電流檢測設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明所涉及的電流檢測設(shè)備，其是可以安裝到基板101上,該基板101上還實裝有通過檢測出磁通而達(dá)到檢測電流的磁通門型磁性傳感器IC芯片111,其特征是:具有磁芯4,該磁芯4略呈環(huán)形,從而形成了由檢測對象的電流所誘導(dǎo)引起的磁通的磁路。接著在把該電流檢測設(shè)備安裝到上述基板101的時候，把上述磁芯4配置在與上述基板101略呈平行的方向上。而在把該電流檢測設(shè)備安裝到上述基板101的時候，在由上述磁芯4所形成的磁路中,在上述磁性傳感器IC芯片111的頂面或位于上方的地方具有間隙。通過本發(fā)明就可以得到一種低輪廓的電流檢測設(shè)備。
【專利說明】
電流檢測設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種電流檢測設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有一種磁均衡式的電流傳感器，其具備縱式(S卩，縱向放置)的環(huán)狀磁芯，還配置有與此環(huán)狀磁芯交叉配設(shè)的初次導(dǎo)體，在環(huán)狀磁芯上還設(shè)置有補(bǔ)償線圈(2次線圈)。并且，在環(huán)狀磁芯的底部設(shè)置有空洞，在此空洞中插入棒狀的磁通門型的傳感器。為了驅(qū)動此傳感器的控制基板與安裝有此電流傳感器的基板被分別另行設(shè)置，并與此傳感器相連接(請參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]另一方面，作為磁通門型磁性傳感器，在如上所述的適合特殊用途的棒狀傳感器以外，還有一種IC芯片形狀的傳感器，其內(nèi)集成有例如在專利文獻(xiàn)2所記載那樣的電路結(jié)構(gòu)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn):
[0005]專利文獻(xiàn):
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本專利申請公開公報特表2011-510318號
[0007]專利文獻(xiàn)2:美國專利申請公開公報2014/0218018號說明書

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]要解決的技術(shù)問題:
[0009]然而，由于上述的電流傳感器使用了縱式環(huán)狀磁芯，因此輪廓較高，如果把此電流傳感器設(shè)置在基板上的話，那么就要求在基板上方要具有適合此電流傳感器高度的空間。
[0010]本發(fā)明正是鑒于上述的問題而做出的，以提供一種低輪廓的電流檢測設(shè)備為目的的。
[0011]技術(shù)方案:
[0012]涉及本發(fā)明的電流檢測設(shè)備，是可以一種安裝在基板上的電流檢測設(shè)備，而在此基板上還安裝有通過檢測磁通來檢測電流的磁通門型磁性傳感器的IC芯片，此電流檢測設(shè)備還具有略呈環(huán)形的磁芯，該磁芯形成了被檢對象的電流所引起的磁通通行用的磁路。
[0013]并且，在把該電流檢測設(shè)備安裝到基板的時候，把磁芯配置在與基板略呈平行的方向上，而在把該電流檢測設(shè)備安裝到基板的時候，在磁路中，在磁性傳感器IC芯片的頂面或位于上方的地方具有間隙。
[0014]有益效果:
[0015]通過本發(fā)明就能得到低輪廓的電流檢測設(shè)備。
【附圖說明】
[0016]圖1是表示涉及本發(fā)明的實施例1的電流檢測設(shè)備的立體圖。
[0017]圖2是表示涉及本發(fā)明的實施例1的電流檢測設(shè)備底面的立體圖。
[0018]圖3是表示在圖1中上部殼體部件的內(nèi)表面的立體圖。
[0019]圖4是表示從圖1所表示的電流檢測設(shè)備中，取出上部殼體部件和初次導(dǎo)體的狀態(tài)的立體圖。
[0020]圖5是圖1所表示的電流檢測設(shè)備的磁芯4及補(bǔ)償線圈6的立體圖。
[0021]圖6是表示安裝涉及實施例1的電流檢測設(shè)備用電路基板的一個例子的立體圖。
[0022]圖7是表示涉及被安裝在電路基板101上的狀態(tài)下，實施例1的電流檢測設(shè)備的側(cè)面圖。
[0023]圖8是關(guān)于實施例1的電流檢測設(shè)備的電流檢測動作的說明圖。
[0024]圖9是表示涉及本發(fā)明的實施例3的電流檢測設(shè)備的磁芯的立體圖。
[0025]圖10是表示涉及本發(fā)明的實施例4的電流檢測設(shè)備的磁芯的一個例子的側(cè)面圖。
[0026]圖11是表示從涉及實施例5的電流檢測設(shè)備中，取出上部殼體部件和初次導(dǎo)體的狀態(tài)的立體圖。
[0027]圖12是表示從涉及實施例5的電流檢測設(shè)備中，取出上部殼體部件、下部殼體部件以及初次導(dǎo)體的狀態(tài)的立體圖。
【具體實施方式】
[0028]以下，根據(jù)附圖來說明本發(fā)明的實施例。
[0029]實施例1.
