專利名稱：壓電振動(dòng)器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電振動(dòng)器的制造方法、壓電振動(dòng)器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在便攜電話或便攜信息終端設(shè)備上，作為時(shí)刻源或控制信號(hào)等的定時(shí)源、 參考信號(hào)源等，采用利用了由水晶等的壓電材料構(gòu)成的壓電振動(dòng)片的壓電振動(dòng)器。作為壓 電振動(dòng)片，采用具備一對(duì)振動(dòng)腕部的音叉型壓電振動(dòng)片。作為這種壓電振動(dòng)器，眾所周知表面安裝型(SMD，Surface Mount Device)的壓電 振動(dòng)器。作為表面安裝型的壓電振動(dòng)器，提出了由基底基板和蓋基板形成封裝件 (package)，在封裝件的內(nèi)部形成的空腔收納壓電振動(dòng)片的壓電振動(dòng)器?；谆搴蜕w基 板在兩者間配置接合膜并通過(guò)陽(yáng)極接合來(lái)接合。接合膜由鋁(Al)、鉻(Cr)等的金屬或硅 (Si)等的半導(dǎo)體等構(gòu)成，且設(shè)置在基底基板的與蓋基板的接合面?zhèn)然蛘呱w基板的與基底基 板的接合面?zhèn)?。在此，蓋基板不具有電極，因此在蓋基板形成接合膜時(shí)不需要掩蔽電極的工 序。因此，從制造工序的簡(jiǎn)單化及制造成本削減的期望考慮，最近多在蓋基板的與基底基板 的接合面?zhèn)鹊恼麄€(gè)表面形成接合膜。然而，壓電振動(dòng)器要求抑制等效電阻值(有效電阻值，Re)為低值。等效電阻值低 的壓電振動(dòng)器能以低電力使壓電振動(dòng)片振動(dòng)，因此成為能量效率良好的壓電振動(dòng)器。作為 抑制等效電阻值的一般的方法之一，眾所周知使密封有壓電振動(dòng)片的空腔內(nèi)接近真空，降 低與等效電阻值處于比例關(guān)系的串聯(lián)諧振電阻值(Rl)的方法。作為使空腔內(nèi)接近真空的方法，已知包括這樣工序的方法，該工序是在空腔內(nèi)的 基底基板上密封由Al或Cr等構(gòu)成的吸氣材料，從外部照射激光而激活所述吸氣材料的吸 氣工序(參照專利文獻(xiàn)1)。依據(jù)該方法，通過(guò)處于激活狀態(tài)的吸氣材料，能夠吸收陽(yáng)極接合 時(shí)產(chǎn)生的氧，因此能夠使空腔內(nèi)接近真空。此外，吸氣工序后，對(duì)形成在振動(dòng)腕部的前端部的重錘金屬膜照射激光，對(duì)重錘金 屬膜進(jìn)行切邊而進(jìn)行壓電振動(dòng)片的頻率的微調(diào)(頻率調(diào)整工序)。通過(guò)進(jìn)行該頻率調(diào)整工 序，能夠?qū)弘娬駝?dòng)片的頻率收入標(biāo)稱頻率的范圍內(nèi)。再者，由于吸氣材料及重錘金屬膜靠近地形成，所以在上述的吸氣工序中，一般利 用與頻率調(diào)整工序相同的激光照射裝置，以與頻率調(diào)整工序相同的激光強(qiáng)度，對(duì)吸氣材料 照射激光。在吸氣工序及頻率調(diào)整工序中共用激光照射裝置，由此抑制制造裝置的成本上 升。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2003-142976號(hào)公報(bào)可是，如果在吸氣工序中從基底基板的外側(cè)對(duì)形成在基底基板的內(nèi)側(cè)的吸氣材料 照射激光，有時(shí)激光就會(huì)穿透吸氣材料而到達(dá)蓋基板。然后，如上所述，在蓋基板的內(nèi)側(cè)形 成有接合膜的情況下，激光照射到接合膜而接合膜飛散。在此，當(dāng)接合膜由Al等的具有吸氣效果的金屬構(gòu)成時(shí)，因激光照射而飛散的Al等
3的接合膜被激活而吸附周?chē)臍怏w。由此，能夠使空腔內(nèi)進(jìn)一步接近真空，因此能夠改善壓 電振動(dòng)器的等效電阻值。但是，另一方面有這樣的情況飛散的接合膜的一部分附著到壓電 振動(dòng)片的振動(dòng)腕部。而接合膜附著到壓電振動(dòng)片的振動(dòng)腕部的情況下，壓電振動(dòng)器的等效 電阻值上升。這時(shí)，當(dāng)接合膜的附著導(dǎo)致的等效電阻值的惡化大于吸氣效果產(chǎn)生的等效電 阻值的改善時(shí)，壓電振動(dòng)器的等效電阻值綜合上升，因此結(jié)果上壓電振動(dòng)器的效率惡化。此外，由于在兩基板的接合部中接合膜曝露于外部，存在由Al等的金屬構(gòu)成的接 合膜腐蝕而不能保持封裝件的氣密性的問(wèn)題。因此，為了防止接合膜的腐蝕并且進(jìn)一步提 高接合膜的密封功能，有時(shí)取代Al等的金屬而在接合膜使用Si。在此，與上述同樣地，如果 穿透吸氣材料的激光照射到接合膜，Si就會(huì)飛散。但是，Si與Al等的金屬不同，不具有吸 氣效果。然后，如果飛散的Si的一部分附著到壓電振動(dòng)片的振動(dòng)腕部，則壓電振動(dòng)器的等 效電阻值上升而使壓電振動(dòng)器的效率惡化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的課題是提供能抑制吸氣工序時(shí)的接合膜的飛散并且得到良好的電 特性的壓電振動(dòng)器的制造方法、搭載了能獲得良好的電特性的壓電振動(dòng)器的振蕩器、電子 設(shè)備及電波鐘。為了解決上述課題，在本發(fā)明的壓電振動(dòng)器的制造方法中，該壓電振動(dòng)器包括互 相接合的基底基板及蓋基板、在所述蓋基板的與所述基底基板的接合面?zhèn)鹊恼麄€(gè)表面形成 的接合膜、在所述基底基板和所述蓋基板之間形成的空腔、密封于所述空腔內(nèi)且安裝于所 述基底基板的壓電振動(dòng)片、以及密封于所述空腔內(nèi)且形成在所述基底基板的吸氣材料，其 特征在于，所述制造方法包括吸氣工序，從所述基底基板的外側(cè)貫通所述基底基板而對(duì)所 述吸氣材料照射第一激光，激活所述吸氣材料，從而吸附存在于所述空腔內(nèi)的氣體；以及頻 率調(diào)整工序，從所述基底基板的外側(cè)貫通所述基底基板而對(duì)形成在所述壓電振動(dòng)片的振動(dòng) 腕部的前端的重錘金屬膜照射第二激光，調(diào)整所述壓電振動(dòng)片的頻率，所述吸氣工序中的 所述第一激光的強(qiáng)度弱于所述頻率調(diào)整工序中的所述第二激光的強(qiáng)度。依據(jù)本發(fā)明，由于在吸氣工序中第一激光的強(qiáng)度弱于第二激光的強(qiáng)度，所以即便 第一激光貫通吸氣材料而到達(dá)形成在蓋基板的接合膜，接合膜的飛散的量也較少。由此，能 夠減少附著到壓電振動(dòng)片的振動(dòng)腕部的接合膜，因此能夠抑制壓電振動(dòng)器的等效電阻值的 上升。因而，能夠制造能抑制壓電振動(dòng)器的效率惡化且能得到良好的電特性的壓電振動(dòng)器。此外，優(yōu)選所述第一激光不貫通所述吸氣材料。依據(jù)本發(fā)明，由于在吸氣工序中第一激光不貫通吸氣材料，第一激光不會(huì)到達(dá)形 成在蓋基板的接合膜，且接合膜也不會(huì)飛散。由此，接合膜不會(huì)附著到壓電振動(dòng)片的振動(dòng)腕 部，因此能夠可靠地抑制壓電振動(dòng)器的等效電阻值的上升。因而，能夠制造能可靠地抑制壓 電振動(dòng)器的效率惡化，并能獲得更加良好的電特性的壓電振動(dòng)器。此外，優(yōu)選在所述吸氣工序和所述頻率調(diào)整工序中使用相同的激光照射裝置來(lái)調(diào) 整激光強(qiáng)度，照射所述第一激光及所述第二激光。依據(jù)本發(fā)明，通過(guò)使用相同的激光照射裝置來(lái)調(diào)整激光強(qiáng)度，從而照射吸氣工序 的第一激光及頻率調(diào)整工序中的第二激光。由此，能夠在吸氣工序及頻率調(diào)整工序中共用 激光照射裝置，因此能夠抑制壓電振動(dòng)器的制造成本的上升。
