用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，屬于電氣技術(shù)領(lǐng)域。該試樣包括絕緣層、第一屏蔽層和第二屏蔽層，所述絕緣層相對(duì)的兩個(gè)表面分別設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，所述第一屏蔽層設(shè)于所述第一凹槽內(nèi)，所述第二屏蔽層設(shè)于所述第二凹槽內(nèi)，使所述第一屏蔽層、絕緣層和第二屏蔽層具有依次層疊的重疊部分。上述試樣充分模仿了直流電纜屏蔽?絕緣?屏蔽三層共擠的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，在直流電纜試驗(yàn)過程中，不但能考察絕緣材料和屏蔽材料的性能，同時(shí)也能考察絕緣層和屏蔽層的相互配合，還能夠保證試驗(yàn)中各項(xiàng)參數(shù)的計(jì)算，降低了后續(xù)數(shù)據(jù)處理的難度。
【專利說明】
用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電氣技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣。
【背景技術(shù)】
[0002]為了測(cè)試高壓直流電纜介電性能，例如:空間電荷測(cè)試和直流擊穿等試驗(yàn)，現(xiàn)行的高壓直流XLPE(交聯(lián)聚乙烯)電纜試驗(yàn)中通常采用的方式為單獨(dú)測(cè)試絕緣材料。但是，由于試驗(yàn)器材的限制，所用為的試樣較薄。如果只對(duì)絕緣材料進(jìn)行試驗(yàn)，無法完整的表征高壓直流XLPE電纜屏蔽層-絕緣層-屏蔽層三層共擠的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，不能體現(xiàn)屏蔽層在空間電荷測(cè)試過程中對(duì)絕緣層中注入電荷的特征。且試樣過薄會(huì)導(dǎo)致直流擊穿試驗(yàn)時(shí)，電壓過小而場(chǎng)強(qiáng)過高導(dǎo)致滑閃。
[0003]針對(duì)上述問題，經(jīng)過研究者的努力，現(xiàn)階段已經(jīng)可以測(cè)試較厚的試樣。但是，有一些研究者在試驗(yàn)過程中，將屏蔽層和絕緣層直接壓制在一起，這種試樣也很難表征高壓直流XLPE電纜屏蔽料的性能。原因包括以下幾點(diǎn):1、絕緣層和屏蔽層由于是直接壓制的，所以無法保證絕緣層的厚度;2、由于是直接壓制，所以無法控制絕緣層和屏蔽層的界面，即絕緣層和屏蔽層之間存在氣泡；3、由于是直接將屏蔽層和絕緣層直接壓制，共包括屏蔽層和絕緣層兩層，并未控制其同時(shí)交聯(lián)，以模擬實(shí)際電纜三層共擠的工藝。
[0004]因此，若采用上述傳統(tǒng)的試樣進(jìn)行測(cè)試，則試驗(yàn)數(shù)據(jù)的產(chǎn)出效率低且數(shù)據(jù)可靠性低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對(duì)上述問題，提供一種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，以該試樣來評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料的電氣性能，具有產(chǎn)出效率高且數(shù)據(jù)準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。
[0006]一種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，包括絕緣層、第一屏蔽層和第二屏蔽層，所述絕緣層相對(duì)的兩個(gè)表面分別設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，所述第一屏蔽層設(shè)于所述第一凹槽內(nèi)，所述第二屏蔽層設(shè)于所述第二凹槽內(nèi)，使所述第一屏蔽層、絕緣層和第二屏蔽層具有依次層疊的重疊部分。
[0007]上述用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，充分模仿了直流電纜制造工藝過程中，屏蔽-絕緣-屏蔽三層共擠的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，這樣的試樣結(jié)構(gòu)既貼合真實(shí)的電纜，又滿足日益發(fā)展的測(cè)試技術(shù)。在直流電纜試驗(yàn)過程中，不但能考察絕緣材料和屏蔽材料的性能，同時(shí)也能考察絕緣層和屏蔽層的相互配合，還能夠保證試驗(yàn)中各項(xiàng)參數(shù)的計(jì)算，降低了后續(xù)數(shù)據(jù)處理的難度。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一凹槽和第二凹槽的截面分別與所述第一屏蔽層和第二屏蔽層的截面形狀相匹配。