一種掃描電鏡的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及掃描電鏡領(lǐng)域，尤其涉及一種具有離子濺射功能的掃描電鏡。
【背景技術(shù)】
[0002]掃描電鏡，也稱為掃描電子顯微鏡，掃描電鏡利用聚焦的電子束在測(cè)試樣品的表面進(jìn)行掃描，以獲得測(cè)試樣品表面的微觀結(jié)構(gòu)圖像。
[0003]在使用掃描電鏡進(jìn)行測(cè)試時(shí)，往往需要在測(cè)試樣品的表面鍍上一層金屬顆粒，使得測(cè)試樣品表面上局部聚集的電子發(fā)散，否則過(guò)多的電子聚集在測(cè)試樣品表面將影響掃描電鏡中電子槍所發(fā)射的電子束，導(dǎo)致顯示的圖像扭曲。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，為了能夠消除測(cè)試樣品表面局部聚集的電子的影響，在使用如圖1所示的掃描電鏡對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行掃描之前，通常會(huì)將固定在載臺(tái)3上的測(cè)試樣品(并未在圖1中示出)連同載臺(tái)3，一并放入一種稱為離子濺射儀(并未在圖1中示出)的設(shè)備內(nèi)，并使用離子濺射儀在真空條件下將特定的金屬離子鍍到測(cè)試樣品的表面，之后，將載臺(tái)3和固定其上的鍍有金屬離子的測(cè)試樣品，放入如圖1所示的掃描電鏡中進(jìn)行掃描。
[0005]但是，采用現(xiàn)有技術(shù)的方式在針對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程中，首先需要使用離子濺射儀在測(cè)試樣品的表面鍍上金屬離子，而離子濺射儀的工作環(huán)境也為真空環(huán)境，那么，就需要在使用離子濺射儀時(shí)進(jìn)行抽真空，這將消耗一定的時(shí)間，當(dāng)離子濺射過(guò)程結(jié)束后，再將載臺(tái)3連同鍍有金屬離子的測(cè)試樣品放入掃描電鏡中還需要抽真空，使得掃描電鏡的工作環(huán)境也變?yōu)檎婵窄h(huán)境，該過(guò)程同樣需要消耗一定的時(shí)間。顯然，現(xiàn)有技術(shù)中使用掃描電鏡獲得測(cè)試樣品表面微觀結(jié)構(gòu)的過(guò)程較為繁瑣，導(dǎo)致測(cè)試效率較低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種具有離子濺射功能的掃描電鏡，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中使用掃描電鏡對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程較為繁瑣、測(cè)試效率低的問(wèn)題。
[0007]本實(shí)用新型提供一種掃描電鏡，包括:系統(tǒng)艙，與所述系統(tǒng)艙密封連接的氣閘，所述氣閘內(nèi)設(shè)有用于承載測(cè)試樣品的載臺(tái)，所述氣閘內(nèi)設(shè)有濺射靶，所述濺射靶朝向所述載臺(tái)，所述濺射靶與所述載臺(tái)之間不貼合。
[0008]進(jìn)一步地，在所述濺射靶朝向所述載臺(tái)的一面，設(shè)有濺射材料涂層。
[0009]進(jìn)一步地，所述濺射靶朝向所述載臺(tái)一面的尺寸不小于所述載臺(tái)的尺寸。
[0010]進(jìn)一步地，所述載臺(tái)設(shè)于所述氣閘底部，所述濺射靶設(shè)于所述氣閘頂部。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掃描電鏡，在其氣閘內(nèi)設(shè)有濺射靶，由于掃描電鏡和離子濺射儀均工作在真空環(huán)境，那么，只需在掃描電鏡的氣閘內(nèi)進(jìn)行抽真空，從而達(dá)到濺射靶可工作的真空環(huán)境，完成離子濺射過(guò)程，并在此基礎(chǔ)上，調(diào)整氣閘的真空度，使得真空度達(dá)到掃描電鏡的真空環(huán)境，可見(jiàn)，通過(guò)該濺射靶，可直接在氣閘內(nèi)完成離子濺射的過(guò)程，并且，可以在掃描電鏡的氣閘內(nèi)完成抽真空操作，有效提升了測(cè)試的便捷性及效率。
