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      Cmos基準(zhǔn)源電路的制作方法

      文檔序號:6281206閱讀:161來源:國知局
      專利名稱:Cmos基準(zhǔn)源電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及用于模擬、數(shù)?;旌想娐分行枰a(chǎn)生的低溫度系數(shù)和高電源 抑制比的基準(zhǔn)源電路,尤其涉及一種CMOS基準(zhǔn)源電路。
      背ft技術(shù)
      在模擬、數(shù)模混合,尤其是純數(shù)字電路中經(jīng)常會用到基準(zhǔn)源電路,包括基準(zhǔn) 電壓源和基準(zhǔn)電流源。基準(zhǔn)源電路的穩(wěn)定性直接關(guān)系到整個電路的性能。基準(zhǔn)電 壓源直接關(guān)系到輸出電壓的值、比較器工作狀態(tài)?;鶞?zhǔn)電流源為系統(tǒng)各個模塊提 供電流,它的性能對振蕩器的工作頻率、比較器以及運放的工作狀態(tài)都有很大的 影響?,F(xiàn)有的電路中往往還同時需要基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)電流源為其他電路模塊提 供基準(zhǔn)電壓和基準(zhǔn)電流。
      目前的設(shè)計思路是設(shè)計兩個電路模塊,分別用作基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)電流源, 但是,這樣的設(shè)計不僅增大了電路設(shè)計的難度,還增加了所用器件的數(shù)目,從而 增大了芯片的面積,加大了芯片設(shè)計的成本。
      一般常用的電壓源是帶隙基準(zhǔn)電壓源,采用雙極型器件實現(xiàn),輸出電壓值基 本恒定在1.25V左右工作原理是使AVbe的正溫度系數(shù)和Vbe的負溫度系數(shù)所 產(chǎn)生的漂移相互抵消。但是,由于帶隙基準(zhǔn)電壓源在CMOS工藝中的實現(xiàn)存在 很多問題,因此其發(fā)展受很多因素的限制,存在如下問題由于雙極型器件在 CMOS工藝中的兼容性不好,會產(chǎn)生放大器的失調(diào)等問題,因此,CMOS工藝 線上實現(xiàn)的帶隙基準(zhǔn)電壓源會存在三極管能否準(zhǔn)確實現(xiàn)以及如何減小放大器失 調(diào)的問題。比較常用的基準(zhǔn)電流源主要采用基于Vth的自偏置結(jié)構(gòu),這種基準(zhǔn)電 流源存在溫度系數(shù)較差的缺點。
      另外,有的應(yīng)用系統(tǒng)中需要低于IV的基準(zhǔn)電壓值,一般的帶隙基準(zhǔn)電壓源 不能直接滿足這個要求,需要設(shè)計其他的電壓轉(zhuǎn)換電路以降低輸出基準(zhǔn)電壓值, 這也會加大設(shè)計的難度。
      發(fā)明內(nèi)容
      針對上述問題,本實用新型的目的在于設(shè)計一種低溫度系數(shù)的、適于在
      CMOS工藝上實現(xiàn)的CMOS基準(zhǔn)源電路。本實用新型釆用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn), 電路結(jié)構(gòu)中不需要三極管,直接由MOS管的溫度特性進行適當(dāng)補償,可得到輸 出穩(wěn)定、低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓及穩(wěn)定的基準(zhǔn)電流。 本實用新型采用如下技術(shù)方案
      —種CMOS基準(zhǔn)源電路,包括啟動電路,主偏置電流產(chǎn)生電路,基準(zhǔn)電壓 產(chǎn)生電路及基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路啟動電路,主偏置電流產(chǎn)生電路,基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生 電路及基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的直流電輸入端分別連接直流電源Vdd,主偏置電流產(chǎn) 生電路的輸入端連接啟動電路的輸出端,主偏置電流產(chǎn)生電路的第一輸出端、第 二輸出端分別對應(yīng)連接基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路的第一 輸入端和第二輸入端,基準(zhǔn)電壓 產(chǎn)生電路的輸出端連接基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的第一 輸入端,基準(zhǔn)電壓輸出端輸出基 準(zhǔn)電壓并與基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的第二輸入端連接,基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的輸出端輸 出基準(zhǔn)電流。
      本實用新型的CMOS基準(zhǔn)源電路,具有明顯的優(yōu)點和積極的效果;且在很多 方面優(yōu)于目前常用的基準(zhǔn)電壓源電路。
      (1) 本實用新型電路中不包含三極管,只包含NMOS管、PMOS管、電阻、 電容四種器件,因此,具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點,在CMOS工藝線上實現(xiàn) 方便、有效、兼容性好;不會產(chǎn)生放大器的失調(diào)等問題。
      (2) 本實用新型全部采用CMOS技術(shù),具有開關(guān)速度快、功耗低等特點, 而且制備工藝簡單。
