一種氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，具體涉及氣體樣品γ射線效率刻度。
【背景技術(shù)】
[0002]準(zhǔn)確標(biāo)定測(cè)量系統(tǒng)的效率是γ能譜法測(cè)量氣體活度的關(guān)鍵。最理想的效率刻度方法是采用已知活度的待測(cè)氣體對(duì)探測(cè)系統(tǒng)直接進(jìn)行效率刻度，但由于待測(cè)氣體一般半衰期比較短，且不易獲得，通常采用液體標(biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行效率刻度。液體刻度源的密度約為lg/cm3，與氣體樣品自吸收相差很大，需進(jìn)行自吸收效應(yīng)的校正，且有時(shí)會(huì)因源盒形狀的不規(guī)則而增加自吸收校正的難度。文獻(xiàn)“用于HPGe探測(cè)器效率標(biāo)定的模擬氣體刻度源的研制”(原子能科學(xué)技術(shù)，2010，第44卷第7期)公開(kāi)了利用薄片海綿作為刻度源基質(zhì)制備氣體樣品刻度源的方法，但由于液體重力作用，在刻度源底部會(huì)比頂部活度大，使得標(biāo)準(zhǔn)源在基質(zhì)中分布不均勻。因此，有必要研制與氣體樣品密度相近、基本無(wú)自吸收差異、同時(shí)又分布均勻的的氣體刻度源來(lái)進(jìn)行效率刻度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型目的是提供一種氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，其解決了現(xiàn)有液體刻度源自吸收差異較大，薄片海綿刻度源分布不均勻的技術(shù)難題，可提高氣體樣品刻度的準(zhǔn)確度。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是:
[0005]一種氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，包括盒體、上蓋、標(biāo)準(zhǔn)溶液及刻度源基質(zhì)，其特殊之處在于:
[0006]所述盒體及上蓋構(gòu)成一個(gè)密封腔體，所述密封腔體的幾何尺寸及材料與待測(cè)氣體樣品源盒相同，
[0007]所述標(biāo)準(zhǔn)溶液和刻度源基質(zhì)位于盒體內(nèi)；
[0008]所述刻度源基質(zhì)為可發(fā)性聚苯乙烯顆粒。
[0009]上述可發(fā)性聚苯乙稀顆粒的粒徑為I?2mm ;密度小于0.02g/cm3。
[0010]上述上蓋和盒體通過(guò)粘合或焊接成密閉容器。
[0011]上述上蓋和盒體材料為不銹鋼、聚四氟乙烯、聚乙烯、尼龍、碳纖維、鋁、銅或塑料閃爍體。
[0012]上述標(biāo)準(zhǔn)源溶液均勻滴定在刻度源基質(zhì)上。
[0013]上述的氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源的制作方法，其特殊之處在于:包括以下步驟:
[0014]I)在刻度源盒盒體底部均勻鋪一層刻度源基質(zhì)，均勻滴定標(biāo)準(zhǔn)溶液；
[0015]2)再鋪一層刻度源基質(zhì)，均勻滴定標(biāo)準(zhǔn)溶液，
[0016]3)重復(fù)步驟2，直至所需高度；
[0017]4)待溶液陰干后，將刻度源盒上蓋I和刻度源盒盒體2進(jìn)行粘合或焊接密封；
[0018]5)將制作好的刻度標(biāo)準(zhǔn)源放置在振蕩器中震動(dòng)30分鐘以上，使刻度源基質(zhì)分布均勻。
[0019]上述可發(fā)性聚苯乙稀顆粒的粒徑為I?2mm ;密度小于0.02g/cm3。
[0020]上述滴定采用電子移液器。
[0021]本實(shí)用新型具有的有益效果:
[0022]1、本實(shí)用新型利用可發(fā)性聚苯乙烯顆粒制備的氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，密度小于0.02g/cm3，解決了采用液體源刻度γ射線效率時(shí)自吸收的問(wèn)題。
[0023]2、本實(shí)用新型采用顆粒球制備刻度標(biāo)準(zhǔn)源，然后在振蕩器中震動(dòng)30分鐘以上，解決了薄片海綿作為基質(zhì)制作的刻度源分布不均勻的問(wèn)題。
[0024]3、本實(shí)用新型采用了低密度基質(zhì)制作標(biāo)準(zhǔn)源，不論源盒規(guī)則不規(guī)則，均無(wú)自吸收差異，解決了現(xiàn)有刻度源會(huì)因源盒形狀的不規(guī)則而增加自吸收校正的難度的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本實(shí)用新型氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]其中1-氣體樣品刻度源上蓋；2_氣體樣品刻度源盒體；3_氣體樣品刻度源基質(zhì)。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做詳細(xì)說(shuō)明。