以屏蔽層充滿在凹槽內(nèi)，利用該凹槽限制、固定屏蔽層，避免其產(chǎn)生滑動(dòng)等問題而影響試驗(yàn)過程及結(jié)果。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層均為圓柱型，所述圓柱型的第一屏蔽層和所述第二屏蔽層的軸心線重合。由于一般空間電荷測(cè)量設(shè)備的測(cè)量系統(tǒng)為同心圓設(shè)計(jì)，所以，上述試樣將第一屏蔽層和第二屏蔽層的橫截面也設(shè)為同心圓，可以保證不易發(fā)生滑閃。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣層的最大厚度為2mm-4mm，所述第一凹槽的直徑為20mm-50mm、深度為0.所述第二凹槽的直徑為20mm-50mm、深度為0.所述第一屏蔽層的厚度比所述第一凹槽的深度小Omm-0.05_，所述第二屏蔽層的厚度比所述第二凹槽的深度小Omm-0.0 5mm。
[0011]上述絕緣層的最大厚度為2mm-4mm，也就是指絕緣層相對(duì)的兩個(gè)表面之間的最大距離，如絕緣層的最大厚度為3mm，第一凹槽和第二凹槽的深度均為0.7mm，則測(cè)試中測(cè)到的屏蔽-絕緣-屏蔽三層共擠材料中各層的厚度實(shí)為第一屏蔽層為0.7mm，絕緣層為1.6mm，第二屏蔽層為0.7mm。使絕緣層的厚度得到保證，保證直流擊穿試驗(yàn)中，不會(huì)因?yàn)樵嚇舆^薄使試驗(yàn)中電壓小，場(chǎng)強(qiáng)高出現(xiàn)滑閃的現(xiàn)象。且將試樣的各尺寸限定在上述范圍內(nèi)，能夠保證依次層疊的第一屏蔽層、絕緣層和第二屏蔽層有足夠供測(cè)試用的重疊部分，以保證評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，可以真實(shí)表征高壓直流交聯(lián)電纜屏蔽材料的電氣性能。并且，將屏蔽層的厚度設(shè)為略小于凹槽的深度，能夠確保在制備的壓制過程中保持絕緣層的厚度不變。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣層為圓柱形，該圓柱形的絕緣層直徑為50mm-100mm;或者所述絕緣層為長方體形，該長方體形的絕緣層的長和寬均為50mm-100mm。上述絕緣層的尺寸即該試樣的尺寸，將試樣的尺寸設(shè)定在上述范圍內(nèi)，既能保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性，又具有實(shí)驗(yàn)方便的特點(diǎn)。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0014]本實(shí)用新型的一種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，通過在絕緣層上、下均開設(shè)有凹槽，凹槽內(nèi)均填充有屏蔽層的方式，充分模仿了直流電纜制造工藝過程中，屏蔽-絕緣-屏蔽三層共擠的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，這樣簡單可靠的試樣結(jié)構(gòu)既貼合真實(shí)的電纜，又滿足日益發(fā)展的測(cè)試技術(shù)。在直流電纜試驗(yàn)過程中，不但能考察絕緣材料和屏蔽材料的性能，同時(shí)也能考察絕緣層和屏蔽層的相互配合，還能夠保證試驗(yàn)中各項(xiàng)參數(shù)的計(jì)算，降低了后續(xù)數(shù)據(jù)處理的難度。
【附圖說明】
[0015]圖1為實(shí)施例1中試樣的剖面示意圖；
[0016]圖2為實(shí)施例1中試樣的俯視圖；
[0017]圖3為絕緣層中空間電荷密度的分布示意圖；
[0018]圖4為絕緣層在不同場(chǎng)強(qiáng)下內(nèi)部電場(chǎng)分布不意圖。
[0019]其中:100.絕緣層;210.第一屏蔽層;220.第二屏蔽層。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0021]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。
[0022]—種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，如圖1-2所示，包括絕緣層100、第一屏蔽層210和第二屏蔽層220，所述絕緣層相對(duì)的兩個(gè)表面分別設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，所述第一屏蔽層210設(shè)于所述第一凹槽內(nèi)，所述第二屏蔽層220設(shè)于所述第二凹槽內(nèi)，使所述第一屏蔽層210、絕緣層100和第二屏蔽層220具有依次層疊的重疊部分。
