慢中子轉(zhuǎn)換體及慢中子探測(cè)器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及慢中子轉(zhuǎn)換體及慢中子探測(cè)器，屬于慢中子探測(cè)領(lǐng)域。一種慢中子轉(zhuǎn)換體包括基體，所述基體包括沿第一方向延伸的多個(gè)孔洞和所述多個(gè)孔洞之間的絕緣壁，所述多個(gè)孔洞為貫穿孔洞。所述慢中子轉(zhuǎn)換體還包括至少覆蓋所述多個(gè)孔洞的暴露表面的硼層。根據(jù)本申請(qǐng)的慢中子轉(zhuǎn)換體及具有該慢中子轉(zhuǎn)換體的慢中子探測(cè)器能夠保持較高的慢中子探測(cè)效率。另外，可以降低探測(cè)器制作的復(fù)雜程度與制作的成本，從而實(shí)現(xiàn)有效、便捷、低成本的慢中子探測(cè)目的。
【專利說(shuō)明】
慢中子轉(zhuǎn)換體及慢中子探測(cè)器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開(kāi)涉及慢中子探測(cè)，具體而言，涉及慢中子轉(zhuǎn)換體及具有該慢中子轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的慢中子探測(cè)器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著慢中子探測(cè)、成像技術(shù)在國(guó)土安全、材料監(jiān)測(cè)、慢中子散射源測(cè)量等多個(gè)方向應(yīng)用逐漸增多，對(duì)于慢中子探測(cè)器的需求也逐漸增加。然而，廣泛使用的3He氣體已不能滿足持續(xù)增長(zhǎng)的使用需求，不同類型的新型慢中子探測(cè)器被研發(fā)出來(lái)用于替代3He,包括氣體慢中子探測(cè)器、閃爍體慢中子探測(cè)器、半導(dǎo)體慢中子探測(cè)器等。
[0003]對(duì)一個(gè)慢中子探測(cè)器而言，慢中子轉(zhuǎn)換體是其中的一個(gè)重要結(jié)構(gòu)。慢中子本身不帶電荷，除了少數(shù)幾種慢中子敏感核素如6L1、1()B、Gd等，慢中子與其他物質(zhì)的反應(yīng)截面都比較小，直觀效果就是慢中子難以被直接探測(cè)到。慢中子轉(zhuǎn)換體內(nèi)部富含較多的慢中子敏感核素，能夠通過(guò)核反應(yīng)將慢中子轉(zhuǎn)換為帶電粒子。探測(cè)器可以較為方便地測(cè)量到這些帶電粒子的能量、位置信息，進(jìn)而可以得到入射慢中子的相關(guān)物理信息。
[0004]在氣體慢中子探測(cè)器設(shè)計(jì)中，根據(jù)使用的基礎(chǔ)探測(cè)器的不同，可有多種類型的慢中子轉(zhuǎn)換體與慢中子探測(cè)器，例如基于圓柱形正比探測(cè)器陣列的氣體慢中子探測(cè)器、基于平板型電離室堆疊的氣體慢中子探測(cè)器。
[0005]在基于圓柱形正比探測(cè)器陣列的氣體慢中子探測(cè)器中，最基本的慢中子探測(cè)單元是一個(gè)圓柱形的正比探測(cè)器，每個(gè)單元都有獨(dú)立的陽(yáng)極絲和信號(hào)收集處理系統(tǒng)，典型代表如“稻草管”慢中子探測(cè)器陣列。然而，探測(cè)器的慢中子敏感面積與慢中子探測(cè)效率大致與圓柱形正比探測(cè)器個(gè)數(shù)的二次方成正比，整個(gè)系統(tǒng)內(nèi)大量陽(yáng)極絲的安裝、維修會(huì)有很大的工作量，各個(gè)慢中子探測(cè)單元探測(cè)效率的差異也會(huì)影響系統(tǒng)整體的性能。
[0006]在基于平板型電離室堆疊的氣體慢中子探測(cè)器中，最基本的慢中子探測(cè)單元是一個(gè)平板型電離室，每個(gè)電離室有獨(dú)立的二維信號(hào)讀出系統(tǒng)，典型代表如Gd-GEM慢中子探測(cè)器。然而，單層平板電離室的慢中子探測(cè)效率比較低，需要采用多個(gè)堆疊、慢中子掠入射等方法提高整體的慢中子探測(cè)效率，但這會(huì)給整體的信號(hào)讀出處理帶來(lái)很大壓力，不方便實(shí)現(xiàn)大面積慢中子探測(cè)。
[0007]因此，需要一種新的慢中子轉(zhuǎn)換體及慢中子探測(cè)器。
[0008]在所述【背景技術(shù)】部分公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0009]本申請(qǐng)公開(kāi)一種慢中子轉(zhuǎn)換體及慢中子探測(cè)器，能夠保持較高的慢中子探測(cè)效率。