【附圖說(shuō)明】
[0012]此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0013]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的掃描電鏡的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種掃描電鏡的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0016]如圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種掃描電鏡Dl，在圖2中顯示了掃描電鏡Dl內(nèi)與本實(shí)用新型相關(guān)的主要部件。具體的，掃描電鏡Dl包括系統(tǒng)艙10、與所述系統(tǒng)艙10密封連接的氣閘20，在圖2中，氣閘20中設(shè)有用于承載測(cè)試樣品的載臺(tái)202，在氣閘20中還設(shè)有濺射靶204，濺射靶204朝向載臺(tái)202，且濺射靶204與載臺(tái)202之間相互間隔不貼合，二者之間具有一定的距離。
[0017]在圖2中所示的系統(tǒng)艙10中包含電子槍101、載臺(tái)基座102等部件，由于是現(xiàn)有技術(shù)，故在本實(shí)用新型中不再過(guò)多贅述。
[0018]進(jìn)一步地，濺射靶204朝向載臺(tái)202的一面，設(shè)置有濺射材料涂層205，包括但不限于:金、鈾金、銅等導(dǎo)電金屬材料涂層。
[0019]基于此，由于濺射靶204與載臺(tái)202之間不貼合，那么，當(dāng)氣閘20處于真空、高電壓的工作環(huán)境下時(shí)，氣閘20中殘留的氣體分子被電離，形成等離子體，濺射材料涂層205中的金屬離子受到等離子體的影響，在電場(chǎng)作用下濺射至載臺(tái)202上的測(cè)試樣品表面，從而使測(cè)試樣品表面附著金屬離子，也即，在測(cè)試樣品表面形成導(dǎo)電薄層，完成離子濺射過(guò)程。當(dāng)然，在實(shí)際使用時(shí)，濺射靶204與載臺(tái)202之間的距離，將影響導(dǎo)電薄層的密度，所以，濺射靶204與載臺(tái)202之間的距離可以根據(jù)實(shí)際使用的需要進(jìn)行設(shè)置，這里并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限定。
[0020]顯然，基于如圖2所示的氣閘20結(jié)構(gòu)，使得可以直接在掃描電鏡Dl的氣閘20內(nèi)完成針對(duì)測(cè)試樣品的離子濺射過(guò)程，而無(wú)需單獨(dú)使用額外的離子濺射儀，這將有效提升了對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試的便捷性。
[0021]作為本實(shí)用新型中的一種可選方式，為了便于在氣閘20內(nèi)進(jìn)行離子濺射過(guò)程，具體地，在圖2中可見(jiàn)，載臺(tái)202設(shè)于氣閘20的底部，濺射靶204設(shè)于氣閘20的頂部。
[0022]為了在離子濺射過(guò)程中，濺射材料涂層205上的金屬離子能夠充分濺射至測(cè)試樣品(測(cè)試樣品并未在圖2中示出)上，作為本實(shí)用新型中的一種可選方式，濺射靶204的面積不小于載臺(tái)202的面積。
[0023]基于本實(shí)用新型中的掃描電鏡Dl，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，可通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)對(duì)測(cè)試樣品的測(cè)試過(guò)程:
[0024]第一步:將測(cè)試樣品放置于氣閘20內(nèi)，并密閉氣閘20，進(jìn)行抽真空，使得氣閘20中的真空度適于進(jìn)行離子濺射，并在此時(shí)針對(duì)氣閘20施加高電壓，以達(dá)到離子濺射所需的電壓值，完成對(duì)測(cè)試樣品的離子濺射過(guò)程。當(dāng)然，抽真空和加高電壓的過(guò)程中，均使用掃描電鏡Dl自身適配的裝置，也即，在抽真空的過(guò)程中，可以使用掃描電鏡Dl自身攜帶的抽真空設(shè)備對(duì)氣閘20進(jìn)行抽真空操作，之后，可以使用加電壓設(shè)備對(duì)抽真空后的氣閘20中施加高電壓。顯然，這也將提升操作的便捷性。
