專利名稱：調(diào)整電路與其相關(guān)調(diào)整方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是提供一種調(diào)整裝置(tri纖er device)以及其相關(guān)調(diào)整方法，尤指一種利用開關(guān)切換來控制等效阻抗的調(diào)整裝置以及其相關(guān)調(diào)整方法。
背景技術(shù)：
由于制程的誤差，在集成電路制作出來之后，其電路特性(譬如電阻、電容值等等)會偏離理想值；前述的特性誤差往往會降低電路運作時的效能，甚至會導致電路運作上的錯誤。
然而，當芯片進行封測時，由于時間與成本的考慮，無法對于芯片電路中每一個元件個別地進行調(diào)整；然而，對于模擬電路來說，重點在于維持集成電路中某些參考信號的數(shù)值(譬如某些節(jié)點的電壓值等等)，使其能符合原本電路設(shè)計時的理想值，因此，如何正確地執(zhí)行上述的調(diào)整操作，以將偏移后的參考信號數(shù)值調(diào)整回原本電路設(shè)計時的理想值，已經(jīng)成為業(yè)界一個重要
的課題。
請參閱圖1,圖1為已知調(diào)整裝置(trimmer) 100的示意圖。調(diào)整裝置100是用來調(diào)整目標電路110的參考電壓VF,而調(diào)整裝置100包括三個串聯(lián)電阻120、 130、 140以及三個熔絲150、 160、 170。如圖1所示，熔絲150、 160、170的導通狀態(tài)會決定電阻120、 130、 140的等效電阻值；意即，當熔絲150、160、 170炫斷前，熔絲150、 160、 170會形成短路，而忽略所對應(yīng)的電阻120、130、 140;而當熔絲150、 160、 170的其中之一熔斷之后，其所對應(yīng)的電阻120、 130、 140便導通而于電阻的兩端建立跨壓，因此便可進而調(diào)整參考電壓Vp的電壓值。
此外，請參閱圖2,圖2為已知另一調(diào)整裝置200的示意圖。調(diào)整裝置200與前述的調(diào)整裝置100類似，其不同之處在于調(diào)整裝置200內(nèi)部的電阻220、 230、 240與熔絲250、 260、 270是分別以串聯(lián)的方式相互耦接。由于其運作方式與調(diào)整裝置100類似，皆運用熔絲250、 260、 270的導通狀況來控制電阻220、 230、 240的總等效電阻值，進而調(diào)整參考電壓VF的電壓值；故不另贅述于此。
通過上述的機制，晶圓廠便可于芯片封測時，利用外部測試裝置(未顯示)來檢測參考電壓(或其它參考信號，譬如可輸入測試電壓并檢測對應(yīng)該測試電壓的測試電流等等)，并且根據(jù)參考電壓的誤差程度來選擇欲熔斷的熔絲150、
160、 170,以調(diào)整電阻120、 130、 140所提供的等效電阻值，進而將參考電壓調(diào)整至原先設(shè)計的理想值。
然而，前述的調(diào)整裝置IOO、 200具有一些缺點。首先，由于有時熔絲熔斷的并不完整，而這些未完全熔斷的熔絲會具有電阻值，如此一來，熔絲本身所具有的電阻值也會連帶地影響參考電壓Vf的數(shù)植，使得原先設(shè)計的調(diào)整機制無法精確地運作。此外，在前述的調(diào)整機制中，電阻所提供的等效電阻值只能向上調(diào)整，因此，若目標電路的阻抗值已經(jīng)大于原本的設(shè)計值，前述的調(diào)整電路便無法處理；此時，若要使芯片的良率提升，在芯片設(shè)計時便必
用調(diào)整電路將整體阻抗值向上調(diào)整回正確的理想值，然而，這樣的做法必須對每一顆芯片進行調(diào)整，在提升良率的同時，也花費掉了相當大的時間與成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種調(diào)整裝置以及相關(guān)調(diào)整方法，以解決已知技術(shù)中的問題。