[0010]本公開(kāi)的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本公開(kāi)的實(shí)踐而習(xí)得。[0011 ]根據(jù)本公開(kāi)的一方面，提供一種慢中子轉(zhuǎn)換體，包括:基體，所述基體包括沿第一方向延伸的多個(gè)孔洞和所述多個(gè)孔洞之間的絕緣壁;硼層，至少覆蓋所述多個(gè)孔洞的暴露表面。所述多個(gè)孔洞為貫穿孔洞。
[0012]根據(jù)一些實(shí)施例，每個(gè)孔洞具有圓形或多邊形截面。
[0013]根據(jù)一些實(shí)施例，每個(gè)孔洞具有正多邊形截面。
[0014]根據(jù)一些實(shí)施例，每個(gè)孔洞具有正六邊形截面且所述多個(gè)孔洞均勻排布，從而所述慢中子轉(zhuǎn)換體具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)。
[0015]根據(jù)一些實(shí)施例，每個(gè)孔洞具有0.1mm至20mm范圍內(nèi)的內(nèi)切圓直徑。
[0016]根據(jù)一些實(shí)施例，每個(gè)孔洞具有3mm至1mm范圍內(nèi)的內(nèi)切圓直徑。
[0017]根據(jù)一些實(shí)施例，所述基體沿所述第一方向具有Icm至30cm范圍內(nèi)的高度。
[0018]根據(jù)一些實(shí)施例，所述基體沿所述第一方向具有1cm至15cm范圍內(nèi)的高度。
[0019]根據(jù)一些實(shí)施例，所述硼層包括natB。
[0020]根據(jù)一些實(shí)施例，所述硼層具有0.232-0.694mg/cm2的質(zhì)量厚度。
[0021]根據(jù)一些實(shí)施例，所述硼層具有0.3-0.4mg/cm2的質(zhì)量厚度。
[0022]根據(jù)一些實(shí)施例，所述硼層具有0.37mg/cm2的質(zhì)量厚度。
[0023]根據(jù)一些實(shí)施例，所述基體具有立方體或長(zhǎng)方體形狀。
[0024]根據(jù)一些實(shí)施例，所述絕緣壁具有I微米至50微米范圍內(nèi)的厚度。
[0025]根據(jù)一些實(shí)施例，所述絕緣壁具有5微米至20微米范圍內(nèi)的厚度。
[0026]根據(jù)一些實(shí)施例，所述絕緣壁包括芳纟侖紙。
[0027]根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，提供一種慢中子探測(cè)器，包括:如前所述的任一慢中子轉(zhuǎn)換體，其中所述多個(gè)孔洞中填充電離工作氣體；陰極極板，設(shè)置在所述慢中子轉(zhuǎn)換體的一端；電子倍增器，設(shè)置在所述慢中子轉(zhuǎn)換體的另一端；陽(yáng)極極板，與所述電子倍增器相對(duì)設(shè)置，所述陰極極板和所述陽(yáng)極極板用于在二者之間形成電場(chǎng)。
[0028]根據(jù)一些實(shí)施例，所述電子倍增器包括氣體電子倍增器、微網(wǎng)平面氣體探測(cè)器。
[0029]根據(jù)一些實(shí)施例，慢中子探測(cè)器還包括具有圓柱狀結(jié)構(gòu)的場(chǎng)籠，所述場(chǎng)籠圍繞所述慢中子轉(zhuǎn)換體。
[0030]根據(jù)一些實(shí)施例，所述場(chǎng)籠包括多個(gè)同軸銅圈，所述多個(gè)同軸銅圈用于分別加上梯度電壓。
[0031]根據(jù)一些實(shí)施例，慢中子探測(cè)器還包括設(shè)置在所述場(chǎng)籠兩側(cè)的保護(hù)環(huán)。
[0032]根據(jù)本公開(kāi)的慢中子轉(zhuǎn)換體及慢中子探測(cè)器，能夠保持較高的慢中子探測(cè)效率。另外，根據(jù)本公開(kāi)的方案，可以降低探測(cè)器制作的復(fù)雜程度與制作的成本，從而實(shí)現(xiàn)有效、便捷、低成本的慢中子探測(cè)目的。
【附圖說(shuō)明】
[0033]通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施方式，本公開(kāi)的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。
[0034]圖1示出根據(jù)本公開(kāi)一示例實(shí)施方式的慢中子轉(zhuǎn)換體的立體圖；
[0035]圖2示出圖1所示的慢中子轉(zhuǎn)換體的剖視圖；
