一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法和裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法和裝置。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法，包括：檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，根據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，本發(fā)明實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息就可以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，檢測(cè)方法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破壞性檢測(cè)，也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，因此降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且由于降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目的。
【專利說明】
一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法和裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，由于疊片鋰電池被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、筆記本電腦和電動(dòng)汽車中，因此 疊片鋰電池的安全問題越來越被廣泛關(guān)注，其中重點(diǎn)需要關(guān)注的是疊片鋰電池內(nèi)部短路引 發(fā)的安全問題。疊片鋰電池中包含至少一個(gè)疊片電芯，疊片鋰電池的內(nèi)部短路是由其中一 個(gè)疊片電芯發(fā)生短路引起的，其中，疊片電芯發(fā)生短路一般是由于疊片電芯內(nèi)的極片產(chǎn)生 錯(cuò)位引起的，在疊片電芯內(nèi)的極片產(chǎn)生錯(cuò)位引起短路的情況主要包括以下兩種：
[0003] 情況1、在疊片鋰電池充放電過程，陰極片會(huì)生成富余的鋰析出，析出的鋰會(huì)集中 在絕緣膜的邊緣，并形成枝狀結(jié)晶，當(dāng)枝狀結(jié)晶達(dá)到一定程度后會(huì)刺破絕緣膜，致使陰極片 和陽(yáng)極片連通造成短路；
[0004] 情況2、由于疊片電芯內(nèi)的極片發(fā)生錯(cuò)位，致使發(fā)生錯(cuò)位的極片與相鄰的極片直接 接觸，進(jìn)而引起疊片電芯短路。
[0005] 在現(xiàn)有技術(shù)中，檢測(cè)疊片電芯內(nèi)的極片是否發(fā)生錯(cuò)位的方法主要有以下兩種方 式：
[0006] 方式1:采用人工方式對(duì)電芯進(jìn)行破壞性檢測(cè)，即對(duì)待測(cè)角進(jìn)行切割，然后在影像 投影儀下進(jìn)行人工檢測(cè)；
[0007]方式2:使用CT掃描，檢測(cè)極片是否發(fā)生錯(cuò)位。
[0008]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題：
[0009]方式1和方式2的檢測(cè)成本較高，檢測(cè)效率較低，并且由于檢測(cè)成本高，只能使用抽 檢的檢測(cè)方式，因此無法對(duì)所有的疊片電芯的進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法和裝置，用以解決現(xiàn)有 技術(shù)中檢測(cè)成本較高，檢測(cè)效率較低的問題，以及無法對(duì)所有的疊片電芯的進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè) 的問題。
[0011] -方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法，所述方法應(yīng)用于檢測(cè)疊 片電芯中的極片是否發(fā)生錯(cuò)位，所述方法包括：
[0012] 檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，其中所述坐標(biāo) 信息包括:X軸坐標(biāo)和Y軸坐標(biāo)；
[0013] 判斷所述X軸坐標(biāo)與所述第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第一 閾值，以及，判斷所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第二閾值；
[0014] 如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過所述第一閾值和/或所述Y軸坐 標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過第二閾值，則確定所述第一極片發(fā)生錯(cuò)位；
[0015] 如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過所述第一閾值，以及所述Y軸 坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過第二閾值，則確定所述第一極片未發(fā)生錯(cuò)位；
[0016] 其中，所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系是根據(jù)第二極片的擺放位置建立的。
[0017] 如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述檢測(cè)待 測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息包括：
[0018] 通過第一射線以不同入射角對(duì)所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角進(jìn)行照射形 成切線；
[0019] 檢測(cè)形成切線時(shí)的入射角度值；
[0020] 根據(jù)所述入射角度值，確定所述圓心的位置；
[0021 ]根據(jù)所述位置，確定所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所述坐標(biāo)信息。
[0022] 如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述檢測(cè)待 測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息包括：
[0023] 檢測(cè)通過第二射線以第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極 片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第一入射角度值，以及檢測(cè)所述第二射線以所述第一入 射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)兩個(gè) 切線之間的第一垂直距離;檢測(cè)通過第三射線以第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極 片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第二入射角度值，以及檢測(cè)所述第三射 線以所述第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射 形成切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第二垂直距離；