此外，所述接合膜優(yōu)選由Si構(gòu)成。依據(jù)本發(fā)明，由于接合膜由Si形成，與接合膜由Al等的金屬構(gòu)成的情況相比，在 耐腐蝕性方面優(yōu)異。因而，能夠進(jìn)一步提高接合膜的密封功能。但是，如上所述，Si沒(méi)有吸 氣效果，因此因第一激光而Si飛散，并且附著到壓電振動(dòng)片時(shí)，壓電振動(dòng)器的等效電阻值 會(huì)上升。與之相對(duì)，在本發(fā)明中，第一激光不到達(dá)接合膜，或者即便第一激光到達(dá)接合膜，也 因激光強(qiáng)度較弱而能夠抑制Si的接合膜的飛散。由此，能夠減少附著到壓電振動(dòng)片的振動(dòng) 腕部的Si的接合膜，因此能夠抑制壓電振動(dòng)器的等效電阻值的上升。本發(fā)明的振蕩器，其特征在于，以上述的制造方法制造的壓電振動(dòng)器，作為振子電 連接到集成電路。本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，以上述的制造方法制造的壓電振動(dòng)器，電連接至 計(jì)時(shí)部。本發(fā)明的電波鐘，其特征在于，以上述的制造方法制造的壓電振動(dòng)器，電連接至濾 波部。依據(jù)本發(fā)明的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘，由于具備以能獲得良好的電特性的制 造方法制造的壓電振動(dòng)器，能夠提供性能良好的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。(發(fā)明效果)依據(jù)本發(fā)明，由于在吸氣工序中第一激光的強(qiáng)度弱于第二激光，即便第一激光貫 通吸氣材料而到達(dá)形成在蓋基板的接合膜，接合膜飛散的量也較少。由此，能夠減少附著到 壓電振動(dòng)片的振動(dòng)腕部的接合膜，因此能夠抑制壓電振動(dòng)器的等效電阻值的上升。因而，能 夠制造能抑制壓電振動(dòng)器的效率惡化且能得到良好的電特性的壓電振動(dòng)器。


圖1是表示壓電振動(dòng)器的外觀斜視圖。
圖2是圖1所示的壓電振動(dòng)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，是拆下蓋基板后的狀態(tài)的平面圖。
圖3是圖2的A-A線的剖視圖。
圖4是圖1所示的壓電振動(dòng)器的分解斜視圖。
圖5是壓電振動(dòng)片的平面圖。
圖6是壓電振動(dòng)片的仰視圖。
圖7是圖5的B-B線的剖視圖。
圖8是壓電振動(dòng)器的制造方法的流程圖。
圖9是圓片(wafer)體的分解斜視圖。
圖10是吸氣工序及頻率調(diào)整工序的說(shuō)明圖。
圖11是表示振蕩器的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
圖12是表示電子設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
圖13是表示電波鐘的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器進(jìn)行說(shuō)明。 此外，在以下說(shuō)明中，設(shè)基底基板的與蓋基板的接合面為第一面U，其相反面為第
5二面L0圖1是本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的外觀斜視圖。圖2是壓電振動(dòng)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，是拆下蓋基板后的狀態(tài)的平面圖。圖3是圖2的A-A線的剖視圖。圖4是圖1所示的壓電振動(dòng)器的分解斜視圖。再者，圖4中為了方便觀察附圖而省略了后述的激振電極15、引出電極19、20、裝 配電極16、17及重錘金屬膜21的圖示。如圖1至圖4所示，本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器1是具備隔著接合膜35而陽(yáng)極接合 基底基板2及蓋基板3的封裝件9和收納于封裝件9的空腔C的壓電振動(dòng)片4的表面安裝 型的壓電振動(dòng)器1。(壓電振動(dòng)片)圖5是壓電振動(dòng)片的平面圖。
圖6是壓電振動(dòng)片的仰視圖。圖7是圖5的B-B線的剖視圖。如圖5至圖7所示，壓電振動(dòng)片4是由水晶、鉭酸鋰或鈮酸鋰等的壓電材料形成的 音叉型振動(dòng)片，在被施加既定電壓時(shí)振動(dòng)。該壓電振動(dòng)片4包括平行配置的一對(duì)振動(dòng)腕部 IOUl ；將所述一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的基端側(cè)固定成一體的基部12 ；以及形成在一對(duì)振動(dòng)腕 部10、11的兩主表面上的溝部18。該溝部18沿著該振動(dòng)腕部10、11的長(zhǎng)邊方向從振動(dòng)腕 部10、11的基端側(cè)形成到大致中間附近。該壓電振動(dòng)片4包括形成在一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的外表面上且使一對(duì)振動(dòng)腕部 IOUl振動(dòng)的由第一激振電極13及第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15 ；以及與第一激振 電極13及第二激振電極14電連接的裝配電極16、17。激振電極15、裝配電極16、17及引 出電極19、20，例如由Cr、鎳(Ni)、Al、鈦(Ti)等的導(dǎo)電材料的覆蓋膜形成。激振電極15是使一對(duì)振動(dòng)腕部10、11沿互相接近或分離的方向以既定的諧振頻 率振動(dòng)的電極。構(gòu)成激振電極15的第一激振電極13及第二激振電極14在一對(duì)振動(dòng)腕部 10、11的外表面上，分別以電性切斷的狀態(tài)構(gòu)圖而形成。