      (3) 本實用新型的CMOS基準(zhǔn)源電路在獲得輸出穩(wěn)定、低溫度系數(shù)的基準(zhǔn) 電壓源的同時可以獲得低溫漂的基準(zhǔn)電流源;在同一個電路結(jié)構(gòu)中同時 產(chǎn)生了基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)電流源,減小了電路設(shè)計的難度、所用器件的 數(shù)目,適用于同時需要基準(zhǔn)電壓和基準(zhǔn)電流的系統(tǒng),可使該系統(tǒng)芯片的 面積減小、成本降低。
      (4) 本實用新型所采用的正負溫度系數(shù)補償方式簡單,不需要引入雙極型器 件來構(gòu)造正負溫度系數(shù)的參數(shù)進行溫度補償,而是由MOS管的遷移率 和閾值電壓存在的溫度特性進行正負溫度補償,因此,可得到低溫度系
      數(shù)的基準(zhǔn)電壓,提髙基準(zhǔn)電源的穩(wěn)定性,進而提高整個電路的性能。
      (5) 由于采用了有別于傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電壓源的方法,使得基準(zhǔn)電壓輸出值 不是傳統(tǒng)的1.25V,與閾值電壓有密切關(guān)系。適用于需要較低基準(zhǔn)電壓 源的系統(tǒng)中。


      圖1是本實用新型的CMOS基準(zhǔn)源電路的結(jié)構(gòu)框圖。 圖2是本實用新型的CMOS基準(zhǔn)源電路的電原理圖。 圖3是不同電源情況下基準(zhǔn)電壓值隨溫度變化曲線圖。
      具體實施方式
      以下通過本實用新型的具體實施例并結(jié)合附圖,對本實用新型的目的、電路 結(jié)構(gòu)和優(yōu)點作進一步描述。
      如圖1所示,CMOS基準(zhǔn)源電路包括用來使基準(zhǔn)電路脫離零穩(wěn)態(tài),轉(zhuǎn)入正常 工作狀態(tài)的啟動電路1,用來產(chǎn)生主偏置電流的偏置電路主偏置電流產(chǎn)生電路2, 基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3及基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4,啟動電路l,主偏置電流產(chǎn)生電路 2,基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3及基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4的直流電輸入端分別連接直流電 源Vdd,主偏置電流產(chǎn)生電路2的輸入端連接啟動電路1的輸出端,主偏置電流 產(chǎn)生電路2的第一輸出端、第二輸出端分別對應(yīng)連接基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3的第一 輸入端和第二輸入端,基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3的輸出端連接基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4 的第一輸入端,基準(zhǔn)電壓輸出端輸出基準(zhǔn)電壓并與基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4的第二輸 入端連接,基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4的輸出端輸出基準(zhǔn)電流。
      如圖2所示,啟動電路1由至少兩個PMOS管Pl、 PMOS管P2和電容C0 組成,PMOS管Pl和PMOS管P2的源極作為啟動電路1的直流電輸入端,與 直流電源Vdd相連,PMOS管Pl的漏極分別與PMOS管P2的柵極及電容C0 正端相連,PMOS管P2的漏極作為啟動電路1的輸出端與主偏置電流的偏置電 路2的輸入端連接,PMOS管Pl的柵極及電容C0的另一端接公共地端。
      主偏置電流產(chǎn)生電路2由8個MOS管和一個電阻組成;PMOS管Ml和PMOS 管M2的源極相連并作為主偏置電流產(chǎn)生電路2的直流電輸入端,與直流電源 Vdd相連,PMOS管Ml的漏極與PMOS管M3的源極相連,PMOS管M2的漏
      極與PMOS管M4的源極相連,PMOS管Ml和PMOS管M2的柵極共接于PMOS 管M2的漏極和PMOS管M4的源極,且作為主偏置電流產(chǎn)生電路2的第一輸出 端PMOS管M3和PMOS管M4的柵極共接于PMOS管M4和NMOS管M6 的漏極,且作為主偏置電流產(chǎn)生電路2的第二輸出端PMOS管M3的漏極與 NMOS管M5漏極、NMOS管M5、 NMOS管M6的柵極共接NMOS管M5的 源極與NMOS管M7的柵極相連并作為主偏置電流產(chǎn)生電路2的輸入端,NMOS 管M7的漏極和NMOS管M8的柵極相連,NMOS管M7的柵極和漏極之間設(shè) 置一電阻R1, NMOS管M6的源極與NMOS管的漏極相連NMOS管M7 和NMOS管M8的源極接公共地端。
      基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3由3個MOS管組成,PMOS管M9的源極作為基準(zhǔn)電 壓產(chǎn)生電路3的直流電輸入端,PMOS管M9和PMOS管M10的柵極分別作為 基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3的第一輸入端和第二輸入端,PMOS管M9的漏極與PMOS 管M10的源極相連,PMOS管M10的漏極連接NMOS管Mil的漏極,并作為 基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3的輸出端與基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4的輸入端連接,NMOS管 Mil的柵極作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3的基準(zhǔn)電壓輸出端,輸出基準(zhǔn)電壓,NMOS 管M11的源極接公共地端。
