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      一種5m法電波暗室的制作方法

      文檔序號(hào):10823175閱讀:448來(lái)源:國(guó)知局
      一種5m法電波暗室的制作方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種5m法電波暗室,包括形狀為長(zhǎng)方體、且內(nèi)部中空的本體,設(shè)置于所述本體內(nèi)的轉(zhuǎn)臺(tái)、接收機(jī)、發(fā)射天線、接收天線、以及兩個(gè)可升降天線塔,所述發(fā)射天線和接收天線分別安裝于兩個(gè)可升降天線塔上,所述接收天線通過(guò)高頻信號(hào)傳輸線與所述接收機(jī)相連,受試設(shè)備放置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)上,所述受試設(shè)備與所述接收天線之間的距離大于等于5m,所述發(fā)射天線設(shè)置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)的上方。本實(shí)用新型提供的5m法電波暗室,介于3m法電波暗室和10m法電波暗室之間,既能滿足大多數(shù)產(chǎn)品的測(cè)試需求,同時(shí)又降低了生產(chǎn)成本。
      【專利說(shuō)明】
      一種5m法電波暗室
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種用于電磁兼容測(cè)試的5m法電波暗室。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在電磁兼容工程中,許多電子產(chǎn)品的電磁兼容測(cè)試需在電波暗室中進(jìn)行,這種電波暗室通常有兩種尺寸:發(fā)射天線與受試設(shè)備相距3米的3m法電波暗室及發(fā)射天線與受試設(shè)備相距10米的1m法電波暗室。
      [0003]隨著科技的發(fā)展,日常使用的產(chǎn)品共同搭建使用的情況越來(lái)越多,從單一產(chǎn)品,到多臺(tái)設(shè)備協(xié)調(diào)工作,從原來(lái)小尺寸,到現(xiàn)今大系統(tǒng),較復(fù)雜的系統(tǒng)搭建完成后直徑已超過(guò)Im,對(duì)于電磁兼容性的測(cè)試,3m法電波暗室已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足需求,而1m法電波暗室的建造成本又太高,往往會(huì)成為企業(yè)或?qū)嶒?yàn)室的重大負(fù)擔(dān)。
      [0004]國(guó)際最新標(biāo)準(zhǔn)推薦了一種新型測(cè)試模型,S卩5m法半電波暗室,在5m的距離進(jìn)行電磁兼容性測(cè)試,使其滿足測(cè)量靜區(qū)達(dá)到2m,是3m法半電波暗室靜區(qū)的兩倍,能滿足日常生活中絕大多數(shù)產(chǎn)品的測(cè)試,但同時(shí)面積只有1m法半電波暗室的三分之一,成本更遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于I Om法半電波暗室。
      [0005]因此,如何提供一種既能夠滿足測(cè)試要求,又能夠降低成本的5m法電波暗室,是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)技術(shù)問(wèn)題。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0006]本實(shí)用新型提供一種5m法電波暗室,以解決現(xiàn)有的電波暗室無(wú)法滿足測(cè)試需求或造價(jià)太高的問(wèn)題。
      [0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種5m法電波暗室,包括形狀為長(zhǎng)方體、且內(nèi)部中空的本體,設(shè)置于所述本體內(nèi)的轉(zhuǎn)臺(tái)、接收機(jī)、發(fā)射天線、接收天線、以及兩個(gè)可升降天線塔,所述發(fā)射天線和接收天線分別安裝于兩個(gè)可升降天線塔上,所述接收天線通過(guò)高頻信號(hào)傳輸線與所述接收機(jī)相連,受試設(shè)備放置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)上,所述受試設(shè)備與所述接收天線之間的距離大于等于5m,所述發(fā)射天線設(shè)置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)的上方。