[0024]根據(jù)所述第一入射角度值、所述第一垂直距離、所述第二入射角度值和所述第二 垂直距離，確定所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角的所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所 述坐標(biāo)信息。
[0025]如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第一垂 直距離是根據(jù)所述第二射線對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn) 行照射形成切線時(shí)的投影高度確定的，所述第二垂直距離是根據(jù)所述第三射線對(duì)所述待測(cè) 角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的投影高度確定的。
[0026] 如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第一射 線、所述第二射線和所述第三射線均包括:X射線；
[0027] 所述X射線的入射方向平行于所述疊片電池；
[0028] 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Y軸分別與所述待測(cè)角上所述第二極片的倒圓角所形成 的圓相切。
[0029] 上述技術(shù)方案中的一個(gè)技術(shù)方案具有如下有益效果:本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極 片錯(cuò)位的檢測(cè)方法，檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，根 據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，本發(fā)明實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè)角上第一 極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息就可以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，檢測(cè)方 法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破壞性檢測(cè)，也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，因此 降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且由于降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，因此可以 實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目的。
[0030] 另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，所述裝置用于檢測(cè) 疊片電池中的極片是否發(fā)生錯(cuò)位，所述裝置包括：
[0031] 檢測(cè)單元，用于檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信 息，其中所述坐標(biāo)信息包括:X軸坐標(biāo)和Y軸坐標(biāo)；
[0032] 判斷單元，用于判斷所述X軸坐標(biāo)與所述第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì) 值是否超過第一閾值，以及，判斷所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第二閾 值；
[0033] 確定單元，如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過所述第一閾值和/或 所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過第二閾值，用于確定所述第一極片發(fā)生錯(cuò)位；
[0034] 所述確定單元，如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過所述第一閾 值，以及所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過第二閾值，用于確定所述第一極片 未發(fā)生錯(cuò)位；
[0035] 其中，所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系是根據(jù)第二極片的擺放位置建立的。
[0036] 如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述檢測(cè)單 元包括：
[0037] 照射模塊，用于通過第一射線以不同入射角對(duì)所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓 角進(jìn)行照射形成切線；
[0038] 第一檢測(cè)子模塊，用于檢測(cè)形成切線時(shí)的入射角度值；
[0039]第一確定模塊，用于根據(jù)所述入射角度值，確定所述圓心的位置；
[0040] 所述第一確定模塊，用于根據(jù)所述位置，確定所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所 述坐標(biāo)信息。
[0041] 如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述檢測(cè)單 元包括：
[0042]第二檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)通過第二射線以第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一 極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第一入射角度值，以及檢測(cè)所述第二 射線以所述第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照 射形成切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第一垂直距離；
[0043]所述第二檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)通過第三射線以第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述 第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第二入射角度值，以及檢測(cè)所述 第三射線以所述第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn) 行照射形成切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第二垂直距離；
[0044] 第二確定模塊，用于根據(jù)所述第一入射角度值、所述第一垂直距離、所述第二入射 角度值和所述第二垂直距離，確定所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角的所述圓心在所述 預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所述坐標(biāo)信息。
[0045] 如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第一垂 直距離是根據(jù)所述第二射線對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn) 行照射形成切線時(shí)的投影高度確定的，所述第二垂直距離是根據(jù)所述第三射線對(duì)所述待測(cè) 角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的投影高度確定的。