具體而言，第一激振電極13主要形 成在一個(gè)振動(dòng)腕部10的溝部18上和另一振動(dòng)腕部11的兩側(cè)面上，第二激振電極14主要 形成在一個(gè)振動(dòng)腕部10的兩側(cè)面上和另一振動(dòng)腕部111的溝部18上。此外第一激振電極 13及第二激振電極14在基部12的兩主表面上，分別經(jīng)由引出電極19、20電連接至裝配電 極 16、17。此外，在一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的前端，覆蓋有用于進(jìn)行調(diào)整(頻率調(diào)整)的重錘金 屬膜21，以使自身的振動(dòng)狀態(tài)在既定的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行振動(dòng)。該重錘金屬膜21被分為在粗 調(diào)頻率時(shí)使用的粗調(diào)膜21a和在微調(diào)時(shí)使用的微調(diào)膜21b。利用這些粗調(diào)膜21a及微調(diào)膜 21b進(jìn)行頻率調(diào)整，從而能夠?qū)⒁粚?duì)振動(dòng)腕部10、11的頻率收入器件的標(biāo)稱頻率的范圍內(nèi)。(壓電振動(dòng)器)如圖1、圖3及圖4所示，蓋基板3是由玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的可陽(yáng)極接 合的基板，形成為大致板狀。在蓋基板3的與基底基板2的接合面一側(cè)，形成有收納壓電振 動(dòng)片4的空腔C用的凹部3a。該凹部3a是疊合兩基板2、3時(shí)成為收納壓電振動(dòng)片4的空 腔C的空腔用的凹部。
在蓋基板3的與基底基板2的接合面一側(cè)的整個(gè)表面，形成有陽(yáng)極接合用的接合 膜35。即接合膜35不僅形成在凹部3a的整個(gè)內(nèi)表面，而且形成在凹部3a的周?chē)倪吘?區(qū)域。本實(shí)施方式的接合膜35由Si形成。在由Si形成接合膜35時(shí)，與后述的由Al等的 金屬形成接合膜35的情況相比，耐腐蝕性優(yōu)異。因而，能夠進(jìn)一步提高接合膜35的密封功 能。然后，該接合膜35和基底基板2如后述那樣陽(yáng)極接合，從而空腔C被真空密封。此外，接合膜35也可以用能陽(yáng)極接合且通過(guò)激光照射而被激活，從而能吸附周?chē)?的氣體(例如氧)的材料(例如Al)形成。在這時(shí)，接合膜35也作為吸氣材料起作用。但 是，在耐腐蝕性方面，本實(shí)施方式的Si的接合膜35有優(yōu)勢(shì)。基底基板2是由玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的基板，如圖1至圖4所示，以與蓋 基板3相等的外形形成為大致板狀。然后如圖2至圖4所示，在本實(shí)施方式的基底基板2的第一面U形成有吸氣材料 34，以在形成壓電振動(dòng)器1時(shí)收納于空腔C內(nèi)。吸氣材料34通過(guò)激光照射而被激活，從而吸附周?chē)臍怏w，例如能夠由Al或Cr、 Ti、鋯(Zr)等的金屬或者它們的合金等形成。在本實(shí)施方式中，吸氣材料34由以Cr為主 要成分的金屬材料形成。吸氣材料34配置在能從壓電振動(dòng)器1的外部照射激光的位置。在此，上述的蓋基 板3的凹部3a的底面為非研磨面(毛玻璃狀)。因此，即便從蓋基板3的外側(cè)經(jīng)由凹部3a 而照射激光，激光也會(huì)發(fā)散，無(wú)法將激光的焦點(diǎn)對(duì)齊到吸氣材料34。另一方面，基底基板2 在后述的貫通電極形成工序中，在基底基板用圓片的狀態(tài)下兩面被研磨。因此，從具有研磨 面的基底基板2的外側(cè)照射激光。由此，激光不會(huì)發(fā)散，而能將激光的焦點(diǎn)對(duì)齊到吸氣材料 34。然后，基底基板2的平面圖中，在不與后述的外部電極38、39重疊的位置配置吸氣材料 34。而且吸氣材料34在將壓電振動(dòng)片4安裝于基底基板2時(shí)，基底基板2的平面圖中， 在不與壓電振動(dòng)片4重疊的位置配置有吸氣材料34。再者圖示的例中，在基底基板2的平 面圖中壓電振動(dòng)片4的寬度方向上的一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的兩外側(cè)分別配置有一對(duì)吸氣材 料34。此外，在該基底基板2形成有沿厚度方向貫通基底基板2的一對(duì)貫通孔30、31和 貫通電極32、33。如圖2及圖3所示，貫通孔30、31形成為在形成了壓電振動(dòng)器1時(shí)收納于空腔C 內(nèi)。更詳細(xì)地說(shuō)，本實(shí)施方式的貫通孔30、31，在與后述的裝配工序中安裝的壓電振動(dòng)片4 的基部12—側(cè)對(duì)應(yīng)的位置形成一個(gè)貫通孔30，而在與振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)對(duì)應(yīng)的位置 形成另一貫通孔31。如圖3所示，貫通電極32通過(guò)配置在貫通孔30的內(nèi)部的玻璃的筒體6及導(dǎo)電部 件7形成。在本實(shí)施方式中，筒體6是膏狀的玻璃料燒結(jié)而成。筒體6形成為兩端平坦且厚 度與基底基板2大致相同。然后，在筒體6的中心，導(dǎo)電部件7配置成貫通筒體6。然后，筒 體6對(duì)導(dǎo)電部件7及貫通孔30牢固地固接。筒體6及導(dǎo)電部件7完全堵塞貫通孔30而維持空腔C內(nèi)的氣密，并且承擔(dān)使后述 的迂回電極36和外部電極38導(dǎo)通的作用。此外，貫通電極33與貫通電極32同樣地形成。此外，關(guān)于貫通電極33、迂回電極37及外部電極39的關(guān)系，成為與上述的貫通電極32、迂 回電極36及外部電極39同樣的關(guān)系。如圖2至圖4所示，在基底基板2的第一面U —側(cè)，構(gòu)圖有一對(duì)迂回電極36、37。 在一對(duì)迂回電極36、37中，一個(gè)迂回電極36形成為位于一個(gè)貫通電極32的正上方。此外， 另一迂回電極37形成為從與一個(gè)迂回電極36鄰接的位置，并且沿著振動(dòng)腕部10、11迂回 至所述振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)之后，位于另一貫通電極33的正上方。然后，在這些一對(duì)迂回電極36、37上分別形成有凸點(diǎn)B，利用所述凸點(diǎn)B，安裝壓 電振動(dòng)片4的一對(duì)裝配電極。由此壓電振動(dòng)片4的一個(gè)裝配電極16經(jīng)由一個(gè)迂回電極36 而導(dǎo)通至一個(gè)貫通電極32，另一裝配電極17經(jīng)由另一迂回電極37而導(dǎo)通至另一貫通電極 33。