      [0008]較佳地,所述轉(zhuǎn)臺(tái)的直徑為2m。
      [0009]較佳地,所述可升降天線塔的升降范圍為I?4m。
      [0010]較佳地,所述本體的長(zhǎng)度為19m,寬度為12m,高度為9m。
      [0011]較佳地,所述發(fā)射天線和接收天線均采用雙天線架構(gòu)。
      [0012]較佳地,所述發(fā)射天線在所述轉(zhuǎn)臺(tái)上的垂向位置和水平位置可調(diào)節(jié)。
      [0013]較佳地,所述受試設(shè)備與所述接收天線之間的距離可調(diào)節(jié)。
      [0014]較佳地,所述發(fā)射天線和接收天線的天線陣子均與測(cè)量軸相互垂直。
      [0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型提供的5m法電波暗室,包括形狀為長(zhǎng)方體、且內(nèi)部中空的本體,設(shè)置于所述本體內(nèi)的轉(zhuǎn)臺(tái)、接收機(jī)、發(fā)射天線、接收天線、以及兩個(gè)可升降天線塔,所述發(fā)射天線和接收天線分別安裝于兩個(gè)可升降天線塔上,所述接收天線通過(guò)高頻信號(hào)傳輸線與所述接收機(jī)相連,受試設(shè)備放置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)上,所述受試設(shè)備與所述接收天線之間的距離大于等于5m,所述發(fā)射天線設(shè)置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)的上方。本實(shí)用新型提供的5m法電波暗室,介于3m法電波暗室和1m法電波暗室之間,既能滿足大多數(shù)產(chǎn)品的測(cè)試需求,同時(shí)又降低了生產(chǎn)成本。
      【附圖說(shuō)明】
      [0016]圖1為本實(shí)用新型一【具體實(shí)施方式】的5m法電波暗室的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0017]圖2為實(shí)施例1中轉(zhuǎn)臺(tái)、發(fā)射天線及接收天線的位置關(guān)系示意圖;
      [0018]圖3為實(shí)施例2中轉(zhuǎn)臺(tái)、發(fā)射天線及接收天線的位置關(guān)系示意圖。
      [0019]圖中:10-本體、20-轉(zhuǎn)臺(tái)、30-接收機(jī)、31-高頻信號(hào)傳輸線、40-發(fā)射天線、50-接收天線。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。需說(shuō)明的是,本實(shí)用新型附圖均采用簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
      [0021 ] 實(shí)施例一
      [0022]本實(shí)用新型提供的5m法電波暗室,如圖1所示,包括形狀為長(zhǎng)方體、且內(nèi)部中空的本體10,設(shè)置于所述本體10內(nèi)的轉(zhuǎn)臺(tái)20、接收機(jī)30、發(fā)射天線40、接收天線50、以及兩個(gè)可升降天線塔(未圖示),所述發(fā)射天線40和接收天線50分別安裝于兩個(gè)可升降天線塔上,所述接收天線50通過(guò)高頻信號(hào)傳輸線31與所述接收機(jī)30相連,將各頻率所接收到的場(chǎng)強(qiáng)信號(hào)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)并加以分析;受試設(shè)備放置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)20上,所述受試設(shè)備與所述接收天線50之間的距離大于等于5m,以減小近場(chǎng)效應(yīng),所述發(fā)射天線40設(shè)置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)20的上方。本實(shí)用新型提供的5m法電波暗室,介于3m法電波暗室和1m法電波暗室之間,既能滿足大多數(shù)產(chǎn)品的測(cè)試需求,同時(shí)又降低了生產(chǎn)成本。
      [0023]較佳地,請(qǐng)繼續(xù)參考圖1,所述轉(zhuǎn)臺(tái)20的直徑D為2m,可滿足目前普通產(chǎn)品系統(tǒng)的完整搭建測(cè)試;所述本體10的長(zhǎng)度L為19m,寬度W為12m,高度為9m,所述可升降天線塔可沿高度方向升降,升降范圍為I?4m。該電波暗室比3m法電波暗室地板面積約大5O %,費(fèi)用比3m法電波暗室約貴15 % ;是1m法電波暗室地板面積的三分之一,費(fèi)用僅為I Om法電波暗室費(fèi)用的四分之一,在滿足國(guó)際最新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)多媒體設(shè)備的電磁兼容測(cè)量要求的同時(shí),大大降低了建筑費(fèi)用。
