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      發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號:6291967閱讀:549來源:國知局
      專利名稱:發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)的制作方法
      技術領域
      本實用新型涉及一種測量系統(tǒng),特別涉及一種用以測量發(fā)光二極管的溫度特性的測量系統(tǒng)。
      背景技術
      發(fā)光二極管(Light Emitting Diode; LED)具有工作電壓低,耗電量小,發(fā)光效率高,反 應時間短,光色純,結構牢固,抗沖擊,耐振動,性能穩(wěn)定可靠,重量輕,體積小及成本低 等特點。隨著技術的進步,發(fā)光二極管可展現(xiàn)的亮度等級越來越高,其應用領域也越來越廣 泛,例如大面積圖文顯示全彩屏,狀態(tài)指示、標志照明、信號顯示、液晶顯示器的背光源 或車內(nèi)照明。
      為了得知環(huán)境溫度對于發(fā)光二極管的光電特性的影響,需要對發(fā)光二極管進行溫度特性 的測量。當進行發(fā)光二極管的溫度特性測量時,需利用例如環(huán)境控制箱、烤箱或冷熱二極 管等溫控設備,來控制發(fā)光二極管的環(huán)境溫度,并通過光學測量系統(tǒng)來測量環(huán)境溫度對于發(fā) 光二極管的光電特性的影響。當進行發(fā)光二極管的低溫測試時,則需另搭配壓縮機或其它冷 卻裝置,來降低發(fā)光二極管的環(huán)境溫度。
      然而,在一般發(fā)光二極管的溫度特性測量過程中,發(fā)光二極管組件和光學測量系統(tǒng)的偵 測器暴露于一般大氣中,當環(huán)境溫度產(chǎn)生變化時,例如當環(huán)境溫度由室溫下降至零度以下時, 則容易發(fā)生水氣凝結或結霜的情形,因而造成光學測量上的誤差,影響測量的準確性。

      實用新型內(nèi)容
      本實用新型的目的在于,提供一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),用以測量發(fā)光二極 管的溫度特性,并可避免在測量時發(fā)生水氣凝結或結霜的情形,因而確保測量準確度。 本實用新型采用如下技術方案
      一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),用以測量發(fā)光二極管的溫度特性,其中測量系統(tǒng) 至少包含環(huán)境控制裝置、流體介質、溫度控制裝置及光學測量裝置。環(huán)境控制裝置具有容置 空間,其中發(fā)光二極管設置于該容置空間中。所述流體介質填充于環(huán)境控制裝置的容置空間 中,并包覆住發(fā)光二極管。其中,所述流體介質為絕緣材料,且流體介質在容置空間內(nèi)的溫 度操作范圍介于一55度('C)至140度('C)之間。溫度控制裝置用以控制容置空間內(nèi)的溫度。光學測量裝置用以測量發(fā)光二極管的光學特性。
      本實用新型可用以測量環(huán)境溫度對于發(fā)光二極管的光學特性的影響,并可確保在環(huán)境溫 度變化時的測量準確度。
      以下結合附圖及實施例進一步說明本實用新型。


      圖l、圖2為本實用新型第一實施例的結構框圖。 圖3為本實用新型第一實施例的結構框圖。 標號說明
      100:測量系統(tǒng)133:冷卻裝置
      110:環(huán)境控制裝置140:光學測量裝置
      111:容置空間141:偵測器
      112:均溫裝置142:隔絕透鏡
      120、120a:流體介質跳控制單元
      130:溫度控制裝置跳電源電表
      131:溫度控制器200:發(fā)光二極管
      132:加熱裝置
      具體實施方式第一實施例
