專利名稱：偏置電位產(chǎn)生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于為驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生偏置電位以便驅(qū)動(dòng)液晶板等的偏置電位產(chǎn)生裝置，更具體地說，涉及一種在省電(power save)模式關(guān)閉并且能夠快速地從省電模式快速地恢復(fù)到操作模式的偏置電位產(chǎn)生裝置。
背景技術(shù)：
近年來，對(duì)于在便攜式電子設(shè)備中構(gòu)造液晶板的需求已經(jīng)逐步增加，因此，非常需要降低液晶顯示板的功率消耗。在用于驅(qū)動(dòng)液晶板的液晶驅(qū)動(dòng)裝置中，可以通過省電操作，有效地降低功率消耗，在省電模式中，停止輸出電路，并且在不顯示圖像的消隱周期期間，將穩(wěn)定電流降低到零。此外，為了促使功率消耗的降低，需要經(jīng)常地執(zhí)行省電操作。
在對(duì)液晶驅(qū)動(dòng)裝置執(zhí)行省電操作時(shí)，需要從省電模式快速地恢復(fù)到操作模式。然而，在傳統(tǒng)的液晶驅(qū)動(dòng)裝置中，偏置電位還不能夠以充分高的速率恢復(fù)。根據(jù)作為形成液晶驅(qū)動(dòng)裝置的電路裝置之一的偏置電位產(chǎn)生裝置，可以特別明顯地認(rèn)識(shí)到該問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種能夠快速地恢復(fù)偏置電位的偏置電位產(chǎn)生裝置。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提出了一種偏置電位產(chǎn)生裝置，產(chǎn)生作為偏置電位的多個(gè)電位，并且在偏置電位和待機(jī)電位(standby potential)之間對(duì)產(chǎn)生的每一個(gè)電位進(jìn)行切換。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出了一種偏置電位產(chǎn)生裝置，包括電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作，其中，為每一個(gè)偏置電位設(shè)置電位恢復(fù)電路。結(jié)果，可以確保為每一個(gè)偏置電位執(zhí)行電位恢復(fù)操作，從而可以縮短恢復(fù)時(shí)間。
驅(qū)動(dòng)控制電路用于依據(jù)脈沖波形信號(hào)，控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作，優(yōu)選的是，該驅(qū)動(dòng)控制電路包括振蕩電路，用于產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)以便產(chǎn)生脈沖波形信號(hào)。按照這種方式，可以取消用于將時(shí)鐘信號(hào)從外部信號(hào)源輸入到偏置電位產(chǎn)生裝置的終端(terminal)。
優(yōu)選的是，依據(jù)本發(fā)明的偏置電位產(chǎn)生裝置還包括驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路，用于任意地設(shè)置電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。然后，可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)整用于快速地恢復(fù)偏置電位產(chǎn)生電路所需要的電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間，其中所述的電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間可能會(huì)隨著溫度或者電源電壓(source voltage)而改變。因此，即使在電源電壓或者溫度經(jīng)歷變化的情況下，也可以快速地將所有的偏置電位恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖?just level)。
下面將描述用于調(diào)整驅(qū)動(dòng)時(shí)間的特定配置。具體地說，驅(qū)動(dòng)控制電路用于依據(jù)脈沖波形信號(hào)，控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作，并且所述的驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路包括用于輸出脈沖波形信號(hào)的脈沖波形的寬度的設(shè)置值的寄存器。
優(yōu)選的是，偏置電位產(chǎn)生電路還包括電流設(shè)置電路，用于任意地設(shè)置在恢復(fù)偏置電位時(shí)的用于電位恢復(fù)電路的恢復(fù)電流。通過這樣做，可以最佳地調(diào)整用于快速地恢復(fù)偏置電位產(chǎn)生裝置所需要的恢復(fù)電流。因此，即使在電源電壓或者溫度經(jīng)歷變化的情況下，也可以快速地將所有的偏置電位恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖健?br> 下面將描述用于調(diào)整驅(qū)動(dòng)電流的特定配置。具體地說，電位恢復(fù)電路包括用于產(chǎn)生恢復(fù)電流的相互并聯(lián)的多個(gè)MOS晶體管，并且電流設(shè)置電路向每一個(gè)MOS晶體管分別提供導(dǎo)通控制信號(hào)。
電位恢復(fù)電路包括相互串聯(lián)的多個(gè)MOS晶體管，其中使晶體管柵極電位和漏極電位相互短路，以便產(chǎn)生閾值電壓。優(yōu)選的是，通過改變MOS晶體管的數(shù)量，可以任意地設(shè)置用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位的電位恢復(fù)電路的恢復(fù)電壓。通過這樣做，可以按照需要設(shè)置恢復(fù)電壓。按照這種方式，即使在電源電壓或者溫度發(fā)生改變的情況下，也可以將所有的偏置電位快速地恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖健?br> 優(yōu)選的是，偏置電位產(chǎn)生裝置還包括參考電位產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生等于偏置電位的參考電位，在參考電位產(chǎn)生電路中，在產(chǎn)生的電位到達(dá)參考電位前的一段時(shí)間內(nèi)，驅(qū)動(dòng)電位恢復(fù)電路，并且當(dāng)產(chǎn)生的電位到達(dá)參考電位時(shí)，停止驅(qū)動(dòng)電位恢復(fù)電路。通過這樣做，即使在源電位或者溫度發(fā)生改變的情況下，也可以快速地恢復(fù)所有的偏置電位。
電位恢復(fù)電路可以配置恢復(fù)電位產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生具有與偏置電位相同的電位的恢復(fù)電位，其中，當(dāng)將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位時(shí)，使產(chǎn)生的電位與恢復(fù)電位短路。通過這樣做，即使在電源電壓或者溫度發(fā)生改變的情況下，也可以將所有的偏置電位快速地恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖?，而與在從關(guān)狀態(tài)恢復(fù)到開狀態(tài)時(shí)的電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間無關(guān)。
如以上所述，依據(jù)本發(fā)明，可以快速地將偏置電位恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖健?br> 同時(shí)，可以取消用于從外部信號(hào)源向偏置電位提供時(shí)鐘信號(hào)的終端。
此外，考慮到可以將恢復(fù)電流和恢復(fù)電壓設(shè)置為任意值，即使在諸如電源電壓的條件發(fā)生改變時(shí)，也可以依據(jù)電位恢復(fù)電路的容量(capacity)的改變，快速地并且最佳地恢復(fù)偏置電位。


通過理解以下所描述的并且在所附權(quán)利要求中所闡明的特定實(shí)例，本發(fā)明的其他目的將變得顯而易見。同時(shí)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過實(shí)施本發(fā)明，將會(huì)認(rèn)識(shí)到在本說明書中未描述的本發(fā)明的許多優(yōu)點(diǎn)。
圖1是示出依據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的配置的電路圖。
圖2是示出依據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的操作的時(shí)序圖。
圖3是示出依據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的配置的電路圖。
圖4是示出依據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的操作的時(shí)序圖。
圖5是示出依據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的配置的電路圖。
圖6是示出依據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的配置的電路圖。
圖7是示出依據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的配置的電路圖。
圖8是示出依據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的配置的電路圖。
圖9是示出采用本發(fā)明的偏置電位產(chǎn)生裝置的基本配置的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖，描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
首先，參考圖9，將說明包括依據(jù)本發(fā)明的偏置電位產(chǎn)生裝置的基本配置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置。圖9是示出包括與偏置電位產(chǎn)生裝置組合在一起的具有n個(gè)輸出的驅(qū)動(dòng)輸出電路的液晶驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
在液晶驅(qū)動(dòng)裝置內(nèi)配置偏置電位產(chǎn)生裝置30包括P溝道MOS晶體管2、5和7、N溝道MOS晶體管4、6、9和10、電阻器3、反相器8、以及控制電路31。偏置電位產(chǎn)生裝置30輸出構(gòu)成在每一個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的P溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASP、以及構(gòu)成在每一個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的N溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASN。數(shù)字32(1)到32(n)及33(1)到33(n)表示布線電容(wiring capacitance)。
下面將說明在具有以上提到的偏置的偏置電位產(chǎn)生裝置中從省電模式中進(jìn)行恢復(fù)所執(zhí)行的操作。
