專(zhuān)利名稱：一種移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到移動(dòng)通信終端(簡(jiǎn)稱UE)技術(shù)，特別涉及到一種移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法及裝置。
背景技術(shù)：
根據(jù)UE端業(yè)務(wù)類(lèi)型不同，可將UE的工作狀態(tài)劃分為三種正常工作模式、空閑模式和睡眠模式。正常工作模式是指UE進(jìn)行正常的業(yè)務(wù)處理；空閑模式是指UE處于無(wú)業(yè)務(wù)的空轉(zhuǎn)狀態(tài)，在每一個(gè)尋呼周期(簡(jiǎn)稱，DRX)定時(shí)接收網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼信息(簡(jiǎn)稱，PICH)；睡眠模式是指UE的各模塊進(jìn)入低功耗或關(guān)閉高頻時(shí)鐘和電壓域的省電模式，其三種狀態(tài)之間的切換如圖1所示，在正常工作模式下，業(yè)務(wù)完成，UE進(jìn)入空閑模式；在空閑模式下，無(wú)業(yè)務(wù)產(chǎn)生，可控制UE進(jìn)入睡眠模式；如果有業(yè)務(wù)產(chǎn)生，則返回正常工作模式；在睡眠模式下， 如無(wú)業(yè)務(wù)產(chǎn)生，定時(shí)喚醒UE接收PICH ；如果有業(yè)務(wù)產(chǎn)生，則返回正常工作模式?，F(xiàn)有技術(shù)中，最大限度節(jié)省移動(dòng)通信終端功耗，延長(zhǎng)移動(dòng)通信終端的使用時(shí)間是本領(lǐng)域一直追求的目標(biāo)。降低UE功耗的主要途徑為1)UE處于正常工作模式，可根據(jù)不同的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài)調(diào)整所需要的頻率和核電壓，以使UE在不同業(yè)務(wù)下功耗最小；2)UE處于睡眠模式下，降低UE功耗；;3)UE處于空閑模式下，定時(shí)喚醒接收網(wǎng)絡(luò)側(cè)的PICH，在保證UE和網(wǎng)絡(luò)側(cè)同步的前提下，使UE的睡眠時(shí)間最大化。本專(zhuān)利是針對(duì)UE處于空閑模式下節(jié)省移動(dòng)通信終端功耗的情形進(jìn)行說(shuō)明。移動(dòng)通信終端UE的數(shù)字基帶芯片內(nèi)一般有一個(gè)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元，其原理是利用芯片內(nèi)部的硬件電路計(jì)數(shù)一定數(shù)量慢時(shí)鐘周期內(nèi)高頻系統(tǒng)時(shí)鐘的個(gè)數(shù)，以高頻穩(wěn)定的系統(tǒng)時(shí)鐘為基準(zhǔn)計(jì)算慢時(shí)鐘晶體的頻率。以慢時(shí)鐘(例如32KHz)，高頻時(shí)鐘(例如^MHz)為例， 其計(jì)算原理如下N03ai校準(zhǔn))/F3ai = H 校準(zhǔn)/F2ai ；其中，Ν(32Κβ 6)表示校準(zhǔn)慢時(shí)鐘晶體實(shí)際頻率所設(shè)置的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)；F32k表示慢時(shí)鐘的頻率；F2fai表示高頻時(shí)鐘的頻率；H校準(zhǔn)表示Ν(32Κ校準(zhǔn))個(gè)慢時(shí)鐘周期內(nèi)硬件電路計(jì)數(shù)的高頻時(shí)鐘個(gè)數(shù)；當(dāng)UE處于關(guān)閉高頻時(shí)鐘的睡眠模式時(shí)，以此慢時(shí)鐘進(jìn)行定時(shí)維持芯片工作，由于慢時(shí)鐘晶體的頻率隨環(huán)境溫度的差異變化比較大，晶體頻漂會(huì)導(dǎo)致以下兩個(gè)問(wèn)題，一是定時(shí)出現(xiàn)偏差，若UE在接收PICH時(shí)間點(diǎn)前喚醒過(guò)早，則會(huì)浪費(fèi)大量的時(shí)間等待接收PICH，若 UE在接收PICH的時(shí)間點(diǎn)后喚醒過(guò)晚，則接收不到PICH ；二是晶體頻漂會(huì)使N(32K;R i)和Ηβ ι 的對(duì)應(yīng)關(guān)系出現(xiàn)變化，喚醒后使用復(fù)系統(tǒng)幀號(hào)時(shí)會(huì)導(dǎo)致UE和網(wǎng)絡(luò)側(cè)出現(xiàn)同步偏差， 若超過(guò)UE與網(wǎng)絡(luò)失步的誤差門(mén)限，則需要浪費(fèi)大量的時(shí)間和功耗進(jìn)行UE和網(wǎng)絡(luò)側(cè)的重同步。而頻繁的啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元進(jìn)行慢時(shí)鐘頻率計(jì)算會(huì)增加待機(jī)平均功耗，為使UE在空閑模式的睡眠時(shí)間最大化，降低待機(jī)平均電流，就需要盡量減少時(shí)間校準(zhǔn)單元的啟動(dòng)次數(shù)。