[0025]第二步:離子濺射過(guò)程完畢后，可以調(diào)節(jié)氣閘20內(nèi)的真空度，使得真空度達(dá)到掃描電鏡Dl掃描時(shí)所需的真空度，并將位于氣閘20內(nèi)的載臺(tái)基座201上的載臺(tái)202，通過(guò)推送桿203，從艙門(mén)103推送進(jìn)系統(tǒng)艙10中進(jìn)行掃描。
[0026]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掃描電鏡的氣閘內(nèi)設(shè)有濺射靶，由于掃描電鏡和離子濺射儀均工作在真空環(huán)境，那么，只需在掃描電鏡的氣閘內(nèi)進(jìn)行抽真空，從而達(dá)到濺射靶可工作的真空環(huán)境，完成離子濺射過(guò)程，并在此基礎(chǔ)上，調(diào)整氣閘的真空度，使得真空度達(dá)到掃描電鏡的真空環(huán)境，可見(jiàn)，通過(guò)該濺射靶，可直接在氣閘內(nèi)完成離子濺射的過(guò)程，并且，可以在掃描電鏡的氣閘內(nèi)完成抽真空操作，顯然，與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，采用本實(shí)用新型中的掃描電鏡對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行掃描時(shí)，無(wú)需額外的離子濺射儀進(jìn)行離子濺射，有效地增加了掃描過(guò)程的便捷性，也提升了掃描過(guò)程的效率。
[0027]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種掃描電鏡，包括:系統(tǒng)艙，與所述系統(tǒng)艙密封連接的氣閘，所述氣閘內(nèi)設(shè)有用于承載測(cè)試樣品的載臺(tái)，其特征在于，所述氣閘內(nèi)設(shè)有濺射靶，所述濺射靶朝向所述載臺(tái)，所述濺射靶與所述載臺(tái)之間不貼合。2.如權(quán)利要求1所述的掃描電鏡，其特征在于，在所述濺射靶朝向所述載臺(tái)的一面，設(shè)有濺射材料涂層。3.如權(quán)利要求1或2所述的掃描電鏡，其特征在于，所述濺射靶朝向所述載臺(tái)一面的面積不小于所述載臺(tái)的面積。4.如權(quán)利要求3所述的掃描電鏡，其特征在于，所述載臺(tái)設(shè)于所述氣閘底部，所述濺射靶設(shè)于所述氣閘頂部。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種掃描電鏡，包括：系統(tǒng)艙，與所述系統(tǒng)艙密封連接的氣閘，所述氣閘內(nèi)設(shè)有用于承載測(cè)試樣品的載臺(tái)，所述氣閘內(nèi)設(shè)有濺射靶，所述濺射靶朝向所述載臺(tái)，所述濺射靶與所述載臺(tái)之間不貼合。正是由于本實(shí)用新型中的掃描電鏡在其氣閘內(nèi)設(shè)有濺射靶，由于掃描電鏡和離子濺射儀均工作在真空環(huán)境，那么，只需在掃描電鏡的氣閘內(nèi)進(jìn)行抽真空，從而達(dá)到濺射靶可工作的真空環(huán)境，完成離子濺射過(guò)程，并在此基礎(chǔ)上，調(diào)整氣閘的真空度，使得真空度達(dá)到掃描電鏡的真空環(huán)境，可見(jiàn)，通過(guò)該濺射靶，可直接在氣閘內(nèi)完成離子濺射的過(guò)程，并且，可以在掃描電鏡的氣閘內(nèi)完成抽真空操作，有效提升了測(cè)試的便捷性及效率。
【IPC分類】G01N23/225
【公開(kāi)號(hào)】CN205209995
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520988177
【發(fā)明人】崔耀晨, 張玉祥
【申請(qǐng)人】昆山國(guó)顯光電有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2015年12月2日