首先，在對(duì)液晶的驅(qū)動(dòng)操作期間，省電信號(hào)PS未啟動(dòng)(低電平)，因而P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9是截止的，而N溝道MOS晶體管4是導(dǎo)通的。同時(shí)，控制電路31將快速恢復(fù)信號(hào)RT轉(zhuǎn)變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)，其中所述的快速恢復(fù)信號(hào)RT被施加到N溝道MOS晶體管10的柵極電位。依據(jù)時(shí)鐘輸入CLK和初始的快速恢復(fù)信號(hào)RTO，在脈沖波中形成快速恢復(fù)信號(hào)RT。由快速恢復(fù)信號(hào)RT使N溝道MOS晶體管10截止(未激活)。
在這種情況下，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同工作以便產(chǎn)生偏置電位VIASP。按照相似地方式，P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6協(xié)同工作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASN。將偏置電位VIASP和VIASN提供給液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)。
當(dāng)從操作模式轉(zhuǎn)換為省電模式時(shí)，省電信號(hào)PS變?yōu)閱?dòng)(active)狀態(tài)(高電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9導(dǎo)通，而N溝道MOS晶體管4截止。結(jié)果，VIASP的偏置電位變?yōu)楦唠娖?，P溝道MOS晶體管5截止，并且偏置電位VIASN變?yōu)榈碗娖?。在偏置電位產(chǎn)生裝置30中的穩(wěn)定電流降低為零，因此，偏置電位產(chǎn)生裝置30進(jìn)入省電模式。
另一方面，在從省電模式轉(zhuǎn)換為操作模式時(shí)，省電信號(hào)PS變?yōu)槲磫?dòng)(inactive)狀態(tài)(低電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9截止，而N溝道MOS晶體管4導(dǎo)通。結(jié)果，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4導(dǎo)致了使偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位電平的趨勢。然而，為了使偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位，需要對(duì)放大器31(1)到31(n)的輸入電容和布線電容32(1)到32(n)進(jìn)行放電。該放電操作需要花費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間。因此，如果不存取一些措施，則偏置電位VIASP的恢復(fù)需要相當(dāng)長的時(shí)間。
考慮到這一問題，控制電路31將快速恢復(fù)信號(hào)RT轉(zhuǎn)變?yōu)閱?dòng)(高電平)狀態(tài)，并且將由此產(chǎn)生的信號(hào)提供給N溝道MOS晶體管10的柵極電位。因此，使N溝道MOS晶體管10在預(yù)定長度的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。結(jié)果，偏置電位VIASP被拉到地電位，并且快速地返回到預(yù)定的偏置電位。
成功的恢復(fù)到偏置電位VIASP導(dǎo)致偏置電位VIASN通過P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平，從而完成恢復(fù)操作。
然而，由于以下所描述的原因，用于恢復(fù)偏置電位產(chǎn)生裝置30的偏置電位的前述操作的速度不夠高。
在偏置電位產(chǎn)生裝置30中，通過N溝道MOS晶體管10的操作快速地恢復(fù)偏置電位VIASP，而使用由于P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6產(chǎn)生的極小的電流(minuscule current)來恢復(fù)偏置電位VIASN。結(jié)果，需要相當(dāng)長的時(shí)間對(duì)放大器31(1)到31(n)的輸入電容和布線電容33(1)到33(n)進(jìn)行充電，從而成為對(duì)偏置電位VIASN進(jìn)行快速恢復(fù)的障礙。
同時(shí)，偏置電位產(chǎn)生裝置30需要依據(jù)溫度和電源電壓的改變，對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行最佳地調(diào)整。否則，偏置電位VIASP將會(huì)被過量地或者不充分地拉向地電位，或者電流消耗將會(huì)增加，或者恢復(fù)時(shí)間將會(huì)發(fā)生延遲。另一方面，偏置電位產(chǎn)生裝置30的快速恢復(fù)所需要的快速恢復(fù)信號(hào)RT的信號(hào)形式(signal form)(諸如脈沖寬度)具有隨溫度和電源電壓改變的特性。因此，為了快速地恢復(fù)偏置電位VIASP，需要通過針對(duì)特定的條件，對(duì)在最佳信號(hào)形式中的快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行設(shè)置來設(shè)計(jì)該裝置。然而，在偏置電位產(chǎn)生裝置30中，不能夠?qū)⒖焖倩謴?fù)信號(hào)RT調(diào)整為用于快速恢復(fù)的最佳信號(hào)形式。
通過以下描述的本發(fā)明的每一個(gè)實(shí)施例，可以消除偏置電位產(chǎn)生裝置30中的這些不利情況。
(第一優(yōu)選實(shí)施例)圖1示出包括有依據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)置的偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置。依據(jù)該實(shí)施例，將參考其中包括有與具有n個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)輸出的啟動(dòng)輸出電路組合在一起的偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。
在圖1中，參考符號(hào)1表示偏置電位產(chǎn)生裝置。該偏置電位產(chǎn)生裝置1包括P溝道MOS晶體管2、5、7和12、N溝道MOS晶體管4、6、9和10、電阻器3、反相器8和13、控制電路11、振蕩電路14、以及寄存器15A。偏置電位產(chǎn)生裝置1輸出偏置電位VIASP和VIASN。偏置電位VIASP構(gòu)成在用于驅(qū)動(dòng)液晶的每一個(gè)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的P溝道MOS晶體管的柵極電位。偏置電位VIASN構(gòu)成恒流源的N溝道MOS晶體管的柵極電位。數(shù)字32(1)到32(n)和數(shù)字33(1)到33(n)表示布線電容。
控制電路11依據(jù)從振蕩電路14輸出的時(shí)鐘輸入CLK，輸出在脈沖波形中的快速恢復(fù)信號(hào)RT?？刂齐娐?1依據(jù)從寄存器中輸出的設(shè)置值，對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度進(jìn)行調(diào)整。
下面將說明從省電模式中恢復(fù)具有如上所闡明的配置的偏置電位產(chǎn)生裝置的操作。
首先，在驅(qū)動(dòng)液晶的操作期間，省電信號(hào)PS處于未啟動(dòng)(低電平)狀態(tài)。因此，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9處于截止?fàn)顟B(tài)，而N溝道晶體管4處于導(dǎo)通狀態(tài)。同時(shí)，由于構(gòu)成控制電路11的輸出信號(hào)的快速恢復(fù)信號(hào)RT處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，因此，N溝道MOS晶體管10處于截止?fàn)顟B(tài)。按照相似的方式，由于快速恢復(fù)信號(hào)NTR處于啟動(dòng)狀態(tài)(高電平)，因此，P溝道MOS晶體管12處于截止?fàn)顟B(tài)。快速恢復(fù)信號(hào)NRT由反相器13作為對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行取反的結(jié)果產(chǎn)生。
在該過程中，通過P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4的協(xié)同操作，產(chǎn)生偏置電位VIASP。按照相似的方式，通過P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6的協(xié)同操作，產(chǎn)生偏置電位VIASN。將這些偏置電位VIASP和VIASN提供給液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)。
然后，在從操作模式轉(zhuǎn)換到省電模式時(shí)，省電信號(hào)PS變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9導(dǎo)通，而N溝道MOS晶體管4截止。結(jié)果，偏置電位VIASP變?yōu)楦唠娖?待機(jī)電位)，P溝道MOS晶體管5截止，從而使偏置電位VIASN變?yōu)榈碗娖綘顟B(tài)(待機(jī)電位)。按照這種方式，偏置電位VIASP和VIASN轉(zhuǎn)換為待機(jī)電位，因此，在偏置電位產(chǎn)生裝置1中的穩(wěn)定電流變?yōu)榱?，從而將偏置電位產(chǎn)生裝置1設(shè)置到省電模式中。
然后，在下一次從省電模式轉(zhuǎn)換到操作模式時(shí)，省電信號(hào)PS變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9截止，而N溝道MOS晶體管4導(dǎo)通。結(jié)果，P溝道MOS晶體管2、電阻器3和N溝道MOS晶體管4的協(xié)同操作導(dǎo)致使偏置電位VIASP返回到預(yù)定偏置電位的趨勢。
然而，使偏置電位VIASP返回到預(yù)定偏置電位電平需要對(duì)放大器31(1)到31(n)的輸入電容和布線電容32(1)到32(n)進(jìn)行放電。該過程需要一定長度的時(shí)間。因此，如果不采用一些對(duì)策，則偏置電位VIASP的恢復(fù)將會(huì)需要一定長度的時(shí)間。
考慮到這一點(diǎn)，控制電路11依據(jù)從振蕩電路14提供的時(shí)鐘輸入CLK、以及從外部信號(hào)源提供給該裝置的原始的快速恢復(fù)信號(hào)RTO，將在脈沖波形中的快速恢復(fù)信號(hào)RT設(shè)置為啟動(dòng)狀態(tài)(高電平)?？刂齐娐?1依據(jù)如圖2所示的寄存器15A的設(shè)置值，對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度(啟動(dòng)周期)進(jìn)行設(shè)置。在圖2所示的情況下，假定寄存器15A的設(shè)置值為1。將快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度(啟動(dòng)周期)設(shè)置為時(shí)鐘輸入CLK中的一個(gè)脈沖的寬度。另一方面，在設(shè)置值為2的情況下，將快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度(啟動(dòng)周期)設(shè)置為等于時(shí)鐘輸入CLK中的兩個(gè)脈沖的值。在設(shè)置值為3的情況下，將快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度(啟動(dòng)周期)設(shè)置為等于時(shí)鐘輸入CLK的三個(gè)脈沖的寬度的值。