      [0024]較佳地,所述發(fā)射天線40和接收天線50均采用雙天線架構(gòu),使IGHz以下的測(cè)量與IGHz以上的測(cè)量可以同步進(jìn)行。
      [0025]由于電磁兼容的各個(gè)測(cè)試項(xiàng)目都要求有特定的測(cè)試場(chǎng)地,其中以輻射騷擾和輻射抗擾度對(duì)測(cè)試場(chǎng)地的要求最為嚴(yán)格??紤]到受試設(shè)備具有一定的體積,設(shè)備上不同位置與電波暗室墻壁所貼吸波材料的距離不同,所以對(duì)受試設(shè)備所處的區(qū)域進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量。
      [0026]請(qǐng)重點(diǎn)參考圖2,本實(shí)施例中,發(fā)射天線40的測(cè)量點(diǎn)選取在下述5個(gè)位置,當(dāng)然,需要所述發(fā)射天線40在所述轉(zhuǎn)臺(tái)20上的水平位置可調(diào)節(jié):
      [0027]1.轉(zhuǎn)臺(tái)20正中心(無(wú)轉(zhuǎn)臺(tái)測(cè)試場(chǎng));
      [0028]2.轉(zhuǎn)臺(tái)20中心前Im處(轉(zhuǎn)臺(tái)20中心與接收天線50的連線);
      [0029]3.轉(zhuǎn)臺(tái)20中心后Im處(轉(zhuǎn)臺(tái)20中心與接收天線50的連線);
      [°03°] 4.轉(zhuǎn)臺(tái)20中心左Im處(左右兩點(diǎn)的連線垂直于中心與接收天線50的連線);
      [0031]5.轉(zhuǎn)臺(tái)20中心右Im處(左右兩點(diǎn)的連線垂直于中心與接收天線50的連線)。
      [0032]需要說(shuō)明的是,上面所說(shuō)的前、后、左、右分別為:位于轉(zhuǎn)臺(tái)20正中心,面向接收天線50時(shí),前后左右的位置。
      [0033]發(fā)射天線40在不同的高度下進(jìn)行(通過(guò)可升降天線塔調(diào)節(jié)發(fā)射天線40的高度),水平極化hi = Im和hi = 2m,垂直極化hi = Im和hi = 1.5m,接收天線50高度不變,均為h2 = 1-
      4m ο
      [0034]因此,在一般情況下共需進(jìn)行5個(gè)位置,2種高度,2種極化,共20種組合的歸一化場(chǎng)地衰減(NSA)測(cè)量。每個(gè)測(cè)試位置都必須保證發(fā)射天線40和接收天線50的天線陣子與測(cè)量軸相互垂直;且每次測(cè)量位置的中,接收天線50中心的投影和轉(zhuǎn)臺(tái)20中心的連線始終為同一直線;所述接收天線50的水平位置也可調(diào)節(jié),確保發(fā)射天線40移動(dòng)時(shí),接收天線50與發(fā)射天線40之間的距離始終保持為恒定數(shù)值d。
      [0035]測(cè)量結(jié)果表明,本實(shí)用新型提供的5m法電波暗室符合CISPR 16-1-4和ANSIC63.4.歸一化場(chǎng)地的衰減要求。
      [0036]實(shí)施例二
      [0037]構(gòu)建一套可用于電磁兼容測(cè)試場(chǎng)地性能評(píng)估的測(cè)試系統(tǒng)(IGHz?18GHz),如圖3所不O
      [0038]1.構(gòu)建測(cè)量區(qū)域:以轉(zhuǎn)臺(tái)20中心為圓心,以轉(zhuǎn)臺(tái)20半徑為半徑構(gòu)建一圓,此圓距地面hi = Im構(gòu)建一圓柱,此圓柱頂面圓為測(cè)試時(shí)所用圓,此圓距地面h2 = 2m構(gòu)建第二圓柱頂面圓,此圓為測(cè)試時(shí)所用第二高度圓;
      [0039]2.天線架設(shè):接收天線50正對(duì)圓心且與圓相距為d(本實(shí)施例中為3米),發(fā)射天線40與接收天線50高度相同。