[0030]圖1是表示涉及本發(fā)明的實施例1的電流檢測設(shè)備的立體圖。圖2是表示涉及本發(fā)明的實施例1的電流檢測設(shè)備底面的立體圖。圖3是表示在圖1中上部殼體部件的內(nèi)表面的立體圖。圖4是表示從圖1所表示的電流檢測設(shè)備中，取出上部殼體部件和初次導(dǎo)體的狀態(tài)的立體圖。
[0031]通過檢測磁通變化而來檢測電流的磁通門型的磁性傳感器的IC芯片被安裝到基板上。涉及實施例1的電流檢測設(shè)備是一種可以安裝到該基板的電流檢測設(shè)備。
[0032]如圖1及圖2所示，實施例1的電流檢測設(shè)備具有上部殼體部件I及下部殼體部件2。上部殼體部件I具有與其頂面及I個側(cè)面相連接的槽11。槽11中配置有初次導(dǎo)體3。
[0033]如圖1所示，上部殼體部件I被安裝在下部殼體部件2上。因此，上部殼體部件I及下部殼體部件2形成為一體，構(gòu)成殼體。如圖2所示，由于上部殼體部件I所對著的2個側(cè)面的前端的爪部12嵌入到下部殼體部件2中，上部殼體部件I就被固定在下部殼體部件2上了。
[0034]初次導(dǎo)體3是導(dǎo)通被檢測對象的電流Ip的金屬構(gòu)件。圖1中初次導(dǎo)體3為4個，不過，也可以為I個，可以根據(jù)需要來確定相應(yīng)的數(shù)量。另外，初次導(dǎo)體3也可以是母線(Busbar)。
[0035]如圖3所示，上部殼體部件I具有從其頂面開始直立的導(dǎo)向器凸部13，導(dǎo)向器凸部13具有與槽11同樣數(shù)量的導(dǎo)向器細(xì)孔14。導(dǎo)向器細(xì)孔14被形成與槽11連續(xù)的形態(tài)，沿著槽11及導(dǎo)向器細(xì)孔14來配置初次導(dǎo)體3。
[0036]另外，如圖4所示，在下部殼體部件2的內(nèi)側(cè)還通過繞線管5固定著磁芯4，該磁芯4的外側(cè)還安裝著補(bǔ)償線圈6。補(bǔ)償線圈6被卷繞在繞線管5上。下部殼體部件2具有大體上呈四邊形的板狀底面部2a，以及從底面部2a開始直立延伸的4個略呈板狀的側(cè)面部2b。安裝在繞線管5及補(bǔ)償線圈6里的磁芯4，被嵌在側(cè)面部2b之間，以大體上平行于下部殼體部件2的底面部2a的形態(tài)配置，并被固定在下部殼體部件2上。
[0037]在此實施例1中，磁芯4雖被直接地固定于下部殼體部件2上，不過也可以使用其他的安裝部件間接地把磁芯4固定在下部殼體部件2上。另外，也可以使用粘合劑把磁芯4固定在下部殼體部件2上。
[0038]圖5是表示圖1所表示的電流檢測設(shè)備的磁芯4及補(bǔ)償線圈6的立體圖。
[0039]磁芯4為了形成被檢測對象的電流Ip所誘導(dǎo)引起的磁通Tp的磁路，因而被形成為大體上呈環(huán)形的磁芯。在此實施例中，磁芯4具有UU磁芯形態(tài)的多個磁芯部件4a、4bο在磁芯部件4a的一側(cè)端面與磁芯部件4b的一側(cè)端面之間有間隙41，磁芯部件4a的另一側(cè)端面和磁芯部件4b的另一側(cè)端面互相接合。
[0040]構(gòu)成磁芯4的間隙41的2個端面被形成為與磁芯4中形成的磁路大體上垂直的樣態(tài)，進(jìn)而，也與下部殼體部件2的底面部2a大體上垂直。
[0041]另外，形成間隙41的磁芯部件4a、4b的一側(cè)腿部具有向下方(底面?zhèn)?突出的突出部42，同時，還具有大體上與突出部42同樣形狀的缺口部43。