[0023]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一凹槽和第二凹槽的截面分別與所述第一屏蔽層和第二屏蔽層的截面形狀相匹配。可以理解的，也可以是將屏蔽層固定在凹槽內(nèi)，以形成屏蔽-絕緣-屏蔽三層重疊的部分以供實(shí)驗(yàn)測(cè)試即可，但是，將屏蔽層充滿在凹槽內(nèi)，利用該凹槽限制、固定屏蔽層，避免其產(chǎn)生滑動(dòng)，具有較好的實(shí)驗(yàn)效果。
[0024]由于一般空間電荷測(cè)量設(shè)備的測(cè)量系統(tǒng)為同心圓設(shè)計(jì)，所以，在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層均為圓柱型，所述圓柱型的第一屏蔽層和所述第二屏蔽層的軸心線重合。也就是使絕緣層、第一屏蔽層和第二屏蔽層的中心在一條垂線上。上述試樣將第一屏蔽層和第二屏蔽層的橫截面也設(shè)為同心圓，可以保證不易發(fā)生滑閃。
[0025]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣層的最大厚度為2mm-4mm，所述第一凹槽的直徑為20mm-50mm、深度為0.所述第二凹槽的直徑為20mm-50mm、深度為0.所述第一屏蔽層的厚度比所述第一凹槽的深度小Omm-0.05_，所述第二屏蔽層的厚度比所述第二凹槽的深度小Omm-0.05mm?？梢岳斫獾模诰唧w實(shí)驗(yàn)中，也可根據(jù)所需試驗(yàn)尺寸大小與試驗(yàn)時(shí)所采用的參數(shù)來確定，但是，將絕緣層的最大厚度設(shè)為2mm-4mm，也就是指絕緣層相對(duì)的兩個(gè)表面之間的最大距離，如絕緣層的最大厚度為3mm，第一凹槽和第二凹槽的深度均為
0.7mm，則測(cè)試中測(cè)到的屏蔽-絕緣-屏蔽三層共擠材料中各層的厚度實(shí)為第一屏蔽層為
0.7mm，絕緣層為1.6mm，第二屏蔽層為0.7mm。使絕緣層的厚度得到保證，保證直流擊穿試驗(yàn)中，不會(huì)因?yàn)樵嚇舆^薄使試驗(yàn)中電壓小，場(chǎng)強(qiáng)高出現(xiàn)滑閃的現(xiàn)象。且將試樣的各尺寸限定在上述范圍內(nèi)，能夠保證依次層疊的第一屏蔽層、絕緣層和第二屏蔽層有足夠供測(cè)試用的重疊部分，以保證評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，可以真實(shí)表征高壓直流交聯(lián)電纜屏蔽材料的電氣性能。并且，將屏蔽層的厚度設(shè)為略小于凹槽的深度，能夠確保在制備的壓制過程中保持絕緣層的厚度不變。
[0026]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣層為圓柱形，該圓柱形的絕緣層直徑為50mm-100mm;或者所述絕緣層為長方體形，該長方體形的絕緣層的長和寬均為50mm-100mm。上述絕緣層的尺寸即該試樣的尺寸，將試樣的尺寸設(shè)定在上述范圍內(nèi)，既能保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性，又具有實(shí)驗(yàn)方便的特點(diǎn)。而在具體實(shí)驗(yàn)時(shí)，可根據(jù)檢測(cè)所需試驗(yàn)尺寸大小與試驗(yàn)時(shí)所采用的參數(shù)所確定。
[0027]上述用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣可通過以下方法制備:
[0028]制備絕緣層:將絕緣材料放置于模具中，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，得到具有第一凹槽和第二凹槽的絕緣層；
[0029]制備屏蔽層:將屏蔽材料放置于模具中，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，分別得到第一屏蔽層和第二屏蔽層；
[0030]交聯(lián):將上述步驟得到的第一屏蔽層和第二屏蔽層分別放置于上述步驟得到的絕緣層的第一凹槽和第二凹槽內(nèi)，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，即得試樣。
[0031]在其中一個(gè)實(shí)施例中，為了能夠確保在制備的壓制過程中保持絕緣層的厚度不變，將屏蔽層的厚度設(shè)為略小于凹槽的深度，可以使所述第一屏蔽層的厚度比所述第一凹槽的深度小Omm-0.05mm，所述第二屏蔽層的厚度比所述第二凹槽的深度小Omm-0.05mm。
[0032]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備絕緣層步驟中，控制平板硫化機(jī)加溫加壓壓制的工藝條件為:壓制溫度為130°C_150°C，壓強(qiáng)為8MPa-12MPa，壓制時(shí)間為5min-10min;所述制備屏蔽層步驟中，控制平板硫化機(jī)加溫加壓壓制的工藝條件為:壓制溫度為130°C-150°C，壓強(qiáng)為8MPa-12MPa，壓制時(shí)間為5min-10min。并且，在上述壓制后的冷卻過程中，不再施以壓力，在不加壓的條件下冷卻至室溫，能夠避免絕緣層交聯(lián)。