[0046] 如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述第一射 線、所述第二射線和所述第三射線均包括:X射線；
[0047] 所述X射線的入射方向平行于所述疊片電池；
[0048] 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Y軸分別與所述待測(cè)角上所述第二極片的倒圓角所形成 的圓相切。
[0049] 上述技術(shù)方案中的一個(gè)技術(shù)方案具有如下有益效果:本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極 片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，確 定單元根據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，本發(fā)明實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè) 角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息就可以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò) 位，檢測(cè)方法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破壞性檢測(cè)，也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行 檢測(cè)，因此降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且由于降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高， 因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目的。
【附圖說明】
[0050] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā) 明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0051] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法的流程示意圖；
[0052] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法的流程示意圖；
[0053]圖3為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法的流程示意圖；
[0054] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種射線與第一極片和第二極片形成切線時(shí)的示意 圖；
[0055] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0058]為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描 述。
[0059] 應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其 它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0060] 在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制 本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的"一種"、"所述"和"該" 也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。
[0061] 應(yīng)當(dāng)理解，本文中使用的術(shù)語(yǔ)"和/或"僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對(duì)象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示 可以存在三種關(guān)系，例如，Α和/或Β，可以表示:單獨(dú)存在A，同時(shí)存在Α和Β，單獨(dú)存在Β這三種 情況。另外，本文中字符7"，一般表示前后關(guān)聯(lián)對(duì)象是一種"或"的關(guān)系。
[0062] 應(yīng)當(dāng)理解，盡管在本發(fā)明實(shí)施例中可能采用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來描述極片和射線， 但這些極片和射線不應(yīng)限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用來將極片和射線彼此區(qū)分開。例如，在 不脫離本發(fā)明實(shí)施例范圍的情況下，第一極片也可以被稱為第二極片，類似地，第二極片也 可以被稱為第一極片。
[0063] 取決于語(yǔ)境，如在此所使用的詞語(yǔ)"如果"可以被解釋成為"在……時(shí)"或"當(dāng)…… 時(shí)"或"響應(yīng)于確定"或"響應(yīng)于檢測(cè)"。類似地，取決于語(yǔ)境，短語(yǔ)"如果確定"或"如果檢測(cè) (陳述的條件或事件)"可以被解釋成為"當(dāng)確定時(shí)"或"響應(yīng)于確定"或"當(dāng)檢測(cè)（陳述的條件 或事件)時(shí)"或"響應(yīng)于檢測(cè)(陳述的條件或事件)"。
[0064] 實(shí)施例一
[0065] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法的流程示意圖，如圖1所 示，本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法，所述方法應(yīng)用于檢測(cè)疊片電芯中的 極片是否發(fā)生錯(cuò)位，具體可以包括如下步驟：
[0066] S101、檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，其中所 述坐標(biāo)信息包括:X軸坐標(biāo)和Y軸坐標(biāo)。
[0067] 其中，所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系是根據(jù)第二極片的擺放位置建立的。
[0068] 具體的，疊片電芯中包括若干個(gè)極片，其中，極片包括：陰極片和陽(yáng)極片，陰極片和 陽(yáng)極片交替疊片，當(dāng)其中一個(gè)極片相對(duì)于其他極片發(fā)生錯(cuò)位后，發(fā)生錯(cuò)位的極片的位置相 對(duì)于其他沒有發(fā)生錯(cuò)位的極片的位置產(chǎn)生了偏移，該偏移包括平行偏移和/或旋轉(zhuǎn)偏移。當(dāng) 判斷第一極片相對(duì)于第二極片是否發(fā)生錯(cuò)位時(shí)，預(yù)先根據(jù)第二極片的擺放位置建立坐標(biāo) 系，即預(yù)設(shè)坐標(biāo)系是根據(jù)第二極片的擺放位置建立的，進(jìn)一步的，第二極片的擺放位置為基 準(zhǔn)位置，判斷第一極片的當(dāng)前位置相對(duì)于基準(zhǔn)位置來說是否發(fā)生偏移，無論第一極片發(fā)生 何種類型的偏移，第一極片在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中所覆蓋的坐標(biāo)范圍發(fā)生了改變，即第一極片的 坐標(biāo)范圍相對(duì)于第二極片的坐標(biāo)范圍發(fā)生了改變，因此只需要判斷第一極片中的某個(gè)點(diǎn)的 坐標(biāo)在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中是否發(fā)生改變，則可以判斷出第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，為了便于準(zhǔn)確 檢測(cè)，判斷待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心是否發(fā)生偏移，因此需要檢測(cè)待測(cè)角上第一 極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息。