此外在基底基板2的第二面L，如圖1、圖3及圖4所示，形成有一對(duì)外部電極38、 39。一對(duì)外部電極38、39形成在基底基板2的長(zhǎng)邊方向的兩端部，并對(duì)一對(duì)貫通電極32、33 分別電連接。在使這樣構(gòu)成的壓電振動(dòng)器1作動(dòng)時(shí)，對(duì)形成在基底基板2的外部電極38、39施 加既定的驅(qū)動(dòng)電壓。由此，能夠?qū)弘娬駝?dòng)片4的由第一激振電極13及第二激振電極14 構(gòu)成的激振電極15施加電壓，因此能使一對(duì)振動(dòng)腕部10、11沿著接近/分離的方向并以既 定的頻率振動(dòng)。然后，利用該一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的振動(dòng)，能夠用作時(shí)刻源或控制信號(hào)的定 時(shí)源、參考信號(hào)源等。(壓電振動(dòng)器的制造方法)接著，參照流程圖，對(duì)上述的壓電振動(dòng)器的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖8是本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的制造方法的流程圖。圖9是圓片體的分解斜視圖。本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的制造方法主要包括壓電振動(dòng)片制作工序S10、蓋基板 用圓片制作工序S20、基底基板用圓片制作工序S30、和組裝工序(S40以后)。其中，壓電振 動(dòng)片制作工序S10、蓋基板用圓片制作工序S20及基底基板用圓片制作工序S30可以并行實(shí) 施。(壓電振動(dòng)片制作工序)在壓電振動(dòng)片制作工序S 10中，制作圖5至圖7所示的壓電振動(dòng)片4。具體而言， 首先將未加工的朗伯(Lambert)水晶以既定角度切片而做成一定厚度的圓片。接著，研磨 該圓片而進(jìn)行粗加工后，通過(guò)蝕刻來(lái)除去加工變質(zhì)層，其后進(jìn)行拋光(polish)等的鏡面研 磨加工，做成既定厚度的圓片。接著，對(duì)圓片進(jìn)行清洗等的適當(dāng)?shù)奶幚砗?，利用光刻技術(shù)，以 壓電振動(dòng)片4的外形形狀對(duì)該圓片進(jìn)行構(gòu)圖，并且進(jìn)行金屬膜的成膜及構(gòu)圖，形成激振電 極15、引出電極19、20、裝配電極16、17及重錘金屬膜21。由此，能夠制作出多個(gè)壓電振動(dòng) 片4。接著，進(jìn)行壓電振動(dòng)片4的諧振頻率的粗調(diào)。這是通過(guò)對(duì)重錘金屬膜21的粗調(diào)膜21a 照射激光使一部分蒸發(fā)，從而改變振動(dòng)腕部10、11的重量來(lái)進(jìn)行的。(蓋基板用圓片制作工序)在蓋基板用圓片制作工序S20中，如圖9所示，制作后面成為蓋基板的蓋基板用圓 片50。首先，將由堿石灰玻璃構(gòu)成的圓板狀的蓋基板用圓片50研磨加工至既定厚度并加以 清洗后，通過(guò)蝕刻等來(lái)除去最表面的加工變質(zhì)層(S21)。接著，在凹部形成工序S22中，在蓋
8基板用圓片50的與基底基板用圓片40的接合面形成多個(gè)空腔用的凹部3a。通過(guò)加熱壓力 成形或蝕刻加工等來(lái)形成凹部3a。接著，在接合面研磨工序S23中，研磨與基底基板用圓片 40的接合面。接著，在接合膜形成工序S24中，在與基底基板用圓片40的接合面形成圖1、圖2 及圖4所示的接合膜35。本來(lái)接合膜35形成在與基底基板用圓片40的接合面就可以，但 在本實(shí)施方式中在蓋基板的與所述基底基板的接合面?zhèn)鹊恼麄€(gè)表面形成接合膜35。由此， 不需要接合膜35的構(gòu)圖，能夠降低制造成本。能夠通過(guò)濺鍍或CVD等的成膜方法形成接合 膜35。由于在接合膜形成工序SM之前進(jìn)行接合面研磨工序S23，所以能確保接合膜35的 表面的平面度，能夠?qū)崿F(xiàn)與基底基板用圓片40的穩(wěn)定的接合。在該時(shí)刻，結(jié)束蓋基板用圓 片制作工序S20。(基底基板用圓片制作工序)在基底基板用圓片制作工序S30中，如圖9所示，制作后面成為基底基板的基底基 板用圓片40。首先，將由堿石灰玻璃構(gòu)成的圓板狀的基底基板用圓片40研磨加工至既定厚 度并加以清洗后，通過(guò)蝕刻等來(lái)除去最表面的加工變質(zhì)層(S31)。(貫通電極形成工序)接著，進(jìn)行在基底基板用圓片40形成一對(duì)貫通電極32的貫通電極形成工序S32。 此外，在下面說(shuō)明貫通電極32的形成工序，但對(duì)于貫通電極33的形成工序也同樣。首先，從基底基板用圓片40的第二面L跨過(guò)第一面U地用壓力加工等來(lái)成形貫通 孔30。接著，向貫通孔30內(nèi)插入導(dǎo)電部件7而填充由玻璃料構(gòu)成的膏材料。接著，燒結(jié)膏 材料，使玻璃的筒體6、貫通孔30及導(dǎo)電部件7 —體化。最后，研磨基底基板用圓片40的第 一面U及第二面L，使導(dǎo)電部件7露出于第一面U及第二面L并成為平坦面，從而在貫通孔 30內(nèi)形成貫通電極32。通過(guò)貫通電極32，在確?；谆逵脠A片40的第一面U側(cè)和第二 面L側(cè)的導(dǎo)電性的同時(shí)，能夠確?？涨籆內(nèi)的氣密性。(吸氣材料形成工序) 接著，進(jìn)行如圖4所示在基底基板用圓片40的第一面U側(cè)對(duì)導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖， 形成吸氣材料34的吸氣材料形成工序S34。此外，吸氣材料形成工序S34及后述的迂回電 極形成工序S36，無(wú)論先進(jìn)行哪個(gè)工序均可。而且，在吸氣材料34及迂回電極36、37用相同 的材料形成時(shí)，同時(shí)進(jìn)行也可。在本實(shí)施方式中，如上所述，吸氣材料34由以Cr為主要成分的金屬材料形成，通 過(guò)在基底基板用圓片40的第一面U對(duì)Cr層進(jìn)行構(gòu)圖而形成。此外，在用Cr層形成迂回電 極36、37的基底層的情況下，能夠同時(shí)形成吸氣材料34及迂回電極36、37的基底層。如圖 2及圖4所示，在后面對(duì)基底基板用圓片40裝配了壓電振動(dòng)片4時(shí)，平面圖中，各吸氣材料 34形成為夾著壓電振動(dòng)片4而在兩側(cè)對(duì)置配置。然后，在平面圖中，各吸氣材料34形成為 對(duì)振動(dòng)腕部10、11鄰接的同時(shí)平行延伸。(迂回電極形成工序)接著，返回圖9，進(jìn)行形成多個(gè)與貫通電極分別電連接的迂回電極36、37的迂回電 極形成工序S36。此外，通過(guò)與上述的吸氣材料34同時(shí)形成迂回電極36、37，能更加有效率 地制造壓電振動(dòng)器1。然后，在迂回電極36、37上，分別形成由金等構(gòu)成的細(xì)尖形狀的凸點(diǎn)。 此外，在圖9中為了方便圖示而省略了凸點(diǎn)的圖示。在該時(shí)刻結(jié)束基底基板用圓片制作工