常用方案(如圖2，慢時(shí)鐘以32ΚΗζ為例)是根據(jù)大量的測(cè)試結(jié)果設(shè)定門(mén)限值 SCALE，當(dāng)慢時(shí)鐘計(jì)數(shù)到達(dá)該值時(shí)，啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元校準(zhǔn)慢時(shí)鐘晶體當(dāng)前環(huán)境下的頻率。采用本方案定時(shí)啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)，當(dāng)實(shí)際晶體頻率沒(méi)有漂移時(shí)，會(huì)浪費(fèi)系統(tǒng)功耗，減少待機(jī)時(shí)間；當(dāng)在定時(shí)啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元之前，晶體頻率已經(jīng)發(fā)生較大的漂移，就會(huì)有定時(shí)誤差過(guò)大以及移動(dòng)終端與網(wǎng)絡(luò)失步的風(fēng)險(xiǎn)。另外一種方案如中國(guó)專(zhuān)利20061007M87. X“移動(dòng)終端省電系統(tǒng)中的自適應(yīng)校準(zhǔn)裝置及方法”，其原理是采用監(jiān)測(cè)裝置監(jiān)測(cè)當(dāng)前喚醒時(shí)刻的環(huán)境溫度，對(duì)比前后兩次喚醒的環(huán)境溫度之差是否大于預(yù)設(shè)定的溫度判決門(mén)限值，來(lái)決定是否啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元更新校準(zhǔn)參數(shù)。采用本方案在降低啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元次數(shù)的同時(shí)也存在以下問(wèn)題一、增加了整個(gè)移動(dòng)終端的成本；二、當(dāng)多個(gè)DRX周期內(nèi)環(huán)境溫度累計(jì)漂移超過(guò)與保證同步所對(duì)應(yīng)的最大溫差門(mén)限值時(shí)，仍需要啟動(dòng)校準(zhǔn)參數(shù)單元；三、該裝置不能解決晶體老化率問(wèn)題，隨使用時(shí)間增長(zhǎng)，晶體頻率和溫度漂移的對(duì)應(yīng)參數(shù)需要重新測(cè)試。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，本發(fā)明提供一種移動(dòng)終端省電系統(tǒng)中慢時(shí)鐘晶體頻率的補(bǔ)償方法及裝置。本發(fā)明的移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法，進(jìn)入空閑模式，判斷進(jìn)入空閑模式的前一模式，若前一模式為正常工作模式，則獲取校準(zhǔn)參數(shù)He e，計(jì)算慢時(shí)鐘晶體頻率；若前一模式為睡眠模式，則首先獲取同步偏差，然后判斷同步偏差是否在設(shè)定的門(mén)限值 TH內(nèi)，若是，則補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率，否則進(jìn)行慢時(shí)鐘晶體頻率強(qiáng)制校準(zhǔn)；所述設(shè)定的門(mén)限值TH為UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)不失步的最大時(shí)間長(zhǎng)度；所述獲取同步偏差為接收PICH，根據(jù)PICH信息計(jì)算喚醒后移動(dòng)通信終端與網(wǎng)絡(luò)側(cè)的同步偏差；所述補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率為F' 32K = N' 32k/(N' 32K/F32K+T 同步偏差)其中，N' ι表示獲取實(shí)際睡眠的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)，F(xiàn)3ai表示睡眠前慢時(shí)鐘的頻率；優(yōu)選的，在所述補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率前，修正校準(zhǔn)參數(shù)HN，得到修正的校準(zhǔn)參數(shù) H' ν H' ν = Hn+(T同步偏差 XF26mXN03ai校準(zhǔn)))/N' 32κ其中，F(xiàn)' ι表示每一個(gè)DRX周期UE喚醒后慢時(shí)鐘晶體的補(bǔ)償頻率，Ν(32Κ δ Ι)表示校準(zhǔn)慢時(shí)鐘晶體實(shí)際頻率所設(shè)置的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)，Hn表示睡眠前Ν(32Κβ 