結(jié)果，可以改變寄存器15A中的設(shè)置值，并且任意地設(shè)置快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度(啟動(dòng)周期)。
將這樣變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)的快速恢復(fù)信號(hào)RT施加為N溝道MOS晶體管10的柵極電位，從而在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)使晶體管10變?yōu)閷?dǎo)通。因此，偏置電位VIASP被拉到地電位，從而使偏置電位VIASP快速地恢復(fù)到預(yù)定偏置電位電平。
作為由反相器13對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行取反的結(jié)果，快速恢復(fù)信號(hào)NRT變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。將已經(jīng)變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)NRT施加為P溝道MOS晶體管12的柵極電位，從而使該P(yáng)溝道MOS晶體管12在預(yù)定長度的時(shí)間內(nèi)保持導(dǎo)通。結(jié)果，使偏置電位VIASN拉到電源電位，從而使偏置電位VIASN快速地恢復(fù)到預(yù)定的電位。
依據(jù)本實(shí)施例，通過對(duì)N溝道MOS晶體管10進(jìn)行操作，使偏置電位VIASP恢復(fù)到預(yù)定的電位電平，以及通過對(duì)P溝道MOS晶體管12進(jìn)行操作，使偏置電位VIASN恢復(fù)到預(yù)定的電位電平。按照這樣的方式，在偏置電位產(chǎn)生裝置1中設(shè)置對(duì)應(yīng)于每一個(gè)偏置電位的用于恢復(fù)的MOS晶體管10和12縮短了恢復(fù)時(shí)間。
在偏置電位產(chǎn)生裝置1中，可以依據(jù)寄存器15A的設(shè)置值，對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT和NRT中的每一個(gè)脈沖寬度進(jìn)行改變。因此，通過依據(jù)諸如電源電壓的條件的變化對(duì)寄存器15A的設(shè)置值進(jìn)行改變，可以選擇最佳的脈沖寬度。結(jié)果，如果溫度或者電源電壓發(fā)生變化時(shí)，可以依據(jù)該變化，對(duì)快速恢復(fù)偏置電位產(chǎn)生裝置1所需要的MOS晶體管10和12的驅(qū)動(dòng)時(shí)間進(jìn)行設(shè)置。結(jié)果，即使在溫度或者電源電壓發(fā)生改變的情況下，也可以使偏置電位VIASP和VIASN快速地恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖健?br> 依據(jù)該實(shí)施例，P溝道MOS晶體管12和N溝道MOS晶體管10組成了電位恢復(fù)電路。振蕩電路14、控制電路11、以及反相器13構(gòu)成驅(qū)動(dòng)控制電路。同時(shí)，寄存器15A構(gòu)成驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路。
可以用包括相互并聯(lián)的N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管的CMOS傳輸門(transfer gate)，等效地替換依據(jù)本實(shí)施例的N溝道MOS晶體管10和P溝道MOS晶體管12。
(第二優(yōu)選實(shí)施例)圖3是示出包括依據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。依據(jù)本實(shí)施例，將參考包括與具有n個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)輸出的驅(qū)動(dòng)輸出電路組合在一起的偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。
在圖3中，數(shù)字17表示偏置電位產(chǎn)生裝置。偏置電位產(chǎn)生裝置17包括P溝道MOS晶體管2、5、7及12(1)到12(k)、N溝道MOS晶體管4、6、9及10(1)到10(k)、電阻器3、反相器8及13(1)到13(k)、控制電路16、振蕩電路14、以及寄存器15B。偏置電位產(chǎn)生裝置17輸出構(gòu)成在每一個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的P溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASP、以及構(gòu)成在每一個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的N溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASN。數(shù)字32(1)到32(n)和33(1)到33(n)表示布線電容。
控制電路16依據(jù)從振蕩電路14輸出的時(shí)鐘輸入CLK，輸出在脈沖波形中的快速恢復(fù)信號(hào)RT。控制電路16依據(jù)從寄存器15B中輸出的設(shè)置值，調(diào)整在快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)中要被變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的所述的快速恢復(fù)信號(hào)的數(shù)量。
下面將說明從省電模式對(duì)具有以上所提到的配置的偏置電位產(chǎn)生裝置17進(jìn)行恢復(fù)的操作。
在對(duì)液晶進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的操作期間，省電信號(hào)PS處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)。因此，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9截止，而N溝道MOS晶體管4導(dǎo)通。同時(shí)，由于構(gòu)成控制電路16的輸出信號(hào)的快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，因此，N溝道MOS晶體管10(1)到10(k)處于截止?fàn)顟B(tài)。按照相似的方式，由于快速恢復(fù)信號(hào)NRT(1)到NRT(k)處于啟動(dòng)狀態(tài)(高電平)，因此，P溝道MOS晶體管12(1)到12(k)截止。由反相器13(1)到13(k)分別產(chǎn)生作為對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)進(jìn)行取反的結(jié)果的快速恢復(fù)信號(hào)NRT(1)到NRT(k)。
同時(shí)，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同操作以便產(chǎn)生偏置電位VIASP。按照相同的方式，P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6協(xié)同操作以便產(chǎn)生偏置電位VIASN。將偏置電位VIASP和VIASN提供給液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)。
然后，隨著從操作模式轉(zhuǎn)換到省電模式的時(shí)刻的到來，省電信號(hào)SP變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9導(dǎo)通，而N溝道MOS晶體管4截止。結(jié)果，偏置電位VIASP變?yōu)楦唠娖?待機(jī)電位)，因此，P溝道MOS晶體管5截止，并且偏置電位VIASN變?yōu)榈碗娖?待機(jī)電位)。按照這種方式，偏置電位VIASP和VIASN轉(zhuǎn)換為待機(jī)電位，從而使偏置電位產(chǎn)生裝置17變?yōu)槭‰娔Ｊ?，在該裝置的電路中的穩(wěn)定電流也降低為零。
然后，在從省電模式轉(zhuǎn)換操作模式的時(shí)刻，省電信號(hào)PS變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9截止，而N溝道MOS晶體管4導(dǎo)通。結(jié)果，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同操作，從而導(dǎo)致了使偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位電平的趨勢。然而，當(dāng)將偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位電平時(shí)，需要對(duì)放大器31(1)到31(n)的輸入電容和布線電容32(1)到32(n)進(jìn)行放電，這需要花費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間。因此，如果不采取一些措施，則偏置電位VIASP的恢復(fù)會(huì)花費(fèi)一定長度的時(shí)間。
考慮到這一點(diǎn)，控制電路16依據(jù)由振蕩電路14提供的時(shí)鐘輸入CLK、以及從外部信號(hào)源提供給該裝置的原始的快速恢復(fù)信號(hào)RTO，將在脈沖波形中的快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。如圖4所示，控制電路16依據(jù)寄存器15B的設(shè)置值，對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)中要被變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)的數(shù)量進(jìn)行設(shè)置。在圖4所示的情況下，假定寄存器15B的設(shè)置值為1。控制電路16只將快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)，而將其余的快速恢復(fù)信號(hào)RT(2)到RT(k)變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。按照相似的方式，在寄存器15B的設(shè)置值為2的情況下，控制電路16只將快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)和RT(2)變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)，而將其余的快速恢復(fù)信號(hào)RT(3)到RT(k)變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。此外，在寄存器15B的設(shè)置值為3的情況下，控制電路16只將快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(3)變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)，而將其余的快速恢復(fù)信號(hào)RT(4)到RT(k)變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。
通過按照這種方式改變寄存器15B的設(shè)置值，可以任意地對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)中要被變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)的數(shù)量進(jìn)行設(shè)置。
