一種濕度檢測(cè)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種檢測(cè)裝置，尤其涉及一種濕度檢測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、氣象、環(huán)保、國(guó)防、科研、航天等部門(mén)，經(jīng)常需要對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行測(cè)量及控制。但在常規(guī)的環(huán)境參數(shù)中，濕度是最難準(zhǔn)確測(cè)量的一個(gè)參數(shù)。用干濕球濕度計(jì)或毛發(fā)濕度計(jì)來(lái)測(cè)量濕度的方法，早已無(wú)法滿足現(xiàn)代科技發(fā)展的需要。這是因?yàn)闇y(cè)量濕度要比測(cè)量溫度復(fù)雜的多，溫度是個(gè)獨(dú)立的被測(cè)量，而濕度卻受其他因素(大氣壓強(qiáng)、溫度)的影響。此外，濕度的標(biāo)準(zhǔn)也是一個(gè)難題。國(guó)外生產(chǎn)的濕度標(biāo)定設(shè)備價(jià)格十分昂貴。
[0003]近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外在濕度傳感器研發(fā)領(lǐng)域取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。濕敏傳感器正從簡(jiǎn)單的濕敏元件向集成化、智能化、多參數(shù)檢測(cè)的方向迅速發(fā)展，為開(kāi)發(fā)新一代濕度/溫度測(cè)控系統(tǒng)創(chuàng)造了有利條件，也將濕度測(cè)量技術(shù)提高到新的水平。但目前濕度傳感器技術(shù)還不完善，主要有如下問(wèn)題:裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜、去污能力弱、檢測(cè)不靈敏、壽命短等問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造成本低廉、自清潔能力強(qiáng)、性能穩(wěn)定、靈敏度高的濕度檢測(cè)裝置。
[0005]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種濕度檢測(cè)裝置，包括絕緣基底及過(guò)濾罩，所述過(guò)濾罩設(shè)置于絕緣基底外側(cè)，所述絕緣基底上設(shè)置有半導(dǎo)體感應(yīng)層及金屬基片，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層通過(guò)梳形電極與金屬基片連接，所述金屬基片上設(shè)置有第一接觸點(diǎn)、第二接觸點(diǎn)，所述第一接觸點(diǎn)連接有陽(yáng)極引線，所述第二接觸點(diǎn)連接有陰極引線。
[0006]所述半導(dǎo)體感應(yīng)層將吸收的水分，電離產(chǎn)生氫氣，所述電離的氫氣改變半導(dǎo)體感應(yīng)層的阻抗，并將檢測(cè)到的電信號(hào)通過(guò)梳形電極傳遞至金屬基片，金屬基片通過(guò)陽(yáng)極引線、陰極引線傳遞至外電路，實(shí)現(xiàn)濕度與電信號(hào)的轉(zhuǎn)換與檢測(cè)，所述過(guò)濾罩用于防止半導(dǎo)體感應(yīng)層被污染。
[0007]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。
[0008]進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層厚度為I?ΙΟμπι，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層太薄不利于水分的吸收與電離，太厚不利于電阻抗變化的感應(yīng)，本實(shí)用新型所述半導(dǎo)體感應(yīng)層最佳厚度為I?ΙΟμπι，但不局限于此。
[0009]進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層為多孔結(jié)構(gòu)的ZnO膜，所述多孔結(jié)構(gòu)的ZnO膜，由于有較大表面積的多孔結(jié)構(gòu)，有利于水分的吸收，并且ZnO膜可以將水分電離。
[0010]進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層設(shè)置有堿金屬層，用于穩(wěn)定阻抗值的調(diào)整過(guò)程。
[0011]進(jìn)一步，所述陽(yáng)極引線、陰極引線為銅金屬線，所述銅金屬線電阻小，有利于降低對(duì)輸出信號(hào)的干擾。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造成本低廉、自清潔能力強(qiáng)、檢測(cè)靈敏、可
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【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型一種濕度檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下:1、絕緣基底，2、過(guò)濾罩，3、半導(dǎo)體感應(yīng)層，
