專利名稱：補(bǔ)償方法、補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器和電子電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及線性調(diào)節(jié)器電路，并且，更具體地，涉及關(guān)于當(dāng)用在汽車應(yīng)用中時(shí)十分有用的具有穩(wěn)定補(bǔ)償電路和方法的線性調(diào)節(jié)器電路。
背景技術(shù)：
在圖1中示出了用于汽車應(yīng)用中的傳統(tǒng)調(diào)節(jié)器集成電路100。在典型實(shí)施例中，晶體管M1和M2是5VNMOS設(shè)備，晶體管M4和M5是HV-NDMOS設(shè)備，并且晶體管M3和M6是HV-PMOS設(shè)備。晶體管Q1和Q2是雙極性晶體管。在節(jié)點(diǎn)102處施加一個(gè)外部的14.4V電池電壓，在節(jié)點(diǎn)104處施加一個(gè)內(nèi)部的5V電池電壓，并且在節(jié)點(diǎn)106處施加一個(gè)帶隙電壓VBG。在該反饋回路中使用運(yùn)算放大器或gm級(jí)108。如圖所示，該調(diào)節(jié)器100的輸出驅(qū)動(dòng)該輸出負(fù)載。
在圖1中所示電路的上述調(diào)節(jié)器回路中，有三個(gè)極點(diǎn)和兩個(gè)零點(diǎn)，它們是對(duì)穩(wěn)定性的主要影響如下所列P0＝Req3*Co；P1＝Req1*Cc；P2＝Req2*Ceq；Z0＝ESR*Co； Z1＝Rc*Cc。
其中Co輸出電容，Cc內(nèi)部補(bǔ)償電容，CeqM6的柵節(jié)點(diǎn)上的等效電容，ESRCo的等效串聯(lián)電阻，Req1gm級(jí)的輸出電阻，Req2M6的柵節(jié)點(diǎn)上的等效電阻，以及Req3在該調(diào)節(jié)器輸出節(jié)點(diǎn)的等效電阻。
圖1中所示的低壓降調(diào)節(jié)器100存在的問題是不同的負(fù)載電流會(huì)引起不同的Idr1和Idr2電流。對(duì)于不同的負(fù)載電流，等效電阻Req2和Req3也不同，由此極點(diǎn)P0和P2會(huì)令人所不希望地變化。
在實(shí)際的設(shè)計(jì)中，零點(diǎn)Z1通常是常量并且用于抵消極點(diǎn)P2。極點(diǎn)P0和P1是主要極點(diǎn)，然而P1是常量而P0是變量。因此，如果在輕負(fù)載的狀態(tài)下Z1＝P2，那么調(diào)節(jié)器100就會(huì)在重負(fù)載的狀態(tài)下傾向于過度補(bǔ)償。這是由于當(dāng)Z1頻率十分低時(shí)，極點(diǎn)P2和P0在重負(fù)載的狀態(tài)下比在輕負(fù)載狀態(tài)下頻率大得多。如果在重負(fù)載的狀態(tài)下Z1＝P2，那么調(diào)節(jié)器100就會(huì)在輕負(fù)載的狀態(tài)下傾向于補(bǔ)償不足，因?yàn)楫?dāng)Z1很高時(shí)，極點(diǎn)P2和P0在輕負(fù)載比在重負(fù)載頻率更低。所以，為了避免過度補(bǔ)償或補(bǔ)償不足的更進(jìn)一步惡化，穩(wěn)定的調(diào)節(jié)器要求上述輸出電容器的電容和ESR應(yīng)該在一個(gè)很有限的范圍內(nèi)。
因此，我們想獲得的是一鐘低壓降調(diào)節(jié)器，該調(diào)節(jié)器可以容易地被補(bǔ)償而沒有任何存在于現(xiàn)有技術(shù)調(diào)節(jié)器中諸如負(fù)載電流靈敏度和要求有限輸出電容范圍之類的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