[0042]另外，在此實施例1中，具有接合面的磁芯部件4a、4b的另一側(cè)腿部的高度方向的幅寬Hl比磁芯部件4a、4b的其他部分的幅寬H2窄。因此，把繞線管5及補(bǔ)償線圈6安裝到磁芯4的時候，繞線管5以及補(bǔ)償線圈6的底面不會自磁芯4底面突出，這樣可以使該電流檢測設(shè)備得以低輪廓化。
[0043]另外，具有交界面的磁芯部件4a、4b的另一側(cè)腿部的高度方向的幅寬Hl與其他部分的幅寬H2相同。在此情況下，例如，根據(jù)繞線管5及補(bǔ)償線圈6自磁芯4的底面突出的高度，來增加突出部42的突出高度H3即可。
[0044]在此實施例中，磁芯4是鐵氧體磁芯。如圖5所示，因為磁芯4形狀不復(fù)雜，可以用鐵氧體材料較容易地制造磁芯部件4a、4b。對于鐵氧體材料，可以使用Mn-Zn系鐵氧體材料、N1-Zn系鐵氧體材料等，另外從磁導(dǎo)率的方面來看，優(yōu)選Mn-Zn系鐵氧體材料。另外，磁芯4磁性材料并不局限于鐵氧體材料。
[0045]需要復(fù)雜的磁芯形狀的時候，例如專利文獻(xiàn)1(日本專利申請公開公報特表2011-510318號)所記載的磁芯那樣，可以使用坡莫合金、非結(jié)晶合金等加工性能好，但價格較高的材料。相對于此，在此實施例里，由于磁芯4使用了鐵氧體磁芯，所以能夠較廉價地制造該電流檢測設(shè)備。另外，采用鐵氧體磁芯的時候，相對于磁場強(qiáng)度(即，被檢測對象的電流)的變化而言，磁通密度的變化為非線性。不過由于采用磁均衡方式來檢測電流，所以在檢測電流時，即使磁芯4里的磁通密度變小，因而不會引起問題。
[0046]磁芯4為了形成被檢測對象的電流Ip被誘導(dǎo)引起的磁通Tp的磁路，而被形成為大體上呈環(huán)形的磁芯。在此實施例中，磁芯4具有UU磁芯形態(tài)的多個磁芯部件4a、4b。磁芯部件4a的一側(cè)端面與磁芯部件4b的一側(cè)端面之間形成有間隙41，而磁芯部件4a的另一側(cè)端面與磁芯部件4b的另一側(cè)端面互相接合著。
[0047]繞線管5是樹脂制的繞線管，具有與被補(bǔ)償線圈6電連接的端子51、52、53、54。端子51、53與被補(bǔ)償線圈6的一端電連接，端子52、54與補(bǔ)償線圈6的其他端部電連接。繞線管5具有開口部55，磁芯部件4a、4b的各自的一側(cè)腿部插通了開口部55，在磁芯4安裝有補(bǔ)償線圈
6o
[0048]為了用磁均衡方式檢測電流，補(bǔ)償線圈6在磁芯4里誘導(dǎo)起的磁通Tc，該磁通Tc可以抵消由初次導(dǎo)體3的電流Ip在磁芯4里所誘導(dǎo)引起的磁通Tp。補(bǔ)償線圈6通過經(jīng)由端子51?54輸入的電流，而在磁芯4里誘導(dǎo)引起磁通T c。
[0049]另外，如圖2所示，下部殼體部件2具有為了把該電流檢測設(shè)備固定在后述的電路基板上用的固定凸出21。即，下部殼體部件2在支撐磁芯4的同時，還可以作為將其安裝在電路基板上的支護(hù)部件來發(fā)揮作用。并且，下部殼體部件2還具有位于磁芯4的間隙41的配置位置下方的開口部22。因此，通過開口部22，磁芯4的間隙41的邊緣露出于外。另外，如圖4所不，下部殼體部件2具有從其內(nèi)側(cè)底面開始直立的導(dǎo)向器筒23。導(dǎo)向器筒23的中空部分，貫通下部殼體部件2的底面部2a。在把上部殼體部件I安裝到下部殼體部件2上的時候，上部殼體部件I的導(dǎo)向器凸部13插入到導(dǎo)向器筒23的中空部分，導(dǎo)向器凸部13的前端如圖2所示露出于外。