[0036]圖3示出根據(jù)本公開(kāi)的慢中子轉(zhuǎn)換體的慢中子探測(cè)效率與硼層質(zhì)量厚度的關(guān)系圖；
[0037]圖4示出根據(jù)本公開(kāi)一示例實(shí)施方式的慢中子探測(cè)器的結(jié)構(gòu)圖；
[0038]圖5示出根據(jù)本公開(kāi)的慢中子探測(cè)器的工作原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施例。然而，示例實(shí)施例能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施例;相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將全面和完整，并將示例實(shí)施例的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部分，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。
[0040]此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施例中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本公開(kāi)的實(shí)施例的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本公開(kāi)的技術(shù)方案而沒(méi)有所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、材料、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、方法、裝置、實(shí)現(xiàn)、材料或者操作以避免模糊本公開(kāi)的各方面。
[0041]本公開(kāi)提出一種新型探測(cè)器，利用硼層結(jié)構(gòu)制作慢中子轉(zhuǎn)換體，其完成慢中子吸收、帶電粒子電離和電子漂移等功能，再利用電子倍增器件來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。
[0042]圖1示出根據(jù)本公開(kāi)一示例實(shí)施方式的慢中子轉(zhuǎn)換體的立體圖。圖2示出圖1所示的慢中子轉(zhuǎn)換體的剖視圖。應(yīng)理解，圖1-2示意性示出的結(jié)構(gòu)僅是根據(jù)本公開(kāi)的慢中子轉(zhuǎn)換體的一種示例，本公開(kāi)并不限于此。
[0043]如圖1-2所示，根據(jù)本公開(kāi)的慢中子轉(zhuǎn)換體100可包括基體120。
[0044]基體120可包括沿第一方向貫穿所述基體的多個(gè)孔洞124和所述多個(gè)孔洞之間的絕緣壁122。
[0045]每個(gè)孔洞124可具有圓形或多邊形截面。根據(jù)一些實(shí)施例，每個(gè)孔洞具有正多邊形截面。根據(jù)另一些實(shí)施例，個(gè)孔洞具有正六邊形截面且所述多個(gè)孔洞均勻排布，從而所述慢中子轉(zhuǎn)換體具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)，如圖1-2所示，但本公開(kāi)不限于此?？锥?24可用于填充電離工作氣體，如后面所詳細(xì)描述的。
[0046]如圖2所示，慢中子轉(zhuǎn)換體100還包括至少覆蓋所述多個(gè)孔洞124的暴露表面的硼層126。根據(jù)一些實(shí)施例，可通過(guò)浸涂或其他合適的方式形成硼層126。
[0047]孔洞124可具有光滑的暴露表面，從而使覆蓋基體122的硼層具有較好的均勻性和表面粗糙度(例如，小于0.I微米的平整度)。
[0048]根據(jù)本公開(kāi)，可使用natB(自然硼)或lt3B(提純硼)作為慢中子轉(zhuǎn)換材料。
[0049]根據(jù)一些實(shí)施例，基體120具有立方體或長(zhǎng)方體形狀，但本公開(kāi)不限于此。
[0050]根據(jù)一些實(shí)施例，絕緣壁122可具有I微米至50微米范圍內(nèi)的厚度。例如，絕緣壁可具有5微米至20微米范圍內(nèi)的厚度。
[0051 ] 根據(jù)一些實(shí)施例，絕緣壁122包括芳綸紙。
[0052]圖3示出根據(jù)本公開(kāi)的慢中子轉(zhuǎn)換體慢中子探測(cè)效率與硼層質(zhì)量厚度關(guān)系的曲線圖。