一種用于汽車和其它應(yīng)用中的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，該補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器包含跨導(dǎo)級(jí)，具有用于接收參考電壓的正輸入端、負(fù)輸入端和輸出端；可調(diào)節(jié)補(bǔ)償塊，耦合到上述跨導(dǎo)級(jí)的輸出端和地之間；反饋電路，具有耦合到上述補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器輸出端的第一節(jié)點(diǎn)，耦合到上述跨導(dǎo)級(jí)負(fù)輸入端的第二節(jié)點(diǎn)，和耦合到地面第三節(jié)點(diǎn)；以及驅(qū)動(dòng)級(jí)，具有耦合到上述跨導(dǎo)級(jí)輸出端的輸入端，耦合到上述補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器輸出端的電流輸出端，和耦合到上述可調(diào)節(jié)補(bǔ)償塊的感測(cè)輸出端。


通過參考下列附圖所采用的優(yōu)選實(shí)施例的下面描述，本發(fā)明如前所述的特征及其他特征和目標(biāo)以及實(shí)現(xiàn)它們的方法會(huì)變得更加容易理解，其中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于汽車應(yīng)用的傳統(tǒng)調(diào)節(jié)器的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明使用該補(bǔ)償電路和方法的調(diào)節(jié)器的示意圖；圖3是Req2和Rzero相對(duì)于本發(fā)明補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器的負(fù)載電流的曲線圖；圖4是Rzero和Req2的比值相對(duì)于本發(fā)明補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器的負(fù)載電流的曲線圖；圖5是P2和Z1的比值相對(duì)于本發(fā)明補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器的負(fù)載電流的曲線圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的具有輸出電容＝0.1uF和ESR＝0歐姆的調(diào)節(jié)的輸出電壓和負(fù)載瞬變過程的曲線圖；
圖7是根據(jù)本發(fā)明的具有輸出cap＝0.1uF和ESR＝30歐姆的調(diào)節(jié)的輸出電壓和負(fù)載瞬變過程的曲線圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的具有輸出cap＝100uF和ESR＝0歐姆的調(diào)節(jié)的輸出電壓和負(fù)載瞬變過程的曲線圖；以及圖9是根據(jù)本發(fā)明的具有輸出cap＝100uF和ERS＝30歐姆的調(diào)節(jié)的輸出電壓和負(fù)載瞬變過程的曲線圖；具體實(shí)施方式
根據(jù)本發(fā)明，在圖2中所示的上述補(bǔ)償方法和電路200迫使零點(diǎn)Z1和極點(diǎn)P2對(duì)該負(fù)載電流(noad)基本上具有相同的依賴。
參見圖2，內(nèi)部零點(diǎn)Z1被定義為Z1＝Rzero×Cc＝(Rc+(Rp‖RonM8))×Cc………………(1)晶體管M6和M7的面積比為n∶1，晶體管M8和M9的面積比為1∶1。在低靜態(tài)電流(Iq)調(diào)節(jié)器中，電阻R1和R2是非常大的，因此Ids_M6≈Iload。緩沖器210用于迫使Vgs_M8＝Vgs_M9。晶體管M8通常在上述三極管區(qū)域內(nèi)操作，晶體管M9通常在飽和區(qū)操作，因此RonM8=1gm9=12km8×Iloadn---(2)]]>在重負(fù)載的狀態(tài)下，RonM8具有千歐姆級(jí)，但是在輕負(fù)載的狀態(tài)下，RonM8具有10兆歐姆級(jí)。為了讓上述內(nèi)部零點(diǎn)的補(bǔ)償電阻能夠從輕負(fù)載狀態(tài)平穩(wěn)地過渡到重負(fù)載狀態(tài)下，使用了電阻Rc和Rp。電阻Rc具有10千歐姆級(jí)，電阻Rp具有100千歐姆級(jí)。因此，從輕負(fù)載狀態(tài)到重負(fù)載狀態(tài)，上述內(nèi)部零點(diǎn)的補(bǔ)償電阻從100千歐姆級(jí)變化到10千歐姆級(jí)并且隨著上述負(fù)載電流(Iload)的平方根而變化。電容Cc具有10pf級(jí)并且基本上不會(huì)隨著操作狀態(tài)而變化。因此，零點(diǎn)Z1還隨上述負(fù)載電流(ILoad)的平方根而變化。