[0050]因此，因為初次導(dǎo)體3沿著導(dǎo)向器凸部13的導(dǎo)向器細(xì)孔14配置，所以初次導(dǎo)體3與磁芯4相交叉配設(shè)。
[0051]圖6是表示安裝有關(guān)實施例1的電流檢測設(shè)備用電路基板的一個例子的立體圖。如圖6所示，在電路基板101的規(guī)定位置上，實裝有磁性傳感器IC(Integrated Circuit)芯片
111。并且，與固定凸出21相對應(yīng)的位置上設(shè)置有固定細(xì)孔102。另外，電路基板101具有為了插通初次導(dǎo)體3的細(xì)孔103，以及為了插通端子51、52的細(xì)孔104。
[0052]另外，在此實施例1中，通過固定凸出21和固定細(xì)孔102來把電流檢測設(shè)備安裝固定在電路基板101上，不過，也可以形成細(xì)孔來取代固定凸出21，并用襯墊等其他部件來使此細(xì)孔和固定細(xì)孔102互相連接固定在一起。
[0053]磁性傳感器IC芯片111是通過檢測磁通來檢測電流的磁通門型的磁性傳感器IC芯片。例如，此磁性傳感器IC芯片111內(nèi)裝有專利文獻(xiàn)2(美國專利申請公開公報2014/0218018說明書)記載的磁通門型磁性傳感器。
[0054]磁性傳感器IC芯片111，例如，可以被焊錫焊在電路基板101上未圖示的配線焊盤上，從而被固定在電路基板101上。此磁性傳感器IC芯片111可以檢測出與實裝面平行的(即，與磁性傳感器IC芯片111的封裝的底面及頂面平行的)磁通。
[0055]把上述的電流檢測設(shè)備安裝到電路基板101上的時候，把磁性傳感器IC芯片111配置于磁芯4的間隙41的正下面，并調(diào)整上述電流檢測設(shè)備的固定凸出21以及磁芯4的間隙41的位置，以固定細(xì)孔102為基準(zhǔn)，把磁性傳感器IC芯片111固定在規(guī)定位置上。
[0056]S卩，在把該電流檢測設(shè)備安裝到電路基板101時，在通過磁芯4所形成的磁路中，間隙41或是與磁性傳感器IC芯片111的頂面相接觸，或是被配置于磁性傳感器IC芯片111的上方位置(非接觸)。
[0057]另外，如圖5所示，通過磁芯4的突出部42來把該電流檢測設(shè)備安裝到電路基板上的時候，間隙41與磁性傳感器IC芯片111的距離變小，磁性傳感器IC芯片111可以更容易地檢測出通過間隙41的泄露磁通。
[0058]并且，在該電流檢測設(shè)備中，磁芯4被固定成略呈平行于下部殼體部件2的底面部2a的樣態(tài)，另外，把該電流檢測設(shè)備安裝到電路基板101的時候(S卩，把下部殼體部件2安裝到電路基板101的時候)，底面部2a與電路基板101大體上平行。因此，把該電流檢測設(shè)備安裝到電路基板101的時候(S卩，把下部殼體部件2安裝到電路基板101的時候)，磁芯4被配置成與電路基板1I大體上平行，即橫向配置的形態(tài)。構(gòu)成磁芯4的間隙41的2個端面與電路基板101及磁性傳感器IC芯片111大體上垂直。
[0059]其次，就涉及實施例1的電流檢測設(shè)備的動作說明。圖7是表示將其安裝到電路基板101的狀態(tài)下，涉及實施例1的電流檢測設(shè)備的側(cè)面圖。圖8是表示涉及實施例1的電流檢測設(shè)備的電流檢測動作的說明圖。