4、梳形電極，5、第一接觸點(diǎn)，6、第二接觸點(diǎn)，7、陽(yáng)極引線，8、陰極引線，9、金屬基片。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0016]如圖1所示，一種濕度檢測(cè)裝置，包括絕緣基底I及過(guò)濾罩2，所述過(guò)濾罩2設(shè)置于絕緣基底I外側(cè)，所述絕緣基底I上設(shè)置有半導(dǎo)體感應(yīng)層3及金屬基片9，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層3通過(guò)梳形電極4與金屬基片9連接，所述金屬基片9上設(shè)置有第一接觸點(diǎn)5、第二接觸點(diǎn)6，所述第一接觸點(diǎn)5連接有陽(yáng)極引線7，所述第二接觸點(diǎn)6連接有陰極引線8。
[0017]所述半導(dǎo)體感應(yīng)層3將吸收的水分，電離產(chǎn)生氫氣，所述電離的氫氣改變半導(dǎo)體感應(yīng)層3的阻抗，并將檢測(cè)到的電信號(hào)通過(guò)梳形電極4傳遞至金屬基片9，金屬基片9通過(guò)陽(yáng)極引線7、陰極引線8傳遞至外電路，實(shí)現(xiàn)濕度與電信號(hào)的轉(zhuǎn)換與檢測(cè)，所述過(guò)濾罩2用于防止半導(dǎo)體感應(yīng)層3被污染。
[0018]所述半導(dǎo)體感應(yīng)層3厚度為I?ΙΟμπι，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層3太薄不利于水分的吸收與電離，太厚不利于電阻抗變化的感應(yīng)，本實(shí)用新型所述半導(dǎo)體感應(yīng)層3最佳厚度為I?10μm，但不局限于此。所述半導(dǎo)體感應(yīng)層3為多孔結(jié)構(gòu)的ZnO膜，所述多孔結(jié)構(gòu)的ZnO膜，由于有較大表面積的多孔結(jié)構(gòu)，有利于水分的吸收，并且ZnO膜可以將水分電離。所述半導(dǎo)體感應(yīng)層3設(shè)置有堿金屬層，用于穩(wěn)定阻抗值的調(diào)整過(guò)程。所述陽(yáng)極引線7、陰極引線8為銅金屬線，所述銅金屬線電阻小，有利于降低對(duì)輸出信號(hào)的干擾。
[0019]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種濕度檢測(cè)裝置，其特征在于，包括絕緣基底及過(guò)濾罩，所述過(guò)濾罩設(shè)置于絕緣基底外側(cè)，所述絕緣基底上設(shè)置有半導(dǎo)體感應(yīng)層及金屬基片，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層通過(guò)梳形電極與金屬基片連接，所述金屬基片上設(shè)置有第一接觸點(diǎn)、第二接觸點(diǎn)，所述第一接觸點(diǎn)連接有陽(yáng)極引線，所述第二接觸點(diǎn)連接有陰極引線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種濕度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層厚度為I?1um03.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種濕度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層為多孔結(jié)構(gòu)的ZnO膜。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種濕度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層設(shè)置有堿金屬層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種濕度檢測(cè)裝置，其特征在于，所述陽(yáng)極引線、陰極引線為銅金屬線。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種濕度檢測(cè)裝置，包括絕緣基底及過(guò)濾罩，所述過(guò)濾罩設(shè)置于絕緣基底外側(cè)，所述絕緣基底上設(shè)置有半導(dǎo)體感應(yīng)層及金屬基片，所述半導(dǎo)體感應(yīng)層通過(guò)梳形電極與金屬基片連接，所述金屬基片上設(shè)置有第一接觸點(diǎn)、第二接觸點(diǎn)，所述第一接觸點(diǎn)連接有陽(yáng)極引線，所述第二接觸點(diǎn)連接有陰極引線。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造成本低廉、自清潔能力強(qiáng)、性能穩(wěn)定、靈敏度高。
【IPC分類】G01N27/12
【公開(kāi)號(hào)】CN205333562
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620091603
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】重慶三零三科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2016年1月29日