根據(jù)圖2，也可以確定極點(diǎn)P2P2＝Req2×Ceq………………(3)電容Ceq是在上述功率晶體管M6的柵節(jié)點(diǎn)上的等效總電容，它主要來自晶體管M6的柵極電容并且不隨操作狀態(tài)而變化。假設(shè)上述晶體管M1和M2的面積比是1∶1，則Idr1＝Idr2＝Idr。電阻R4具有千歐姆級(jí)，電阻R3具有100千歐姆級(jí)。電阻R3相當(dāng)大且為了簡(jiǎn)化計(jì)算可以被忽略，所以
Req2=VtIlow+Idr+R4+RonM3βnpn=VtIlow+Idr+1βnpn×2kM3×Idr+R4βnpn---(4)]]>Idr×R4+VgsM3＝VgsM6…………………(5)晶體管M3和M6都在飽和區(qū)工作，因此Idr×R4+2IdrKM3=2×IloadKM6---(6)]]>解等式(6)得到Idr=2KM3+4×R4×2×IloadKM6-2KM32R4---(7)]]>將等式(7)與等式(3)和(4)相比較，可見極點(diǎn)P2隨上述負(fù)載電流(Iload)的平方根而變化并且和零點(diǎn)Z1一樣對(duì)負(fù)載電流(Iload)平方根有相同的依賴性。因此，本發(fā)明的上述補(bǔ)償電路和方法基本上減輕了在重負(fù)載狀態(tài)期間的過度補(bǔ)償和在輕負(fù)載狀態(tài)期間的補(bǔ)償不足。這產(chǎn)生了具備極好穩(wěn)定性的補(bǔ)償方法和電路。在設(shè)計(jì)期間，選擇適當(dāng)?shù)脑狄宰屃泓c(diǎn)Z1在頻率上比極點(diǎn)P2稍低。隨著上述負(fù)載電流增加，Idr也增加，極點(diǎn)P2在頻率上也推得越來越大。同時(shí)，由于對(duì)負(fù)載電流(ILoad)的平方根具有相同的依賴性，所以，零點(diǎn)Z1在頻率上被推得越來越大。
利用本發(fā)明的上述補(bǔ)償方法，無需為了獲得穩(wěn)定的LDO(低壓降)調(diào)節(jié)器而對(duì)上述輸出電容的電容量和ESR施加嚴(yán)格的限制。在典型設(shè)計(jì)里，輸出＝3.3V與壓降＝0.6V@170mA的備用LDO調(diào)節(jié)器可以在下列極度狀態(tài)下保持穩(wěn)定i)上述輸出電容的電容量大于0.1μF，以及ii)上述輸出電容的ESR小于30歐姆。
本發(fā)明的上述補(bǔ)償電路和方法與上述現(xiàn)有技術(shù)相比具備顯著的優(yōu)點(diǎn)。利用上述提出的補(bǔ)償方法的LDO調(diào)節(jié)器甚至用很小的輸出電容亦具備優(yōu)良的穩(wěn)定性，并且不需要具有較小ESR的輸出電容。因此，對(duì)能使用的電容器類型幾乎沒有任何限制。本發(fā)明的上述電路和方法顯著地降低了調(diào)節(jié)器的靜態(tài)電流(Iq)，在重負(fù)載狀態(tài)下特別如此。本發(fā)明的補(bǔ)償式LDO調(diào)節(jié)器特別適用于汽車應(yīng)用，然而對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的是，上述調(diào)節(jié)器也可被廣泛地用于其他應(yīng)用中。
對(duì)于利用特定半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)例子，在圖2中所引用的元件取下列值
R1＝1.2兆歐姆，R2＝665千歐姆，Rc＝10千歐姆，Rp＝250千歐姆，R3＝250千歐姆， R4＝5.5千歐姆，M1＝100u/3μ， M2＝150u/3μ，M3＝60μ/2.6μ，M6＝30mm/2.6μ，M7＝3×″8.4μ/2.6μ″(串聯(lián))M8＝5u/2μ M9＝5u/2μCc＝9pF Ilow＝4μA。
晶體管M1/M2/M8/M9是相同類型的、具有uCox/2＝34uA/V2的NMOS晶體管。晶體管M3/M6/M7是相同類型的、具有Ron*面積＝0.87歐姆@Vgs＝5V的PMOS晶體管。把上述電流源Ilow包括在內(nèi)是為了在空載或低負(fù)載操作狀態(tài)期間提供更好的穩(wěn)定性。
