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      一種新型高頻方波信號發(fā)生器的制造方法

      文檔序號:8681037閱讀:798來源:國知局
      一種新型高頻方波信號發(fā)生器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型屬于應(yīng)用電子技術(shù)領(lǐng)域,具體地說,尤其涉及一種新型高頻方波信號發(fā)生器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]高頻信號發(fā)生器是一種能產(chǎn)生高頻調(diào)幅、調(diào)頻信號的專用儀器。高頻信號發(fā)生器可以用來對電視機、錄音機、收音機等家用電器的元器件性能進行測試。它不僅可以調(diào)整收音機中短波頻率范圍,還可以測試晶體管放大器的頻帶,調(diào)試收音機選頻網(wǎng)絡(luò)中的中頻信號,觀察電感、電容器的高頻特性。
      [0003]目前實驗室通常所使用的低頻信號發(fā)生器最高輸出頻率一般小于1MHz。例如:集成函數(shù)波形發(fā)生器一般都采用掃頻信號發(fā)生器ICL8038或集成函數(shù)發(fā)生器5G8038,它們都只產(chǎn)生300kHz以下的中低頻正弦波、矩形波和三角波,且頻率與占空比不能單獨調(diào)節(jié),給使用者帶來很大不便,也無法滿足高頻精密信號源的要求,不能滿足高速電路調(diào)試的需要,而購買一臺高頻信號發(fā)生器價格又相當(dāng)昂貴。因此有必要研制一種低價格、高性能的高頻方波信號發(fā)生器。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]為解決上述問題,本實用新型提供一種新型高頻方波信號發(fā)生器。
      [0005]本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
      [0006]一種新型高頻方波信號發(fā)生器,包括電源部分,所述電源部分與振蕩電路電信號連接,所述振蕩電路經(jīng)跟隨電路與電壓比較電路電信號相連,所述振蕩電路為可變電容實現(xiàn)頻率可調(diào)的振蕩電路,所述電壓比較電路為兩個CMOS反相器與兩個分壓電阻構(gòu)成的電壓比較電路。
      [0007]所述振蕩電路包括三極管T,所述三極管T的管腳c與電感LI間串聯(lián)電阻R2,所述三極管T的管腳b與電感LI間串聯(lián)電阻R1,電阻Rl的管腳1、電阻R2的管腳I均與電感LI的管腳2相連,所述電感LI的管腳2還通過電容C2與電容Cl的管腳I相連,所述電容Cl的管腳I與GND相連,電感LI的管腳1、電容Cl的管腳2均與電源Vcc相連;所述三極管T的管腳b通過電阻R3與GND相連,所述電阻R4兩端并聯(lián)電容C4,電容C4的管腳2與可變電容C6的管腳2以及電容C5的管腳I相連,可變電容C6的管腳I與電容C5的管腳2兩端并聯(lián)電阻R5,所述三極管T的管腳b與電容C5的管腳2端串聯(lián)電容C3。
      [0008]所述三極管T的型號為9018。
      [0009]所述電源Vcc的大小為15V。
      [0010]所述電壓比較電路包括CMOS反相器GUCMOS反相器G2,所述CMOS反相器Gl的I端與CMOS反相器G2的2端相連,CMOS反相器G2的管腳I與CMOS反相器Gl的管腳2兩端并聯(lián)電阻R11,所述CMOS反相器G2的管腳I也為信號輸出端OUT,所述CMOS反相器Gl的管腳2經(jīng)電阻RlO與GND相連。
      [0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果是:
      [0012]本實用新型以可變電容實現(xiàn)頻率可調(diào)的振蕩電路作為基本電路,由振蕩電路產(chǎn)生穩(wěn)定的正弦波,經(jīng)跟隨電路后,最后由反相器構(gòu)成電壓比較器產(chǎn)生方波。本實用新型性能好,輸出的方波頻率可調(diào)范圍較寬,輸出波形平滑穩(wěn)定,性價比很高,具有很高的實用價值,可廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其適用于各大院校物理實驗室。
      【附圖說明】
      [0013]圖1是本實用新型系統(tǒng)框圖;
      [0014]圖2是本實用新型電路原理圖。
      【具體實施方式】
      [0015]下面結(jié)合附圖對本實用新型進一步說明:
      [0016]一種新型高頻方波信號發(fā)生器,包括電源部分,所述電源部分I與振蕩電路2電信號連接,所述振蕩電路2經(jīng)跟隨電路3與電壓比較電路4電信號相連,所述振蕩電路2為可變電容實現(xiàn)頻率可調(diào)的振蕩電路,所述電壓比較電路4為兩個CMOS反相器與兩個分壓電阻構(gòu)成的電壓比較電路。
      [0017]所述振蕩電路2包括三極管T,所述三極管T的管腳c與電感LI間串聯(lián)電阻R2,所述三極管T的管腳b與電感LI間串聯(lián)電阻R1,電阻Rl的管腳1、電阻R2的管腳I均與電感LI的管腳2相連,所述電感LI的管腳2還通過電容C2與電容Cl的管腳I相連,所述電容Cl的管腳I與GND相連,電感LI的管腳1、電容Cl的管腳2均與電源Vcc相連;所述三極管T的管腳b通過電阻R3與GND相連,所述電阻R4兩端并聯(lián)電容C4,電容C4的管腳2與可變電容C6的管腳2以及電容C5的管腳I相連,可變電容C6的管腳I與電容C5的管腳2兩端并聯(lián)電阻R5,所述三極管T的管腳b與電容C5的管腳2端串聯(lián)電容C3。
      [0018]所述三極管T的型號為9018。