[0060]如圖7所示，把涉及實施例1的電流檢測設(shè)備安裝到電路基板101的時候，初次導(dǎo)體3與被檢測對象的電流輸出線路等電連接在一起。另外，根據(jù)通過磁性傳感器IC芯片111檢測出的磁通來驅(qū)動補(bǔ)償線圈6的電流測量電路被設(shè)置在電路基板101上。此電流測量電路與磁性傳感器IC芯片111及端子51、52電連接。
[0061 ]如圖8所示，檢測電流時，由于被檢測對象的電流Ip被初次導(dǎo)體3導(dǎo)通，就在磁芯4里誘導(dǎo)引起磁通Tp，而間隙41附近的泄露磁通就通過了磁性傳感器IC芯片111。這樣，在磁性傳感器IC芯片111里導(dǎo)通了與被檢測對象的電流Ip相應(yīng)的磁通。接著，磁性傳感器IC芯片111通過此泄露磁通生成了補(bǔ)償電流。接著，補(bǔ)償線圈6通過此補(bǔ)償電流，在磁芯4里誘導(dǎo)引起使磁通為零的磁通Tc。這樣，通過磁性傳感器IC芯片111檢測出的磁通為零的時候，根據(jù)此時的補(bǔ)償線圈6電流，就可以確定被檢測對象的電流Ip的電流值。
[0062]如上所述，涉及上述實施例1的電流檢測設(shè)備中，通過檢測電流來檢測磁通的磁通門型磁性傳感器IC芯片111可以被安裝到實裝電路基板1I上。并且，該電流檢測設(shè)備中還具有大體上呈環(huán)形的磁芯4，該磁芯4形成了由被檢測對象的電流而誘導(dǎo)引起的磁通的磁路。并且，在把該電流檢測設(shè)備安裝到電路基板101上的時候，把磁芯4配置成與基板101大體上平行的樣態(tài)，在把該電流檢測設(shè)備安裝到基板1I時，在由磁芯4形成的磁路中，位于在磁性傳感器IC芯片111頂面或上方的地方有間隙41。
[0063]因此，由于把間隙41配置在接近表面實裝在電路基板101上的磁性傳感器IC芯片111的地方，磁芯4呈橫向配置形態(tài)，就可以得到低輪廓的電流檢測設(shè)備。
[0064]實施例2.
[0065]涉及本發(fā)明的實施例2的電流檢測設(shè)備具有與涉及實施例1的電流檢測設(shè)備同樣的構(gòu)成要素。但是，實施例2中的上部殼體部件I及下部殼體部件2具有磁屏蔽功能。
[0066]在實施例2中，上部殼體部件I及下部殼體部件2是由坡莫合金等的高磁導(dǎo)率的軟磁性材料所形成的。另外，只有上部殼體部件I或只有下部殼體部件2是由軟磁性材料形成的。
[0067]但是，上部殼體部件I及下部殼體部件2的側(cè)面的一部分，以不形成圍繞初次導(dǎo)體3的磁路的形態(tài)，由非磁性材料所形成。同樣，上部殼體部件I的頂面及下部殼體部件2的底面的一部分，以不形成圍繞初次導(dǎo)體3的磁路的形態(tài)，由非磁性材料所形成。例如，上部殼體部件I及下部殼體部件2中，相對于圍繞被檢測對象的電流Ip的磁通呈大體上垂直地延伸的規(guī)定部分，是由樹脂等非磁性材料所形成的。
[0068]這樣，上部殼體部件I及下部殼體部件2由磁性材料所形成，因為在下部殼體部件2的底面部2a處，磁芯4的間隙41的配置位置位于開口部22處，所以來自間隙41的泄露磁通在磁性傳感器IC芯片111里導(dǎo)通。
[0069]如上所述，通過上述實施例2，由于上部殼體部件I及下部殼體部件2具有磁屏蔽作用，所以在其附近的、由導(dǎo)通電流所誘導(dǎo)引起的干擾磁通的干擾效應(yīng)就變得很小。
[0070]實施例3.