[0069] 其中，第一極片和第二極片可以是相鄰的陰極片和陽(yáng)極片，當(dāng)然也可以是疊片電 芯中任意兩個(gè)極片。
[0070] S102、判斷所述X軸坐標(biāo)與所述第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì)值是否超 過第一閾值，以及，判斷所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第二閾值;如果 所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過所述第一閾值和/或所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑 的差值的絕對(duì)值超過第二閾值，則執(zhí)行S103;如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值 未超過所述第一閾值，以及所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過第二閾值，則執(zhí) 行S104。
[0071] 具體的，當(dāng)?shù)谝粯O片發(fā)生錯(cuò)位后，待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心也會(huì)發(fā)生改 變，進(jìn)一步的，待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心的坐標(biāo)發(fā)生改變，由于第一極片的位置無 論如何改變，待測(cè)角上第一極片的倒圓角的半徑不會(huì)發(fā)生變化，因此，判斷第一極片相對(duì)于 第二極片是否發(fā)生錯(cuò)位時(shí)，只要分別判斷待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心的X軸坐標(biāo)和Y 軸坐標(biāo)與半徑的差值是否發(fā)生改變就可以了，并且由于細(xì)微的錯(cuò)位不會(huì)對(duì)電芯造成短路， 并且錯(cuò)位時(shí)的偏移方向不確定，因此需要判斷待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心的X軸坐 標(biāo)與第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第一閾值，以及判斷待測(cè)角上第一 極片的倒圓角的圓心的Y軸坐標(biāo)與第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第二 閾值，當(dāng)X軸坐標(biāo)與第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì)值未超過第一閾值且Y軸坐標(biāo)與 第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì)值未超過第二閾值時(shí)，可以確定第一極片未發(fā)生可 以引起電芯短路的錯(cuò)位，其他任何情況都可以確定第一極片發(fā)生了可以引起電芯短路的錯(cuò) 位。
[0072]其中，第一閾值和第二閾值的取值根據(jù)實(shí)際建立的預(yù)設(shè)坐標(biāo)系確定。
[0073] S103、確定所述第一極片發(fā)生錯(cuò)位。
[0074] S104、確定所述第一極片未發(fā)生錯(cuò)位。
[0075]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法，檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角 的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，根據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，本發(fā)明 實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息就可 以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，檢測(cè)方法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破壞性檢測(cè)， 也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，因此降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且由于降低了 檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目的。
[0076] 實(shí)施例二
[0077] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法的流程示意圖，針對(duì)實(shí)施 例一中S101所述檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息的實(shí)現(xiàn) 提供了如圖2所示的方法流程：
[0078] SA1011、通過第一射線以不同入射角對(duì)所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角進(jìn)行 照射形成切線。
[0079] 具體的，當(dāng)一個(gè)圓為確定時(shí)，可以通過該圓的切線確定出該圓的圓心，待測(cè)角上第 一極片的倒圓角為一個(gè)圓的一部分，通過射線照射可以形成該倒圓角的切線，由于通過切 線確定圓的圓心時(shí)至少通過該圓的兩條切線確定，因此通過射線形成該倒圓角的切線時(shí)要 通過不同入射角來對(duì)該倒圓角進(jìn)行照射來形成切線，這樣就可以至少獲取該倒圓角的兩條 切線，進(jìn)而可以確定出該倒圓角的圓心位置。
[0080] SA1012、檢測(cè)形成切線時(shí)的入射角度值。
[0081 ] SA1013、根據(jù)所述入射角度值，確定所述圓心的位置。
[0082]具體的，在通過第一射線以不同入射角對(duì)所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角進(jìn) 行照射形成切線時(shí)，結(jié)合各個(gè)切線的入射角度值，可以模擬出各個(gè)射線在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的 位置，然后根據(jù)獲取的各個(gè)切線的入射角度值和各個(gè)切線的位置確定圓心的位置，例如:可 以通過各個(gè)射線在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的位置結(jié)合通過各個(gè)切線的入射角度值計(jì)算得到圓心的 位置，或者根據(jù)各個(gè)切線的位置和各個(gè)切線的入射角度值確定與各個(gè)切線分別垂直的直線 的焦點(diǎn)位置，該焦點(diǎn)位置則是該倒圓角的圓心位置。
[0083] SA1014、根據(jù)所述位置，確定所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所述坐標(biāo)信息。
[0084]其中，所述第一射線包括:Χ射線；
[0085] 所述X射線的入射方向平行于所述疊片電池；
[0086] 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Υ軸分別與所述待測(cè)角上所述第二極片的倒圓角所形成 的圓相切。
