Mems壓力傳感器的制造方法
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種壓力傳感器，尤其涉及一種MEMS壓力傳感器。
【【背景技術(shù)】】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)日新月異的飛速發(fā)展，智能化的便攜式電子設(shè)備逐漸流行起來(lái)，例如智能手機(jī)、智能手環(huán)、智能手邊、平板電腦等。用戶在不斷追求便攜式電子設(shè)備智能化的同時(shí)，更加注重的是需要便攜式電子設(shè)備具有豐富多彩的用戶體驗(yàn)感受。目前越來(lái)越多的廠商將壓力傳感器置于便攜式電子設(shè)備中，而通常測(cè)試壓力的傳感器為應(yīng)變傳感器，但是應(yīng)變傳感器的測(cè)量精度低。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中提供了一種MEMS壓力傳感器以提高測(cè)量精度，如圖1所示，現(xiàn)有的MEMS壓力傳感器500包括線路板51、與基板51配合形成收容空間500a的外殼52、收容在收容空間500a中的MEMS壓力傳感器芯片53和ASIC芯片54。線路板51上開(kāi)設(shè)有直接穿透線路板51的透氣孔510。然而，外部光線及污染物可以直接通過(guò)該透氣孔進(jìn)入到收容空間內(nèi)部，從而對(duì)傳感器芯片精度造成的影響，降低傳感器的可靠性。
[0004]因此，有必要提供一種新型的MEMS壓力傳感器。
【【實(shí)用新型內(nèi)容】】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種可以避免外部光線、污染物以及氣流直接作用到封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的芯片上的MEMS壓力傳感器。
[0006]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:一種MEMS壓力傳感器，包括線路板、與線路板組裝以形成收容空間的外殼以及位于所述收容空間內(nèi)的壓力傳感器芯片和集成電路芯片，所述線路板上開(kāi)設(shè)有連通所述收容空間且不穿透所述線路板的第一透氣口、連通外部且不穿透所述線路板的第二透氣口以及連通所述第一透氣口與所述第二透氣口的透氣通道。
[0007]優(yōu)選地，所述線路板包括朝向所述上蓋的上表面、與所述上表面相對(duì)的下表面以及連接上表面與下表面的側(cè)表面，所述第一透氣口設(shè)置在所述上表面上。
[0008]優(yōu)選地，所述壓力傳感器芯片與所述集成電路芯片并列且間隔設(shè)置在所述上表面，所述第一透氣口位于所述壓力傳感器芯片與所述集成電路芯片之間。
[0009]優(yōu)選地，所述第二透氣口設(shè)置在所述側(cè)表面上，所述透氣通道位于所述線路板內(nèi)部。
[0010]優(yōu)選地，所述透氣通道包括連通第一透氣口的第一透氣通道和連通第二透氣口的第二透氣通道，所述第一透氣通道與所述第二透氣通道相垂直并連通。
[0011]優(yōu)選地，所述第二透氣口設(shè)置在所述下表面上，所述透氣通道包括垂直于所述上表面的第一豎直通道、平行于所述上表面的水平通道以及垂直于所述水平通道的第二豎直通道，所述第二透氣口與所述第二豎直通道相連通，所述第一透氣口與所述第一豎直通道相連通。
[0012]優(yōu)選地，所述第二透氣口設(shè)置在所述下表面上，所述透氣通道的軸線相對(duì)所述上表面呈傾斜設(shè)置。
[0013]優(yōu)選地，所述第二透氣口設(shè)置在所述上表面上，所述透氣通道包括沿所述第一透氣口朝向所述下表面延伸形成的第一通道、沿所述第一通道向所述側(cè)表面延伸形成的第二通道以及沿所述第二通道向所述上表面延伸形成的第三通道，所述第二透氣口與所述第三通道相連通。
[0014]本實(shí)用新型的有益效果在于:通過(guò)在線路板上設(shè)置兩個(gè)不直接穿透基板的透氣孔以及連通兩透氣孔的透氣通道構(gòu)成氣流的流通路徑，使得封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外部氣壓平衡，同時(shí)還使得外部光線、污染物以及氣流等不能直接作用在芯片上，從而減少對(duì)傳感器芯片精度的影響，提高傳感器的可靠性。