      如圖l、圖2所示, 一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng)100,用以測量發(fā)光二極管200 的溫度特性,以此了解環(huán)境溫度對于發(fā)光二極管200的光學特性的影響。其至少包含有環(huán)境 控制裝置110、流體介質120、溫度控制裝置130、光學測量裝置140、控制單元150及電源 電表(Source Meter) 160。發(fā)光二極管200設置于環(huán)境控制裝置110內(nèi),以進行測量,流體介 質120填充于環(huán)境控制裝置110內(nèi),并包覆住發(fā)光二極管200,溫度控制裝置130用以控制環(huán) 境控制裝置110內(nèi)的溫度,光學測量裝置140用以測量發(fā)光二極管200的光學特性,控制單 元150導電連接于溫度控制裝置130、光學測量裝置140及電源電表160,以進行控制動作, 電源電表160用于偵測發(fā)光二極管200的電學性能。
      如圖2所示,本實施例的環(huán)境控制裝置110具有容置空間111,用以容設發(fā)光二極管200 和流體介質120,以此使發(fā)光二極管200設置于流體介質120中,并透過流體介質120來測量發(fā)光二極管200的溫度特性,亦即測量發(fā)光二極管200在不同環(huán)境溫度下的光學特性表現(xiàn)。 此外,環(huán)境控制裝置110可設有均溫裝置112,例如為磁力攪拌棒或通過馬達來帶動葉片, 其設置于容置空間111中,用于對容置空間111內(nèi)的流體介質120進行攪拌動作,而達到快 速均勻溫度效果。
      如圖2所示,本實施例的流體介質120填充于環(huán)境控制裝置110的容置空間111中,并 包覆住發(fā)光二極管200,其中流體介質120優(yōu)選絕緣流體材料,且流體介質120在容置空間 111內(nèi)的溫度操作范圍(亦即發(fā)光二極管200的環(huán)境溫度變化)介于負55度(一55'C)至140度 rc)之間,優(yōu)選介于負40度(一4(TC)至125度(。C)之間。在本實施例中,流體介質120可采 用油質材料,較好的是選用硅油,此時環(huán)境控制裝置110例如可為油浴槽,以容置硅油和發(fā) 光二極管200。由于本實施例的流體介質120在高溫(例如IOO度以上)或低溫(例如零下溫度) 時不會發(fā)生變化,并且不會與發(fā)光二極管200發(fā)生反應,因而本實施例的流體介質120可適 合作為發(fā)光二極管200的環(huán)境流體介質,以進行發(fā)光二極管200溫度特性的測量。
      如圖2所示,本實施例的溫度控制裝置130設有溫度控制器131、加熱裝置132及冷卻裝 置133,溫度控制器131導電性連接于加熱裝置132和冷卻裝置133,以控制加熱裝置132來 加熱容置空間111內(nèi)的流體介質120,或者控制冷卻裝置133來冷卻流體介質120,以提高或 降低測量系統(tǒng)100的環(huán)境溫度。加熱裝置132例如為加熱線圈或冷熱二極管,用以快速地提 高流體介質120的溫度。冷卻裝置133例如為冷卻壓縮機、冷熱二極管或液態(tài)氣體冷卻裝置, 用以快速地降低流體介質120的溫度。
      如圖2所示,本實施例的光學測量裝置140用以測量在流體介質120中的發(fā)光二極管200 的光學特性,例如光通量、光分布、亮度、光譜分布、色度坐標、顯色指數(shù)或發(fā)光效率等。 光學測量裝置140設有偵測器141和隔絕透鏡142,偵測器141設置于環(huán)境控制裝置110中, 并對應于發(fā)光二極管200,以直接偵測發(fā)光二極管200的光學特性。隔絕透鏡142設置偵測器 141上,用以隔絕流體介質120,并允許光線透過,其中偵測器141和隔絕透鏡142之間可進 行真空處理或設有除濕劑材料,以防止水氣產(chǎn)生??刂茊卧?50用以控制溫度控制裝置130、 光學測量裝置140及電源電表160,控制單元150例如為計算機主機或微控制芯片,并可設有 顯示裝置(未繪示),以顯示測量結果。電源電表160導電連接于發(fā)光二極管200,以實時偵測 發(fā)光二極管200的電學性能,例如電壓和電流等。
      值得注意的是,本實施例的測量系統(tǒng)100可分別測量發(fā)光二極管200在不同環(huán)境溫度下 的光學特性,以進行比對,因而可得到發(fā)光二極管200的溫度特性。
      因此,本實施例的測量系統(tǒng)100可通過絕緣的流體介質120來作為發(fā)光二極管200的環(huán)境流體介質,以避免在環(huán)境溫度產(chǎn)生變化時發(fā)生水氣凝結或結霜的情形,因而可確保測量準 確性。
      第二實施例