在圖3-9中所示的下面結(jié)果來自利用特定半導(dǎo)體工藝模型的仿真。仿真結(jié)果會(huì)因使用不同的元件值和具體應(yīng)用所需的不同模型而不同。當(dāng)依然實(shí)現(xiàn)如在這里描述的上述穩(wěn)定補(bǔ)償優(yōu)點(diǎn)的時(shí)候，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解不同的元件值和不同的半導(dǎo)體工藝可以結(jié)合本發(fā)明的補(bǔ)償方法和電路結(jié)合來使用。
現(xiàn)在參考圖3和圖4的曲線圖，Rzero 302和Req2 304都隨輸出負(fù)載電流而降低，然而如圖4的比值曲線400所示Req2降低得稍微快些。
根據(jù)仿真結(jié)果，當(dāng)Cc＝9pF時(shí)Ceq＝58.5pF，因此，圖5的比值500顯示零點(diǎn)Z1雖然總是比極點(diǎn)P2低，但是在整個(gè)負(fù)載電流范圍上相對(duì)接近于極點(diǎn)P2。圖5的比值500曲線表明本發(fā)明的上述補(bǔ)償方法的穩(wěn)定性，這使設(shè)計(jì)LDO調(diào)節(jié)器變得更容易。
下列圖6-9均示出了利用本發(fā)明的在負(fù)載電流為170mA時(shí)具有0.6V壓降的3.3V備用LDO調(diào)節(jié)器的仿真性能。示出了輸出負(fù)載脈沖和瞬時(shí)輸出電壓峰值，以及調(diào)節(jié)的輸出電壓。
圖6示出當(dāng)具有0.1μF的輸出電容和零歐姆的ESR時(shí)，具有負(fù)載瞬時(shí)峰值的調(diào)節(jié)的輸出電壓602和輸出負(fù)載脈沖604，二者都相對(duì)于時(shí)間。
圖7示出當(dāng)具有0.1μF的輸出電容和30歐姆的ESR時(shí)，具有負(fù)載瞬時(shí)峰值的調(diào)節(jié)的輸出電壓702和輸出負(fù)載脈沖704，二者都相對(duì)于時(shí)間。
圖8示出當(dāng)具有100μF的輸出電容和零歐姆的ESR時(shí)，具有負(fù)載瞬時(shí)峰值的調(diào)節(jié)的輸出電壓802和輸出負(fù)載脈沖804，二者都相對(duì)于時(shí)間。
圖9示出當(dāng)具有100μF的輸出電容和30歐姆的ESR時(shí)，具有負(fù)載瞬時(shí)峰值的調(diào)節(jié)的輸出電壓902和輸出負(fù)載脈沖904，二者都相對(duì)于時(shí)間。
如圖2所示，在本發(fā)明電路的調(diào)節(jié)器回路中，總共有三個(gè)極點(diǎn)和兩個(gè)零點(diǎn)，如先前所述的它們對(duì)改進(jìn)的穩(wěn)定性具有主要的影響。然而，零點(diǎn)Z1是由如上所述的可變電阻、定時(shí)電容Cc確定的。在本發(fā)明的上述電路中，零點(diǎn)Z1隨上述負(fù)載電流變化，而在現(xiàn)有技術(shù)中零點(diǎn)Z1是固定的。在本發(fā)明的上述電路中，零點(diǎn)Z1和極點(diǎn)P2在負(fù)載電流范圍的整個(gè)范圍上在頻率上彼此接近。實(shí)際上，零點(diǎn)Z1抵消了極點(diǎn)P2，因此僅有兩個(gè)剩余的極點(diǎn)P0和P1，一個(gè)剩余的零點(diǎn)Z0。反過來，這使得上述調(diào)節(jié)器的回路穩(wěn)定性設(shè)計(jì)更容易。
盡管上面已經(jīng)結(jié)合具體的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)和操作方法描述了本發(fā)明的原理，然而，可以清楚地理解，上述描述僅僅是示例性的，而非是對(duì)本發(fā)明的范圍的限制。特別地，應(yīng)該意識(shí)到，上述公開的教導(dǎo)會(huì)暗示相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員做出其他的修改。這些修改可以涉及其他的特征，這些特征本身已經(jīng)是已知的和可以被用于代替或添加到在這里描述的特征。盡管權(quán)利要求在本申請(qǐng)中已經(jīng)撰寫成特征的特定組合，但是應(yīng)該理解的是，本公開內(nèi)容的范圍在此包括明確地或隱含地公開的任何新穎特征或者任何新穎的特征組合，也包含對(duì)它們的概括或者修改，這些對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員都是非常清楚明白的，而不管它所涉及的發(fā)明是否和本次在任何權(quán)利要求中所請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明是相同的發(fā)明，也不管它是否解決了本發(fā)明所面對(duì)的任何或全部同樣的技術(shù)問題。申請(qǐng)人特此保留在本申請(qǐng)的申請(qǐng)或者從其得到的任何進(jìn)一步的申請(qǐng)的申請(qǐng)的過程期間對(duì)上述特征和/或上述特征的組合撰寫新權(quán)利要求的權(quán)力。
