金屬探測(cè)器調(diào)校裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及金屬探測(cè)器領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種金屬探測(cè)器調(diào)校裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]金屬探測(cè)技術(shù)主要是利用電磁感應(yīng)原理，當(dāng)前使用最廣泛的是VLF連續(xù)正弦波技術(shù)，通過一個(gè)頻率較低的連續(xù)正弦波驅(qū)動(dòng)發(fā)射線圈產(chǎn)生一個(gè)交變電磁場(chǎng)，當(dāng)探測(cè)到金屬時(shí)，接收線圈會(huì)接收到一個(gè)受金屬的渦流感應(yīng)影響而幅度和相移發(fā)生改變的同頻率的正弦波。金屬探測(cè)器就是通過分析信號(hào)的幅度和相移，從而區(qū)分出金屬的種類。
[0003]為了保證金屬探測(cè)器產(chǎn)品金屬區(qū)分能力的準(zhǔn)確性，就要求產(chǎn)品的探測(cè)電路的關(guān)鍵參數(shù)基本一致。但由于電子元器件的影響，金屬探測(cè)器產(chǎn)品之間，探測(cè)電路的關(guān)鍵參數(shù)不可避免的會(huì)存在一些差異，從而影響到探測(cè)的準(zhǔn)確性。為了減小這種誤差，在生產(chǎn)過程中就需要將金屬探測(cè)器連接上探測(cè)線圈進(jìn)行調(diào)校。由于金屬探測(cè)器具有較高的靈敏度，易受到電磁信號(hào)的干擾，要求在一個(gè)沒有電磁干擾的環(huán)境中進(jìn)行。在生產(chǎn)線上，很難達(dá)到這種要求，而且當(dāng)兩臺(tái)以上的金屬探測(cè)器工作時(shí)，相互之間會(huì)受到各自產(chǎn)生的電磁場(chǎng)的電磁干擾而導(dǎo)致無法正常工作，這不利于產(chǎn)線的批量生產(chǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]有鑒于此，本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種金屬探測(cè)器調(diào)校裝置，其代替探測(cè)線圈中真實(shí)的物理信號(hào)，從而達(dá)到不使用探測(cè)線圈，金屬探測(cè)電路中也能接收到與金屬信號(hào)相同的信號(hào)的目的。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下之技術(shù)方案:
[0006]一種金屬探測(cè)器調(diào)校裝置，包括有MCU、顯示控制電路、DAC控制電路、第一 DDS控制電路、第二 DDS控制電路、第一低通濾波電路、第二低通濾波電路、第一放大電路和第二放大電路；該顯示控制電路、DAC控制電路、第一 DDS控制電路和第二 DDS控制電路均與MCU連接，該DAC控制電路連接第二 DDS控制電路，該第一低通濾波電路和第二低通濾波電路分別對(duì)應(yīng)連接第一 DDS控制電路和第二 DDS控制電路，該第一放大電路和第二放大電路分別對(duì)應(yīng)連接第一低通濾波電路和第二低通濾波電路，該第一放大電路短接金屬探測(cè)器的發(fā)射線圈而連接金屬探測(cè)器的探測(cè)電路，該第二放大電路短接金屬探測(cè)器的接收線圈而連接金屬探測(cè)器的探測(cè)電路。
[0007]作為一種優(yōu)選方案，所述MCU為型號(hào)是STM32R)30C8T6的控制器。
[0008]作為一種優(yōu)選方案，所述DAC控制電路具有型號(hào)為AD5660的DAC器件。
[0009]作為一種優(yōu)選方案，所述第一 DDS控制電路和第二 DDS控制電路均具有型號(hào)為AD9834 的 DDS 器件。
[0010]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，由上述技術(shù)方案可知:
[0011]通過配合利用各個(gè)電路，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)信號(hào)發(fā)生器，數(shù)字合成來模擬一些常見金屬在金屬探測(cè)器中的響應(yīng)信號(hào)，在金屬探測(cè)器的生產(chǎn)過程中，直接將本實(shí)用新型產(chǎn)生的信號(hào)輸入至金屬探測(cè)器的探測(cè)電路中，就可以進(jìn)調(diào)試和校準(zhǔn)，而不必連接探測(cè)線圈并通過探測(cè)線圈產(chǎn)生真實(shí)的物理信號(hào)來進(jìn)行調(diào)試，從而擺脫了受環(huán)境電磁干擾的限制，降低了生產(chǎn)難度，大大提高了生產(chǎn)效率。而且本裝置的信號(hào)頻率可調(diào)，能模擬多種常見金屬的響應(yīng)信號(hào)，可以用于輔助不同型號(hào)的金屬探測(cè)器的生產(chǎn)，并且在對(duì)金屬的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性的研宄上也非常具有參考價(jià)值。
[0012]為更清楚地闡述本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]附圖標(biāo)識(shí)說明:
[0015]10、MCU20、顯示控制電路
[0016]30、DAC控制電路40、第一 DDS控制電路
[0017]50、第二 DDS控制電路60、第一低通濾波電路
[0018]70、第二低通濾波電路80、第一放大電路
[0019]90、第二放大電路100、金屬探測(cè)器
[0020]101、發(fā)射線圈102、探測(cè)電路
[0021]103、接收線圈。
【具體實(shí)施方式】
[0022]請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，其顯示出了本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，包括有MCU10、顯示控制電路20、DAC控制電路30、第一 DDS控制電路40、第二 DDS控制電路50、第一低通濾波電路60、第二低通濾波電路70、第一放大電路80和第二放大電路90。