[0071]圖9是表示涉及本發(fā)明的實施例3的電流檢測設(shè)備的磁芯的立體圖。涉及實施例3的電流檢測設(shè)備具有如圖9所表示的磁芯81來替代磁芯4。另外，關(guān)于涉及實施例3的電流檢測設(shè)備的其他組成，因為與實施例1或與實施例2相同，所以就省略其說明。
[0072]實施例3中，磁芯81被形成為大體上呈環(huán)形的磁芯，并作為由被檢測對象的電流Ip所誘導(dǎo)引起的磁通Tp的磁路。在此實施例中，磁芯81具有UU磁芯形態(tài)的多個磁芯部件81a、81b。在磁芯部件81a的一個端面和磁芯部件81b的一個端面之間具有間隙82，磁芯部件81a的另一個端面和磁芯部件81b的另一個端面互相接合。
[0073]另外，形成間隙82的磁芯部件82a、82b的一個腿部具有向下方(底面?zhèn)?突出的突出部83，同時，還具有與突出部83大體上同樣形狀的缺口部84。并且，在實施例3中，突出部83具有形狀與磁性傳感器IC芯片111形狀相配合的缺口部85。缺口部85被形成為下述形狀，即把該電流檢測設(shè)備安裝到電路基板101安裝時，覆蓋住磁性傳感器IC芯片111側(cè)面的一部分或全部的形狀。例如，缺口部85具有與磁性傳感器IC芯片111高度(S卩，從電路基板1I表面到磁性傳感器IC芯片111封裝頂面的距離)大體上相同的高度。
[0074]另外，如圖所9表示的磁芯81覆蓋了磁性傳感器IC芯片111頂面以及2個側(cè)面，不過也可以為覆蓋磁性傳感器IC芯片111頂面和4個側(cè)面的形狀。
[0075]實施例4.
[0076]圖10是表示涉及本發(fā)明的實施例4的電流檢測設(shè)備的磁芯的一個例子的側(cè)面圖。涉及實施例4的電流檢測設(shè)備具有如圖10所表示的磁芯91以替代磁芯4。另外，關(guān)于涉及實施例4的電流檢測設(shè)備的其他的組成，因為與實施例1或?qū)嵤├?相同，所以省略其說明。
[0077]在實施例4中，磁芯91被形成為大體上呈環(huán)形的磁芯，并形成了由被檢測對象的電流Ip所誘導(dǎo)引起的磁通Tp的磁路。在此實施例中，磁芯91具有UU磁芯形態(tài)的多個磁芯部件91a、91b。磁芯部件91a的一個端面與磁芯部件91b的一個端面之間具有間隙92，磁芯部件91a的另一個端面和磁芯部件91b的另一個端面互相接合。
[0078]并且，在實施例4中，間隙92的幅寬沿著高度方向而變化，越靠近磁芯91底面?zhèn)龋g隙92變得越寬。另外，磁芯91的間隙92的其他形狀與磁芯4相同。
[0079]另外，如圖10所表示的磁芯91，構(gòu)成間隙92的磁芯部件91a、91b的端面，被形成為階梯式，不過也可以被形成為傾斜的斜面狀，可以為曲面狀。
[0080]實施例5.