[0053]如圖3所示，如果使用natB作為慢中子轉(zhuǎn)換材料，硼層的質(zhì)量厚度保持在0.232-0.694mg/cm2的范圍內(nèi)時(shí)(密度2.35g/cm3時(shí)，對(duì)應(yīng)厚度1-3μπι)，可以實(shí)現(xiàn)較高的慢中子探測(cè)效率。
[0054]根據(jù)一些實(shí)施例，硼層具有0.232-0.694mg/cm2的質(zhì)量厚度。再根據(jù)一些實(shí)施例，所述硼層具有0.3-0.4mg/cm2的質(zhì)量厚度。再根據(jù)一些實(shí)施例，硼層具有0.37mg/cm2的質(zhì)量厚度。
[0055]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，硼層太薄會(huì)導(dǎo)致與慢中子發(fā)生反應(yīng)的概率降低，而硼層太厚會(huì)導(dǎo)致反應(yīng)產(chǎn)生的重帶電粒子難以從轉(zhuǎn)換體的涂層內(nèi)進(jìn)入蜂窩狀孔洞，這均會(huì)大大降低整體的慢中子探測(cè)效果。
[0056]另外，慢中子轉(zhuǎn)換體的孔徑要合適。根據(jù)一些實(shí)施例，孔洞124可具有0.1mm至20mm范圍內(nèi)的內(nèi)切圓直徑。根據(jù)另一些實(shí)施例，孔洞可具有3mm至1mm范圍內(nèi)的內(nèi)切圓直徑。在本申請(qǐng)中使用時(shí)，內(nèi)切圓指的是可與孔洞的最多邊相切的圓。
[0057]此外，慢中子轉(zhuǎn)換體的高度也要合適，以兼顧較高的慢中子探測(cè)效率與較好的電子導(dǎo)出效果。根據(jù)一些實(shí)施例，基體120具有Icm至30cm范圍內(nèi)的高度。例如，基體120可具有1cm至15cm范圍內(nèi)的高度。
[0058]根據(jù)一些實(shí)施例，可通過(guò)將納米級(jí)硼粉均勻沉積在芳綸紙基材上而制成蜂窩狀結(jié)構(gòu)，再經(jīng)過(guò)切割與裁剪可以制成孔徑、長(zhǎng)度、硼層厚度均滿足要求的慢中子轉(zhuǎn)換體。
[0059]圖4示意性示出根據(jù)本公開(kāi)一示例實(shí)施方式的慢中子探測(cè)器的結(jié)構(gòu)圖。
[0000]如圖4所示，慢中子探測(cè)器500可包括慢中子轉(zhuǎn)換體520。慢中子轉(zhuǎn)換體520可以是如前所述的慢中子轉(zhuǎn)換體。慢中子探測(cè)器500還包括設(shè)置在所述慢中子轉(zhuǎn)換體一端的陰極極板510、設(shè)置在所述慢中子轉(zhuǎn)換體520的另一端的電子倍增器530、以及與所述電子倍增器530相對(duì)設(shè)置的陽(yáng)極極板540。所述陰極極板510和所述陽(yáng)極極板520之間形成電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)電子向電子倍增器一端漂移，如后面將詳細(xì)描述的。
[0061]如前所述，慢中子轉(zhuǎn)換體520可包括基體120和硼層126。基體120的多個(gè)孔洞124中填充電離工作氣體，以用于產(chǎn)生電子，如后面將詳細(xì)描述的?？墒褂秒娮訖M向擴(kuò)散系數(shù)小的工作氣體，使電子在漂移導(dǎo)出過(guò)程中的橫向擴(kuò)散盡量小。根據(jù)一些實(shí)施例，電離工作氣體可以是95%的氬氣與5%的二氧化碳的混合氣體，但本公開(kāi)不限于此，也可以氣體適宜的工作氣體。
[0062]根據(jù)一些實(shí)施例，電子倍增器530可包括氣體電子倍增器、微網(wǎng)平面氣體探測(cè)器等。電子倍增器能夠倍增通過(guò)電子的數(shù)量，保證有效電信號(hào)的形成。
[0063]根據(jù)一些實(shí)施例，如圖5所示，慢中子探測(cè)器500還可包括具有圓柱狀結(jié)構(gòu)的場(chǎng)籠550，所述場(chǎng)籠550圍繞所述慢中子轉(zhuǎn)換體。場(chǎng)籠550可包括多個(gè)同軸銅圈，所述多個(gè)同軸銅圈用于分別加上梯度電壓。場(chǎng)籠550可起到隔離屏蔽的作用，并可約束內(nèi)部氣體環(huán)境的等勢(shì)面在大部分區(qū)域保持平行，即形成近似的勻強(qiáng)電場(chǎng)。
[0064]此外，根據(jù)一些實(shí)施例，慢中子探測(cè)器500還可包括保護(hù)環(huán)(未示出)。保護(hù)環(huán)可設(shè)置在場(chǎng)籠兩側(cè)，用于提供兩端平面的電位，對(duì)勻強(qiáng)電場(chǎng)的實(shí)現(xiàn)起輔助作用。