9序 S30。(裝配工序)接著，進(jìn)行在基底基板用圓片40的迂回電極36、37上通過(guò)凸點(diǎn)B而接合壓電振動(dòng) 片4的裝配工序S40。具體而言，將壓電振動(dòng)片4的基部12承載于凸點(diǎn)B上，并將凸點(diǎn)B加 熱至既定溫度并將壓電振動(dòng)片4壓到凸點(diǎn)B上。由此，如圖3所示，壓電振動(dòng)片4的振動(dòng)腕 部10、11以從基底基板用圓片40的第一面U浮上的狀態(tài)，將基部12機(jī)械固接在凸點(diǎn)B上。 此外，裝配電極16、17和迂回電極36、37成為電連接的狀態(tài)。(疊合工序)在結(jié)束壓電振動(dòng)片4的安裝之后，如圖9所示，進(jìn)行對(duì)基底基板用圓片40疊合蓋 基板用圓片50的疊合工序S50。具體而言，以未圖示的基準(zhǔn)標(biāo)記等為標(biāo)志，將兩圓片40、50 對(duì)準(zhǔn)到正確的位置。由此，安裝到基底基板用圓片40的壓電振動(dòng)片4成為被收納于由蓋基 板用圓片50的凹部3a和基底基板用圓片40包圍的空腔C內(nèi)的狀態(tài)。(接合工序)在疊合工序S50之后，進(jìn)行將疊合后的兩圓片40、50置于未圖示的陽(yáng)極接合裝置， 在既定的溫度氣氛中施加既定電壓而陽(yáng)極接合的接合工序S60。具體而言，在接合膜35與 基底基板用圓片40之間施加既定電壓。這樣，在接合膜35與基底基板用圓片40的界面上 產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)，使兩者分別牢固地密合而陽(yáng)極接合。由此，能夠?qū)弘娬駝?dòng)片4密封于空 腔C內(nèi)，并且能夠得到接合了基底基板用圓片40和蓋基板用圓片50的、圖9所示的圓片體 60。此外，在圖9中為了方便圖示而示出拆開(kāi)圓片體60后的狀態(tài)，而省略了從蓋基板用圓 片50到接合膜35的圖示。此外，圖9所示的虛線示出在后面進(jìn)行的切斷工序中切斷的切 斷線M。(外部電極形成工序)接著，進(jìn)行在基底基板用圓片40的第二面L對(duì)導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖而形成多個(gè)與一 對(duì)貫通電極32、33分別電連接的一對(duì)外部電極38、39 (參照?qǐng)D幻的外部電極形成工序S70。 通過(guò)該工序，壓電振動(dòng)片4經(jīng)由貫通電極32、33而與外部電極38、39導(dǎo)通。(吸氣工序)圖10是吸氣工序及頻率調(diào)整工序的說(shuō)明圖。接著，如圖10所示，進(jìn)行對(duì)吸氣材料34照射第一激光Li，使吸氣材料34激活，從 而吸附存在于空腔C內(nèi)的氣體的吸氣工序S80。作為第一激光Li，例如采用綠激光。對(duì)于 第一激光Ll的強(qiáng)度將在后面描述。如上所述，無(wú)法從蓋基板用圓片50的外側(cè)照射第一激 光Li，因此從基底基板用圓片40的外側(cè)照射第一激光Li。將第一激光Ll照射到吸氣材料 34，使吸氣材料34蒸發(fā)，這樣蒸發(fā)的吸氣材料34吸收空腔C內(nèi)的氧后生成金屬氧化物。由 此，空腔C內(nèi)的氧被消耗，因此能夠提高空腔C內(nèi)的真空度。此外，作為吸氣的適宜次數(shù)的判斷方法，也可以為例如按壓電振動(dòng)器的每個(gè)種類 預(yù)先設(shè)定串聯(lián)振動(dòng)電阻值的閾值，在小于該閾值時(shí)判斷為適宜的方法。此外，在存儲(chǔ)剛吸氣 前的串聯(lián)振動(dòng)電阻值之后進(jìn)行吸氣，算出與剛吸氣后的串聯(lián)振動(dòng)電阻值的變化的比例，通 過(guò)將該變化的比例與預(yù)先設(shè)定的值進(jìn)行比較來(lái)判斷也可。(頻率調(diào)整工序)接著，如圖10所示，進(jìn)行對(duì)形成在密封于空腔C內(nèi)的壓電振動(dòng)片4的振動(dòng)腕部10、11的前端的重錘金屬膜21照射第二激光L2而微調(diào)壓電振動(dòng)片4的頻率的頻率調(diào)整工序 S90。作為第二激光L2，與第一激光Ll同樣地采用綠激光。此外，對(duì)于第二激光L2的強(qiáng)度 將在后面描述。作為具體的頻率調(diào)整工序S90的步驟，首先，從外部電極38、39持續(xù)施加既定電 壓，一邊使壓電振動(dòng)片4振動(dòng)一邊測(cè)量頻率。接著，在該狀態(tài)下，如圖10所示，從基底基板 用圓片40的外部照射第二激光，使圖5及圖6所示的重錘金屬膜21的微調(diào)膜21b (參照?qǐng)D 5)蒸發(fā)。由此，一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的前端側(cè)的重量降低，因此壓電振動(dòng)片4的頻率上升。 由此，微調(diào)壓電振動(dòng)器的頻率，能夠收入到標(biāo)稱頻率的范圍內(nèi)。(第一激光及第二激光的強(qiáng)度)吸氣工序S80中的第一激光Ll的強(qiáng)度設(shè)定為弱于頻率調(diào)整工序S90中的第二激 光L2的強(qiáng)度。例如，設(shè)定第一激光Ll的強(qiáng)度為第二激光L2的強(qiáng)度的90%左右。其理由如 下。如圖10所示，頻率調(diào)整工序S90中的第二激光L2的強(qiáng)度被設(shè)定為能夠穿過(guò)壓電 振動(dòng)片4的重錘金屬膜21而進(jìn)行照射。通過(guò)穿過(guò)重錘金屬膜21地照射第二激光L2，能夠 在壓電振動(dòng)片不殘留熱能的情況下使重錘金屬膜21的微調(diào)膜蒸發(fā)。在此，第二激光L2到 達(dá)接合膜35，有可能有接合膜35飛散。但是，在頻率調(diào)整工序S90中，由于重錘金屬膜21 的切邊量非常少，所以即便第二激光L2到達(dá)接合膜35，接合膜35被切邊的量也是極少量。 然后，即便飛散的接合膜35附著到壓電振動(dòng)片4的振動(dòng)腕部10、11，由于其重量較輕，所以 對(duì)壓電振動(dòng)器1的串聯(lián)振動(dòng)電阻值沒(méi)有影響。另一方面，在吸氣工序S80中，將第一激光Ll設(shè)定成與第二激光L2相等的強(qiáng)度的 情況下，有可貫通吸氣材料34及壓電振動(dòng)片4而到達(dá)形成在蓋基板用圓片50的接合膜35， 且接合膜35飛散。在此，吸氣工序S80的切邊量，多達(dá)頻率調(diào)整工序S90的切邊量的約5 倍左右，因此當(dāng)?shù)谝患す釲l到達(dá)接合膜35時(shí)，接合膜35被多量切邊。