【【附圖說(shuō)明】】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的MEMS壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型提供的第一種實(shí)施方式的MEMS壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3為本實(shí)用新型提供的第二種實(shí)施方式的MEMS壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4為本實(shí)用新型提供的第三種實(shí)施方式的MEMS壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖5為本實(shí)用新型提供的第四種實(shí)施方式的MEMS壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0021]參考圖2，本實(shí)用新型提供的第一種實(shí)施方式的MEMS壓力傳感器100，包括線路板
10、與線路板10組配以形成收容空間10a的外殼20、容納在收容空間10a中的壓力傳感器芯片30和集成電路芯片40。在本實(shí)施例中，壓力傳感器芯片30和集成電路芯片40并列且間隔地設(shè)置在線路板10上，并通過(guò)綁定金線50實(shí)現(xiàn)三者之間的電連接。在其他實(shí)施例中，該壓力傳感器芯片30和集成電路芯片40堆疊設(shè)置在線路板10上。在其他的實(shí)施例中將壓力傳感器芯片30和集成電路芯片40設(shè)置在外殼20上。或者，壓力傳感器芯片和集成電路芯片一個(gè)設(shè)置在線路板上，另一個(gè)設(shè)置在外殼上。在本實(shí)施例中，壓力傳感器芯片30可以是MEMS壓力傳感器芯片。
[0022]在本實(shí)施例中，線路板10包括朝向外殼20的上表面11、與上表面11相對(duì)設(shè)置的下表面12以及連接在上表面11和下表面12之間的側(cè)表面13。壓力傳感器芯片30、集成電路芯片40設(shè)置在上表面11上。上表面11上還開(kāi)設(shè)有連通收容空間10a且未穿透線路板10的第一透氣口 110。側(cè)表面13上開(kāi)設(shè)有連通外部且未穿透線路板10的第二透氣口 130。線路板10內(nèi)部去料形成有連通第一透氣口 110和第二透氣口 130的透氣通道14。在本實(shí)施例中，第一透氣口 110位于壓力傳感器芯片30和集成電路芯片40之間。在其他的實(shí)施例中，第一透氣口110也可以位于兩芯片的一側(cè)上。
[0023]在本實(shí)施例中，透氣通道包括沿第一透氣口 110朝向下表面12延伸的第一透氣通道141和連接第二透氣口 130的第二透氣通道142，該第一透氣通道141與第二透氣通道142相垂直。
[0024]參考圖3，本實(shí)用新型提供的第二種實(shí)施方式的MEMS壓力傳感器200。該MEMS壓力傳感器200與上述MEMS壓力傳感器100之間的區(qū)別在于:第二透氣口的位置不同，且透氣通道的結(jié)構(gòu)不同。在本實(shí)施例中，第二透氣口 130設(shè)置在線路板10的下表面12上。透氣通道14包括垂直于上表面11的第一豎直通道143、平行于上表面11的水平通道144以及垂直于水平通道144的第二豎直通道145，第二透氣口 130與第二豎直通道相145連通，第一透氣口 110與第一豎直通道143相連通。
[0025]參考圖4，本實(shí)用新型提供的第三種實(shí)施方式的MEMS壓力傳感器300。該MEMS壓力傳感器300與上述MEMS壓力傳感器200之間的區(qū)別僅在于:透氣通道的結(jié)構(gòu)不同。在本實(shí)施例中，透氣通道14的軸線相對(duì)上表面11傾斜設(shè)置。具體地，軸線相對(duì)上表面11傾斜30°?60°。采用此種結(jié)構(gòu)，可以平衡封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外部的氣壓并有效地避免外部光線、污染物和氣流直接作用在內(nèi)部的芯片上。
