用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及工頻磁場抗擾度試驗技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有符合IEC61000-4-8和GB/T 17626.8的工頻磁場產(chǎn)生裝置在開通和關(guān)斷注入感應(yīng)線圈的交流電流在相位上是隨機(jī)的。如果不是在O度和180度附近開通和關(guān)斷,電流源的負(fù)載感應(yīng)線圈阻抗又非常小,就會有以下這些問題:
[0003]1、一個大的di/dt變化率,這個變化率遠(yuǎn)高于工頻下的di/dt變化率,工頻磁場干擾試驗的強(qiáng)度取決于這個變化率,這就相當(dāng)于在試驗的開始和結(jié)束額外產(chǎn)生了一個遠(yuǎn)大于正常試驗的磁場強(qiáng)度,造成工頻磁場EMC試驗嚴(yán)酷度增加。
[0004]2、開通和關(guān)斷電流時電流急劇上升和下降,此時正弦電流波波形是畸變的,如果開通和關(guān)斷在90度和270度附近,電流波波形是畸變的,會大于IEC61000-4-8和GB/T17626.8標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的8%要求。
[0005]3、因為感性線圈的感性負(fù)載存在,急劇上升和下降的電流變化會造成過沖/欠沖引起波形畸變和增并試驗嚴(yán)酷度。
[0006]4、由于有小的寄生電容存在,在瞬態(tài)激勵下又會引起電流波形高頻震蕩。
[0007]5、如果用機(jī)械式開關(guān)控制通斷又會產(chǎn)生電火花、電拉弧,造成瞬間瞬時強(qiáng)烈電磁場輻射,增加了與試驗無關(guān)的額外干擾源,并且機(jī)械式開關(guān)因電火花、電拉弧壽命減短。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本實用新型目的是提供一種用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置,該用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置用于開通和關(guān)斷輸出電流的可控硅是在O度和180度開通和關(guān)斷交流正弦波電流的,電流的波形是在O度或180度開始和截止的,這樣開通和關(guān)斷時電流不會產(chǎn)生大的電流變化量。
[0009]為達(dá)到上述目的,本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置,包括:依次連接的配電網(wǎng)電源、自耦變壓器、雙向可控硅、電流升流器和感應(yīng)線圈,一相位采集模塊連接到所述自耦變壓器的輸出端,所述相位采集模塊用于采集自耦變壓器輸出的交流正弦波的正負(fù)相位;一電壓采集模塊連接到所述自耦變壓器的輸出端,所述電壓采集模塊用于采集自耦變壓器輸出的交流電壓幅值,所述相位采集模塊、電壓采集模塊并聯(lián)設(shè)置,所述相位采集模塊、電壓采集模塊各自的輸出端均連接到邏輯控制模塊,一用于接收外部指令的外部控制模塊連接到所述邏輯控制模塊,此邏輯控制模塊根據(jù)來自外部控制模塊的控制信號、相位采集模塊的交流相位、自耦變壓器的交流電壓幅值產(chǎn)生控制雙向可控硅柵極通斷的可控硅控制信號,所述邏輯控制模塊與雙向可控硅的控制極之間設(shè)置有用于放大可控硅控制信號的可控硅驅(qū)動模塊,一輔助電源連接到所述可控硅驅(qū)動模塊。
[0010]上述技術(shù)方案進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案如下:
[0011 ] 上述方案中,所述雙向可控硅由兩個并聯(lián)的單相可控硅組成。
[0012]由于上述技術(shù)方案運用,本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點:
[0013]本實用新型用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置,其保證了交流電流正弦波是從O度或180度開通的,無論外部控制信號是否開通如果自耦變壓器輸出電壓大于開啟閥值電壓時邏輯單元都將關(guān)閉可控硅柵極的開通信號,此時如果可控硅處于已經(jīng)開通的狀態(tài)由于可控硅本身的特性可控硅不會立即關(guān)斷,只有到O度或180度切換正負(fù)極性時沒有足夠的維持電流才會關(guān)斷。從上面的工作過程可以看出,用于開通和關(guān)斷輸出電流的可控硅是在O度和180度開通和關(guān)斷交流正弦波電流的,電流的波形是在O度或180度開始和截止的,這樣開通和關(guān)斷時電流不會產(chǎn)生大的電流變化量,從而解決了【背景技術(shù)】中涉及的現(xiàn)有技術(shù)問題。
【附圖說明】
[0014]圖1是本實用新型用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]以上附圖中:1、配電網(wǎng)電源;2、自耦變壓器;3、雙向可控硅;4、電流升流器;5、感應(yīng)線圈;6、相位采集模塊;7、電壓采集模塊;8、邏輯控制模塊;9、外部控制模塊;10、可控硅驅(qū)動模塊;11、輔助電源。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進(jìn)一步描述:
[0017]實施例:一種用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置,包括:依次連接的配電網(wǎng)電源1、自耦變壓器2、雙向可控硅3、電流升流器4和感應(yīng)線圈5,一相位采集模塊6連接到所述自耦變壓器2的輸出端,所述相位采集模塊6用于采集自耦變壓器2輸出的交流正弦波的正負(fù)相位;一電壓采集模塊7連接到所述自耦變壓器2的輸出端,所述電壓采集模塊7用于采集自耦變壓器2輸出的交流電壓幅值,所述相位采集模塊6、電壓采集模塊7并聯(lián)設(shè)置,所述相位采集模塊6、電壓采集模塊7各自的輸出端均連接到邏輯控制模塊8,一用于接收外部指令的外部控制模塊9連接到所述邏輯控制模塊8,此邏輯控制模塊8根據(jù)來自外部控制模塊9的控制信號、相位采集模塊6的交流相位、自耦變壓器2的交流電壓幅值產(chǎn)生控制雙向可控硅3柵極通斷的可控硅控制信號,所述邏輯控制模塊8與雙向可控硅3的控制極之間設(shè)置有用于放大可控硅控制信號的可控硅驅(qū)動模塊10,一輔助電源11連接到所述可控硅驅(qū)動模塊10。
[0018]上述雙向可控硅3由兩個并聯(lián)的單相可控硅組成。
[0019]本實施例用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置工作過程如下:附圖中自耦變壓器將配電網(wǎng)電源電壓調(diào)節(jié)至電流升流器輸出為預(yù)設(shè)的電流值,雙向可控硅或兩個并聯(lián)的單相可控硅控制輸出電流的開通和關(guān)斷。
[0020]相位單元采集交流正弦波的正負(fù)相位,然后提供給邏輯單元作為選擇導(dǎo)通正負(fù)向可控硅的依據(jù),電壓單元采集自耦變壓器輸出的交流電壓幅值并提供給邏輯單元,只有外部控制信號處于開通狀態(tài)且自耦變壓器輸出的交流電壓幅值小于等于一個低的開啟閥值電壓值時邏輯單元才能輸出可控硅柵極的開通信號,此時交流正弦波處于O度或180度附近,從而保證了交流電流正弦波是從O度或180度開通的,無論外部控制信號是否開通如果自耦變壓器輸出電壓大于開啟閥值電壓時邏輯單元都將關(guān)閉可控硅柵極的開通信號,此時如果可控硅處于已經(jīng)開通的狀態(tài)由于可控硅本身的特性可控硅不會立即關(guān)斷,只有到O度或180度切換正負(fù)極性時沒有足夠的維持電流才會關(guān)斷。從上面的工作過程可以看出,用于開通和關(guān)斷輸出電流的可控硅是在O度和180度開通和關(guān)斷交流正弦波電流的,電流的波形是在O度或180度開始和截止的,這樣開通和關(guān)斷時電流不會產(chǎn)生大的電流變化量。從而解除現(xiàn)有技術(shù)問題。
[0021]邏輯單元對外部控制信號、交流相位、交流電壓幅值三個信號進(jìn)行邏輯運算的基礎(chǔ)上輸出控制正負(fù)向可控硅柵極開通或關(guān)斷的信號至可控硅驅(qū)動單元,可控硅驅(qū)動單元將此信號功率放大施加至正負(fù)向可控硅。輔助電源為可控硅驅(qū)動提供一個隔離的電源。
[0022]上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本實用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置,其特征在于:包括:依次連接的配電網(wǎng)電源(I)、自耦變壓器(2)、雙向可控硅(3)、電流升流器(4)和感應(yīng)線圈(5),一相位采集模塊(6)連接到所述自耦變壓器(2)的輸出端,所述相位采集模塊(6)用于采集自耦變壓器(2)輸出的交流正弦波的正負(fù)相位;一電壓采集模塊(7)連接到所述自耦變壓器(2)的輸出端,所述電壓采集模塊(7)用于采集自耦變壓器(2)輸出的交流電壓幅值,所述相位采集模塊(6 )、電壓采集模塊(7 )并聯(lián)設(shè)置,所述相位采集模塊(6 )、電壓采集模塊(7)各自的輸出端均連接到邏輯控制模塊(8),一用于接收外部指令的外部控制模塊(9)連接到所述邏輯控制模塊(8),此邏輯控制模塊(8)根據(jù)來自外部控制模塊(9)的控制信號、相位采集模塊(6)的交流相位、自耦變壓器(2)的交流電壓幅值產(chǎn)生控制雙向可控硅(3)柵極通斷的可控硅控制信號,所述邏輯控制模塊(8)與雙向可控硅(3)的控制極之間設(shè)置有用于放大可控硅控制信號的可控硅驅(qū)動模塊(10),一輔助電源(11)連接到所述可控硅驅(qū)動模塊(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置,其特征在于:所述雙向可控硅(3)由兩個并聯(lián)的單相可控硅組成。
【專利摘要】本實用新型公開一種用于消除啟動停止時交流磁場中電流波畸變的裝置,包括依次連接的配電網(wǎng)電源、自耦變壓器、雙向可控硅、電流升流器和感應(yīng)線圈,一相位采集模塊連接到自耦變壓器的輸出端;一電壓采集模塊連接到所述自耦變壓器的輸出端,所述相位采集模塊、電壓采集模塊并聯(lián)設(shè)置,所述相位采集模塊、電壓采集模塊各自的輸出端均連接到邏輯控制模塊,一用于接收外部指令的外部控制模塊連接到所述邏輯控制模塊,所述邏輯控制模塊與雙向可控硅的控制極之間設(shè)置有用于放大可控硅控制信號的可控硅驅(qū)動模塊,一輔助電源連接到可控硅驅(qū)動模塊。本實用新型用于開通和關(guān)斷輸出電流的可控硅是在0度和180度開通和關(guān)斷交流正弦波電流的,電流的波形是在0度或180度開始和截止的,使得開通和關(guān)斷時電流不會產(chǎn)生大的電流變化量。
【IPC分類】G01R1-28
【公開號】CN204479624
【申請?zhí)枴緾N201520217369
【發(fā)明人】黃學(xué)軍, 李志剛, 賈利東, 劉輝
【申請人】蘇州泰思特電子科技有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年4月13日