一種低電容硅像素探測(cè)器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種低電容硅像素探測(cè)器，探測(cè)器的像素單元電極包括中心部、若干連接部及若干外圍部，中心部通過連接部連接外圍部，連接部與外圍部沿圓周均布在中心部外圍，中心部、連接部與外圍部形成探測(cè)器像素單元電極，且像素單元電極的有效面積小于像素單元的上表面積。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)在：在保持探測(cè)器有效體積不變的前提下,通過減小探測(cè)器電極的有效面積達(dá)到減小探測(cè)器的電容，減小噪聲，進(jìn)而減小噪聲提高信噪比，應(yīng)用于能譜儀可提高能譜儀對(duì)能量的分辨率。
【專利說明】
一種低電容娃像素探測(cè)器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種硅像素探測(cè)器，具體涉及一種低電容硅像素探測(cè)器。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)硅像素探測(cè)器的像素單元上的有效電極面積與像素單元的上表面積一致，而電極的有效面積過大會(huì)造成噪聲信噪比過大，探測(cè)器對(duì)能量的分辨率過低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種低電容、低噪聲、高分辨率的硅像素探測(cè)器。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型公開了如下技術(shù)方案:
[0005]—種低電容硅像素探測(cè)器，探測(cè)器的像素單元電極包括中心部、若干連接部及若干外圍部，中心部通過連接部連接外圍部，連接部與外圍部沿圓周均布在中心部外圍，中心部、連接部與外圍部形成探測(cè)器像素單元電極，且像素單元電極的有效面積小于像素單元的上表面積；
[0006]所述中心部為圓形，連接部為桿形，外圍部為以中心部為圓心的圓弧形，外圍部?jī)啥艘矠閳A弧形。
[0007]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述像素單元為底面為正六邊形的棱柱，邊長(zhǎng)525微米，高500微米，正負(fù)電極的厚度均為I微米，中心部半徑為85微米，連接部長(zhǎng)221微米，夕卜圍部?jī)啥嘶⌒伟霃綖?0微米。
[0008]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述像素單元電極的有效面積為像素單元上表面積的1/3?1/2。
[0009]本實(shí)用新型公開的一種低電容硅像素探測(cè)器，具有以下有益效果:
[0010]在保持探測(cè)器有效體積不變的前提下，通過減小探測(cè)器電極的有效面積達(dá)到減小探測(cè)器的電容，減小噪聲，進(jìn)而減小噪聲提高信噪比，應(yīng)用于能譜儀可提高能譜儀對(duì)能量的分辨率。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]附圖標(biāo)記說明:
[0013]1.像素單元，2.外圍部，3.連接部，4.中心部。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合實(shí)施例并參照附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。
[0015]請(qǐng)參見圖1。
[0016]—種低電容硅像素探測(cè)器，探測(cè)器的像素單元電極包括中心部4、若干連接部3及若干外圍部2，中心部4通過連接部3連接外圍部2，連接部3與外圍部2沿圓周均布在中心部4外圍，中心部4、連接部3與外圍部2形成探測(cè)器像素單元電極，且像素單元電極的有效面積小于像素單元I的上表面積。
[0017]所述中心部4為圓形，連接部3為桿形，外圍部2為以中心部4為圓心的圓弧形，外圍部2兩端也為圓弧形。
[0018]優(yōu)選的，所述像素單元I為底面為正六邊形的棱柱，邊長(zhǎng)525微米，高500微米，正負(fù)電極的厚度均為I微米，中心部半徑為85微米，連接部長(zhǎng)221微米，外圍部?jī)啥嘶⌒伟霃綖?0微米。
[0019]優(yōu)選的，所述像素單元電極的有效面積為像素單元I上表面積的1/3?1/2。
[0020]本實(shí)用新型在保持探測(cè)器有效體積不變的前提下，通過減小探測(cè)器電極的有效面積達(dá)到減小探測(cè)器的電容，減小噪聲，進(jìn)而減小噪聲提高信噪比，應(yīng)用于能譜儀可提高能譜儀對(duì)能量的分辨率。
[0021]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，而非對(duì)其限制;應(yīng)當(dāng)指出，盡管參照上述各實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，其依然可以對(duì)上述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或?qū)ζ渲胁糠只蛘呷考夹g(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改和替換，并不使相應(yīng)的技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低電容硅像素探測(cè)器，其特征在于，探測(cè)器的像素單元電極包括中心部、若干連接部及若干外圍部，中心部通過連接部連接外圍部，連接部與外圍部沿圓周均布在中心部外圍，中心部、連接部與外圍部形成探測(cè)器像素單元電極，且像素單元電極的有效面積小于像素單元的上表面積； 所述中心部為圓形，連接部為桿形，外圍部為以中心部為圓心的圓弧形，外圍部?jī)啥艘矠閳A弧形。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電容硅像素探測(cè)器，其特征在于，所述像素單元為底面為正六邊形的棱柱，邊長(zhǎng)525微米，高500微米，正負(fù)電極的厚度均為I微米，中心部半徑為85微米，連接部長(zhǎng)221微米，外圍部?jī)啥嘶⌒伟霃綖?0微米。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電容硅像素探測(cè)器，其特征在于，所述像素單元電極的有效面積為像素單元上表面積的1/3?1/2。
【文檔編號(hào)】G01T1/36GK205450296SQ201620259382
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】李正, 熊波, 李玉云, 劉曼文, 馮明富
【申請(qǐng)人】湘潭大學(xué)