[0081]涉及本發(fā)明的實施例5的電流檢測設(shè)備，是在實施例1?4的任意一個基礎(chǔ)上，進(jìn)一步具有板狀的磁性屏蔽部件。
[0082]圖11是表示涉及實施例5的電流檢測設(shè)備的、取下上部殼體部件I和初次導(dǎo)體3的狀態(tài)的立體圖。圖12是表示涉及實施例5的電流檢測設(shè)備的、取下上部殼體部件、下部殼體部件以及初次導(dǎo)體的狀態(tài)的立體圖。另外，關(guān)于涉及實施例5的電流檢測設(shè)備的其他組成，因為與實施例1?4中的任意一個都相同，所以省略其說明。
[0083]如圖11及圖12所示，磁性屏蔽部件201被配置在磁芯4和殼體(下部殼體部件2，即，磁芯4的支護(hù)部件)之間。另外，磁性屏蔽部件201被配置成與磁芯4不接觸，即與磁芯4離開一定距離的形態(tài)。例如，可以將其通過粘合劑、非磁性的部件等固定于磁芯4或下部殼體部件2。
[0084]如圖12所示，磁性屏蔽部件201，具有板狀的頂面部201a，和相對著的2個板狀的側(cè)面部201b。側(cè)面部201b從頂面部201a開始垂直地延伸著。在此實施例5中，磁性屏蔽部件201被構(gòu)成為I個部件，不過，也可以被構(gòu)成多個部件(分別與頂面部201a以及側(cè)面部201b的相對應(yīng)的個別部件)。磁性屏蔽部件201與初次導(dǎo)體3互不交叉。還有，磁性屏蔽部件201的頂面部20Ia被配置于磁芯4、81、91的間隙41、82、92(S卩，磁性傳感器IC芯片111)的上方，磁性屏蔽部件201的側(cè)面部201b，被配置于磁芯4、81、91的間隙41、82、92(總之，磁性傳感器IC芯片111)的側(cè)方。
[0085]磁性屏蔽部件201可以是，例如，鐵氧體(N1-Zn系鐵氧體、Mn-Zn系鐵氧體、Ba系鐵氧體、草酸亞鐵平面系鐵氧體等)、非結(jié)晶磁性合金、硅鋼片、坡莫合金、納米結(jié)晶磁性合金等的材質(zhì)。
[0086]通過如此設(shè)置磁性屏蔽部件201，可以降低附近由于導(dǎo)通電流而誘導(dǎo)引起的干擾磁通的效應(yīng)。
[0087]實施例6.
[0088]涉及本發(fā)明的實施例6的電子儀器的制造方法中，第I制造者制造、銷售上述實施例I?5中任意一款電流檢測設(shè)備，而第2制造者制造、銷售上述的磁性傳感器IC芯片111，第3制造者購買此電流檢測設(shè)備及磁性傳感器IC芯片111，并將此電流檢測設(shè)備、磁性傳感器IC芯片111組裝在電路基板101上，實裝上述的電流測量線路來制造電子儀器。此時，第3制造者根據(jù)此電子儀器的被檢測對象電流的電流值范圍，來決定互相串聯(lián)在一起的初次導(dǎo)體3的數(shù)量，以及上述的電流測量線路的測量范圍等之后，來實裝上述的電流檢測設(shè)備及電流測量線路。
[0089]由于如上述所述那樣構(gòu)成電流檢測設(shè)備，所以第3制造者通過對準(zhǔn)此電流檢測設(shè)備的固定凸出21與間隙41的位置關(guān)系，并把磁性傳感器IC芯片111組裝到第3制造者所制造的電子儀器的電路基板101的上述的固定細(xì)孔103，并把此電流檢測設(shè)備安裝到電路基板101上面，那么就可以把與此電子儀器的規(guī)格相一致的電流檢測設(shè)備簡單地設(shè)置到此電子儀器內(nèi)。
[0090]另外，關(guān)于上述的實施例的各種各樣的變更及修正，對本行業(yè)的從業(yè)人員而言是顯而易見的。這種變更及修正只要不偏離本發(fā)明的主題宗旨及范圍，并且不會弱化本發(fā)明所專注的優(yōu)點就行。即，在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)已包含了這樣的變更及修正。
[0091]例如，在上述實施例1?5中，磁芯部件4a、4b、81a、81b、91a、91b的形成間隙41、82、92的端面可以分別是不同的、互相連接的端面，除了圖5里所示的、大體上垂直于磁路的端面以外，還可以是傾斜面，或是階梯面。另外，還可用磁性粘合劑彼此連接此端面。
[0092]另外，在上述實施例1?5中，也可以把非磁性的的襯墊配置在間隙41、82、92中，還可以填充非磁性的粘合劑或填充劑。另外，在磁芯4、81、91的頂面?zhèn)鹊?、間隙41、82、92的一部分(構(gòu)成間隙41、82、92的一個端面的一部分和另一個端面的一部分之間的空間)可以填充軟磁性的粘合劑或填充劑。
