, CN 106052666 A, CN 106052666A, CN 201610181833, CN-A-106052666, CN106052666 A, CN106052666A, CN201610181833, CN201610181833.1
【發(fā)明人】大槻哲也, 村上資郎, 新井智博, 和田充洋, 伊藤浩, 白木學, 近藤學, 濱宗佳
【申請人】精工愛普生株式會社