[0033]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述交聯(lián)步驟中，控制平板硫化機(jī)加溫加壓壓制的工藝條件為:壓制溫度為170°C_190°C，壓強(qiáng)為8MPa-12MPa，壓制時(shí)間為10min-20min，隨后在室溫下自然冷卻。以上述工藝條件控制絕緣層和屏蔽層同時(shí)交聯(lián)，具有較好的交聯(lián)效果，進(jìn)一步提高了試樣表征高壓直流交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的真實(shí)性。
[0034]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述自然冷卻為在壓強(qiáng)為8MPa_12MPa的條件下自然冷卻。在上述壓力條件下冷卻，能夠使絕緣層和屏蔽層具有較好的交聯(lián)效果。
[0035]實(shí)施例1
[0036]—種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，如圖1-2所示，包括絕緣層100、第一屏蔽層210和第二屏蔽層220。
[0037]所述絕緣層100為圓柱形，其上、下表面分別設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，所述第一屏蔽層210設(shè)于所述第一凹槽內(nèi)，所述第二屏蔽層220設(shè)于所述第二凹槽內(nèi)。所述第一屏蔽層210和所述第二屏蔽層220均為圓柱型，且所述第一凹槽和第二凹槽的截面分別與所述第一屏蔽層210和第二屏蔽層220的截面形狀相匹配，如圖2所不。所述圓柱型的第一屏蔽層210和所述第二屏蔽層220的軸心線重合。也就是使絕緣層100、第一屏蔽層210和第二屏蔽層220的中心在一條垂線上，如圖1所示。
[0038]在本實(shí)施例中，所述絕緣層100凹槽兩底面之間的最大厚度為3mm，直徑為80mm，所述第一凹槽的直徑為40mm、深度為0.7mm，所述第二凹槽的直徑為40mm、深度為0.7mm;所述第一屏蔽層210的上表面與所述絕緣層100的上表面齊平，即所述第一屏蔽層210的厚度也為0.7mm，所述第二屏蔽層220的下表面與所述絕緣層100的下表面齊平，即所述第二屏蔽層220的厚度也為0.7mm，如圖1所示，即測(cè)試中測(cè)到的屏蔽-絕緣-屏蔽三層共擠材料中各層的厚度實(shí)為第一屏蔽層為0.7mm，絕緣層為1.6mm，第二屏蔽層為0.7mm。
[0039]上述用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣通過以下方法制備:
[0040]I)制備絕緣層。
[0041 ]將絕緣材料放置在模具下，模具上、下帶有直徑為40mm的凸起，通過平板硫化機(jī)高溫加壓壓制成帶有第一凹槽和第二凹槽的絕緣層，其中，壓制溫度為140°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為7分鐘，得到絕緣層。將制得的絕緣層取出，自然冷卻至室溫，待用。
[0042]2)制備屏蔽層。
[0043]分別將屏蔽材料放置于模具中，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，分別得到第一屏蔽層和第二屏蔽層;其中，壓制溫度為140°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為7分鐘，得到屏蔽層。將制得的屏蔽層取出，自然冷卻至室溫，待用。
[0044]3)交聯(lián)。
[0045]將上述步驟得到的第一屏蔽層和第二屏蔽層分別放置于上述步驟得到的絕緣層的第一凹槽和第二凹槽內(nèi)，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，壓制溫度為180°C，壓力為1MPa，壓制時(shí)間為15分鐘，然后在室溫下加1MPa壓強(qiáng)，待其自然冷卻，得到用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣。
[0046]上述試樣制備完成后，采用脈沖電聲法測(cè)量空間電荷，脈沖電聲法是測(cè)量電介質(zhì)空間電荷行為的常用技術(shù)手段。脈沖電聲法空間電荷分布測(cè)量儀器的脈沖幅值設(shè)為I?2kV，脈沖寬度為5ns，測(cè)量儀器的最小可測(cè)電荷密度(靈敏度)不大于lC/m3。測(cè)試時(shí)，試樣上下面涂一層硅油放在測(cè)量電極中，把試樣緊壓在上下電極中。在規(guī)定的溫度下，在試樣上施加直流電壓并開始記錄絕緣試樣內(nèi)部的空間電荷累積程度。測(cè)試結(jié)果如圖3和圖4所示，圖3為絕緣層中空間電荷密度的分布，其中橫坐標(biāo)厚度由0Μ?-3000μπι位置即為絕緣層一側(cè)表面至另一側(cè)表面，圖4為絕緣層在不同場(chǎng)強(qiáng)下內(nèi)部電場(chǎng)分布。