      [0040]3.發(fā)射天線40位置:以圓心與接收天線50的連線和圓交點(diǎn)為F6位置,依次向圓心方向+2cm定義為F5,+1cm定義為F4,+18cm定義為F3,+30cm定義為F2,+40cm定義為Fl ;以圓心與接收天線50的連線相垂直的直徑和圓交點(diǎn)為L(zhǎng)I (Rl)位置,依次向接收天線50方向+1cm定義為L(zhǎng)2(R2),+22cm定義為L(zhǎng)3(R3),+30cm定義為L(zhǎng)4(R4),+38cm定義為L(zhǎng)5(R5) ,+40cm定義為L(zhǎng)6(R6),當(dāng)測(cè)試區(qū)域直徑大于1.5米時(shí),以圓心為C6位置,以圓心與接收天線50的連線依次向遠(yuǎn)離接收天線50方向+2cm定義為C5,+1cm定義為C4,+ 18cm定義為C3,+30cm定義為C2,+40cm定義為Cl,h2點(diǎn)高度高于于hi點(diǎn)高度0.5米時(shí),測(cè)試h2高度6個(gè)F,h2高度F點(diǎn)位置同hl,只是高度不同,相應(yīng)接收天線50應(yīng)與發(fā)射天線40高度一致,因此發(fā)射天線40和接收天線50的垂向位置均可調(diào)節(jié)。
      [0041]測(cè)量結(jié)果表明,在該5m法電波暗室中構(gòu)建的用于電磁兼容測(cè)試場(chǎng)地性能評(píng)估的測(cè)試系統(tǒng),完全滿足場(chǎng)地駐波比法的測(cè)試原理、場(chǎng)地布置方式以及設(shè)備參數(shù)要求。
      [0042]綜上所述,本實(shí)用新型提供的5m法電波暗室,包括形狀為長(zhǎng)方體、且內(nèi)部中空的本體,設(shè)置于所述本體內(nèi)的轉(zhuǎn)臺(tái)、接收機(jī)、發(fā)射天線、接收天線、以及兩個(gè)可升降天線塔,所述發(fā)射天線和接收天線分別安裝于兩個(gè)可升降天線塔上,所述接收天線通過(guò)高頻信號(hào)傳輸線與所述接收機(jī)相連,受試設(shè)備放置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)上,所述受試設(shè)備與所述接收天線之間的距離大于等于5m,所述發(fā)射天線設(shè)置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)的上方。本實(shí)用新型提供的5m法電波暗室,介于3m法電波暗室和1m法電波暗室之間,既能滿足大多數(shù)產(chǎn)品的測(cè)試需求,同時(shí)又降低了生產(chǎn)成本。
      [0043]顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣,倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本實(shí)用新型也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種5m法電波暗室,其特征在于,包括形狀為長(zhǎng)方體、且內(nèi)部中空的本體,設(shè)置于所述本體內(nèi)的轉(zhuǎn)臺(tái)、接收機(jī)、發(fā)射天線、接收天線、以及兩個(gè)可升降天線塔,所述發(fā)射天線和接收天線分別安裝于兩個(gè)可升降天線塔上,所述接收天線通過(guò)高頻信號(hào)傳輸線與所述接收機(jī)相連,受試設(shè)備放置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)上,所述受試設(shè)備與所述接收天線之間的距離大于等于5m,所述發(fā)射天線設(shè)置于所述轉(zhuǎn)臺(tái)的上方。2.如權(quán)利要求1所述的5m法電波暗室,其特征在于,所述轉(zhuǎn)臺(tái)的直徑為2m。3.如權(quán)利要求1所述的5m法電波暗室,其特征在于,所述可升降天線塔的升降范圍為I?4m 04.如權(quán)利要求1所述的5m法電波暗室,其特征在于,所述本體的長(zhǎng)度為19m,寬度為12m,高度為9m。5.如權(quán)利要求1所述的5m法電波暗室,其特征在于,所述發(fā)射天線和接收天線均采用雙天線架構(gòu)。6.如權(quán)利要求1所述的5m法電波暗室,其特征在于,所述發(fā)射天線在所述轉(zhuǎn)臺(tái)上的垂向位置和水平位置可調(diào)節(jié)。7.如權(quán)利要求1所述的5m法電波暗室,其特征在于,所述受試設(shè)備與所述接收天線之間的距離可調(diào)節(jié)。8.如權(quán)利要求1所述的5m法電波暗室,其特征在于,所述發(fā)射天線和接收天線的天線陣子均與測(cè)量軸相互垂直。
      【文檔編號(hào)】G01R31/00GK205506954SQ201620138821
      【公開(kāi)日】2016年8月24日
      【申請(qǐng)日】2016年2月24日
      【發(fā)明人】陳孟宗
      【申請(qǐng)人】快特電波科技(蘇州)有限公司
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