      如圖3所示, 一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),以下僅就本實施例與第一實施例之 間的不同之處進行說明,關于相似處則在此不再贅述。與第一實施例相比,第二實施例的流 體介質120a例如為超純水(Ultrapure Water),以作為發(fā)光二極管200的環(huán)境流體介質,以 確保測量準確性。
      由上述本實用新型的實施例可知,本實用新型的測量系統(tǒng)可用以測量環(huán)境溫度對于發(fā)光 二極管的光學特性的影響,并可確保在環(huán)境溫度變化時的測量準確度。
      以上所述的實施例僅用于說明本實用新型的技術思想及特點,其目的在使本領域內(nèi)的技 術人員能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施,當不能僅以本實施例來限定本實用新型的專 利范圍,即凡依本實用新型所揭示的精神所作的同等變化或修飾,仍落在本實用新型的專利 范圍內(nèi)。
      權利要求1.一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于包括一環(huán)境控制裝置,其具有一容置空間的,發(fā)光二極管設置于該容置空間中;一流體介質,填充于該容置空間中,并包覆住該發(fā)光二極管;一溫度控制裝置,用以控制該容置空間內(nèi)的溫度;以及一光學測量裝置,用以測量在該流體介質中的該發(fā)光二極管的光學特性。
      2. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于還包括 一控制單元,電性連接于該溫度控制裝置和該光學測量裝置,以該溫度控制裝置和該光學測量裝置。
      3. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于還包括一用于偵 測該發(fā)光二極管的電壓或電流的電源電表。
      4. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于該該容置空間 還設有一均勻流體介質溫度的均溫裝置。
      5. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于該流體介質為 絕緣材料,且該流體介質在該容置空間內(nèi)的溫度操作范圍介于一55度至140度之間。
      6. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于該流體介質在 該容置空間內(nèi)的溫度操作范圍介于一40度至125度之間。
      7. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于該流體介質為 油質材料。
      8. 根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于該流體介質為硅油。
      9. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特征在于該流體介質為 超純水。
      10. 根據(jù)權利要求1至9中任一權利要求所述的發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),其特 征在于該溫度控制裝置包括一加熱裝置,用以對該流體介質進行加熱; 一冷卻裝置,用以對該流體介質進行冷卻;以及一溫度控制器,電性連接于該加熱裝置和該冷卻裝置,用以控制該加熱裝置和該冷卻裝置。
      專利摘要一種發(fā)光二極管的溫度特性測量系統(tǒng),用于測量發(fā)光二極管的溫度特性,其包括環(huán)境控制裝置、流體介質、溫度控制裝置及光學測量裝置。所述發(fā)光二極管設置于環(huán)境控制裝置的容置空間中,所述流體介質填充于環(huán)境控制裝置的容置空間中,所述溫度控制裝置用于控制容置空間內(nèi)的溫度,光學測量裝置用于測量發(fā)光二極管的光學特性。本實用新型可用以測量環(huán)境溫度對于發(fā)光二極管的光學特性的影響,并可確保在環(huán)境溫度變化時的測量準確度。
      文檔編號G05D23/00GK201145717SQ20072018980
      公開日2008年11月5日 申請日期2007年9月28日 優(yōu)先權日2007年9月28日
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