[0087] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法，檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角 的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，根據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，本發(fā)明 實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息就可 以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，檢測(cè)方法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破壞性檢測(cè)， 也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，因此降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且由于降低了 檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目的。
[0088] 實(shí)施例三
[0089] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法的流程示意圖，針對(duì)實(shí)施 例一中S101所述檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息的實(shí)現(xiàn) 還提供了如圖3所示的方法流程：
[0090] SB1011、檢測(cè)通過第二射線以第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述 第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第一入射角度值，以及檢測(cè)所述第二射線以所述 第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線 時(shí)兩個(gè)切線之間的第一垂直距離;檢測(cè)通過第三射線以第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述 第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第二入射角度值，以及檢測(cè)所述 第三射線以所述第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn) 行照射形成切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第二垂直距離。
[0091] 具體的，待測(cè)角上的第一極片的倒圓角和待測(cè)角上的第二極片的倒圓角可以通過 相同入射角度的射線形成切線，在形成切線時(shí)可以獲取該切線在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的位置，以 及該切線的入射角度值，通過兩次射線以不同入射角對(duì)待測(cè)角上的第一極片的倒圓角和待 測(cè)角上的第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成的切線，以及相關(guān)的切線信息，通過計(jì)算可以確 定出第一極片的在待測(cè)角上的倒圓角的圓心位置，如圖4所示的一種射線與第一極片和第 二極片形成切線時(shí)的示意圖，第一極片為陽(yáng)極片，第二極片為陰極片，預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Y 軸分別以待測(cè)角上陽(yáng)極片的兩個(gè)邊建立的，在第二射線與第一級(jí)片的倒圓角和第二極片的 倒圓角形成切線時(shí)，可以確定出第二射線的入射角度值、第二射線在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的位置， 以及第二射線在第一級(jí)片的倒圓角和第二極片的倒圓角形成切線時(shí)兩條切線之間的垂直 距離，同樣可以確定出第三射線的入射角度值、第三射線在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的位置，以及第三 射線在第一級(jí)片的倒圓角和第二極片的倒圓角形成切線時(shí)兩條切線之間的垂直距離。 [0092] SB1012、根據(jù)所述第一入射角度值、所述第一垂直距離、所述第二入射角度值和所 述第二垂直距離，確定所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角的所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系 中的所述坐標(biāo)信息。
[0093]
.確定第一極片的倒圓角的圓心的X 軸坐標(biāo)
確定 第一極片的倒圓角的圓心的Y軸坐標(biāo)。
[0094]其中，rl為第一級(jí)片倒圓角所在原的半徑，r2為第二級(jí)片倒圓角所在原的半徑，dl 為第一垂直距離，d2為第二垂直距離，α?為第一入射角度值，α2為第二入射角度值。
[0095]所述第一垂直距離是根據(jù)所述第二射線對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述 第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的投影高度確定的，所述第二垂直距離是根據(jù)所述 第三射線對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí) 的投影高度確定的。
[0096] 所述第二射線和所述第三射線均包括:X射線；
[0097] 所述X射線的入射方向平行于所述疊片電池；
[0098] 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Y軸分別與所述待測(cè)角上所述第二極片的倒圓角所形成 的圓相切。
[0099] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法，檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角 的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，根據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，本發(fā)明 實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息就可 以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，檢測(cè)方法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破壞性檢測(cè)， 也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，因此降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且由于降低了 檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目的。
[0100] 實(shí)施例四
[0101] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，所述裝置 用于檢測(cè)疊片電池中的極片是否發(fā)生錯(cuò)位，具體可以包括:檢測(cè)單元51、判斷單元52和確定 單元53。
[0102] 檢測(cè)單元51，用于檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信 息，其中所述坐標(biāo)信息包括:X軸坐標(biāo)和Y軸坐標(biāo)；