[0093]另外，在上述實施例1?5中，為了降低干擾效應(yīng)，還可以把軟磁性材料的磁性薄板配置在電路基板1I與磁性傳感器IC芯片111之間，或者把軟磁性材料的磁性薄板粘貼到電路基板101背面(與磁性傳感器IC芯片111實裝面的相反側(cè)的表面)。另外，作為電路基板101，可以使用具有軟磁性材料的磁性層的電路基板。
[0094]另外，在上述實施例1?5中，磁芯4、81、91由對稱的2個磁芯部件4&、413、813、8113、91a、91b所構(gòu)成，不過，也可以由不對稱的多個磁芯部件構(gòu)成。另外，在上述實施例1?3中，磁芯4、81、91也可以由具有間隙的I個磁芯部件來構(gòu)成。另外，因為磁芯4、81、91是由對稱的2個磁芯部件4a、4b、81a、81b、91a、91b來構(gòu)成的，所以間隙41、82、92被配置在中央，不過如果使用不對稱的多個磁芯部件的話，間隙41、82、92也不必被配置在中央。
[0095]另外，上述實施例1?5中，使用磁均衡式來檢測電流值，不過，也可以使用磁比例式來檢測電流值。在此情況下就不必設(shè)置繞線管5以及補(bǔ)償線圈6等。
[0096]本發(fā)明可以適用于例如電流傳感器等電子設(shè)備。
[0097]符號說明:
[0098]2下部殼體部件(支護(hù)部件的一個例子)
[0099]3初次導(dǎo)體
[0100]4、81、91 磁芯
[0101]6補(bǔ)償線圈
[0102]41、82、92 間隙
[0103]201磁性屏蔽部件
【主權(quán)項】
1.一種電流檢測設(shè)備，其可以安裝到基板上，該基板上還實裝有通過檢測出磁通而達(dá)到檢測電流目的的磁通門型磁性傳感器IC芯片，其特征是: 其具有磁芯，該磁芯略呈環(huán)形，從而形成了由被檢測對象的電流所誘導(dǎo)引起的磁通的磁路， 在把該電流檢測設(shè)備安裝到上述基板的時候，把上述磁芯配置在與上述基板略呈平行的方向上， 而在把該電流檢測設(shè)備安裝到上述基板的時候，在上述磁路中，在上述磁性傳感器IC芯片的頂面或位于上方的地方具有間隙。2.根據(jù)權(quán)利要求1的電流檢測設(shè)備，其特征是: 還進(jìn)一步具有可以安裝在上述基板的支護(hù)部件， 上述磁芯被上述支護(hù)部件直接地或間接地固定住， 在把上述支護(hù)部件安裝在上述基板的時候，上述間隙位于上述磁性傳感器IC芯片的頂面或位于上方的地方。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的電流檢測設(shè)備，其特征是: 在上述磁芯中構(gòu)成上述間隙的2個端面大體上垂直于上述基板。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任意一項的電流檢測設(shè)備，其特征是: 還進(jìn)一步具有初次導(dǎo)體，該初次導(dǎo)體導(dǎo)通了與上述磁芯交叉配設(shè)的被檢測對象的電流， 以及補(bǔ)償線圈，該補(bǔ)償線圈在上述磁芯內(nèi)誘導(dǎo)引起的磁通抵消了由上述初次導(dǎo)體的電流在上述磁芯內(nèi)誘導(dǎo)引起的磁通， 并用磁均衡方式檢測出上述電流。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項的電流檢測設(shè)備，其特征是: 上述支護(hù)部件收容了上述磁芯的殼體的一部分或全部， 上述殼體具有磁屏蔽功能， 上述殼體具有開口部，該開口部在上述殼體底面的上述磁芯的上述間隙的配置位置。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項的電流檢測設(shè)備，其特征是: 進(jìn)一步具有板狀的磁性屏蔽部件， 上述支護(hù)部件收容了上述磁芯的殼體的一部分或全部， 上述磁性屏蔽部件被配置于上述磁芯和上述殼體之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6的任意一項的電流檢測設(shè)備，其特征是: 上述磁芯是鐵氧體磁芯。
【文檔編號】G01R19/00GK106066420SQ201610258371
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年4月22日 公開號201610258371.9, CN 106066420 A, CN 106066420A, CN 201610258371, CN-A-106066420, CN106066420 A, CN106066420A, CN201610258371, CN201610258371.9
【發(fā)明人】森本泰德, 黑田守宏, 清水誠二, 菊地修一, 中塚智巳
【申請人】勝美達(dá)集團(tuán)株式會社