6)個(gè)慢時(shí)鐘周期內(nèi)高頻時(shí)鐘的時(shí)鐘個(gè)數(shù)，F(xiàn)2fai表示高頻時(shí)鐘的頻率；進(jìn)而所述補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率為F' 32K=(N(32K_)XF26M)/H' n其中，H ‘ N表示喚醒后N(32K校準(zhǔn))個(gè)慢時(shí)鐘周期內(nèi)高頻時(shí)鐘的時(shí)鐘個(gè)數(shù)；優(yōu)選的，在對(duì)慢時(shí)鐘晶體頻率進(jìn)行計(jì)算或者補(bǔ)償過(guò)程中或者進(jìn)行計(jì)算或者補(bǔ)償后，若有業(yè)務(wù)產(chǎn)生，則進(jìn)入正常工作模式；本發(fā)明的移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償裝置，包括強(qiáng)制校準(zhǔn)單元、同步偏差單元、修正校準(zhǔn)單元和省電控制單元，修正校準(zhǔn)單元與省電控制單元、同步偏差單元和強(qiáng)制校準(zhǔn)單元連接強(qiáng)制校準(zhǔn)單元與同步偏差單元連接，還與外部晶體慢時(shí)鐘、校準(zhǔn)周期和系統(tǒng)高頻時(shí)鐘SYSCLK連接；省電控制單元與外部晶體慢時(shí)鐘相連；同步偏差單元與射頻RF相連；本發(fā)明利用移動(dòng)終端在空閑模式下每個(gè)尋呼周期接收網(wǎng)絡(luò)側(cè)尋呼信息的特性，使用慢時(shí)鐘晶體頻漂導(dǎo)致的UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)的同步偏差進(jìn)行慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償，該方案在不增加電路復(fù)雜度和移動(dòng)通信終端硬件成本的條件下，不但保證了睡眠定時(shí)精確以及喚醒后系統(tǒng)不失步，而且也保證了最小限度的啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元，使得移動(dòng)通信終端在空閑模式下的睡眠時(shí)間最大化，降低了移動(dòng)通信終端功耗，并且不論晶體使用多久，得到的補(bǔ)償頻率都接近晶體在當(dāng)前環(huán)境下的實(shí)際頻率，避免了晶體隨使用時(shí)間出現(xiàn)的老化率問(wèn)題。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)UE工作模式轉(zhuǎn)移圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)校準(zhǔn)原理示意圖；圖3為本發(fā)明移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法流程圖；圖4為本發(fā)明移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法優(yōu)選實(shí)施例狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖；圖5為本發(fā)明移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法優(yōu)選實(shí)施例流程圖；圖6為本發(fā)明移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償裝置優(yōu)選實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式為清楚說(shuō)明本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果，下面結(jié)合附圖給出優(yōu)選的實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法及裝置做進(jìn)一步說(shuō)明，為便于理解， 以慢時(shí)鐘32KHz，高頻時(shí)鐘^MHz為例，盡管本發(fā)明中的一些公式或者描述中采用32KHz、 26MHz等表示慢時(shí)鐘和高頻時(shí)鐘的一些參數(shù)，但本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然清楚，本發(fā)明并不限于慢時(shí)鐘32KHz，高頻時(shí)鐘^MHz的情形，所述方案對(duì)于采用慢時(shí)鐘控制和高頻時(shí)鐘進(jìn)行時(shí)鐘控制的情形都適用。本發(fā)明提供一種移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法，本實(shí)施例從正常工作模式開(kāi)始，在正常工作模式下啟動(dòng)時(shí)鐘強(qiáng)制校準(zhǔn)，計(jì)算校準(zhǔn)參數(shù)并存儲(chǔ)；當(dāng)UE進(jìn)入空閑模式時(shí)，判斷UE進(jìn)入空閑模式的途徑(即進(jìn)入前一模式)，若前一模式為正常工作模式，則獲取校準(zhǔn)參數(shù)！