[0103] 判斷單元52,用于判斷所述X軸坐標(biāo)與所述第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕 對(duì)值是否超過第一閾值，以及，判斷所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第二 閾值；
[0104]確定單元53,如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過所述第一閾值和/ 或所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過第二閾值，用于確定所述第一極片發(fā)生錯(cuò) 位；
[0105] 所述確定單元53,如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過所述第一 閾值，以及所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過第二閾值，用于確定所述第一極 片未發(fā)生錯(cuò)位；
[0106] 其中，所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系是根據(jù)第二極片的擺放位置建立的。
[0107] 本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，可以用于執(zhí)行圖1所示方法實(shí) 施例的技術(shù)方案，其實(shí)現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似，此處不再贅述。
[0108] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角 的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，確定單元根據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò) 位，本發(fā)明實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo) 信息就可以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，檢測(cè)方法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破 壞性檢測(cè)，也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，因此降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且 由于降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目 的。
[0109] 實(shí)施例五
[0110] 基于實(shí)施例四，圖6為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示 意圖，所述裝置用于檢測(cè)疊片電池中的極片是否發(fā)生錯(cuò)位，具體可以包括:檢測(cè)單元51、判 斷單元52和確定單元53,其中檢測(cè)單元51包括:照射模塊511、第一檢測(cè)子模塊512和第一確 定模塊513。
[0111] 照射模塊511，用于通過第一射線以不同入射角對(duì)所述待測(cè)角上所述第一極片的 倒圓角進(jìn)行照射形成切線；
[0112] 第一檢測(cè)子模塊512,用于檢測(cè)形成切線時(shí)的入射角度值；
[0113] 第一確定模塊513,用于根據(jù)所述入射角度值，確定所述圓心的位置；
[0114] 所述第一確定模塊513,用于根據(jù)所述位置，確定所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的 所述坐標(biāo)信息；
[0115]所述第一射線包括:X射線；
[0116] 所述X射線的入射方向平行于所述疊片電池；
[0117] 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Y軸分別與所述待測(cè)角上所述第二極片的倒圓角所形成 的圓相切。
[0118] 本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，可以用于執(zhí)行圖2所示方法實(shí) 施例的技術(shù)方案，其實(shí)現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似，此處不再贅述。
[0119] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角 的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，確定單元根據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò) 位，本發(fā)明實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo) 信息就可以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，檢測(cè)方法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破 壞性檢測(cè)，也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，因此降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且 由于降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目 的。
[0120] 實(shí)施例六
[0121] 基于實(shí)施例四，圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示 意圖，所述裝置用于檢測(cè)疊片電池中的極片是否發(fā)生錯(cuò)位，具體可以包括:檢測(cè)單元51、判 斷單元52和確定單元53,其中檢測(cè)單元51包括:第二檢測(cè)模塊514和第二確定模塊515。
[0122] 第二檢測(cè)模塊514,用于檢測(cè)通過第二射線以第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述 第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第一入射角度值，以及檢測(cè)所述 第二射線以所述第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn) 行照射形成切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第一垂直距離；
[0123] 所述第二檢測(cè)模塊514,用于檢測(cè)通過第三射線以第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的 所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第二入射角度值，以及檢測(cè) 所述第三射線以所述第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓 角進(jìn)行照射形成切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第二垂直距離；
[0124] 第二確定模塊515,用于根據(jù)所述第一入射角度值、所述第一垂直距離、所述第二 入射角度值和所述第二垂直距離，確定所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角的所述圓心在 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所述坐標(biāo)信息。