[0026]參考圖5，本實(shí)用新型提供的第四種實(shí)施方式的MEMS壓力傳感器400。該MEMS壓力傳感器400相對(duì)于MEMS壓力傳感器300的區(qū)別在于:第二透氣口的位置不同，且透氣通道的結(jié)構(gòu)不同。在本實(shí)施例中，所述第二透氣口 130設(shè)置在所述上表面11上，所述透氣通道14包括沿所述第一透氣口 110朝向所述下表面12延伸形成的第一通道146、沿所述第一通道146向所述側(cè)表面13延伸形成的第二通道147以及沿所述第二通道147向所述上表面11延伸形成的第三通道148，所述第二透氣口 130與所述第三通道148相連通。在本實(shí)施例中，線路板10包括位于收容空間10a中的第一區(qū)域101和暴露在外部且圍繞第一區(qū)域101的第二區(qū)域102。第二透氣口 130位于第二區(qū)域102的上表面11上。采用此種結(jié)構(gòu)，可以平衡封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外部的氣壓并有效地避免外部光線、污染物和氣流直接作用在內(nèi)部的芯片上。
[0027]以上所述的僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS壓力傳感器，包括線路板、與線路板組裝以形成收容空間的外殼以及位于所述收容空間內(nèi)的壓力傳感器芯片和集成電路芯片，其特征在于，所述線路板包括朝向所述外殼的上表面、與所述上表面相對(duì)的下表面以及連接上表面與下表面的側(cè)表面，所述上表面上開(kāi)設(shè)有連通所述收容空間的第一透氣口，所述側(cè)表面上開(kāi)設(shè)有連通外部的第二透氣口，所述線路板內(nèi)部開(kāi)設(shè)有連通所述第一透氣口與所述第二透氣口的透氣通道。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述壓力傳感器芯片與所述集成電路芯片并列且間隔設(shè)置在所述上表面，所述第一透氣口位于所述壓力傳感器芯片與所述集成電路芯片之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述透氣通道包括連通第一透氣口的第一透氣通道和連通第二透氣口的第二透氣通道，所述第一透氣通道與所述第二透氣通道相垂直并連通。4.一種MEMS壓力傳感器，包括線路板、與線路板組裝以形成收容空間的外殼以及位于所述收容空間內(nèi)的壓力傳感器芯片和集成電路芯片，其特征在于，所述線路板包括朝向所述外殼的上表面、與所述上表面相對(duì)的下表面以及連接上表面與下表面的側(cè)表面，所述上表面上開(kāi)設(shè)有連通所述收容空間的第一透氣口，所述下表面上開(kāi)設(shè)有連通外部的第二透氣口，所述線路板內(nèi)部開(kāi)設(shè)有連通所述第一透氣口與所述第二透氣口的透氣通道，所述透氣通道的軸線相對(duì)所述上表面呈傾斜設(shè)置。5.—種MEMS壓力傳感器，包括線路板、與線路板組裝以形成收容空間的外殼以及位于所述收容空間內(nèi)的壓力傳感器芯片和集成電路芯片，其特征在于，所述線路板包括朝向所述外殼的上表面、與所述上表面相對(duì)的下表面以及連接上表面與下表面的側(cè)表面，所述上表面上開(kāi)設(shè)有連通所述收容空間的第一透氣口和連通外部的第二透氣口，所述線路板內(nèi)部開(kāi)設(shè)有連通所述第一透氣口與所述第二透氣口的透氣通道，所述透氣通道包括沿所述第一透氣口朝向所述下表面延伸形成的第一通道、沿所述第一通道向所述側(cè)表面延伸形成的第二通道以及沿所述第二通道向所述上表面延伸形成的第三通道，所述第二透氣口與所述第三通道相連通。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種MEMS壓力傳感器，包括線路板、與線路板組裝以形成收容空間的外殼以及位于所述收容空間內(nèi)的壓力傳感器芯片和集成電路芯片，所述線路板上開(kāi)設(shè)有連通所述收容空間且未穿透所述線路板的第一透氣口、連通外部且未穿透所述線路板的第二透氣口以及連通所述第一透氣口與所述第二透氣口的透氣通道。
【IPC分類】G01L1/26, G01L1/00
【公開(kāi)號(hào)】CN205175580
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520790637
【發(fā)明人】張睿, 康婷
【申請(qǐng)人】瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年10月14日