將快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)中已經(jīng)變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)分別施加為N溝道MOS晶體管10(1)到10(k)中對(duì)應(yīng)的N溝道MOS晶體管的柵極電位，從而有選擇地僅僅使晶體管10(1)到10(k)中的特定的晶體管在預(yù)定的時(shí)間長度內(nèi)保持導(dǎo)通。結(jié)果，將偏置電位VIASP拉到地電位，從而使該偏置電位VIASP快速地恢復(fù)到預(yù)定的值。
通過反相器13(1)到13(k)對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)進(jìn)行取反，使快速恢復(fù)信號(hào)NRT(1)到NRT(k)分別變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。然后，將變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)NRT(1)到NRT(k)施加為P溝道MOS晶體管12(1)到12(k)的柵極電位，從而使晶體管12(1)到12(k)在一定長度的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。結(jié)果，將偏置電位VIASN拉到電源一側(cè)，從而使偏置電位VIASN快速地恢復(fù)到預(yù)定的電平。
依據(jù)本實(shí)施例，通過對(duì)N溝道MOS晶體管10(1)到10(k)進(jìn)行操作，可以將偏置電位VIASP恢復(fù)為預(yù)定的偏置電位電平，以及，通過對(duì)P溝道MOS晶體管12(1)到12(k)進(jìn)行操作，可以使偏置電位VIASN恢復(fù)為預(yù)定的偏置電位電平。通過設(shè)置對(duì)應(yīng)于各個(gè)偏置電位的用于恢復(fù)的MOS晶體管10(1)到10(k)及12(1)到12(k)，可以縮短用于恢復(fù)所需要的時(shí)間。
在偏置電位產(chǎn)生裝置17中，可以依據(jù)寄存器15B的設(shè)置值，改變?cè)诳焖倩謴?fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)及NRT(1)到NRT(k)中要被變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)的數(shù)量。因此，通過依據(jù)諸如電源電壓的條件的變化來改變寄存器15B的設(shè)置值，可以選擇在快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)及NRT(1)到NRT(k)中要被變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)的最佳數(shù)量。
通過調(diào)整要被變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)RT(1)到RT(k)及NRT(1)到NRT(k)的數(shù)量，可以調(diào)整在P溝道MOS晶體管12(1)到12(k)及N溝道MOS晶體管10(1)到10(k)中要被變?yōu)閷?dǎo)通的晶體管的數(shù)量。此外，通過調(diào)整在P溝道MOS晶體管12(1)到12(k)及N溝道MOS晶體管10(1)到10(k)中要被變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的晶體管的數(shù)量，可以調(diào)整偏置電位產(chǎn)生裝置17的驅(qū)動(dòng)電流。
結(jié)果，可以依據(jù)特定的變化，對(duì)用于快速地恢復(fù)偏置電位產(chǎn)生裝置17所需要的MOS晶體管10和12的輸出電流進(jìn)行設(shè)置，其中所述的偏置電位產(chǎn)生裝置17可能會(huì)發(fā)生溫度或者電源電壓的變化。結(jié)果，即使在電源電壓或者溫度發(fā)生變化的情況下，也可以將偏置電位VIASP和VIASN快速地恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖健?br> 依據(jù)本實(shí)施例，電位恢復(fù)電路包括P溝道MOS晶體管10(1)到10(k)及N溝道MOS晶體管12(1)到12(k)；驅(qū)動(dòng)控制電路包括振蕩電路14、控制電路16、以及反相器13(1)到13(k)；以及電流設(shè)置電路包括寄存器15B。
可以由包括相互并聯(lián)的N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管的CMOS傳輸門(transfer gate)，等效地替換依據(jù)本實(shí)施例的N溝道MOS晶體管10(1)到10(k)和P溝道MOS晶體管12(1)到12(k)。
(第三優(yōu)選實(shí)施例)圖5是示出包括依據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)置的偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。依據(jù)本實(shí)施例，將參考相互組合的具有n個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)輸出的驅(qū)動(dòng)輸出單元和偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。
在圖5中，數(shù)字18表示偏置電位產(chǎn)生裝置。偏置電位產(chǎn)生裝置18包括P溝道MOS晶體管2、5、7、12及20(1)到20(p)、N溝道MOS晶體管4、6、9、10及19(1)到19(m)、電阻器3、反相器8和13、控制電路11、振蕩電路14、以及寄存器15A。偏置電位產(chǎn)生裝置18輸出構(gòu)成在用于驅(qū)動(dòng)液晶的放大器31(1)到31(n)中的恒流源的P溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASP、以及構(gòu)成在用于驅(qū)動(dòng)液晶的放大器31(1)到31(n)中的恒流源的N溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASN。數(shù)字32(1)到32(n)及33(1)到33(n)表示布線電容。
N溝道MOS晶體管19(1)到19(m)具有相互短路的柵極和漏極。因此，在N溝道MOS晶體管19(1)到19(m)中，產(chǎn)生位于漏極電位和源極電位之間的閾值電壓VTN。N溝道MOS晶體管19(1)到19(m)相互串聯(lián)，并且按照保持使地電位加上閾值電壓VTN和m的乘積不大于偏置電位VIASP的預(yù)定值的關(guān)系的方式，確定晶體管19(1)到19(m)的數(shù)量m。
按照相似的方式，P溝道MOS晶體管20(1)到20(p)具有相互短路的柵極電位和漏極電位。因此，在P溝道MOS晶體管20(1)到20(p)中，產(chǎn)生位于源極電位和漏極電位之間的P溝道MOS晶體管的閾值電壓VTP。P溝道MOS晶體管20(1)到20(p)相互串聯(lián)，并且按照保持使源極電位減去閾值電壓VTP的絕對(duì)值與p的乘積不小于偏置電位VIASN的預(yù)定值的關(guān)系的方式，確定數(shù)量p。
下面說明具有前述的配置的偏置電位產(chǎn)生裝置18從省電模式中恢復(fù)的操作。
首先，在對(duì)液晶進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的操作期間，省電信號(hào)PS處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，因此，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9處于截止?fàn)顟B(tài)，而N溝道MOS晶體管4處于導(dǎo)通狀態(tài)。另一方面，由于從控制電路11中輸出的快速恢復(fù)信號(hào)RT處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，則N溝道MOS晶體管10處于截止?fàn)顟B(tài)。按照相似的方式，由于快速恢復(fù)信號(hào)NRT處于啟動(dòng)狀態(tài)(高電平)，因此，P溝道MOS晶體管12處于截止?fàn)顟B(tài)。通過反相器13對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行取反，產(chǎn)生快速恢復(fù)信號(hào)NRT。
在該過程中，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同操作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASP。按照相似的方式，P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6協(xié)同操作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASN。將偏置電位VIASP和VIASN提供給液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)。
然后，隨著從操作模式轉(zhuǎn)換到省電模式的時(shí)刻的到來，省電信號(hào)PS變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9導(dǎo)通，而N溝道MOS晶體管4截止。結(jié)果，偏置電位VIASP變?yōu)楦唠娖?待機(jī)電平)，因此，P溝道MOS晶體管5截止，從而使偏置電位VIASN變?yōu)榈碗娖?待機(jī)電平)。作為將偏置電位VIASP和VIASN轉(zhuǎn)換為待機(jī)電平的結(jié)果，在偏置電位產(chǎn)生裝置18中的穩(wěn)定電流降低為零，因此，偏置電位產(chǎn)生裝置18進(jìn)入省電模式。
隨著從省電模式轉(zhuǎn)換為操作模式的時(shí)刻的到來，省電信號(hào)PS變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9變?yōu)榻刂?，而N溝道MOS晶體管4導(dǎo)通。結(jié)果，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同工作，以便導(dǎo)致使偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位電平的趨勢。然而，當(dāng)偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位電平時(shí)，需要對(duì)放大器31(1)到31(n)的輸入電容及布線電容32(1)到32(n)進(jìn)行放電，因而會(huì)花費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間。因此，如果不采取一些措施，則偏置電位VIASP的恢復(fù)將會(huì)需要相當(dāng)長的時(shí)間。
考慮到這一點(diǎn)，控制電路11依據(jù)由振蕩電路14提供的時(shí)鐘輸入CLK、以及從外部信號(hào)源提供給該裝置的原始的快速恢復(fù)信號(hào)RTO，使在脈沖波形中的快速恢復(fù)信號(hào)RT變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)?？刂齐娐?1依據(jù)寄存器15A的設(shè)置值，對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度進(jìn)行設(shè)置。因此，通過改變寄存器15A的設(shè)置值，可以對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行任意地設(shè)置。