^帛，計(jì)算32KHz晶體頻率；若前一模式為睡眠模式，則首先獲取同步偏差，然后判斷同步偏差是否在設(shè)定的門(mén)限值內(nèi)，若是，則修正校準(zhǔn)參數(shù)H' N，補(bǔ)償32KHz晶體頻率，否則進(jìn)行32KHz晶體頻率強(qiáng)制校準(zhǔn)；進(jìn)入睡眠模式，狀態(tài)流轉(zhuǎn)如圖4所示；本實(shí)施具體過(guò)程如下，流程如圖5所示1、UE處于正常工作模式，啟動(dòng)時(shí)鐘強(qiáng)制校準(zhǔn)。在正常工作模式時(shí)，通過(guò)頻偏調(diào)整可保證^MHz的頻偏不超過(guò)0. lppm，所以基本上認(rèn)為^MHz的頻率是穩(wěn)定的。101、設(shè)置校準(zhǔn)周期(時(shí)鐘校準(zhǔn)單元完成一次校準(zhǔn)的32KHz時(shí)鐘周期個(gè)數(shù))為N(32K 校準(zhǔn))，N(32KSm)的數(shù)值越大，在UE喚醒后使用校準(zhǔn)參數(shù)恢復(fù)幀號(hào)的誤差越小，可根據(jù)實(shí)際情況配置。102、啟動(dòng)數(shù)字基帶芯片內(nèi)部的硬件電路計(jì)數(shù)N(32K;R準(zhǔn))個(gè)32KHz時(shí)鐘周期內(nèi)^MHz 的時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)！^.(校準(zhǔn)參數(shù))，時(shí)鐘校準(zhǔn)單元完成一次校準(zhǔn)就將該校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)在內(nèi)存中，同時(shí)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元繼續(xù)工作，保證UE從正常工作模式進(jìn)入空閑時(shí)通過(guò)校準(zhǔn)參數(shù)計(jì)算出來(lái)的32KHz晶體頻率的精度；
2、當(dāng)UE進(jìn)入空閑模式時(shí)，判斷UE進(jìn)入空閑模式的途徑，若UE是DRX周期喚醒接收完P(guān)ICH后進(jìn)入空閑，跳至步驟3執(zhí)行；若UE從正常工作模式進(jìn)入空閑模式，關(guān)閉掉強(qiáng)制校準(zhǔn)，從校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)單元提取校準(zhǔn)參數(shù)Ηβ ι值后執(zhí)行步驟5 ；3、設(shè)置UE進(jìn)入睡眠狀態(tài)，本步驟的流程如下301、獲取該DRX周期需要睡眠的時(shí)間長(zhǎng)度Tegwra和睡眠模式；302、設(shè)置睡眠模式以及睡眠的32ΚΗζ時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)N3ai = T睡眠時(shí)間XI732k,其中T睡眠時(shí)間表示在接收下一個(gè)PICH前UE可以睡眠的時(shí)間長(zhǎng)度(單位ms) ；F32k表示UE進(jìn)入睡眠前32KHz晶體的頻率(單位KHz) ；N3ai表示睡眠時(shí)間T__內(nèi)32ΚΗζ時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)；303、使能UE睡眠信號(hào)IDLE_EN，控制關(guān)閉外圍模擬基帶器件、射頻器件等，根據(jù)步驟301獲取的睡眠模式控制高頻時(shí)鐘^MHz的開(kāi)關(guān)，UE進(jìn)入睡眠模式。同時(shí)，定時(shí)器開(kāi)始工作，用32KHz晶體時(shí)鐘進(jìn)行計(jì)數(shù)，計(jì)滿N3ai個(gè)32KHz晶體時(shí)鐘周期喚醒UE ；4、睡眠時(shí)間結(jié)束，進(jìn)入空閑模式，操作步驟如下401、自然喚醒，獲取實(shí)際睡眠的32KHz時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)N' 32K，利用本次睡眠前的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Hn(其中，ΗΝ表示睡眠前N(32K;R準(zhǔn))個(gè)32ΚΗζ時(shí)鐘周期內(nèi)高頻時(shí)鐘^MHz的時(shí)鐘個(gè)數(shù)) 值，恢復(fù)幀號(hào)計(jì)數(shù)器和幀長(zhǎng)度計(jì)數(shù)器；402、硬件電路自動(dòng)開(kāi)啟DSP電源域，并恢復(fù)DSP數(shù)據(jù)，等待DSP的幀中斷觸發(fā)DSP 在設(shè)定的幀號(hào)接收PICH ；403、使用接收到的PICH計(jì)算出UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)的同步偏差，若UE當(dāng)前為空閑模式，將該同步偏差存儲(chǔ)以備用；404、判斷同步偏差，若同步偏差大于門(mén)限值ΤΗ，則重新啟動(dòng)強(qiáng)制校準(zhǔn)單元進(jìn)行He Φ校準(zhǔn)，當(dāng)UE處于空閑模式，則跳至步驟3繼續(xù)執(zhí)行；否則跳至步驟5執(zhí)行32ΚΗζ晶體頻率的補(bǔ)償；所述設(shè)定的門(mén)限值TH為UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)不失步的最大時(shí)間長(zhǎng)度；5、若UE從正常工作模式進(jìn)入空閑，提取校準(zhǔn)參數(shù)Hn = H校準(zhǔn)；計(jì)算32ΚΗζ晶體睡眠前的補(bǔ)償頻率F32k = (N032k校準(zhǔn))XF26m) /Hn后跳至步驟6執(zhí)行；若UE是DRX周期喚醒接收完 PICH后進(jìn)入空閑，則需要完成以下操作501、計(jì)算偏差的高頻時(shí)鐘個(gè)數(shù)N26m = T 同步偏差 XF26m其中，F(xiàn)26m表示穩(wěn)定的^MHz高頻時(shí)鐘頻率；N2fai表示喚醒后UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)同步偏差的^MHz時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)；502、修正校準(zhǔn)參數(shù)H' N = Hn+CT同步偏差 XF26mXN03ai校準(zhǔn)))/N' 32κ其中，H' Ν表示喚醒后N(32K;R i)個(gè)32KHz時(shí)鐘周期內(nèi)高頻時(shí)鐘^MHz的時(shí)鐘個(gè)數(shù)；503、補(bǔ)償 32KHz 晶體頻率 F' 32K F' 32K=(N(32K_)XF26M)/H' n其中，F(xiàn)32k表示每一個(gè)DRX周期UE喚醒后32KHz晶體的補(bǔ)償頻率；優(yōu)選的，提供補(bǔ)償32KHz晶體頻率F' 32K的另一種方法F32K = N ‘ 32k/ (N ‘ 32k/F32K+T 同步偏差)優(yōu)選的，還包括以下步驟更新下次睡眠需要使用的32KHz晶體頻率F32K =
6、更新校準(zhǔn)參數(shù)Hn = H' Ν，若移動(dòng)通信終端仍舊處于空閑模式，則跳至步驟3繼續(xù)執(zhí)行。本發(fā)明還提供一種移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償裝置，優(yōu)選實(shí)施例結(jié)構(gòu)如圖 6所示，包括強(qiáng)制校準(zhǔn)單元、同步偏差單元、修正校準(zhǔn)單元和省電控制單元，修正校準(zhǔn)單元與省電控制單元、同步偏差單元和強(qiáng)制校準(zhǔn)單元連接強(qiáng)制校準(zhǔn)單元與同步偏差單元連接，還與外部晶體慢時(shí)鐘、校準(zhǔn)周期和SYSCLK連接；省電控制單元與外部晶體慢時(shí)鐘相連；同步偏差單元與射頻RF相連；當(dāng)UE處于空閑模式下時(shí)，強(qiáng)制校準(zhǔn)單元通過(guò)同步偏差單元判定是否啟動(dòng)，校準(zhǔn)完成后將校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在修正校準(zhǔn)單元中；同步偏差單元根據(jù)同步偏差值判定啟動(dòng)強(qiáng)制校準(zhǔn)單元或修正校準(zhǔn)單元；修正校準(zhǔn)單元一是用于存儲(chǔ)強(qiáng)制校準(zhǔn)單元的校準(zhǔn)參數(shù)，二是使用同步偏差單元提供的同步偏差修正校準(zhǔn)參數(shù)，補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率；省電控制單元使用修正校準(zhǔn)單元計(jì)算得到的補(bǔ)償頻率設(shè)置睡眠時(shí)間，控制UE進(jìn)入睡眠。所述強(qiáng)制校準(zhǔn)單元包括校準(zhǔn)周期存儲(chǔ)單元，用于設(shè)置時(shí)鐘校準(zhǔn)單元完成一次校準(zhǔn)所需要的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)；時(shí)鐘強(qiáng)制校準(zhǔn)單元，利用數(shù)字基帶芯片內(nèi)部的硬件邏輯電路計(jì)算一定數(shù)量慢時(shí)鐘周期內(nèi)高頻時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)，完成一次校準(zhǔn)將該校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)在校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)單元后再啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