權(quán)利要求
1.一種用于電子電路的補(bǔ)償方法，該補(bǔ)償方法包括提供耦合到該電子電路中一個(gè)節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)償塊；感測(cè)該電子電路的負(fù)載電流；以及響應(yīng)該負(fù)載電流的值，調(diào)整該補(bǔ)償塊的阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的補(bǔ)償方法，其中響應(yīng)該負(fù)載電流的值調(diào)整該補(bǔ)償塊的阻抗包括調(diào)整該補(bǔ)償塊的電阻部分的電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的補(bǔ)償方法，其中提供補(bǔ)償塊包含提供包括與晶體管電流通路并聯(lián)連接的電阻的補(bǔ)償塊。
4.如權(quán)利要求3所述的補(bǔ)償方法，其中響應(yīng)該負(fù)載電流的值調(diào)整該補(bǔ)償塊的阻抗包含改變?cè)摼w管的柵極電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的補(bǔ)償方法，其中感測(cè)該電子電路的負(fù)載電流包含提供與輸出電流驅(qū)動(dòng)晶體管并聯(lián)的電流感測(cè)晶體管。
6.一種電子電路，包含耦合到該電子電路中一個(gè)節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)償塊；用于感測(cè)該電子電路的負(fù)載電流的裝置；以及用于響應(yīng)該負(fù)載電流的值調(diào)整該補(bǔ)償塊的阻抗的裝置。
7.如權(quán)利要求6所述的電子電路，其中用于響應(yīng)該負(fù)載電流的值調(diào)整該補(bǔ)償塊的阻抗的裝置包含與該補(bǔ)償塊中的電阻并聯(lián)的可調(diào)電阻。
8.如權(quán)利要求6所述的電子電路，其中該補(bǔ)償塊包含與晶體管電流通路并聯(lián)連接的電阻。
9.如權(quán)利要求8所述的電子電路，其中用于響應(yīng)該負(fù)載電流的值調(diào)整該補(bǔ)償塊的阻抗的裝置包含用于改變?cè)摼w管的柵極電壓的電路。
10.如權(quán)利要求6所述的電子電路，其中用于感測(cè)該電子電路的負(fù)載電流的裝置包含與輸出電流驅(qū)動(dòng)晶體管并聯(lián)的電流感測(cè)晶體管。
11.一種補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，包含跨導(dǎo)級(jí)，具有用于接收參考電壓的正輸入端、負(fù)輸入端和輸出端；可調(diào)整補(bǔ)償塊，耦合在跨導(dǎo)級(jí)的輸出端和地之間；反饋電路，具有耦合到該補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器輸出端的第一節(jié)點(diǎn)，耦合到該跨導(dǎo)級(jí)負(fù)輸入端的第二節(jié)點(diǎn)，和耦合到地的第三節(jié)點(diǎn)；以及驅(qū)動(dòng)級(jí)，具有耦合到該跨導(dǎo)級(jí)輸出端的輸入端，耦合到該補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器輸出端的電流輸出端，和耦合到該可調(diào)整補(bǔ)償塊的感測(cè)輸出端。
12.如權(quán)利要求11所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，其中該補(bǔ)償塊包含電阻。