將已經(jīng)變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)RT施加為N溝道MOS晶體管10的柵極電位，并且在一定周期的時(shí)間內(nèi)將晶體管10保持在導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，將偏置電位VIASP拉到地電位，因而使偏置電位VIASP恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平。
另一方面，通過反相器13對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行取反使快速恢復(fù)信號(hào)NRT變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。將已經(jīng)變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)的快速恢復(fù)信號(hào)NRT施加為P溝道MOS晶體管12的柵極電位，并且在預(yù)定長度的時(shí)間內(nèi)將晶體管12保持在導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，將偏置電位VIASN拉到電源電位，因此，使偏置電位VIASN快速地恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平。
依據(jù)本實(shí)施例，通過對(duì)N溝道MOS晶體管10進(jìn)行操作，可以將偏置電位VIASP恢復(fù)到預(yù)定的電位電平，而通過對(duì)P溝道MOS晶體管12進(jìn)行操作，可以將偏置電位VIASN恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平。按照這種方式，設(shè)置對(duì)應(yīng)于各個(gè)偏置電位的用于恢復(fù)的MOS晶體管10和12，可以縮短進(jìn)行恢復(fù)所需要的時(shí)間。
該偏置電位產(chǎn)生裝置18可以依據(jù)寄存器15A的設(shè)置值，快速改變恢復(fù)信號(hào)RT和NRT的脈沖寬度。因此，通過依據(jù)諸如電源電壓的條件的變化來改變寄存器15A中的設(shè)置值，可以選擇最佳的脈沖寬度。結(jié)果，如果溫度或者電源電壓發(fā)生變化，則可以將快速地恢復(fù)偏置電位產(chǎn)生裝置18所需要的MOS晶體管10和12的驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置為與所述的改變對(duì)應(yīng)的適當(dāng)值。因此，即使在溫度或者電源電壓發(fā)生變化的情況下，也可以將偏置電位VIASP和VIASN快速地恢復(fù)為適當(dāng)?shù)碾娖健?br> 此外，N溝道MOS晶體管19(1)到19(m)相互串聯(lián)，以及P溝道MOS晶體管20(1)到20(p)也相互串聯(lián)。按照保持使地電位加上閾值電壓VTN和m的乘積不大于偏置電位VIASP的預(yù)定值的關(guān)系的方式，確定晶體管的數(shù)量m，以及按照保持使源極電位減去閾值電壓VTP的絕對(duì)值與p的乘積不小于偏置電位VIASN的預(yù)定電位電平的關(guān)系的方式，確定晶體管的數(shù)量p。因此，通過任意地設(shè)置晶體管的數(shù)量m和p，可以對(duì)用于將偏置電位(產(chǎn)生的電位)從待機(jī)電位恢復(fù)到預(yù)定電位電平的恢復(fù)電壓進(jìn)行任意設(shè)置。因此，即使在電源電壓或者溫度發(fā)生改變的情況下，也可以將所有的偏置電位快速地恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娢弧?br> 依據(jù)本實(shí)施例，N溝道MOS晶體管10及19(1)到19(m)、以及P溝道MOS晶體管12及20(1)到20(p)構(gòu)成電位恢復(fù)電路。振蕩電路14、控制電路11、以及反相器13構(gòu)成驅(qū)動(dòng)控制電路。同時(shí)，寄存器15A構(gòu)成驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路。
可以由包括相互并聯(lián)的N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管的CMOS傳輸門(transfer gate)，等效地替換依據(jù)本實(shí)施例的N溝道MOS晶體管10和P溝道MOS晶體管12。
(第四優(yōu)選實(shí)施例)圖6是示出包括依據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。依據(jù)本實(shí)施例，將參考相互組合的具有n個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)輸出的驅(qū)動(dòng)輸出單元和偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述。
在圖6中，數(shù)字22表示偏置電位產(chǎn)生裝置。所述的偏置電位產(chǎn)生裝置22包括P溝道MOS晶體管2、5、7和12、N溝道MOS晶體管4、6、9、和10、電阻器3、反相器8和13、比較器23、以及參考電位產(chǎn)生電路24。偏置電位產(chǎn)生裝置22輸出構(gòu)成在液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的P溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASP、以及構(gòu)成在液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的N溝道MOS晶體管的柵極電位。數(shù)字32(1)到32(n)及33(1)到33(n)表示布線電容。
參考電位產(chǎn)生電路24包括P溝道MOS晶體管25和26、N溝道MOS晶體管28、以及電阻器27。參考電位產(chǎn)生電路24產(chǎn)生不小于在穩(wěn)定的操作狀態(tài)的偏置電位VIASP的參考電位VBP。
比較器23將正極輸入電位與負(fù)極輸入電位進(jìn)行比較。在正極輸入電位高于負(fù)極輸入電位的情況下，比較器23使N溝道MOS晶體管10導(dǎo)通，在正極輸入電位等于或者低于負(fù)極輸入電位的情況下，使N溝道MOS晶體管10截止。
下面將解釋從省電模式中對(duì)具有前述的配置的偏置電位產(chǎn)生裝置22進(jìn)行恢復(fù)的操作。
首先，在液晶驅(qū)動(dòng)操作期間，省電信號(hào)PS處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)。因此，P溝道MOS晶體管7和25及N溝道MOS晶體管9處于截止?fàn)顟B(tài)，而N溝道MOS晶體管4和28處于導(dǎo)通狀態(tài)。同時(shí)，由于從比較器23輸出的快速恢復(fù)信號(hào)RT處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，因此，N溝道MOS晶體管10處于截止?fàn)顟B(tài)。按照相似的方式，由于對(duì)通過比較器23的快速恢復(fù)信號(hào)進(jìn)行取反產(chǎn)生的快速恢復(fù)信號(hào)NRT處于啟動(dòng)狀態(tài)(高電平)，因此，P溝道MOS晶體管12處于截止?fàn)顟B(tài)。
在該過程中，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同工作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASP。按照相似的方式，P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6協(xié)同工作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASN。將偏置電位VIASP和VIASN提供給用于驅(qū)動(dòng)液晶的放大器31(1)到31(n)。
然后，隨著從操作模式轉(zhuǎn)換到省電模式的時(shí)刻的到來，省電信號(hào)PS變?yōu)閱?dòng)(高電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和25及N溝道MOS晶體管9變?yōu)閷?dǎo)通，而N溝道MOS晶體管4和28變?yōu)榻刂?。結(jié)果，偏置電位VIASP和參考電位VBP變?yōu)楦唠娖?，P溝道MOS晶體管5變?yōu)榻刂梗⑶移秒娢籚IASN變?yōu)榈碗娖?待機(jī)電位)。處于高電平的偏置電位VIASP及處于低電平的VIASN為待機(jī)電位。按照這種方式，使偏置電位VIASP和VIASN轉(zhuǎn)換為待機(jī)電位電平，因此，在偏置電位產(chǎn)生裝置22中的穩(wěn)定電流變?yōu)榱悖瑥亩蛊秒娢划a(chǎn)生電路22進(jìn)入省電模式。
然后，在從省電模式向操作模式轉(zhuǎn)換時(shí)，省電信號(hào)PS變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和25及N溝道MOS晶體管9變?yōu)榻刂?，而N溝道MOS晶體管4和28變?yōu)閷?dǎo)通。結(jié)果，P溝道MOS晶體管26、電阻器27、以及N溝道MOS晶體管28協(xié)同操作，從而使參考電位VBP恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平。
同時(shí)，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、N溝道MOS晶體管4協(xié)同工作，從而導(dǎo)致了使偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位電平的趨勢。然而，當(dāng)偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位電平時(shí)，需要通過花費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間的過程，對(duì)放大器31(1)到31(n)的輸入電容及布線電容32(1)到32(n)進(jìn)行放電。因此，如果不采取有效的措施，則需要相當(dāng)長的時(shí)間以便將電位VIASP成功地恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平。
考慮到這一點(diǎn)，比較器23檢測到偏置電位VIASP大于參考電位VBP，并且將快速恢復(fù)信號(hào)RT變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。將由此變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)RT施加為N溝道MOS晶體管10的柵極電位，從而使晶體管10變?yōu)閷?dǎo)通。結(jié)果，偏置電位VIASP被拉到地電位，從而快速地恢復(fù)到預(yù)定的電位電平。
同時(shí)，通過反相器13對(duì)啟動(dòng)(高電平)的快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行取反，從而產(chǎn)生未啟動(dòng)的(低電平)的快速恢復(fù)信號(hào)NRT。將由此產(chǎn)生的未啟動(dòng)的快速恢復(fù)信號(hào)NRT施加為P溝道MOS晶體管12的柵極電位，從而使該晶體管在預(yù)定長度的時(shí)間內(nèi)保持導(dǎo)通。結(jié)果，將偏置電位VIASN拉到電源電位，從而使偏置電位VIASN快速地恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平。