[0047]由上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，本實(shí)施例1所制得的試樣可以應(yīng)用到空間電荷測(cè)試中?？臻g電荷試驗(yàn)的電壓均加在屏蔽層上，可以直觀的模擬直流電纜在運(yùn)行中，由屏蔽層注入的空間電荷對(duì)絕緣層內(nèi)部電場(chǎng)的影響。所以在試驗(yàn)分析中，能夠?qū)⑵帘螌拥淖饔靡矃⒖歼M(jìn)來，使試樣具有整體性，能夠更好的表征屏蔽-絕緣-屏蔽三層共擠的直流交聯(lián)電纜。
[0048]實(shí)施例2
[0049]—種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，與實(shí)施例1的試樣基本相同，不同之處在于:
[0050]在本實(shí)施例中，所述絕緣層的最大厚度為4mm，直徑為100mm，所述第一凹槽的直徑為50mm、深度為0.5mm，所述第二凹槽的直徑為50mm、深度為0.5mm;所述第一屏蔽層的厚度為0.45mm，所述第二屏蔽層的厚度為0.45mm，即屏蔽層的厚度比凹槽的深度略小，更佳利于保證絕緣層的厚度不變。
[0051]上述用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣通過以下方法制備:
[0052]I)制備絕緣層。
[0053]將絕緣材料放置在模具下，模具上、下帶有直徑為50mm的凸起，通過平板硫化機(jī)高溫加壓壓制成帶有第一凹槽和第二凹槽的絕緣層，其中，壓制溫度為130°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為5分鐘，得到絕緣層。將制得的絕緣層取出，自然冷卻至室溫，待用。
[0054]2)制備屏蔽層。
[0055]分別將屏蔽材料放置于模具中，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，分別得到第一屏蔽層和第二屏蔽層;其中，壓制溫度為130°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為5分鐘，得到屏蔽層。將制得的屏蔽層取出，自然冷卻至室溫，待用。
[0056]3)交聯(lián)。
[0057]將上述步驟得到的第一屏蔽層和第二屏蔽層分別放置于上述步驟得到的絕緣層的第一凹槽和第二凹槽內(nèi)，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，壓制溫度為170°C，壓力為1MPa，壓制時(shí)間為20分鐘，然后在室溫下加1MPa壓強(qiáng)，待其自然冷卻，得到用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣。
[0058]實(shí)施例3
[0059]—種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，與實(shí)施例1的試樣基本相同，不同之處在于:
[0060]在本實(shí)施例中，所述絕緣層為長方體型，該絕緣層的最大厚度為3mm，長寬均為50mm。所述第一凹槽的直徑為40mm、深度為0.7mm，所述第二凹槽的直徑為40mm、深度為
0.7mm;所述第一屏蔽層的上表面與所述絕緣層的上表面齊平，即所述第一屏蔽層的厚度也為0.7mm，所述第二屏蔽層的下表面與所述絕緣層的下表面齊平，即所述第二屏蔽層的厚度也為0.7mm。
[0061]上述用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣通過以下方法制備:
[0062]I)制備絕緣層。
[0063]將絕緣料絕緣材料放置在模具下，模具上、下帶有直徑為40mm的凸起，通過平板硫化機(jī)高溫加壓壓制成帶有第一凹槽和第二凹槽的絕緣層，其中，壓制溫度為150°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為10分鐘，得到絕緣層。將制得的絕緣層取出，自然冷卻至室溫，待用。
[0064]2)制備屏蔽層。
[0065]分別將屏蔽材料放置于模具中，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，分別得到第一屏蔽層和第二屏蔽層;其中，壓制溫度為150°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為10分鐘，得到屏蔽層。將制得的屏蔽層取出，自然冷卻至室溫，待用。
[0066]3)交聯(lián)。
[0067]將上述步驟得到的第一屏蔽層和第二屏蔽層分別放置于上述步驟得到的絕緣層的第一凹槽和第二凹槽內(nèi)，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，壓制溫度為180°C，壓力為1MPa，壓制時(shí)間為15分鐘，然后在室溫下加1MPa壓強(qiáng)，待其自然冷卻，得到用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣。