元；所述同步偏差獲取單元包括同步偏差計(jì)算單元，用于計(jì)算UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)的同步偏差；同步偏差比較單元，與同步偏差計(jì)算單元和同步偏差門(mén)限存儲(chǔ)單元相連，判斷同步偏差是否超過(guò)設(shè)置的偏差門(mén)限值；同步偏差門(mén)限存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)同步偏差容忍的誤差門(mén)限值；所述修正校準(zhǔn)單元包括校準(zhǔn)參數(shù)修正單元，從睡眠時(shí)間計(jì)數(shù)單元和同步偏差計(jì)算單元提取實(shí)際睡眠的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)和同步偏差，計(jì)算該次睡眠時(shí)間內(nèi)偏移的高頻時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)，修正校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)單元內(nèi)的校準(zhǔn)參數(shù)；校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)時(shí)鐘強(qiáng)制校準(zhǔn)模塊計(jì)算出的校準(zhǔn)參數(shù)以及校準(zhǔn)參數(shù)修正單元修正的校準(zhǔn)參數(shù)；頻率校準(zhǔn)單元，提取校準(zhǔn)參數(shù)，對(duì)外部的慢時(shí)鐘晶體頻率進(jìn)行計(jì)算，得到慢時(shí)鐘晶體在當(dāng)前溫度環(huán)境下的補(bǔ)償頻率；所述省電控制單元包括睡眠時(shí)間設(shè)置單元，存儲(chǔ)需要睡眠的時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)；睡眠控制單元，當(dāng)接收到睡眠使能IDLE_EN信號(hào)后，根據(jù)睡眠模式確認(rèn)是否關(guān)閉高頻時(shí)鐘，若睡眠狀態(tài)下關(guān)閉高頻時(shí)鐘，則啟動(dòng)慢時(shí)鐘維持芯片省電模式的控制；當(dāng)接收到定時(shí)器計(jì)數(shù)完成產(chǎn)生的信號(hào)后，喚醒UE。定時(shí)器單元，定時(shí)作用，當(dāng)計(jì)數(shù)器值等于睡眠時(shí)間設(shè)置單元設(shè)置的時(shí)鐘個(gè)數(shù)時(shí)，產(chǎn)生喚醒AWAKE_EN信號(hào)；
睡眠時(shí)間計(jì)數(shù)單元，與慢時(shí)鐘晶體相連，以UE進(jìn)入睡眠和退出睡眠的信號(hào)為限， 計(jì)數(shù)實(shí)際睡眠的慢時(shí)鐘個(gè)數(shù)；本發(fā)明的核心是利用移動(dòng)終端在空閑模式下每個(gè)尋呼周期接收網(wǎng)絡(luò)側(cè)尋呼信息的特性，使用每一個(gè)DRX周期喚醒后UE與網(wǎng)絡(luò)的同步偏差修正校準(zhǔn)參數(shù)以降低下一個(gè)DRX 周期的同步誤差，并補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率，精確定時(shí)睡眠時(shí)間，從而保證了手機(jī)和基站系統(tǒng)的穩(wěn)定同步。本發(fā)明在不增加電路復(fù)雜度和移動(dòng)終端成本的基礎(chǔ)上，減少啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)模塊的次數(shù)，最大限度的增加系統(tǒng)的睡眠時(shí)間以降低待機(jī)平均電流，提高移動(dòng)終端的待機(jī)時(shí)間，并且使用慢時(shí)鐘晶體頻漂導(dǎo)致的UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)的同步偏差進(jìn)行慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償，不論晶體使用年限多長(zhǎng)，得到的補(bǔ)償頻率都接近晶體在當(dāng)前環(huán)境下的實(shí)際頻率，避免了晶體隨使用時(shí)間出現(xiàn)的老化率問(wèn)題。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)或者變型，這些改動(dòng)或者變型也包含于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種移動(dòng)通信終端UE慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法，其特征在于，進(jìn)入空閑模式，判斷進(jìn)入空閑模式的前一模式，若前一模式為正常工作模式，則獲取校準(zhǔn)參數(shù)H校準(zhǔn)，計(jì)算慢時(shí)鐘晶體頻率；若前一模式為睡眠模式，則首先獲取同步偏差T同步偏差，然后判斷同步偏差是否在設(shè)定的門(mén)限值TH內(nèi)，若是，則補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率，否則進(jìn)行慢時(shí)鐘晶體頻率強(qiáng)制校準(zhǔn)；所述設(shè)定的門(mén)限值TH為UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)不失步的最大時(shí)間長(zhǎng)度。