比較器23檢測到已經(jīng)快速地恢復(fù)到預(yù)定偏置電位電平的偏置電位VIASP不大于參考電位VBP。則，將快速恢復(fù)信號(hào)RT變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。將由此變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)RT施加為N溝道MOS晶體管10的柵極電位，從而使該晶體管10截止。
另一方面，由反相器13對(duì)已經(jīng)由比較器23變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)的快速恢復(fù)信號(hào)RT進(jìn)行取反，從而使快速恢復(fù)信號(hào)NRT變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。將由此變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)NRT施加為N溝道MOS晶體管12的柵極電位，從而使晶體管10截止。結(jié)果，完成了一段快速恢復(fù)操作。
依據(jù)本實(shí)施例，P溝道MOS晶體管12和N溝道MOS晶體管10構(gòu)成電位恢復(fù)電路；參考電位產(chǎn)生電路24產(chǎn)生參考電位；以及，比較器23構(gòu)成驅(qū)動(dòng)控制電路。
依據(jù)本實(shí)施例，在產(chǎn)生參考電位之后，將產(chǎn)生的偏置電位VIASP與參考電位進(jìn)行比較，以便控制包括P溝道MOS晶體管12和N溝道MOS晶體管10的電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。因此，即使在電源電壓改變或者溫度發(fā)生變化的情況下，也可以快速地將所有的偏置電位恢復(fù)為適當(dāng)?shù)碾娖健?br> 可以用包括相互并聯(lián)的N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管的CMOS傳輸門(transfer gate)，等效地替換依據(jù)本實(shí)施例的N溝道MOS晶體管10和P溝道MOS晶體管12。
(第五實(shí)施例)圖7是示出包括依據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。依據(jù)該實(shí)施例，將參考作為實(shí)例、包括與偏置電位產(chǎn)生裝置組合在一起的具有n液晶驅(qū)動(dòng)輸出的驅(qū)動(dòng)輸出單元的液晶驅(qū)動(dòng)裝置，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。
在圖7中，數(shù)字29表示偏置電位產(chǎn)生裝置。偏置電位產(chǎn)生裝置29包括P溝道MOS晶體管2、5、7和12、N溝道MOS晶體管4、6、9和10、電阻器3、反相器8、比較器23和40、以及參考電位產(chǎn)生電路24和41。偏置電位產(chǎn)生裝置29輸出構(gòu)成在液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)和31(n)中的恒流源的P溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASP、以及在液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)和31(n)中的恒流源的N溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASN。數(shù)字32(1)到32(n)及33(1)到33(n)表示布線電容。
參考電位產(chǎn)生電路24包括P溝道MOS晶體管25和26、N溝道MOS晶體管28和電阻器27。參考電位產(chǎn)生電路24產(chǎn)生不小于處于穩(wěn)定操作模式中的偏置電位VIASP的參考電位VBP。
參考電位產(chǎn)生電路41包括P溝道MOS晶體管42及N溝道MOS晶體管43和44。參考電位產(chǎn)生電路41產(chǎn)生不高于處于穩(wěn)定操作模式中的偏置電位VIASN的參考電位VBN。
比較器23將正極輸入電位與負(fù)極輸入電位進(jìn)行比較。在正極輸入電位高于負(fù)極輸入電位的情況下，比較器23使N溝道MOS晶體管10導(dǎo)通，以及在正極輸入電位等于或者低于負(fù)極輸入電位的情況下，使N溝道MOS晶體管10的截止。
比較器40將正極輸入電位與負(fù)極輸入電位進(jìn)行比較。在正極輸入電位低于負(fù)極輸入電位的情況下，使P溝道MOS晶體管12導(dǎo)通，在正極輸入電位等于或者高于負(fù)極輸入電位的情況下，使P溝道MOS晶體管12截止。
下面將說明從省電模式中對(duì)具有前述配置的偏置電位產(chǎn)生裝置29進(jìn)行恢復(fù)的操作。
首先，在液晶驅(qū)動(dòng)操作期間，省電信號(hào)PS處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)。因此，P溝道MOS晶體管7和25及N溝道MOS晶體管9和44處于截止?fàn)顟B(tài)，而N溝道MOS晶體管4和28處于導(dǎo)通狀態(tài)。同時(shí)，由于從比較器23中輸出的快速恢復(fù)信號(hào)RT處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，N溝道MOS晶體管10處于截止?fàn)顟B(tài)。按照相似的方式，由于比較器40輸出的快速恢復(fù)信號(hào)NRT處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，因此P溝道MOS晶體管12處于截止?fàn)顟B(tài)。
在該過程中，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同工作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASP。按照相似的方式，P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6協(xié)同工作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASN。將偏置電位VIASP和VIASN提供給用于驅(qū)動(dòng)液晶的放大器31(1)到31(n)。
然后，隨著從操作模式轉(zhuǎn)換到省電模式的時(shí)刻的到達(dá)，省電信號(hào)PS變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和25及N溝道MOS晶體管9和44變?yōu)閷?dǎo)通，而N溝道MOS晶體管4和28變?yōu)榻刂?。結(jié)果，偏置電位VIASP和參考電位VBP變?yōu)楦唠娖?，P溝道MOS晶體管5和42截止，并且偏置電位VIASN和參考電位VBN變?yōu)榈碗娖?。處于高電平的偏置電位VIASP及處于低電平的偏置電位VIASN是待機(jī)電位。按照這種方式，偏置電位VIASP和VIASN轉(zhuǎn)換到待機(jī)電位，因此，在偏置電位產(chǎn)生裝置29中的穩(wěn)定電流變?yōu)榱?，從而使偏置電位產(chǎn)生裝置29進(jìn)入省電模式。
然后，隨著從省電模式轉(zhuǎn)換到操作模式的時(shí)刻的到達(dá)，省電信號(hào)PS變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和25及N溝道MOS晶體管9和44變?yōu)榻刂箷r(shí)，而N溝道MOS晶體管4和28導(dǎo)通。結(jié)果，P溝道MOS晶體管26、電阻器27、以及N溝道MOS晶體管28協(xié)同操作，以便將參考電位VBP恢復(fù)為預(yù)定偏置電位電平，而P溝道MOS晶體管42和N溝道MOS晶體管43協(xié)同操作，以便將參考電位VBN恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平。
同時(shí)，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同操作，以便導(dǎo)致使偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位的趨勢。然而，需要通過花費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間的過程，對(duì)放大器31(1)到31(n)的輸入電容及布線電容32(1)到32(n)進(jìn)行放電。因此，如果不采取有效的措施，則需要相當(dāng)長的時(shí)間以便使偏置電位VIASP恢復(fù)為預(yù)定的偏置電位電平。
考慮到這一點(diǎn)，比較器23檢測到偏置電位VIASP高于參考電位VBP，并且使參考恢復(fù)信號(hào)RT變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。將由此返回到啟動(dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)RT施加為N溝道MOS晶體管10的柵極電位，從而使晶體管10導(dǎo)通。結(jié)果，將偏置電位VIASP快速地拉為地電平，從而使偏置電位VIASP快速地恢復(fù)為預(yù)定的電位電平。
同時(shí)，檢測器23檢測到已經(jīng)被快速地恢復(fù)到預(yù)定偏置電位電平的偏置電位VIASP不高于參考電位VBP。然后，由比較器23使快速恢復(fù)信號(hào)RT變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。將由此變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)RT施加為N溝道MOS晶體管10的柵極電位，從而使該晶體管10截止。
同時(shí)，比較器40檢測到偏置電位VIASN低于參考電位VBP，并且使快速恢復(fù)信號(hào)NRT變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)。將變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)NRT施加為N溝道MOS晶體管12的柵極電位，從而使晶體管12導(dǎo)通。結(jié)果，將偏置電位VIASN快速地拉到電源一側(cè)，從而使偏置電位VIASN快速地恢復(fù)為預(yù)定的偏置電位電平。
比較器40檢測到已經(jīng)快速地恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平的偏置電位VIASN不低于參考電位VBP。然后，由比較器40使快速恢復(fù)信號(hào)NRT變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。將由此變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)NRT施加為N溝道MOS晶體管12的柵極電位，從而使該晶體管12截止。
依據(jù)本實(shí)施例，P溝道MOS晶體管12和N溝道MOS晶體管10構(gòu)成電位恢復(fù)電路；參考電位產(chǎn)生電路24和41分別輸出參考電位，以及比較器23和40構(gòu)成驅(qū)動(dòng)控制電路。
依據(jù)本實(shí)施例，在產(chǎn)生參考電位之后，將產(chǎn)生的偏置電位VIASP與參考電位進(jìn)行比較，以便控制包括P溝道MOS晶體管12和N溝道MOS晶體管10的電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。如果溫度改變或者電源電壓改變時(shí)，產(chǎn)生的參考電位不會(huì)隨著溫度的變化或者電源電壓的變化而改變。因此，不管電源電壓或者溫度如何改變，都可以使所有的偏置電位快速地恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖?。此外，為偏置電位VIASN和VIASP中的每一個(gè)設(shè)置參考電位產(chǎn)生電路24和41及比較器23和40，并且將每一個(gè)偏置電位與參考電位進(jìn)行比較。因此，可以按照較高的準(zhǔn)確度和較高的速度，對(duì)偏置電位進(jìn)行恢復(fù)。