13.如權(quán)利要求11所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，其中該補(bǔ)償塊包含電容。
14.如權(quán)利要求11所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，其中該補(bǔ)償塊包含與晶體管的電流通路并聯(lián)連接的電阻。
15.如權(quán)利要求11所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，其中該補(bǔ)償塊包含第一電阻；與第一電阻串聯(lián)連接的第二電阻；以及與第一和第二電阻串聯(lián)連接的電容。
16.如權(quán)利要求15所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，其中該補(bǔ)償塊進(jìn)一步地包含與該第二電阻并聯(lián)的電流鏡，該電流鏡用于接收來自該感測(cè)輸出端的感測(cè)電流，以及用于提供可變電阻。
17.如權(quán)利要求16所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，其中該補(bǔ)償塊進(jìn)一步地包含耦合在第一和第二電阻之間的緩沖級(jí)以及電流鏡。
18.如權(quán)利要求11所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，其中該反饋電路包含耦合到第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的第一電阻，以及耦合到第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的第二電阻。
19.如權(quán)利要求11所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，其中該驅(qū)動(dòng)級(jí)包含輸出電流驅(qū)動(dòng)晶體管。
20.如權(quán)利要求19所述的補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，更進(jìn)一步地包含與該輸出電流驅(qū)動(dòng)晶體管并聯(lián)的電流感測(cè)晶體管。
21.一種補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，包含補(bǔ)償阻抗，其隨負(fù)載電流而變化；在補(bǔ)償回路中的多個(gè)極點(diǎn)和零點(diǎn)；第一極點(diǎn)，其在頻率上隨該負(fù)載電流的值而移動(dòng)；以及第一零點(diǎn)，其在頻率上隨該負(fù)載電流的值而移動(dòng)，其中，第一極點(diǎn)和第一零點(diǎn)在頻率上的移動(dòng)相對(duì)于該負(fù)載電流值基本上相互跟蹤，以至于第一極點(diǎn)和第一零點(diǎn)在大約為1微安和1安培之間的負(fù)載電流值范圍上基本上相互抵消。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器，包括跨導(dǎo)級(jí)，具有用于接收參考電壓的正輸入端、負(fù)輸入端、輸出端；可調(diào)整補(bǔ)償塊，耦合到該跨導(dǎo)級(jí)輸出端和地之間；反饋電路，具有耦合到該補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器輸出端的第一節(jié)點(diǎn)、耦合到該跨導(dǎo)級(jí)負(fù)輸入端的第二節(jié)點(diǎn)和耦合到地的第三節(jié)點(diǎn)；驅(qū)動(dòng)級(jí)，具有耦合到該跨導(dǎo)級(jí)輸出端的輸入端、耦合到該補(bǔ)償式調(diào)節(jié)器輸出端的電流輸出端，以及耦合到該可調(diào)整補(bǔ)償塊的感測(cè)輸出端。
文檔編號(hào)G05F1/56GK101038497SQ200610074740
公開日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2006年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月17日
發(fā)明者林大松, 閘鋼 申請(qǐng)人:深圳賽意法微電子有限公司