然后，當(dāng)飛散的接合 膜35附著到壓電振動(dòng)片4的振動(dòng)腕部10、11時(shí)，因其重量而壓電振動(dòng)器1的串聯(lián)振動(dòng)電阻 值惡化。此外，在接合膜35用Al等形成的情況下，通過(guò)接合膜35的吸氣效果，提高空腔C 內(nèi)的真空度。其結(jié)果，壓電振動(dòng)器1的串聯(lián)振動(dòng)電阻值有可能提高。可是，如本實(shí)施方式那 樣，當(dāng)接合膜35用Si形成時(shí)，接合膜35沒(méi)有吸氣效果，因此也不會(huì)提高壓電振動(dòng)器1的串 聯(lián)振動(dòng)電阻值。因此，在接合膜35用Si形成時(shí)，抑制接合膜的飛散的必要性較高?；谝陨侠碛桑谖鼩夤ば騍80中，設(shè)定第一激光Ll的強(qiáng)度弱于第二激光L2的強(qiáng) 度，從而即便第一激光Ll到達(dá)接合膜35，接合膜35的飛散的量也較少。由此，能夠減少附 著到壓電振動(dòng)片4的振動(dòng)腕部10、11的接合膜35，因此能夠抑制壓電振動(dòng)器1的等效電阻 值的上升。而且，在本實(shí)施方式中，設(shè)定第一激光Ll的強(qiáng)度弱于第二激光L2的強(qiáng)度，且使第 一激光Ll不貫通吸氣材料34。由此，第一激光Ll不會(huì)到達(dá)接合膜35，接合膜35也不會(huì)飛 散。因而，接合膜35也不會(huì)附著到壓電振動(dòng)片4的振動(dòng)腕部10、11，因此能夠可靠地抑制壓 電振動(dòng)器1的等效電阻值的上升。此外，在本實(shí)施方式中，在吸氣工序S80和頻率調(diào)整工序S90中使用相同的激光照 射裝置(未圖示)調(diào)整激光強(qiáng)度。由此，能夠在吸氣工序S80和頻率調(diào)整工序S90中共用激光照射裝置，因此能夠抑制制造成本的上升。(切斷工序)在結(jié)束頻率的微調(diào)后，進(jìn)行將所接合的圓片體60沿著圖9所示的切斷線M切斷的 切斷工序S100。具體而言，首先在圓片體60的基底基板用圓片40的表面粘貼UV帶。接 著，從蓋基板用圓片50 —側(cè)沿著切斷線M照射激光(劃片)。接著，從UV帶的表面沿著切 斷線M推上切斷刀，從而切斷(斷開(kāi))圓片體60。然后，照射UV而剝離UV帶。由此，能夠 將圓片體60分離成多個(gè)壓電振動(dòng)器。此外，通過(guò)除此以外的切割等的方法來(lái)切斷圓片體60 也可。此外，進(jìn)行切斷工序SlOO而做成各個(gè)壓電振動(dòng)器之后，進(jìn)行頻率調(diào)整工序S90的 工序順序也可。但是，如上所述，通過(guò)先進(jìn)行頻率調(diào)整工序S90，能夠在圓片體60的狀態(tài)下 進(jìn)行微調(diào)，因此能夠更有效地微調(diào)多個(gè)壓電振動(dòng)器。因而，能提高生產(chǎn)量，在此方面是理想 的。(電氣特性檢查)其后，進(jìn)行內(nèi)部的電特性檢查(SllO)。即，測(cè)定壓電振動(dòng)片4的諧振頻率、諧振電 阻值、驅(qū)動(dòng)電平特性(諧振頻率及諧振電阻值的激振電力依賴性)等并加以核對(duì)。此外，將 絕緣電阻特性等一并核對(duì)。并且，最后進(jìn)行壓電振動(dòng)器的外觀檢查，對(duì)尺寸或質(zhì)量等進(jìn)行最 終核對(duì)。由此結(jié)束壓電振動(dòng)器的制造。依據(jù)本實(shí)施方式，如圖10所示，在吸氣工序S80中，第一激光Ll的強(qiáng)度弱于第二 激光L2的強(qiáng)度，因此即便第一激光Ll貫通吸氣材料34而到達(dá)形成在蓋基板3的接合膜35， 接合膜35的飛散的量也較少。由此，能夠減少附著到壓電振動(dòng)片4的振動(dòng)腕部10、11的接 合膜35，因此能夠抑制壓電振動(dòng)器1的等效電阻值的上升。因而，能夠抑制壓電振動(dòng)器1的 效率惡化，能夠制造出能得到良好的電特性的壓電振動(dòng)器1。(振蕩器)接著，參照?qǐng)D11，對(duì)本發(fā)明的振蕩器的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的振蕩器110如圖11所示，將壓電振動(dòng)器1構(gòu)成為電連接至集成電路 111的振子。該振蕩器Iio具備安裝了電容器等的電子元器件112的基板113。在基板113 安裝有振蕩器用的上述集成電路111，在該集成電路111的附近安裝有壓電振動(dòng)器1的壓電 振動(dòng)片。這些電子元器件112、集成電路111及壓電振動(dòng)器1通過(guò)未圖示的布線圖案分別電 連接。此外，各構(gòu)成部件通過(guò)未圖示的樹(shù)脂來(lái)模制(mould)。在這樣構(gòu)成的振蕩器110中，對(duì)壓電振動(dòng)器1施加電壓時(shí)，該壓電振動(dòng)器1內(nèi)的壓 電振動(dòng)片振動(dòng)。通過(guò)壓電振動(dòng)片所具有的壓電特性，將該振動(dòng)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，以電信號(hào)方式 輸入至集成電路111。通過(guò)集成電路111對(duì)輸入的電信號(hào)進(jìn)行各種處理，以頻率信號(hào)的方式 輸出。從而，壓電振動(dòng)器1作為振子起作用。此外，根據(jù)需求有選擇地設(shè)定集成電路111的結(jié)構(gòu)，例如RTC(實(shí)時(shí)時(shí)鐘)模塊等， 除了鐘表用單功能振蕩器等之外，還能夠附加控制該設(shè)備或外部設(shè)備的工作日期或時(shí)刻或 者提供時(shí)刻或日歷等的功能。依據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器110，由于具備以能獲得良好的電特性的制造方法制造 的壓電振動(dòng)器1，能夠提供性能良好的振蕩器110。(電子設(shè)備)
接著，參照?qǐng)D12，就本發(fā)明的電子設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外作為電子設(shè) 備，舉例說(shuō)明了具有上述壓電振動(dòng)器1的便攜信息設(shè)備120。最初本實(shí)施方式的便攜信息設(shè) 備120以例如便攜電話為代表，發(fā)展并改良現(xiàn)有技術(shù)中的手表。外觀類似于手表，在相當(dāng)于 文字盤(pán)的部分配有液晶顯示器，能夠在該畫(huà)面上顯示當(dāng)前的時(shí)刻等。此外，在作為通信機(jī)而 利用的情況下，從手腕取下，通過(guò)內(nèi)置于表帶的內(nèi)側(cè)部分的揚(yáng)聲器和麥克風(fēng)而能夠進(jìn)行與 現(xiàn)有技術(shù)的便攜電話相同的通信。然而，與現(xiàn)有的便攜電話相比較，明顯小型化且輕型化。