2.如權(quán)利要求1所述慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法，其特征在于，所述獲取同步偏差為接收尋呼信息PICH，根據(jù)PICH信息計(jì)算喚醒后移動(dòng)通信終端與網(wǎng)絡(luò)側(cè)的同步偏差。
3.如權(quán)利要求1所述慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法，其特征在于，所述補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率為F, 32k = N' 32k/ (N' 3^/F32k+T 同步偏差)其中，N' 32K表示獲取實(shí)際睡眠的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)，F(xiàn)32k表示睡眠前慢時(shí)鐘的頻率。
4.如權(quán)利要求1所述慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法，其特征在于，在所述補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率前，修正校準(zhǔn)參數(shù)HN，得到修正的校準(zhǔn)參數(shù)H' NH' N = ΗΝ+(T同步偏差乂！^訓(xùn)乂？^忍尺校準(zhǔn)))/ ^ 32K其中，F(xiàn)' ι表示每一個(gè)DRX周期UE喚醒后慢時(shí)鐘晶體的補(bǔ)償頻率，Ν(32Κ δ Ι)表示校準(zhǔn)慢時(shí)鐘晶體實(shí)際頻率所設(shè)置的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)，Hn表示睡眠前Ν(32Κβ 6)個(gè)慢時(shí)鐘周期內(nèi)高頻時(shí)鐘的時(shí)鐘個(gè)數(shù)，F(xiàn)2fai表示高頻時(shí)鐘的頻率；進(jìn)而所述補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率為F, 32κ = (Ν(3;εκ校準(zhǔn))XF^m)/H, N其中，H' Ν表示喚醒后N(32K;R i)個(gè)慢時(shí)鐘周期內(nèi)高頻時(shí)鐘的時(shí)鐘個(gè)數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法，其特征在于，在對(duì)慢時(shí)鐘晶體頻率進(jìn)行計(jì)算或者補(bǔ)償過(guò)程中或者進(jìn)行計(jì)算或者補(bǔ)償后，若有業(yè)務(wù)產(chǎn)生，則進(jìn)入正常工作模式。
6.一種移動(dòng)通信終端UE慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償裝置，其特征在于，包括強(qiáng)制校準(zhǔn)單元、 同步偏差單元、修正校準(zhǔn)單元和省電控制單元，修正校準(zhǔn)單元與省電控制單元、同步偏差單元和強(qiáng)制校準(zhǔn)單元連接；強(qiáng)制校準(zhǔn)單元與同步偏差單元連接，還與外部晶體慢時(shí)鐘、校準(zhǔn)周期和系統(tǒng)高頻時(shí)鐘SYSCLK連接；省電控制單元與外部晶體慢時(shí)鐘相連；同步偏差單元與射頻RF相連；
7.如權(quán)利要求6所述慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償裝置，其特征在于，所述強(qiáng)制校準(zhǔn)單元包括校準(zhǔn)周期存儲(chǔ)單元，用于設(shè)置時(shí)鐘校準(zhǔn)單元完成一次校準(zhǔn)所需要的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)；時(shí)鐘強(qiáng)制校準(zhǔn)單元，利用數(shù)字基帶芯片內(nèi)部的硬件邏輯電路計(jì)算一定數(shù)量慢時(shí)鐘周期內(nèi)高頻時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)，完成一次校準(zhǔn)將該校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)在校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)單元后再啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元。