可以用包括相互并聯(lián)的N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管的CMOS傳輸門(transfer gate)，等效地替換依據(jù)本實(shí)施例的N溝道MOS晶體管10和P溝道MOS晶體管12。
(第六優(yōu)選實(shí)施例)圖8是示出具有依據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)置的偏置電位產(chǎn)生裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。依據(jù)本實(shí)施例，將參考作為實(shí)例的、包括與偏置電位產(chǎn)生裝置組合在一起的具有n個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)輸出的驅(qū)動(dòng)輸出單元的液晶驅(qū)動(dòng)裝置，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。
在圖8中，數(shù)字46表示偏置電位產(chǎn)生裝置。所述的偏置電位產(chǎn)生裝置46包括P溝道MOS晶體管2、5和7、N溝道MOS晶體管4、6和9、電阻器3、反相器8和58、控制電路11、振蕩電路14、寄存器15A、開關(guān)52和57、以及恢復(fù)電位產(chǎn)生電路47和53。偏置電位產(chǎn)生裝置46輸出構(gòu)成在液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的P溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASP、以及構(gòu)成在液晶驅(qū)動(dòng)放大器31(1)到31(n)中的恒流源的N溝道MOS晶體管的柵極電位的偏置電位VIASN。數(shù)字32(1)到32(n)及33(1)到33(n)表示布線電容。
恢復(fù)電位產(chǎn)生電路47包括P溝道MOS晶體管48和49、N溝道MOS晶體管51、以及電阻器50?；謴?fù)電位產(chǎn)生電路47產(chǎn)生等于處于穩(wěn)定操作模式下的偏置電位VIASP的參考電位VP。
恢復(fù)電位產(chǎn)生電路53包括P溝道MOS晶體管54、N溝道MOS晶體管56和55、以及開關(guān)59和60?；謴?fù)電位產(chǎn)生電路53產(chǎn)生等于處于穩(wěn)定操作模式的偏置電位VIASN的參考電位VN。
下面將說明從省電模式中對(duì)具有前述配置的偏置電位產(chǎn)生裝置46進(jìn)行恢復(fù)的操作。
首先，在液晶驅(qū)動(dòng)操作期間，省電信號(hào)PS處于未啟動(dòng)的狀態(tài)(低電平)。因此，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管4處于截止?fàn)顟B(tài)，而N溝道MOS晶體管4處于導(dǎo)通狀態(tài)。同時(shí)，由于從控制電路11中輸出的快速恢復(fù)信號(hào)RT處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，因此開關(guān)52和57處于斷開狀態(tài)。
在該過程中，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同操作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASP。按照相似的方式，P溝道MOS晶體管5和N溝道MOS晶體管6協(xié)同操作，以便產(chǎn)生偏置電位VIASN。將偏置電位VIASP和VIASN提供給放大器31(1)到31(n)，以便驅(qū)動(dòng)液晶。
在恢復(fù)電位產(chǎn)生電路47中，快速恢復(fù)信號(hào)RT處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，因此，N溝道MOS晶體管51處于截止?fàn)顟B(tài)，而P溝道MOS晶體管48處于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，恢復(fù)電位產(chǎn)生電路47輸出作為恢復(fù)電位VP的源電位。
在恢復(fù)電位產(chǎn)生電路53中，快速恢復(fù)信號(hào)RT處于未啟動(dòng)狀態(tài)(低電平)，因此，開關(guān)59變?yōu)閿嚅_。同時(shí)，考慮到快速恢復(fù)信號(hào)NRT由于反相器58的取反操作而變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)，因此，開關(guān)60變?yōu)殚]合。因此，N溝道溝道MOS晶體管56變?yōu)閷?dǎo)通，而P溝道MOS晶體管54變?yōu)榻刂?。結(jié)果，恢復(fù)電位產(chǎn)生電路53輸出作為恢復(fù)電位VN的地電位。
然后，隨著從操作模式向省電模式轉(zhuǎn)換的時(shí)刻的到來，省電信號(hào)PS變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9變?yōu)閷?dǎo)通，而N溝道MOS晶體管4變?yōu)榻刂埂＝Y(jié)果，偏置電位VIASP變?yōu)楦唠娖?，P溝道MOS晶體管5變?yōu)榻刂?，而偏置電位VIASN電位變?yōu)榈碗娢?。按照這種方式，偏置電位VIASP和VIASN轉(zhuǎn)換為待機(jī)電位電平，因此，在偏置電位產(chǎn)生裝置46中的穩(wěn)定電流變?yōu)榱?，從而使偏置電位產(chǎn)生裝置46進(jìn)入省電模式。
然后，在從省電模式向操作模式轉(zhuǎn)換的時(shí)刻，省電信號(hào)PS變?yōu)槲磫?dòng)(低電平)狀態(tài)。然后，P溝道MOS晶體管7和N溝道MOS晶體管9變?yōu)榻刂?，而N溝道MOS晶體管4變?yōu)閷?dǎo)通。結(jié)果，P溝道MOS晶體管2、電阻器3、以及N溝道MOS晶體管4協(xié)同工作，從而導(dǎo)致使偏置電位VIASP返回到預(yù)定的偏置電位電平的趨勢。然而，當(dāng)偏置電位VIASP返回到預(yù)定偏置電位電平時(shí)，需要通過花費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間的過程，對(duì)放大器31(1)到31(n)及布線電容32(1)到32(n)進(jìn)行放電。因此，如果不采取一些適當(dāng)?shù)拇胧?，則在將偏置電位VIASP恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平之前需要花費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間。
考慮到這一點(diǎn)，控制電路11依據(jù)由振蕩電路14提供的時(shí)鐘輸入CLK、以及原始的快速恢復(fù)信號(hào)RTO，使在脈沖波形中的快速恢復(fù)信號(hào)RT變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)(高電平)。控制電路11依據(jù)寄存器15A的設(shè)置值，對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度(啟動(dòng)周期)進(jìn)行設(shè)置。因此，通過改變寄存器15A的設(shè)置值，可以對(duì)快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度(啟動(dòng)周期)進(jìn)行任意地設(shè)置。
將已經(jīng)變?yōu)閱?dòng)狀態(tài)的快速恢復(fù)信號(hào)RT施加為P溝道MOS晶體管48和N溝道MOS晶體管51的柵極電位。因此，晶體管48變?yōu)榻刂梗w管51變?yōu)閷?dǎo)通。此外，將啟動(dòng)快速恢復(fù)信號(hào)RT提供給開關(guān)59、52和57，并且使開關(guān)59、52、和57閉合。
此外，將通過反相器58的取反過程變?yōu)槲磫?dòng)狀態(tài)(低電平)快速恢復(fù)信號(hào)NRT施加為N溝道MOS晶體管56的柵極電位，并且施加到開關(guān)60，從而使晶體管56截止，并且使開關(guān)60斷開。結(jié)果，恢復(fù)電位產(chǎn)生電路47和53產(chǎn)生恢復(fù)電位VP和VN。
在該過程中，快速恢復(fù)信號(hào)RT使開關(guān)52和57在預(yù)定長度的的時(shí)間內(nèi)接通。因此，將偏置電位VIASP拉到恢復(fù)電位VP，從而使偏置電位VIASP快速地恢復(fù)到偏置電位電平。按照相似的方式，將快速拉到恢復(fù)電位VN的偏置電位VIASN快速地恢復(fù)為預(yù)定的偏置電位電平。
在本實(shí)施例中，從廣義上說，恢復(fù)電位產(chǎn)生電路47和53構(gòu)成恢復(fù)電位產(chǎn)生電路。開關(guān)52和57構(gòu)成電位恢復(fù)電路。寄存器15A構(gòu)成驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路。振蕩電路14、控制電路11、以及反相器58構(gòu)成驅(qū)動(dòng)控制電路。
依據(jù)本實(shí)施例，通過對(duì)恢復(fù)電位產(chǎn)生電路47和開關(guān)52進(jìn)行操作，使偏置電位VIASP恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平，而通過對(duì)恢復(fù)電位產(chǎn)生電路53和開關(guān)57進(jìn)行操作，使偏置電位VIASN恢復(fù)到預(yù)定的偏置電位電平。按照這種方式，設(shè)置對(duì)應(yīng)于每一個(gè)偏置電位的恢復(fù)結(jié)構(gòu)縮短了恢復(fù)所需的時(shí)間。
偏置電位產(chǎn)生裝置46可以依據(jù)寄存器15A中的設(shè)置值，改變快速恢復(fù)信號(hào)RT的脈沖寬度。因此，通過依據(jù)諸如電源電壓的條件的變化而改變寄存器15A的設(shè)置值，可以選擇最佳的脈沖寬度。結(jié)果，如果溫度或者電源電壓發(fā)生變化時(shí)，可以依據(jù)該變化，對(duì)快速地恢復(fù)到偏置電位VIASP和VIASN所需要的開關(guān)52和57的閉合時(shí)間進(jìn)行設(shè)置。因此，即使在電源電壓或者溫度發(fā)生發(fā)生變化的情況下，也可以將偏置電位VIASP和VIASN快速地恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾娖健?br> 在該實(shí)施例中，通常將每一個(gè)開關(guān)52、57、59和60配置為包括相互并聯(lián)的N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管的CMOS傳輸門。然而，具有相似功能的可選擇的結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生相似的效果。