[0065]圖5示出根據(jù)本公開(kāi)的慢中子探測(cè)器的工作原理。下面參照?qǐng)D4和圖5描述根據(jù)本公開(kāi)的慢中子探測(cè)器500的工作原理。
[0066]如圖4-5所示，根據(jù)本公開(kāi)的慢中子探測(cè)過(guò)程可分為三大部分:慢中子吸收到電子形成、電子漂移、電子倍增及信號(hào)收集。
[0067]慢中子吸收到電子形成階段的物理過(guò)程發(fā)生在慢中子轉(zhuǎn)換體內(nèi)部。入射慢中子501在硼層126中發(fā)生1()B(n，a)7Li反應(yīng)，產(chǎn)生重帶電粒子α粒子與7Li，它們的運(yùn)動(dòng)方向相反且是在牡立體角內(nèi)均勻分布的。因此，每次反應(yīng)最多只有一個(gè)粒子進(jìn)入蜂窩狀孔洞124的氣體環(huán)境中。當(dāng)a粒子或7Li在孔洞內(nèi)的氣體環(huán)境中運(yùn)動(dòng)時(shí)，會(huì)通過(guò)電離作用沉積能量，產(chǎn)生電子。這些電子如果被探測(cè)器探測(cè)到，就能夠形成相應(yīng)的電信號(hào)。
[0068]在這個(gè)環(huán)節(jié)中，慢中子穿過(guò)硼層126時(shí)發(fā)生1<3B(n，a)7Li反應(yīng)的概率與a粒子、7Li進(jìn)入孔洞124的平均概率決定整個(gè)探測(cè)器可能的慢中子探測(cè)效率。如前參照?qǐng)D3所述，當(dāng)硼層的質(zhì)量厚度保持在0.232-0.694mg/cm2的范圍內(nèi)時(shí)(密度2.35g/cm3時(shí)，對(duì)應(yīng)厚度1_3μπι)，可以實(shí)現(xiàn)較高的慢中子探測(cè)效率。
[0069]由于重帶電粒子的電離效應(yīng)，電子產(chǎn)生的初始位置分布在整個(gè)慢中子轉(zhuǎn)換體的各個(gè)蜂窩狀孔洞的內(nèi)部。為使這些電子形成輸出的電信號(hào)，本公開(kāi)的方案使電子從孔洞內(nèi)漂移出來(lái)。如前所述，電子在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下向慢中子轉(zhuǎn)換體的一端漂移，即向電子倍增器530漂移。
[0070]電子倍增器530能夠倍增通過(guò)電子的數(shù)量，保證有效電信號(hào)的形成。氣體電子倍增器(GEM)、微網(wǎng)平面氣體探測(cè)器(micromegas)等電子倍增器件均能夠配合硼層慢中子轉(zhuǎn)換體正常工作。
[0071]電子被陽(yáng)極極板540收集并進(jìn)一步形成電信號(hào)，此處不再贅述。
[0072]通過(guò)以上的詳細(xì)描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員易于理解，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的系統(tǒng)和方法具有以下優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)。
[0073]利用本公開(kāi)的新型硼層慢中子轉(zhuǎn)換體，可以制成性能較好的氣體慢中子探測(cè)器。
[0074]在保持較高的慢中子探測(cè)效率基礎(chǔ)上，降低了探測(cè)器制作的復(fù)雜程度與制作的成本。
[0075]以上具體地示出和描述了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。應(yīng)該理解，本公開(kāi)不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，相反，本公開(kāi)意圖涵蓋包含在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效布置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，包括: 基體，包括沿第一方向延伸的多個(gè)孔洞和所述多個(gè)孔洞之間的絕緣壁； 硼層，至少覆蓋所述多個(gè)孔洞的暴露表面， 所述多個(gè)孔洞為貫穿孔洞。2.如權(quán)利要求1所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，每個(gè)孔洞具有圓形或多邊形截面。3.如權(quán)利要求2所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，每個(gè)孔洞具有正多邊形截面。4.