      [0019]所述電源Vcc的大小為15V。
      [0020]所述電壓比較電路4包括CMOS反相器GUCMOS反相器G2,所述CMOS反相器Gl的I端與CMOS反相器G2的2端相連,CMOS反相器G2的管腳I與CMOS反相器Gl的管腳2兩端并聯(lián)電阻R11,所述CMOS反相器G2的管腳I也為信號輸出端OUT,所述CMOS反相器Gl的管腳2經(jīng)電阻RlO與GND相連。
      [0021]振蕩電路2所采用的晶體管型號為9018,振蕩采用克拉潑振蕩電路形式,LC回路中集電極c與地GND之間的電容C6采用可變電容,通過改變電容值改變振蕩電路的頻率。振蕩電路2的靜態(tài)工作點由電阻Rl和R3與發(fā)射極的電阻R4以及集電極電阻R2決定。
      [0022]跟隨電路3以及電源部分I為現(xiàn)有技術(shù),在此不一一贅述。
      [0023]電壓比較電路4是以兩個CMOS反相器與兩個分壓電阻構(gòu)成電壓比較電路。Gl和G2為CMOS反相器,R10, Rll為分壓電阻,由Rll引入反饋。本實用新型以可變電容實現(xiàn)頻率可調(diào)的振蕩電路作為基本電路,由振蕩電路產(chǎn)生穩(wěn)定的正弦波,經(jīng)跟隨電路后,最后由反相器構(gòu)成電壓比較器產(chǎn)生方波。本實用新型性能好,輸出的方波頻率可調(diào)范圍較寬,輸出波形平滑穩(wěn)定,性價比很高,具有很高的實用價值,可廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其適用于各大院校物理實驗室。
      [0024]綜上所述,僅為本實用新型的較佳實施例而已,并非用來限定本實用新型實施的范圍,凡依本實用新型權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾,均應(yīng)包括于本實用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項】
      1.一種新型高頻方波信號發(fā)生器,包括電源部分,其特征在于:所述電源部分(I)與振蕩電路⑵電信號連接,所述振蕩電路⑵經(jīng)跟隨電路⑶與電壓比較電路⑷電信號相連,所述振蕩電路⑵為可變電容實現(xiàn)頻率可調(diào)的振蕩電路,所述電壓比較電路⑷為兩個CMOS反相器與兩個分壓電阻構(gòu)成的電壓比較電路。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型高頻方波信號發(fā)生器,其特征在于:所述振蕩電路(2)包括三極管T,所述三極管T的管腳c與電感LI間串聯(lián)電阻R2,所述三極管T的管腳b與電感LI間串聯(lián)電阻R1,電阻Rl的管腳1、電阻R2的管腳I均與電感LI的管腳2相連,所述電感LI的管腳2還通過電容C2與電容Cl的管腳I相連,所述電容Cl的管腳I與GND相連,電感LI的管腳1、電容Cl的管腳2均與電源Ncc相連;所述三極管T的管腳b通過電阻R3與GND相連,所述電阻R4兩端并聯(lián)電容C4,電容C4的管腳2與可變電容C6的管腳2以及電容C5的管腳I相連,可變電容C6的管腳I與電容C5的管腳2兩端并聯(lián)電阻R5,所述三極管T的管腳b與電容C5的管腳2端串聯(lián)電容C3。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型高頻方波信號發(fā)生器,其特征在于:所述三極管T的型號為9018。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型高頻方波信號發(fā)生器,其特征在于:所述電源Vcc的大小為15V。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型高頻方波信號發(fā)生器,其特征在于:所述電壓比較電路⑷包括CMOS反相器GUCMOS反相器G2,所述CMOS反相器Gl的I端與CMOS反相器G2的2端相連,CMOS反相器G2的管腳I與CMOS反相器Gl的管腳2兩端并聯(lián)電阻Rl I,所述CMOS反相器G2的管腳I也為信號輸出端0UT,所述CMOS反相器Gl的管腳2經(jīng)電阻RlO與GND相連。
      【專利摘要】本實用新型公開了一種新型高頻方波信號發(fā)生器,屬于應(yīng)用電子技術(shù)領(lǐng)域,解決了傳統(tǒng)高頻信號發(fā)生器價格昂貴、性價比低的問題。主要包括電源部分、振蕩電路、跟隨電路以及電壓比較電路,振蕩電路為可變電容實現(xiàn)頻率可調(diào)的振蕩電路,電壓比較電路為兩個CMOS反相器與兩個分壓電阻構(gòu)成的電壓比較電路。本實用新型以可變電容實現(xiàn)頻率可調(diào)的振蕩電路作為基本電路,由振蕩電路產(chǎn)生穩(wěn)定的正弦波,經(jīng)跟隨電路后,最后由反相器構(gòu)成電壓比較器產(chǎn)生方波。本實用新型性能好,輸出的方波頻率可調(diào)范圍較寬,輸出波形平滑穩(wěn)定,性價比很高,具有很高的實用價值,可廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其適用于各大院校物理實驗室。
      【IPC分類】G01R1-28
      【公開號】CN204389551
      【申請?zhí)枴緾N201520013642
      【發(fā)明人】呂志香, 李建榮
      【申請人】揚州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院
      【公開日】2015年6月10日
      【申請日】2015年1月8日
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