下面，對(duì)本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備120的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如圖12所示，該便攜 信息設(shè)備120具備壓電振動(dòng)器1和供電用的電源部121。電源部121例如由鋰二次電池構(gòu) 成。進(jìn)行各種控制的控制部122、進(jìn)行時(shí)刻等的計(jì)數(shù)的計(jì)時(shí)部123、與外部進(jìn)行通信的通信 部124、顯示各種信息的顯示部125、和檢測(cè)各功能部的電壓的電壓檢測(cè)部126與該電源部 121并聯(lián)連接。而且，通過(guò)電源部121來(lái)對(duì)各功能部供電。控制部122控制各功能部，進(jìn)行聲音數(shù)據(jù)的發(fā)送及接收、當(dāng)前時(shí)刻的測(cè)量或顯示 等的整個(gè)系統(tǒng)的動(dòng)作控制。此外，控制部122具備預(yù)先寫(xiě)入程序的ROM、讀取寫(xiě)入到該ROM 的程序并執(zhí)行的CPU、和作為該CPU的工作區(qū)使用的RAM等。計(jì)時(shí)部123具備內(nèi)置了振蕩電路、寄存器電路、計(jì)數(shù)器電路及接口電路等的集成 電路和壓電振動(dòng)器1。對(duì)壓電振動(dòng)器1施加電壓時(shí)壓電振動(dòng)片振動(dòng)，通過(guò)水晶所具有的壓電 特性，該振動(dòng)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，以電信號(hào)的方式輸入到振蕩電路。振蕩電路的輸出被二值化， 通過(guò)寄存器電路和計(jì)數(shù)器電路來(lái)計(jì)數(shù)。然后，通過(guò)接口電路，與控制部122進(jìn)行信號(hào)的發(fā)送 與接收，在顯示部125顯示當(dāng)前時(shí)刻或當(dāng)前日期或者日歷信息等。通信部IM具有與現(xiàn)有的便攜電話相同的功能，具備無(wú)線電部127、聲音處理部 128、切換部129、放大部130、聲音輸入/輸出部131、電話號(hào)碼輸入部132、來(lái)電音發(fā)生部 133及呼叫控制存儲(chǔ)器部134。通過(guò)天線135，無(wú)線電部127與基站進(jìn)行收發(fā)聲音數(shù)據(jù)等各種數(shù)據(jù)的交換。聲音處 理部1 對(duì)從無(wú)線電部127或放大部130輸入的聲音信號(hào)進(jìn)行編碼及解碼。放大部130將 從聲音處理部1 或聲音輸入/輸出部131輸入的信號(hào)放大到既定電平。聲音輸入/輸出 部131由揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)等構(gòu)成，擴(kuò)大來(lái)電音或受話聲音，或者將聲音集音。此外，來(lái)電音發(fā)生部133響應(yīng)來(lái)自基站的呼叫而生成來(lái)電音。切換部1 僅在來(lái) 電時(shí)，通過(guò)將連接在聲音處理部128的放大部130切換到來(lái)電音發(fā)生部133，在來(lái)電音發(fā)生 部133中生成的來(lái)電音經(jīng)由放大部130輸出至聲音輸入/輸出部131。此外，呼叫控制存儲(chǔ)器部134存放與通信的呼叫及來(lái)電控制相關(guān)的程序。此外，電 話號(hào)碼輸入部132具備例如0至9的號(hào)碼鍵及其它鍵，通過(guò)按壓這些號(hào)碼鍵等，輸入通話目 的地的電話號(hào)碼等。電壓檢測(cè)部126在通過(guò)電源部121對(duì)控制部122等的各功能部施加的電壓小于既 定值時(shí)，檢測(cè)其電壓降后通知控制部122。這時(shí)的既定電壓值是作為使通信部IM穩(wěn)定動(dòng)作 所需的最低限的電壓而預(yù)先設(shè)定的值，例如，3V左右。從電壓檢測(cè)部126收到電壓降的通知 的控制部122禁止無(wú)線電部127、聲音處理部128、切換部1 及來(lái)電音發(fā)生部133的動(dòng)作。 特別是，停止耗電較大的無(wú)線電部127的動(dòng)作是必需的。而且，顯示部125顯示通信部IM 由于電池余量的不足而不能使用的提示。S卩，能夠由電壓檢測(cè)部1 和控制部122禁止通信部124的動(dòng)作并在顯示部125
13顯示該提示。該顯示可以是文字消息，但作為更直觀的顯示，也可以在顯示于顯示部125的 顯示面的上部的電話圖標(biāo)打“ X (叉)”標(biāo)記。此外，通過(guò)具備能夠有選擇地截?cái)嗯c通信部124的功能相關(guān)的部分的電源的電源 截?cái)嗖?36，能夠更加可靠地停止通信部124的功能。依據(jù)本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備120，由于具備以能獲得良好的電特性的制造方 法制造的壓電振動(dòng)器1，能夠提供性能良好的便攜信息設(shè)備120。(電波鐘)接著，參照?qǐng)D13，就本發(fā)明的電波鐘的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。如圖13所示，本實(shí)施方式的電波鐘140具備電連接到濾波部141的壓電振動(dòng)器 1，是接收包含時(shí)鐘信息的標(biāo)準(zhǔn)電波，并具有自動(dòng)修正為正確的時(shí)刻并加以顯示的功能的鐘表。在日本國(guó)內(nèi)，在福島縣(40kHz)和佐賀縣(60kHz)有發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波的發(fā)送站(發(fā) 送局)，分別發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波。40kHz或60kHz這樣的長(zhǎng)波兼有沿地表傳播的性質(zhì)和在電離層 和地表邊反射邊傳播的性質(zhì)，因此其傳播范圍寬，且由上述的兩個(gè)發(fā)送站覆蓋整個(gè)日本國(guó) 內(nèi)。以下，對(duì)電波鐘140的功能性結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。天線142接收40kHz或60kHz長(zhǎng)波的標(biāo)準(zhǔn)電波。長(zhǎng)波的標(biāo)準(zhǔn)電波將被稱為定時(shí)碼 的時(shí)刻信息AM調(diào)制為40kHz或60kHz的載波。所接收的長(zhǎng)波的標(biāo)準(zhǔn)電波由放大器143放 大，由具有多個(gè)壓電振動(dòng)器1的濾波部141濾波并調(diào)諧。本實(shí)施方式中的壓電振動(dòng)器1分別具備與上述載波頻率相同的40kHz及60kHz的 諧振頻率的水晶振動(dòng)器部148、149。