[0028]如圖1所示，本實(shí)用新型氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源包括氣體樣品刻度源盒上蓋1、氣體樣品刻度源盒體2及氣體樣品刻度源基質(zhì)3。
[0029]為了減少標(biāo)準(zhǔn)源與待測(cè)樣品源由于形狀和材料不同引起的效率差異，本實(shí)用新型的氣體刻度源盒上蓋1、氣體樣品刻度源盒盒體2的幾何尺寸和材料與待測(cè)氣體樣品源盒完全相同，具體材料可選不銹鋼、聚四氟乙稀、聚乙烯、尼龍、碳纖維、鋁、銅或塑料閃爍體。
[0030]為了解決薄片海綿作為刻度源基質(zhì)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)源在基質(zhì)中分布不均勻的問(wèn)題，本實(shí)用新型的刻度源基質(zhì)為可發(fā)性聚苯乙烯顆粒。
[0031]可發(fā)性聚苯乙烯顆粒球粒徑太大，源盒中的顆粒球數(shù)量少，標(biāo)準(zhǔn)源分布不均勻；粒徑太小，基質(zhì)材料密度增大，增加自吸收影響，為此選擇粒徑為I?2_，密度小于0.02g/
3
cm ο
[0032]本實(shí)用新型的氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源可按照以下過(guò)程進(jìn)行制作:
[0033]首先，在刻度源盒盒體I底部均勻鋪一層刻度源基質(zhì)3，用電子移液器均勻滴定標(biāo)準(zhǔn)溶液；
[0034]然后，再鋪一層刻度源基質(zhì)3，均勻滴定標(biāo)準(zhǔn)溶液，重復(fù)該步驟，直至所需高度；
[0035]待溶液陰干后，將刻度源盒上蓋I和刻度源盒盒體2進(jìn)行粘合或焊接密封；
[0036]最后，將制作好的刻度標(biāo)準(zhǔn)源放置在振蕩器中震動(dòng)30分鐘以上，使刻度源分布均勻。
[0037]用下式計(jì)算刻度源活度標(biāo)準(zhǔn):
[0038]A = c.m
[0039]式中，c為標(biāo)準(zhǔn)溶液比活度為滴定的標(biāo)準(zhǔn)溶液質(zhì)量。
[0040]由于刻度樣品基質(zhì)密度僅為0.02g/cm3，對(duì)于133Xe 81keV γ射線，自吸收影響小于0.2%，這和氣體自身的自吸收相當(dāng)；對(duì)于高能γ射線，該刻度樣品自吸收影響可以忽略。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，包括盒體、上蓋、標(biāo)準(zhǔn)溶液及刻度源基質(zhì)，其特征在于: 所述盒體及上蓋構(gòu)成一個(gè)密封腔體，所述密封腔體的幾何尺寸及材料與待測(cè)氣體樣品源盒相同， 所述標(biāo)準(zhǔn)溶液和刻度源基質(zhì)位于盒體內(nèi)； 所述刻度源基質(zhì)為可發(fā)性聚苯乙烯顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，其特征在于:所述可發(fā)性聚苯乙烯顆粒的粒徑為I?2mm ;密度小于0.02g/cm3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，其特征在于: 所述上蓋和盒體通過(guò)粘合或焊接成密閉容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，其特征在于:所述上蓋和盒體材料為不銹鋼、聚四氟乙烯、聚乙烯、尼龍、碳纖維、銷、銅或塑料閃爍體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，其特征在于:所述標(biāo)準(zhǔn)源溶液均勻滴定在刻度源基質(zhì)上。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，包括盒體、上蓋、標(biāo)準(zhǔn)溶液及刻度源基質(zhì)，其特殊之處在于：所述盒體及上蓋構(gòu)成一個(gè)密封腔體，所述密封腔體的幾何尺寸及材料與待測(cè)氣體樣品源盒相同，所述標(biāo)準(zhǔn)溶液和刻度源基質(zhì)位于盒體內(nèi)；所述刻度源基質(zhì)為可發(fā)性聚苯乙烯顆粒。本實(shí)用新型利用可發(fā)性聚苯乙烯顆粒制備的氣體樣品刻度標(biāo)準(zhǔn)源，密度小于0.02g/cm3，解決了采用液體源刻度γ射線效率時(shí)自吸收的問(wèn)題。
【IPC分類】G01T7-02, G01T1-178
【公開(kāi)號(hào)】CN204347267
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420851112
【發(fā)明人】王世聯(lián), 李奇, 常印忠, 樊元慶, 賈懷茂, 劉蜀疆, 趙允剛
【申請(qǐng)人】北京放射性核素實(shí)驗(yàn)室
【公開(kāi)日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2014年12月26日