以上已經(jīng)對(duì)本發(fā)明的最優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行了描述。在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)這些優(yōu)選實(shí)施例的電路元件的組合和布置進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種用于產(chǎn)生作為偏置電位的多個(gè)電位，并且通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換產(chǎn)生這些電位中的每一個(gè)的偏置電位產(chǎn)生裝置，包括電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；其中，為每一個(gè)產(chǎn)生的電位設(shè)置電位恢復(fù)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于驅(qū)動(dòng)控制電路依據(jù)脈沖波形信號(hào)，控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作，所述的驅(qū)動(dòng)控制電路包括振蕩電路，用于產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)以便產(chǎn)生脈沖波形信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于還包括驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路，用于任意地設(shè)置電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于驅(qū)動(dòng)控制電路依據(jù)脈沖波形信號(hào)，控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；以及驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路是用于輸出等于脈沖波形信號(hào)的脈沖寬度的設(shè)置值的寄存器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于還包括電流設(shè)置電路，用于任意地設(shè)置在恢復(fù)偏置電位時(shí)用于電位恢復(fù)電路中的恢復(fù)電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于電位恢復(fù)電路由相互并聯(lián)的多個(gè)MOS晶體管構(gòu)成，以便產(chǎn)生恢復(fù)電流；以及電流設(shè)置電路分別向多個(gè)MOS晶體管中的每一個(gè)提供導(dǎo)通控制信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于偏置恢復(fù)電路包括相互串聯(lián)的多個(gè)MOS晶體管，以便通過使柵極電位和漏極電位短路來產(chǎn)生閾值電壓；以及可以通過改變MOS晶體管的數(shù)量，任意地設(shè)置用于恢復(fù)偏置電位的電位恢復(fù)電路的恢復(fù)電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于還包括參考電位產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生具有等于偏置電位的電位的參考電位；其中，在產(chǎn)生的電位未達(dá)到參考電位期間，驅(qū)動(dòng)控制電路驅(qū)動(dòng)電位恢復(fù)電路，在產(chǎn)生的電位達(dá)到參考電位的時(shí)刻，停止驅(qū)動(dòng)電位恢復(fù)電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于還包括恢復(fù)電位產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生等于偏置電位的恢復(fù)電位；其中，在恢復(fù)電位時(shí)，電位恢復(fù)電路使產(chǎn)生的電位與恢復(fù)電位短路。
10.一種通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換來產(chǎn)生電位的偏置電位產(chǎn)生裝置，包括電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；以及驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路，用于任意地設(shè)置電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于驅(qū)動(dòng)控制電路依據(jù)脈沖波形信號(hào)，控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；以及驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路由用于輸出脈沖波形信號(hào)的脈沖寬度的設(shè)置值的寄存器構(gòu)成。
12.一種通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換來產(chǎn)生電位的偏置電位產(chǎn)生裝置，包括電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；以及電流設(shè)置電路，用于任意地設(shè)置在恢復(fù)電位時(shí)用于電位恢復(fù)電路中的恢復(fù)電流。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的偏置電位產(chǎn)生裝置，其特征在于電位恢復(fù)電路由相互并聯(lián)的多個(gè)MOS晶體管構(gòu)成，以便產(chǎn)生恢復(fù)電流；以及電流設(shè)置電路分別向每一個(gè)MOS晶體管提供導(dǎo)通控制信號(hào)。
14.一種通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換來產(chǎn)生電位的偏置電位產(chǎn)生裝置，包括電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；其中，電位恢復(fù)電路包括相互串聯(lián)的多個(gè)MOS晶體管，以便通過使柵極電位和漏極電位短路來產(chǎn)生閾值電位；以及通過改變電位恢復(fù)電路中的MOS晶體管的數(shù)量，任意地設(shè)置用于恢復(fù)偏置電位的恢復(fù)電壓。
15.一種通過在偏置電位和待機(jī)電位之間切換來產(chǎn)生電位的偏置電位產(chǎn)生裝置，包括電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；以及參考電位產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生等于偏置電位的參考電位；其中，在產(chǎn)生的電位未達(dá)到參考電位期間，驅(qū)動(dòng)控制電路驅(qū)動(dòng)電位恢復(fù)電路，在產(chǎn)生的電位到達(dá)參考電位時(shí)，停止驅(qū)動(dòng)電位恢復(fù)電路。
16.一種通過在偏置電位和待機(jī)電位之間切換來產(chǎn)生電位的偏置電位產(chǎn)生裝置，包括電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及恢復(fù)電位產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生等于偏置電位的恢復(fù)電位；其中，在恢復(fù)偏置電位時(shí)，電位恢復(fù)電路使產(chǎn)生的電位與恢復(fù)電位短路。
17.一種液晶驅(qū)動(dòng)裝置，包括偏置電位產(chǎn)生裝置，用于產(chǎn)生作為偏置電位的多個(gè)電位，并且通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換產(chǎn)生每一個(gè)電位；電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；其中，為每一個(gè)產(chǎn)生的電位設(shè)置電位恢復(fù)電路。
18.一種液晶驅(qū)動(dòng)裝置，包括偏置電位產(chǎn)生裝置，用于通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換來產(chǎn)生電位；電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路，用于任意地設(shè)置電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。
19.一種液晶驅(qū)動(dòng)裝置，包括偏置電位產(chǎn)生裝置，用于通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換來產(chǎn)生電位；電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；電流設(shè)置電路，用于任意地設(shè)置在恢復(fù)電位時(shí)用于電位恢復(fù)電路中的恢復(fù)電流。
20.一種液晶驅(qū)動(dòng)裝置，包括偏置電位產(chǎn)生裝置，用于通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換來產(chǎn)生電位；電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；其中，電位恢復(fù)電路包括相互串聯(lián)的多個(gè)MOS晶體管，以便通過使柵極電位和漏極電位短路來產(chǎn)生閾值電壓；以及通過改變MOS晶體管的數(shù)量，可以任意地設(shè)置用于恢復(fù)偏置電位的電位恢復(fù)電路的恢復(fù)電壓。
21.一種液晶驅(qū)動(dòng)裝置，包括偏置電位產(chǎn)生裝置，用于通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換來產(chǎn)生電位；電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及驅(qū)動(dòng)控制電路，用于控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作；參考電位產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生等于偏置電位的參考電位；其中，在產(chǎn)生的電位未達(dá)到參考電位期間，驅(qū)動(dòng)控制電路驅(qū)動(dòng)電位恢復(fù)電路，并且當(dāng)產(chǎn)生的電位達(dá)到參考電位時(shí)，停止驅(qū)動(dòng)電位恢復(fù)電路。
22.一種液晶驅(qū)動(dòng)裝置，包括偏置電位產(chǎn)生裝置，用于通過在偏置電位和待機(jī)電位之間進(jìn)行切換來產(chǎn)生電位；電位恢復(fù)電路，用于將產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位；以及恢復(fù)電位產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生等于偏置電位的恢復(fù)電位；其中，電位恢復(fù)電路在恢復(fù)偏置電位時(shí)使產(chǎn)生的電位與恢復(fù)電位短路。
全文摘要
公開了一種通過對(duì)為每一個(gè)偏置電位設(shè)置的待機(jī)電位進(jìn)行切換，產(chǎn)生多個(gè)偏置電位的偏置電位產(chǎn)生裝置。由電位恢復(fù)電路使產(chǎn)生的電位從待機(jī)電位恢復(fù)到偏置電位。驅(qū)動(dòng)控制電路控制電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)操作。其中，為每一個(gè)偏置電位設(shè)置電位恢復(fù)電路。此外，由驅(qū)動(dòng)時(shí)間設(shè)置電路任意地設(shè)置電位恢復(fù)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。
文檔編號(hào)G05F3/24GK1497297SQ03159589
公開日2004年5月19日 申請(qǐng)日期2003年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月4日
發(fā)明者西和義 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社