      基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4由5個MOS管和一個電阻R2構(gòu)成,PMOS管M12和 PMOS管M15的源極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4的直流電輸入端,與直流電源Vdd 相連,PMOS管M12和PMOS管M15的槲極共接于PMOS管M12的漏極和PMOS 管M13的源極;PMOS管M13和PMOS管M16的柵極共接于PMOS管M13的 漏極和NMOS管M14的漏極NMOS管M14的源極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4 的第二輸入端并與電阻R2的一端連接,電阻R2的另一端接公共地端,NMOS 管M14的柵極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4的第一輸入端,PMOS管M15的漏極與 PMOS管M16的源極連接,PMOS管M16的漏極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4的輸 出端,輸出基準(zhǔn)電流。
      參見圖5,圖中所示為不同電源電壓下基準(zhǔn)輸出隨溫度變化的曲線圖,由曲 線圖可以看出,溫度從01C變化到100",基準(zhǔn)電壓輸出值僅變化了 4.5mV,由 此可見,本實用新型的基準(zhǔn)源具有很好的溫度系數(shù)特性。電源電壓從3V變化到 6V,輸出的基準(zhǔn)電壓幾乎不變,說明本實用新型的基準(zhǔn)源輸出穩(wěn)定。根據(jù)圖中
      的分析,本實用新型的CMOS基準(zhǔn)源電路具有較低的溫度系數(shù)和輸出穩(wěn)定的優(yōu) 點。此外,由于采用了有別于傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電壓源的方法,使得基準(zhǔn)電壓輸出 值不是恒定在L25V左右,而是與閾值電壓有密切關(guān)系,可以適用于霈要較低基 準(zhǔn)電壓源的系統(tǒng)中,例如霈要的基準(zhǔn)電壓為IV以內(nèi)。
      本實用新型的電路的工作過程當(dāng)接通電源電壓Vdd后,啟動電路l率先工 作,上電瞬間電容CO上沒有電荷,PMOS管Pl、 P2都導(dǎo)通,PMOS管M3的 柵電位拉高,從而使PMOS管M3開啟并產(chǎn)生電流,PMOS管Ml、 M2上也陸 續(xù)的產(chǎn)生了電流,讓主偏置電流產(chǎn)生電路2脫離零穩(wěn)態(tài)開始正常工作在這過程 中,PMOS管Pl —直在向電容C0充電,電容CO上的壓降逐漸升高直至PMOS 管P2關(guān)斷,此時,啟動電路1對主偏置電流產(chǎn)生電路2、基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3 ,基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路4都沒有任何影響了,在穩(wěn)定后,啟動電路l上沒有功耗。 主偏置電流產(chǎn)生電路2采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu),有效的抑制了溝道長度調(diào)制效 應(yīng)的影響,使電路具有較好的電源抑制比。NMOS管M7和M8的柵源電壓差 AV辟流過電阻R1,形成了電流I,電流I具有正溫度系數(shù);主偏置電流產(chǎn)生電 路2產(chǎn)生具有正溫度系數(shù)的電流后,由PMOS管M9和M10拷貝電流到基準(zhǔn)電 壓產(chǎn)生電路3, NMOS管Mll在恒定電流的作用下,具有恒定的柵源電壓,于 是形成穩(wěn)定輸出的基準(zhǔn)電壓,設(shè)置相應(yīng)的寬長比可以得到較低的溫度系數(shù);基準(zhǔn) 電壓再通過電阻R2形成電流,由共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)拷貝至電流輸出端,形成 基準(zhǔn)電流輸出,提供給系統(tǒng)中需要電流的模塊電路。
      本實用新型的原理如下
      本實用新型的CMOS基準(zhǔn)源電路采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn),電路結(jié)構(gòu)中不 需要三極管,只包含NMOS管、PMOS管、電阻、電容四種器件,具有電路結(jié) 構(gòu)和制備工藝簡單的優(yōu)點。在CMOS電路中, 一般,NMOS管閾值電壓的溫度 特性可表示為
      ^("A(。U-7i) (1) T。為參考溫度,為NMOS管閾值電壓的溫度系數(shù),^(r)是溫度為
      T時NMOS管的閾值電壓,具有負溫度系數(shù)。
      另外,NMOS管遷移率也是個具有溫度特性的參數(shù),可以描述為

      力/i
      (2)
      式(2)中,A(D是溫度為T時NMOS管的遷移率,^"是NMOS管遷移
      ,遷移率也具有負溫度系數(shù)。 MOS管M1 M8和電阻Rl構(gòu)成偏置電路,產(chǎn)生的電流呈正溫度系數(shù)。M7 和M8的柵源電壓差A(yù)Vgs流過電阻Rl,形成了電流I, NMOS管M7的寬長比

      ;〕,NMOS管M8的寬長比是
      、了
      C;是單位面積的柵氧化層電容。根
      乂《
      據(jù)飽和區(qū)薩氏方程及相應(yīng)的推導(dǎo)可以得到:
      ,2
      ,2
      〔純r
      (3)
      式(3)表示,I是具有正溫度系數(shù)的電流。
      M9、 M10和Mil是基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路,由M9、 M10復(fù)制電流,M9的寬 長比是M2的M倍,于是M9的電流是M倍的電流I,即M", Mil的柵源電 壓Vgs直接形成低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓,Mll必須工作在飽和區(qū)。M12、 M13、 M14和R2可以通過Mil的低溫度系數(shù)柵源電壓V辟直接構(gòu)成低溫度系數(shù)的電 流,M15、 M16可以直接拷貝產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流用于系統(tǒng)工作中。其中NMOS管 M14的存在相當(dāng)重要,M14管的柵極與Mil管的漏極連接,保證了 Mil管的漏 源電壓Vds大于柵源電壓Vgs,使其工作在飽和區(qū)。可見,此電路不僅可以獲得 穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓,同時,還可以通過R2的選擇獲得合適的參考電流,再通過 M15、M16拷貝為系統(tǒng)提供低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電流源,可謂一舉兩得。由此可見, 在同一個電路結(jié)構(gòu)中同時產(chǎn)生了基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)電流源,比較適用于同時需要 基準(zhǔn)電壓和基準(zhǔn)電流的系統(tǒng)。
      NMOS管Mll的寬長比是f^) ,IM11是流過M11管的電流,對于基準(zhǔn)電
      壓輸出電路中NMOS管Mil來說:
      乂"
      'Am
      'A/9
      (4)2/
      則、oJ 、、 o, ,、,、
      將(5)式兩端對溫度T求偏導(dǎo),可以得到:
      < 2
      37"
      1
      4/
      丄 r
      (5)
      (6)
      附《/
      =0
      可以看出,(6)式由正負兩部分組成,令,則:
      、
      乂n
      (7)
      根據(jù)偏置電路的給定以及相關(guān)模型參數(shù),由(7)式可以相對確定M值及 Mll管的寬長比,適當(dāng)調(diào)節(jié)獲得低溫度系數(shù)的電壓值。假設(shè)基準(zhǔn)呈現(xiàn)正溫度系數(shù), 則可以通過增大Mil管W/L,或者減小M值即減小Mil管電流來獲得零溫度 系數(shù),反之類似。
      可見,本實用新型所采用的正負溫度系數(shù)補償方式簡單,由MOS管的遷移 率和闌值電壓存在的溫度特性進行正負溫度補償,因此,可得到低溫度系數(shù)的基 準(zhǔn)電壓不需要引入雙極型器件來構(gòu)造正負溫度系數(shù)的參數(shù)進行溫度補償。
      權(quán)利要求1、一種CMOS基準(zhǔn)源電路,其特征在于包括啟動電路(1),主偏置電流產(chǎn)生電路(2),基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(3)及基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4);啟動電路(1),主偏置電流產(chǎn)生電路(2),基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(3)及基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4)的直流電輸入端分別連接直流電源Vdd,主偏置電流產(chǎn)生電路(2)的輸入端連接啟動電路(1)的輸出端,主偏置電流產(chǎn)生電路(2)的第一輸出端、第二輸出端分別對應(yīng)連接基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(3)的第一輸入端和第二輸入端,基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(3)的輸出端連接基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4)的第一輸入端,基準(zhǔn)電壓輸出端輸出基準(zhǔn)電壓并與基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4)的第二輸入端連接,基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4)的輸出端輸出基準(zhǔn)電流。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS基準(zhǔn)源電路,其特征在于:所述的啟動電路(l) 由至少兩個PMOS管Pl 、 PMOS管P2和電容C0組成,PMOS管Pl和PMOS 管P2的源極作為啟動電路(1)的直流電輸入端,與直流電源Vdd相連,PMOS 管Pl的漏極分別與PMOS管P2的柵極及電容C0正端相連,PMOS管P2的漏 極作為啟動電路(l)的輸出端與主偏置電流的偏置電路(2)的輸入端連接,PMOS 管Pl的柵極及電容C0的另一端接公共地端。
