一種氣敏半導體器件的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氣敏半導體器件的制備方法，其具體制備步驟為：（1）將器件用陶瓷管置入純水中進行超聲，后置入丙酮溶液中超聲，再置入異丙醇溶液中超聲，然后置入真空烘箱中烘干；（2）將調(diào)制好的氣敏半導體漿料均勻的涂抹在陶瓷管上，并附著導線作電極引腳，自然放置后置入烘箱內(nèi)烘干，再置入燒結(jié)窯中燒結(jié)；（3）將燒結(jié)好的元件自然冷卻至室溫后，將電阻絲穿插在陶瓷管中，并焊接在電極引腳上，焊接完畢后再將器件接入電路中，工作一段時間；本發(fā)明的有益效果是：制備過程較簡單，參數(shù)控制容易，但是制備出的氣敏半導體器件穩(wěn)定性好、靈敏度高，符合實際應(yīng)用的需求。
【專利說明】
一種氣敏半導體器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導體元件制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種氣敏半導體器件的制備方法。 【背景技術(shù)】
[0002]氣敏半導體元件可根據(jù)接觸氣體后自身物理性質(zhì)變化的情況發(fā)揮不同的作用，通常用于有害氣體的檢測、實驗氣體的監(jiān)控等方面。氣敏半導體制備方法多種多樣，包括氣相沉淀等物理方法和溶膠凝膠等化學方法，但是這些制備方法通常制備過程較復雜，參數(shù)控制叫難，大部分方法不能滿足批量生產(chǎn)的要求，或者使用方法所造成的污染較大并且成本較高。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，公開了一種氣敏半導體器件的制備方法。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開了一種氣敏半導體器件的制備方法，其具體制備步驟為:(1)將器件用陶瓷管置入純水中進行超聲，超聲時間設(shè)定為10-12分鐘，后置入丙酮溶液中超聲10-12分鐘，再置入異丙醇溶液中超聲12-15分鐘，然后置入真空烘箱中烘干20-30 分鐘，烘干溫度設(shè)定為100-120 °C ;(2)將調(diào)制好的氣敏半導體漿料均勻的涂抹在陶瓷管上，并附著4-6根導線作電極引腳，自然放置20-30分鐘后，置入烘箱內(nèi)烘干15-20分鐘，烘干溫度為200-220°C，再置入燒結(jié)窯中燒結(jié)2-3小時，燒結(jié)溫度設(shè)定為800-1000°C;(3)將燒結(jié)好的元件自然冷卻至室溫后，將電阻絲穿插在陶瓷管中，并焊接在電極引腳上，焊接完畢后再將器件接入電路中，在4-6伏的電壓下工作72-120小時。
[0005]其中所述氣敏半導體漿料包括氧化物半導體、玻璃粉和有機輔料。
[0006]本發(fā)明的優(yōu)點和積極效果是:本發(fā)明方法制備過程較簡單，參數(shù)控制容易，但是制備出的氣敏半導體器件穩(wěn)定性好、 靈敏度高，符合實際應(yīng)用的需求?！揪唧w實施方式】
[0007]具體實施例一:一種氣敏半導體器件的制備方法，其具體制備步驟為:(1)將器件用陶瓷管置入純水中進行超聲，超聲時間設(shè)定為10分鐘，后置入丙酮溶液中超聲10分鐘，再置入異丙醇溶液中超聲12分鐘，然后置入真空烘箱中烘干20分鐘，烘干溫度設(shè)定為100°c;(2)將調(diào)制好的氣敏半導體漿料均勻的涂抹在陶瓷管上，其中氣敏半導體漿料包括氧化物半導體、玻璃粉和有機輔料，并附著4根導線作電極引腳，自然放置20分鐘后，置入烘箱內(nèi)烘干15分鐘，烘干溫度為200°C，再置入燒結(jié)窯中燒結(jié)2小時，燒結(jié)溫度設(shè)定為800°C ;(3)將燒結(jié)好的元件自然冷卻至室溫后，將電阻絲穿插在陶瓷管中，并焊接在電極引腳上，焊接完畢后再將器件接入電路中，在4伏的電壓下工作72小時。
[0008]具體實施例二:一種氣敏半導體器件的制備方法，其具體制備步驟為:(1)將器件用陶瓷管置入純水中進行超聲，超聲時間設(shè)定為12分鐘，后置入丙酮溶液中超聲12分鐘，再置入異丙醇溶液中超聲15分鐘，然后置入真空烘箱中烘干30分鐘，烘干溫度設(shè)定為120°C;(2)將調(diào)制好的氣敏半導體漿料均勻的涂抹在陶瓷管上，其中氣敏半導體漿料包括氧化物半導體、玻璃粉和有機輔料，并附著6根導線作電極引腳，自然放置30分鐘后，置入烘箱內(nèi)烘干20分鐘，烘干溫度為220°C，再置入燒結(jié)窯中燒結(jié)3小時，燒結(jié)溫度設(shè)定為1000°C ;(3)將燒結(jié)好的元件自然冷卻至室溫后，將電阻絲穿插在陶瓷管中，并焊接在電極引腳上，焊接完畢后再將器件接入電路中，在6伏的電壓下工作120小時。
[0009]具體實施例三:一種氣敏半導體器件的制備方法，其具體制備步驟為:(1)將器件用陶瓷管置入純水中進行超聲，超聲時間設(shè)定為11分鐘，后置入丙酮溶液中超聲11分鐘，再置入異丙醇溶液中超聲13分鐘，然后置入真空烘箱中烘干25分鐘，烘干溫度設(shè)定為110°c;(2)將調(diào)制好的氣敏半導體漿料均勻的涂抹在陶瓷管上，其中氣敏半導體漿料包括氧化物半導體、玻璃粉和有機輔料，并附著5根導線作電極引腳，自然放置25分鐘后，置入烘箱內(nèi)烘干18分鐘，烘干溫度為210°C，再置入燒結(jié)窯中燒結(jié)2.5小時，燒結(jié)溫度設(shè)定為900°C ;(3)將燒結(jié)好的元件自然冷卻至室溫后，將電阻絲穿插在陶瓷管中，并焊接在電極引腳上，焊接完畢后再將器件接入電路中，在5伏的電壓下工作96小時。
[0010]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種氣敏半導體器件的制備方法，其特征在于其具體制備步驟為:(1)將器件用陶瓷管置入純水中進行超聲，超聲時間設(shè)定為10-12分鐘，后置入丙酮溶 液中超聲10-12分鐘，再置入異丙醇溶液中超聲12-15分鐘，然后置入真空烘箱中烘干20-30 分鐘，烘干溫度設(shè)定為100-120 °C ;(2)將調(diào)制好的氣敏半導體漿料均勻的涂抹在陶瓷管上，并附著4-6根導線作電極引 腳，自然放置20-30分鐘后，置入烘箱內(nèi)烘干15-20分鐘，烘干溫度為200-220°C，再置入燒結(jié) 窯中燒結(jié)2-3小時，燒結(jié)溫度設(shè)定為800-1000°C;(3)將燒結(jié)好的元件自然冷卻至室溫后，將電阻絲穿插在陶瓷管中，并焊接在電極引腳 上，焊接完畢后再將器件接入電路中，在4-6伏的電壓下工作72-120小時。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣敏半導體器件的制備方法，其特征在于:所述氣敏半導 體漿料包括氧化物半導體、玻璃粉和有機輔料。
【文檔編號】G01N27/12GK106053550SQ201610391580
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月6日
【發(fā)明人】姚坤, 姚望, 王傳穩(wěn), 陳靜, 高尚
【申請人】懷遠縣金浩電子科技有限公司