[0125] 所述第一垂直距離是根據(jù)所述第二射線對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述 第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的投影高度確定的，所述第二垂直距離是根據(jù)所述 第三射線對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí) 的投影高度確定的。
[0126] 所述第二射線和所述第三射線均包括:X射線；
[0127] 所述X射線的入射方向平行于所述疊片電池；
[0128] 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Y軸分別與所述待測(cè)角上所述第二極片的倒圓角所形成 的圓相切。
[0129] 本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，可以用于執(zhí)行圖3所示方法實(shí) 施例的技術(shù)方案，其實(shí)現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似，此處不再贅述。
[0130] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角 的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，確定單元根據(jù)所述坐標(biāo)信息判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò) 位，本發(fā)明實(shí)施例中只需要檢測(cè)出待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo) 信息就可以判斷第一極片是否發(fā)生錯(cuò)位，檢測(cè)方法比較簡(jiǎn)單，并且無需對(duì)疊片電芯進(jìn)行破 壞性檢測(cè)，也無需使用昂貴的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，因此降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，并且 由于降低了檢測(cè)成本，且檢測(cè)效率較高，因此可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有疊片電芯進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的目 的。
[0131] 在本發(fā)明所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，終端和方法，可以 通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的終端實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的 劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如，多個(gè)單元或組 件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示 或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，終端或單元的間接 耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。
[0132] 所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯 示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè) 網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目 的。
[0133] 另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以 是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單 元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
[0134] 上述以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)的集成的單元，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存 儲(chǔ)介質(zhì)中。上述軟件功能單元存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī) 裝置(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)裝置等)或處理器(Processor)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè) 實(shí)施例所述方法的部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory ，R0M)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Random Access Memory ，RAM)、磁碟或者光盤等各種 可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0135] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種極片錯(cuò)位的檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于檢測(cè)疊片電芯中的極片是 否發(fā)生錯(cuò)位，所述方法包括： 檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，其中所述坐標(biāo)信息 包括:X軸坐標(biāo)和Y軸坐標(biāo)； 判斷所述X軸坐標(biāo)與所述第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第一閾 值，以及，判斷所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第二閾值； 如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過所述第一閾值和/或所述Y軸坐標(biāo)與 所述半徑的差值的絕對(duì)值超過第二閾值，則確定所述第一極片發(fā)生錯(cuò)位； 如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過所述第一閾值，以及所述Y軸坐標(biāo) 與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過第二閾值，則確定所述第一極片未發(fā)生錯(cuò)位； 其中，所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系是根據(jù)第二極片的擺放位置建立的。2. 如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在 預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息包括： 通過第一射線以不同入射角對(duì)所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切 線； 檢測(cè)形成切線時(shí)的入射角度值； 根據(jù)所述入射角度值，確定所述圓心的位置； 根據(jù)所述位置，確定所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所述坐標(biāo)信息。3. 