如權(quán)利要求3所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，每個(gè)孔洞具有正六邊形截面且所述多個(gè)孔洞均勻排布，從而所述慢中子轉(zhuǎn)換體具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)。5.如權(quán)利要求1所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，每個(gè)孔洞具有0.1mm至20mm范圍內(nèi)的內(nèi)切圓直徑。6.如權(quán)利要求5所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，每個(gè)孔洞具有3mm至1mm范圍內(nèi)的內(nèi)切圓直徑。7.如權(quán)利要求1所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述基體沿所述第一方向具有Icm至30cm范圍內(nèi)的高度。8.如權(quán)利要求7所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述基體沿所述第一方向具有1cm至15cm范圍內(nèi)的高度。9.如權(quán)利要求1所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述硼層為natB層。10.如權(quán)利要求9所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述硼層具有0.232-0.694mg/cm2的質(zhì)量厚度。11.如權(quán)利要求9所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述硼層具有0.3-0.4mg/cm2的質(zhì)量厚度。12.如權(quán)利要求9所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述硼層具有0.37mg/cm2的質(zhì)量厚度。13.如權(quán)利要求1所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述基體具有立方體或長(zhǎng)方體形狀。14.如權(quán)利要求1所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述絕緣壁具有I微米至50微米范圍內(nèi)的厚度。15.如權(quán)利要求1所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述絕緣壁具有5微米至20微米范圍內(nèi)的厚度。16.如權(quán)利要求1所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其特征在于，所述絕緣壁包括芳綸紙絕緣壁。17.一種慢中子探測(cè)器，其特征在于，包括: 如權(quán)利要求1-16中任一項(xiàng)所述的慢中子轉(zhuǎn)換體，其中所述多個(gè)孔洞中填充電離工作氣體； 陰極極板，設(shè)置在所述慢中子轉(zhuǎn)換體的一端； 電子倍增器，設(shè)置在所述慢中子轉(zhuǎn)換體的另一端； 陽(yáng)極極板，與所述電子倍增器相對(duì)設(shè)置，所述陰極極板和所述陽(yáng)極極板用于在二者之間形成電場(chǎng)。18.如權(quán)利要求17所述的慢中子探測(cè)器，其特征在于，所述電子倍增器包括氣體電子倍增器、微網(wǎng)平面氣體探測(cè)器。19.如權(quán)利要求17所述的慢中子探測(cè)器，其特征在于，還包括具有圓柱狀結(jié)構(gòu)的場(chǎng)籠，所述場(chǎng)籠圍繞所述慢中子轉(zhuǎn)換體。20.如權(quán)利要求19所述的慢中子探測(cè)器，其特征在于，所述場(chǎng)籠包括多個(gè)同軸銅圈，所述多個(gè)同軸銅圈用于分別加上梯度電壓。21.如權(quán)利要求19所述的慢中子探測(cè)器，其特征在于，還包括設(shè)置在所述場(chǎng)籠兩側(cè)的保護(hù)環(huán)。
【文檔編號(hào)】G01T3/00GK205450297SQ201521127191
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年12月29日
【發(fā)明人】楊祎罡, 李元景, 方竹君, 李玉蘭
【申請(qǐng)人】清華大學(xué), 同方威視技術(shù)股份有限公司