而且，濾波后的既定頻率的信號(hào)通過(guò)檢波、整流電路144來(lái)檢波并解調(diào)。接著，經(jīng)由波形整形電路145而抽出定時(shí)碼，由CPU146計(jì)數(shù)。在CPU146中，讀取 當(dāng)前的年、累積日、星期、時(shí)刻等的信息。被讀取的信息反映于RTC147，顯示出準(zhǔn)確的時(shí)刻信 肩、ο由于載波為40kHz或60kHz，所以水晶振動(dòng)器部148、149優(yōu)選具有上述的音叉型結(jié) 構(gòu)的振動(dòng)器。此外，雖然上述的說(shuō)明由日本國(guó)內(nèi)的示例表示，但長(zhǎng)波的標(biāo)準(zhǔn)電波的頻率在海外 是不同的。例如，在德國(guó)使用77.5KHZ的標(biāo)準(zhǔn)電波。所以，在將即使在海外也能夠?qū)?yīng)的電 波鐘140裝入便攜設(shè)備的情況下，還需要與日本的情況不同的頻率的壓電振動(dòng)器1。如上所述，依據(jù)本實(shí)施方式的電波鐘140，由于具備以能獲得良好的電特性的制造 方法制造的壓電振動(dòng)器1，能夠提供性能良好的電波鐘140。此外，本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中，舉例利用音叉型壓電振動(dòng)片的壓電振動(dòng)器而說(shuō)明了制造方法。 但是，例如在利用AT切割型壓電振動(dòng)片(間隙滑移型振動(dòng)片)的壓電振動(dòng)器上采用本實(shí)施 方式的制造方法也可。在本實(shí)施方式中，吸氣材料由Cr形成，接合膜由Si形成，且吸氣材料和接合膜由 不同的材料形成，但兩者用相同的材料形成也可。但是，將接合膜用Si形成的情況下提高 耐腐蝕性，因此本實(shí)施方式有優(yōu)勢(shì)。
在本實(shí)施方式中，作為第一激光及第二激光采用綠激光(波長(zhǎng)532nm)。但是，采用 不同波長(zhǎng)的激光也可。但是，從微細(xì)加工的優(yōu)越性考慮，本實(shí)施方式的綠激光有優(yōu)勢(shì)。在本實(shí)施方式中，吸氣工序中的第一激光及頻率調(diào)整工序中的第二激光的照射， 是用同一激光照射裝置來(lái)進(jìn)行的。但是，從分別不同的激光照射裝置照射第一激光及第二 激光也可。通過(guò)具備分別不同的激光照射裝置，不需要調(diào)整第一激光及第二激光的激光強(qiáng) 度。因而，能夠減少制造工時(shí)。但是，從制造設(shè)備的成本考慮，本實(shí)施方式在共用激光照射 裝置方面具有優(yōu)勢(shì)。附圖標(biāo)記說(shuō)明1…壓電振動(dòng)器；2…基底基板；3…蓋基板；4…壓電振動(dòng)片；10、11…振動(dòng)腕部； 21…重錘金屬膜；34…吸氣材料；35…接合膜；110…振蕩器；120…便攜信息設(shè)備(電子設(shè) 備)；123…計(jì)時(shí)部；140…電波鐘；141…濾波部；C…空腔；Ll…第一激光；L2…第二激光； S80…吸氣工序；S90…頻率調(diào)整工序。
1權(quán)利要求
1.一種壓電振動(dòng)器的制造方法，其中該壓電振動(dòng)器包括 互相接合的基底基板及蓋基板、在所述蓋基板的與所述基底基板的接合面?zhèn)鹊恼麄€(gè)表面形成的接合膜、 在所述基底基板和所述蓋基板之間形成的空腔、 密封于所述空腔內(nèi)且安裝于所述基底基板的壓電振動(dòng)片、以及 密封于所述空腔內(nèi)且形成在所述基底基板的吸氣材料， 其特征在于，所述制造方法包括吸氣工序，從所述基底基板的外側(cè)貫通所述基底基板而對(duì)所述吸氣材料照射第一激 光，從而激活所述吸氣材料而吸附存在于所述空腔內(nèi)的氣體；以及頻率調(diào)整工序，從所述基底基板的外側(cè)貫通所述基底基板而對(duì)形成在所述壓電振動(dòng)片 的振動(dòng)腕部的前端的重錘金屬膜照射第二激光，調(diào)整所述壓電振動(dòng)片的頻率，所述吸氣工序中的所述第一激光的強(qiáng)度弱于所述頻率調(diào)整工序中的所述第二激光的 強(qiáng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的壓電振動(dòng)器的制造方法，其特征在于，所述第一激光不貫通所 述吸氣材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的壓電振動(dòng)器的制造方法，其特征在于，在所述吸氣工序和所 述頻率調(diào)整工序中使用相同的激光照射裝置來(lái)調(diào)整激光強(qiáng)度，照射所述第一激光及所述第二激光。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的壓電振動(dòng)器的制造方法，其特征在于，所述接合膜 由Si構(gòu)成。
5.一種振蕩器，其特征在于，以權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的壓電振 動(dòng)器，作為振子電連接到集成電路。
6.一種電子設(shè)備，其特征在于，以權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的壓電 振動(dòng)器，電連接至計(jì)時(shí)部。
7.一種電波鐘，其特征在于，以權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的壓電振 動(dòng)器，電連接至濾波部。
全文摘要
本發(fā)明提供抑制吸氣工序時(shí)的接合膜的飛散并能得到良好的電特性的壓電振動(dòng)器的制造方法、搭載了能得到良好的電特性的壓電振動(dòng)器的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。其特征在于包括以下工序吸氣工序(S80)，從基底基板(2)的外側(cè)貫通基底基板(2)而對(duì)吸氣材料(34)照射第一激光(L1)，使吸氣材料(34)激活，從而吸附存在于空腔(C)內(nèi)的氣體；以及頻率調(diào)整工序(S90)，從基底基板(2)的外側(cè)貫通基底基板(2)而對(duì)形成在壓電振動(dòng)片(4)的振動(dòng)腕部(10、11)的前端的重錘金屬膜(21)照射第二激光(L2)，對(duì)壓電振動(dòng)片(4)的頻率進(jìn)行調(diào)整，吸氣工序(S80)中的第一激光(L1)的強(qiáng)度弱于頻率調(diào)整工序(S90)中的第二激光(L2)的強(qiáng)度。
文檔編號(hào)G04C9/02GK102122930SQ201110007590
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2011年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月8日
發(fā)明者福田純也 申請(qǐng)人:精工電子有限公司