如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在 預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息包括： 檢測(cè)通過第二射線以第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的 倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第一入射角度值，以及檢測(cè)所述第二射線以所述第一入射角 對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)兩個(gè)切線 之間的第一垂直距離;檢測(cè)通過第三射線以第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和 所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第二入射角度值，以及檢測(cè)所述第三射線以 所述第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成 切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第二垂直距離； 根據(jù)所述第一入射角度值、所述第一垂直距離、所述第二入射角度值和所述第二垂直 距離，確定所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角的所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所述坐 標(biāo)ig息。4. 如權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，所述第一垂直距離是根據(jù)所述第二射線對(duì)所述 待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的投影高度確定 的，所述第二垂直距離是根據(jù)所述第三射線對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極 片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的投影高度確定的。5. 如權(quán)利要求2-4任一所述方法，其特征在于，所述第一射線、所述第二射線和所述第 三射線均包括:X射線； 所述X射線的入射方向平行于所述疊片電池； 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Y軸分別與所述待測(cè)角上所述第二極片的倒圓角所形成的圓 相切。6. -種極片錯(cuò)位的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述裝置用于檢測(cè)疊片電池中的極片是否 發(fā)生錯(cuò)位，所述裝置包括： 檢測(cè)單元，用于檢測(cè)待測(cè)角上第一極片的倒圓角的圓心在預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中坐標(biāo)信息，其 中所述坐標(biāo)信息包括:X軸坐標(biāo)和γ軸坐標(biāo)； 判斷單元，用于判斷所述X軸坐標(biāo)與所述第一極片的倒圓角的半徑的差值的絕對(duì)值是 否超過第一閾值，以及，判斷所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值是否超過第二閾值； 確定單元，如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過所述第一閾值和/或所述 Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值超過第二閾值，用于確定所述第一極片發(fā)生錯(cuò)位； 所述確定單元，如果所述X軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過所述第一閾值，以 及所述Y軸坐標(biāo)與所述半徑的差值的絕對(duì)值未超過第二閾值，用于確定所述第一極片未發(fā) 生錯(cuò)位； 其中，所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系是根據(jù)第二極片的擺放位置建立的。7. 如權(quán)利要求6所述裝置，其特征在于，所述檢測(cè)單元包括： 照射模塊，用于通過第一射線以不同入射角對(duì)所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角進(jìn) 行照射形成切線； 第一檢測(cè)子模塊，用于檢測(cè)形成切線時(shí)的入射角度值； 第一確定模塊，用于根據(jù)所述入射角度值，確定所述圓心的位置； 所述第一確定模塊，用于根據(jù)所述位置，確定所述圓心在所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系中的所述坐 標(biāo)ig息。8. 如權(quán)利要求6所述裝置，其特征在于，所述檢測(cè)單元包括： 第二檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)通過第二射線以第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片 和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第一入射角度值，以及檢測(cè)所述第二射線 以所述第一入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形 成切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第一垂直距離； 所述第二檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)通過第三射線以第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一 極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的第二入射角度值，以及檢測(cè)所述第三 射線以所述第二入射角對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照 射形成切線時(shí)兩個(gè)切線之間的第二垂直距離； 第二確定模塊，用于根據(jù)所述第一入射角度值、所述第一垂直距離、所述第二入射角度 值和所述第二垂直距離，確定所述待測(cè)角上所述第一極片的倒圓角的所述圓心在所述預(yù)設(shè) 坐標(biāo)系中的所述坐標(biāo)信息。9. 如權(quán)利要求8所述裝置，其特征在于，所述第一垂直距離是根據(jù)所述第二射線對(duì)所述 待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的投影高度確定 的，所述第二垂直距離是根據(jù)所述第三射線對(duì)所述待測(cè)角上的所述第一極片和所述第二極 片的倒圓角進(jìn)行照射形成切線時(shí)的投影高度確定的。10. 如權(quán)利要求7-9任一所述裝置，其特征在于，所述第一射線、所述第二射線和所述第 三射線均包括:X射線； 所述X射線的入射方向平行于所述疊片電池； 所述預(yù)設(shè)坐標(biāo)系的X軸和Y軸分別與所述待測(cè)角上所述第二極片的倒圓角所形成的圓
【文檔編號(hào)】G01B15/00GK106091999SQ201610595319
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月26日 公開號(hào)201610595319.2, CN 106091999 A, CN 106091999A, CN 201610595319, CN-A-106091999, CN106091999 A, CN106091999A, CN201610595319, CN201610595319.2
【發(fā)明人】黃渭, 何平, 林禮清, 林昱成
【申請(qǐng)人】東莞新能源科技有限公司