8.如權(quán)利要求6所述慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償裝置，其特征在于，所述同步偏差獲取單元包括同步偏差計(jì)算單元，用于計(jì)算UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)的同步偏差；同步偏差比較單元，與同步偏差計(jì)算單元和同步偏差門(mén)限存儲(chǔ)單元相連，判斷同步偏差是否超過(guò)設(shè)置的偏差門(mén)限值；同步偏差門(mén)限存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)UE與網(wǎng)絡(luò)側(cè)的同步偏差容忍的誤差門(mén)限值。
9.如權(quán)利要求6所述慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償裝置，其特征在于，所述修正校準(zhǔn)單元包括校準(zhǔn)參數(shù)修正單元，從睡眠時(shí)間計(jì)數(shù)單元和同步偏差計(jì)算單元提取實(shí)際睡眠的慢時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)和同步偏差，計(jì)算該次睡眠時(shí)間內(nèi)偏移的高頻時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)，修正校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)單元內(nèi)的校準(zhǔn)參數(shù)；校準(zhǔn)參數(shù)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)時(shí)鐘強(qiáng)制校準(zhǔn)模塊計(jì)算出的校準(zhǔn)參數(shù)以及校準(zhǔn)參數(shù)修正單元修正的校準(zhǔn)參數(shù)；頻率校準(zhǔn)單元，提取校準(zhǔn)參數(shù)，對(duì)外部的慢時(shí)鐘晶體頻率進(jìn)行計(jì)算，得到慢時(shí)鐘晶體在當(dāng)前溫度環(huán)境下的補(bǔ)償頻率。
10.如權(quán)利要求6所述慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償裝置，其特征在于，所述省電控制單元包括睡眠時(shí)間設(shè)置單元，存儲(chǔ)需要睡眠的時(shí)鐘周期個(gè)數(shù)；睡眠控制單元，當(dāng)接收到睡眠使能IDLE_EN信號(hào)后，根據(jù)睡眠模式確認(rèn)是否關(guān)閉高頻時(shí)鐘，若睡眠狀態(tài)下關(guān)閉高頻時(shí)鐘，則啟動(dòng)慢時(shí)鐘維持芯片省電模式的控制；當(dāng)接收到定時(shí)器計(jì)數(shù)完成產(chǎn)生的信號(hào)后，喚醒UE ；定時(shí)器單元，定時(shí)作用，當(dāng)計(jì)數(shù)器值等于睡眠時(shí)間設(shè)置單元設(shè)置的時(shí)鐘個(gè)數(shù)時(shí)，產(chǎn)生喚醒AWAKE_EN信號(hào)；睡眠時(shí)間計(jì)數(shù)單元，與慢時(shí)鐘晶體相連，以UE進(jìn)入睡眠和退出睡眠的信號(hào)為限，計(jì)數(shù)實(shí)際睡眠的慢時(shí)鐘個(gè)數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種移動(dòng)通信終端慢時(shí)鐘晶體頻率補(bǔ)償方法及裝置，所述方法進(jìn)入空閑模式，判斷進(jìn)入空閑模式的前一模式，若前一模式為正常工作模式，則獲取校準(zhǔn)參數(shù)，計(jì)算慢時(shí)鐘晶體頻率；若前一模式為睡眠模式，則首先獲取同步偏差，然后判斷同步偏差是否在設(shè)定的門(mén)限值內(nèi)，若是，則補(bǔ)償慢時(shí)鐘晶體頻率，否則進(jìn)行慢時(shí)鐘晶體頻率強(qiáng)制校準(zhǔn)；所述裝置包括強(qiáng)制校準(zhǔn)單元、同步偏差單元、修正校準(zhǔn)單元和省電控制單元；本發(fā)明在不增加電路復(fù)雜度和終端硬件成本的條件下，保證了睡眠定時(shí)精確以及喚醒后系統(tǒng)不失步，并且也保證了最小限度的啟動(dòng)時(shí)鐘校準(zhǔn)單元，使得移動(dòng)通信終端在空閑模式下睡眠時(shí)間最大化，降低了移動(dòng)通信終端功耗。
文檔編號(hào)G04G7/02GK102540868SQ20101062161
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者吳付利, 唐博, 林毅, 牟倫榮, 王茜 申請(qǐng)人:重慶重郵信科通信技術(shù)有限公司