[0068]實(shí)施例4
[0069]—種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，與實(shí)施例1的試樣基本相同，不同之處在于:
[0070]在本實(shí)施例中，所述絕緣層為長方體型，該絕緣層的最大厚度為2mm，長寬均為100mm。所述第一凹槽的直徑為20mm、深度為1mm，所述第二凹槽的直徑為20mm、深度為Imm;所述第一屏蔽層的上表面與所述絕緣層的上表面齊平，即所述第一屏蔽層的厚度也為1mm，所述第二屏蔽層的下表面與所述絕緣層的下表面齊平，即所述第二屏蔽層的厚度也為1mm。
[0071]上述用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣通過以下方法制備:
[0072]I)制備絕緣層。
[0073]將絕緣材料放置在模具下，模具上、下帶有直徑為20mm的凸起，通過平板硫化機(jī)高溫加壓壓制成帶有第一凹槽和第二凹槽的絕緣層，其中，壓制溫度為140°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為7分鐘，得到絕緣層。將制得的絕緣層取出，自然冷卻至室溫，待用。
[0074]2)制備屏蔽層。
[0075]分別將屏蔽材料放置于模具中，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，分別得到第一屏蔽層和第二屏蔽層;其中，壓制溫度為140°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為7分鐘，得到屏蔽層。將制得的屏蔽層取出，自然冷卻至室溫，待用。
[0076]3)交聯(lián)。
[0077]將上述步驟得到的第一屏蔽層和第二屏蔽層分別放置于上述步驟得到的絕緣層的第一凹槽和第二凹槽內(nèi)，通過平板硫化機(jī)加溫加壓壓制，壓制溫度為190°C，壓力為lOMPa，壓制時(shí)間為10分鐘，然后在室溫下加1MPa壓強(qiáng)，待其自然冷卻，得到用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣。
[0078]以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
[0079]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，其特征在于，包括絕緣層、第一屏蔽層和第二屏蔽層，所述絕緣層相對(duì)的兩個(gè)表面分別設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，所述第一屏蔽層設(shè)于所述第一凹槽內(nèi)，所述第二屏蔽層設(shè)于所述第二凹槽內(nèi)，使所述第一屏蔽層、絕緣層和第二屏蔽層具有依次層疊的重疊部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽的截面分別與所述第一屏蔽層和第二屏蔽層的截面形狀相匹配。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，其特征在于，所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層均為圓柱型，所述圓柱型的第一屏蔽層和所述第二屏蔽層的軸心線重合。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，其特征在于，所述絕緣層的最大厚度為2mm-4mm，所述第一凹槽的直徑為20mm-50mm、深度為0.所述第二凹槽的直徑為20mm-50mm、深度為所述第一屏蔽層的厚度比所述第一凹槽的深度小Omm-0.05mm，所述第二屏蔽層的厚度比所述第二凹槽的深度小Omm-0.05mm。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于評(píng)價(jià)交聯(lián)電纜屏蔽材料電氣性能的試樣，其特征在于，所述絕緣層為圓柱形，該圓柱形的絕緣層直徑為50mm-100mm;或者所述絕緣層為長方體形，該長方體形的絕緣層的長和寬均為50mm_l 00_。
【文檔編號(hào)】G01R31/20GK205539350SQ201620213841
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年3月17日
【發(fā)明人】侯帥, 傅明利, 田野, 卓然, 惠寶軍, 徐曼, 張偉
【申請(qǐng)人】中國南方電網(wǎng)有限責(zé)任公司電網(wǎng)技術(shù)研究中心, 南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司, 西安交通大學(xué)