      3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的CMOS基準(zhǔn)源電路,其特征在于所述的主偏置電流 產(chǎn)生電路(2)由8個MOS管和一個電阻組成PMOS管Ml和PMOS管M2 的源極相連并作為主偏置電流產(chǎn)生電路(2)的直流電輸入端,與直流電源Vdd 相連,PMOS管Ml的漏極與PMOS管M3的源極相連,PMOS管M2的漏極與 PMOS管M4的源極相連,PMOS管Ml和PMOS管M2的柵極共接于PMOS 管M2的漏極和PMOS管M4的源極,且作為主偏置電流產(chǎn)生電路(2)的第一 輸出端;PMOS管M3和PMOS管M4的柵極共接于PMOS管M4和NMOS管 M6的漏極,且作為主偏置電流產(chǎn)生電路(2)的第二輸出端;PMOS管M3的漏 極與NMOS管M5漏極、NMOS管M5、 NMOS管M6的柵極共接;NMOS管 M5的源極與NMOS管M7的柵極相連并作為主偏置電流產(chǎn)生電路(2)的輸入 端,NMOS管M7的漏極和NMOS管M8的柵極相連,NMOS管M7的柵極和 漏極之間設(shè)置一電阻Rl, NMOS管M6的源極與NMOS管M8的漏極相連; NMOS管M7和NMOS管M8的源極接公共地端。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的CMOS基準(zhǔn)源電路,其特征在于所述的基準(zhǔn)電壓產(chǎn) 生電路(3)由3個MOS管組成,PMOS管M9的源極作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(3) 的直流電輸入端,PMOS管M9和PMOS管M10的柵極分別作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生 電路(3)的第一輸入端和第二輸入端,PMOS管M9的漏極與PMOS管M10的 源極相連,PMOS管M10的漏極連接NMOS管Mil的漏極,并作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn) 生電路(3)的l^出端與基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4)的輸入端連接,NMOS管Mil 的柵極作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(3)的基準(zhǔn)電壓輸出端,輸出基準(zhǔn)電壓,NMOS 管M11的源極接公共地端。
      5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS基準(zhǔn)源電路,其特征在于所述的基準(zhǔn)電流產(chǎn) 生電路(4)由5個MOS管和一個電阻R2構(gòu)成,PMOS管M12和PMOS管M15 的源極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4)的直流電輸入端,與直流電源Vdd相連,PMOS 管M12和PMOS管M15的柵極共接于PMOS管M12的漏極和PMOS管M13 的源極;PMOS管M13和PMOS管M16的柵極共接于PMOS管M13的漏極和 NMOS管M14的漏極;NMOS管M14的源極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4)的第 二輸入端并與電阻R2的一端連接,電阻R2的另一端接公共地端,NMOS管 M14的柵極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4)的第一輸入端,PMOS管M15的漏極與 PMOS管M16的源極連接,PMOS管M16的漏極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路(4) 的輸出端,輸出基準(zhǔn)電流。
      專利摘要本實用新型公開了一種低溫度系數(shù)的、適于在CMOS工藝上實現(xiàn)的CMOS基準(zhǔn)源電路,包括啟動電路,主偏置電流產(chǎn)生電路,基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路及基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路;啟動電路,主偏置電流產(chǎn)生電路,基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路及基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的直流電輸入端分別連接直流電源Vdd,主偏置電流產(chǎn)生電路的輸入端連接啟動電路的輸出端,主偏置電流產(chǎn)生電路的第一輸出端、第二輸出端分別對應(yīng)連接基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路的第一輸入端和第二輸入端,基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路的輸出端連接基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的第一輸入端,基準(zhǔn)電壓輸出端輸出基準(zhǔn)電壓并與基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的第二輸入端連接,基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的輸出端輸出基準(zhǔn)電流。
      文檔編號G05F3/24GK201000586SQ20062017089
      公開日2008年1月2日 申請日期2006年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
      發(fā)明者夏曉娟, 孫偉鋒, 時龍興, 亮 謝 申請人:東南大學(xué)
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