[0023]該MCU采用型號(hào)為STM32R)30C8T6的控制器，這是ST公司的一款基于ARMcortex-MO內(nèi)核的32位微控制器，有64K Flash Rom和8K SRAM，頻率可達(dá)48MHz，有2個(gè)SPI 接口。
[0024]該顯示控制電路20、DAC控制電路30、第一 DDS控制電路40和第二 DDS控制電路50均與MCU 10連接，該DAC控制電路30連接第二 DDS控制電路50，該第一低通濾波電路60和第二低通濾波電路70分別對(duì)應(yīng)連接第一 DDS控制電路40和第二 DDS控制電路50，該第一放大電路80和第二放大電路90分別對(duì)應(yīng)連接第一低通濾波電路60和第二低通濾波電路70，該第一放大電路80短接金屬探測(cè)器100的發(fā)射線圈101而連接金屬探測(cè)器100的探測(cè)電路102，該第二放大電路90短接金屬探測(cè)器100的接收線圈103而連接金屬探測(cè)器100的探測(cè)電路102。
[0025]在本實(shí)施例中，該DAC控制電路30具有型號(hào)為AD5660的DAC器件，通過AD5660的DAC器件控制第二 DDS控制電路50的滿量程控制輸入端的電壓來實(shí)現(xiàn)控制第二 DDS控制電路50輸出信號(hào)的幅度的變化。
[0026]該第一 DDS控制電路40和第二 DDS控制電路50均具有型號(hào)為AD9834的DDS器件，其分別用于產(chǎn)生仿真的發(fā)射信號(hào)和接收信號(hào)。
[0027]該第一低通濾波電路60和第二低通濾波電路70的主要作用是濾除DDS控制電路輸出的信號(hào)中的諧波。
[0028]該第一放大電路80和第二放大電路90的主要作用是將經(jīng)過濾波后的輸出信號(hào)進(jìn)行一定倍數(shù)的放大。
[0029]本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于:通過配合利用各個(gè)電路，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)信號(hào)發(fā)生器，數(shù)字合成來模擬一些常見金屬在金屬探測(cè)器中的響應(yīng)信號(hào)，在金屬探測(cè)器的生產(chǎn)過程中，直接將本實(shí)用新型產(chǎn)生的信號(hào)輸入至金屬探測(cè)器的探測(cè)電路中，就可以進(jìn)調(diào)試和校準(zhǔn)，而不必連接探測(cè)線圈并通過探測(cè)線圈產(chǎn)生真實(shí)的物理信號(hào)來進(jìn)行調(diào)試，從而擺脫了受環(huán)境電磁干擾的限制，降低了生產(chǎn)難度，大大提高了生產(chǎn)效率。而且本裝置的信號(hào)頻率可調(diào)，能模擬多種常見金屬的響應(yīng)信號(hào)，可以用于輔助不同型號(hào)的金屬探測(cè)器的生產(chǎn)，并且在對(duì)金屬的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性的研宄上也非常具有參考價(jià)值。
[0030]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種金屬探測(cè)器調(diào)校裝置，其特征在于:包括有MCU、顯示控制電路、DAC控制電路、第一 DDS控制電路、第二 DDS控制電路、第一低通濾波電路、第二低通濾波電路、第一放大電路和第二放大電路；該顯示控制電路、DAC控制電路、第一 DDS控制電路和第二 DDS控制電路均與MCU連接，該DAC控制電路連接第二 DDS控制電路，該第一低通濾波電路和第二低通濾波電路分別對(duì)應(yīng)連接第一 DDS控制電路和第二 DDS控制電路，該第一放大電路和第二放大電路分別對(duì)應(yīng)連接第一低通濾波電路和第二低通濾波電路，該第一放大電路短接金屬探測(cè)器的發(fā)射線圈而連接金屬探測(cè)器的探測(cè)電路，該第二放大電路短接金屬探測(cè)器的接收線圈而連接金屬探測(cè)器的探測(cè)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬探測(cè)器調(diào)校裝置，其特征在于:所述MCU為型號(hào)是STM32F030C8T6 的控制器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬探測(cè)器調(diào)校裝置，其特征在于:所述DAC控制電路具有型號(hào)為AD5660的DAC器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬探測(cè)器調(diào)校裝置，其特征在于:所述第一DDS控制電路和第二 DDS控制電路均具有型號(hào)為AD9834的DDS器件。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種金屬探測(cè)器調(diào)校裝置，包括有MCU、顯示控制電路、DAC控制電路、第一DDS控制電路、第二DDS控制電路、第一低通濾波電路、第二低通濾波電路、第一放大電路和第二放大電路；通過配合利用各個(gè)電路，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)信號(hào)發(fā)生器，數(shù)字合成來模擬一些常見金屬在金屬探測(cè)器中的響應(yīng)信號(hào)，在金屬探測(cè)器的生產(chǎn)過程中，直接將本實(shí)用新型產(chǎn)生的信號(hào)輸入至金屬探測(cè)器的探測(cè)電路中，就可以進(jìn)調(diào)試和校準(zhǔn)，而不必連接探測(cè)線圈并通過探測(cè)線圈產(chǎn)生真實(shí)的物理信號(hào)來進(jìn)行調(diào)試，從而擺脫了受環(huán)境電磁干擾的限制，降低了生產(chǎn)難度，大大提高了生產(chǎn)效率。
【IPC分類】G01V3-10, G01V13-00
【公開號(hào)】CN204269851
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420695072
【發(fā)明人】向志文, 楊曉東, 吳躍程, 羅斌, 杜緒明, 楊運(yùn)勛, 徐培彬, 杜明輝, 袁仁坤, 范立斌, 范振粵, 吳土乾, 勞景南
【申請(qǐng)人】東莞市南星電子有限公司
【公開日】2015年4月15日
【申請(qǐng)日】2014年11月19日