根據(jù)本發(fā)明的一實施例，是揭露一種調(diào)整裝置(trimmer device),用來調(diào)整目標電路(target circuit)的參考信號，該調(diào)整裝置包括開關(guān)控制模塊包括熔絲(fuse)，用來依據(jù)該參考信號決定該熔絲是否熔斷；以及控制信號產(chǎn)生電路，耦接至該熔絲，用來根據(jù)該熔絲的熔斷狀況，產(chǎn)生控制信號；以及阻抗調(diào)整電路，耦接至該目標電路以及該開關(guān)控制模塊，該阻抗調(diào)整電路包括開關(guān)模塊，用來依據(jù)該控制信號，決定該開關(guān)模塊的導通狀況；以及阻抗網(wǎng)絡(luò)，耦接至該開關(guān)模塊，用來依據(jù)該開關(guān)模塊的導通狀況，決定該阻抗網(wǎng)絡(luò)的等效阻抗，以調(diào)整該參考信號。
根據(jù)本發(fā)明的一實施例，還揭露一種調(diào)整方法，其用來調(diào)整目標電路(target circuit)的參考信號，該調(diào)整方法包括提供開關(guān)控制模塊，該開關(guān)控制模塊包括熔絲(fuse)以及控制信號產(chǎn)生電路；根據(jù)該參考信號，通過
5熔斷該熔絲的方式，利用控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生控制信號；以及根據(jù)該控制信號，控制耦接至該目標電路的阻抗網(wǎng)絡(luò)的等效阻抗，以調(diào)整該參考信號。
本發(fā)明調(diào)整裝置是通過開關(guān)的切換來控制參考信號或整體的等效阻抗值，相較于先前采用熔絲的控制機制，本發(fā)明較具有設(shè)計上的彈性，并且可以允許向上/向下地調(diào)整參考信號或整體的等效阻抗值；因此，在芯片設(shè)計上，便無須刻意將目標電路的電阻值降低以符合良率的需求，如此一來，于芯片封測時，本發(fā)明調(diào)整裝置只須對阻抗值(參考信號)不合于理想值的目標電路進行調(diào)整，節(jié)省了封測成本與時間。


圖1為已知調(diào)整裝置的示意圖。
圖2為已知另一調(diào)整裝置的示意圖。圖3為本發(fā)明調(diào)整裝置的示意圖。圖式編號
100、 200、 300 調(diào)整裝置
120、 130、 140、 220、 230、 240、 311、 312、 353、 363 電阻
150、 160、 170、 250、 260、 270、 311、 312、 351、 361 熔絲
310 阻抗調(diào)整電路
320開關(guān)控制模塊
313、 314 晶體管
350、 360 開關(guān)控制單元
352、 362 控制信號產(chǎn)生電路
354、 364 反向器
110、 210、 301 目標裝置
具體實施例方式
以下參考圖式詳細說明本發(fā)明。
請參閱圖3,圖3為本發(fā)明調(diào)整裝置300的示意圖。如圖3所示，調(diào)整裝置300包括阻抗調(diào)整電路310以及開關(guān)控制模塊320。阻抗調(diào)整電路310包括多個電阻311、 312與多個晶體管313、 314，其耦接的狀況如圖3所示，故不另贅述。在此請注意，于本實施例中，晶體管313、 314是作為開關(guān)使用。而開關(guān)控制模塊320是用來控制開關(guān)313、 314的導通狀況，以改變電阻311、 312的等效電阻值，因此可進而調(diào)整參考信號VF。在此請注意，由于本發(fā)明調(diào)整裝置300采用開關(guān)來控制電阻311、 312整體的等效電阻值，因此具有更佳的設(shè)計彈性；舉例來說，只要適當?shù)脑O(shè)定開關(guān)313、 314的初始狀態(tài)，本發(fā)明調(diào)整裝置300的等效電阻值不但可以向上調(diào)整(等效電阻值增加)，亦可以向下調(diào)整(等效電阻值下降)，換言之，參考信號Vf的電壓值亦可向上或是向下調(diào)整；因此，于本實施例中，開關(guān)313的初始狀態(tài)為導通(on)狀態(tài)，而開關(guān)314的初始狀態(tài)為斷路(off)狀態(tài)，因此，電阻311、 312在初始狀態(tài)時所提供的等效電阻值是等于電阻312的電阻值Rl。此時，若目標電路301的阻抗值比理想值低，則開關(guān)控制模塊320便可將開關(guān)313的狀態(tài)切換為斷路狀態(tài)，如此整體的等效電阻值便成為較大的等效阻抗值R1+R2;另一方面，若目標電路301的阻抗值較理想值為高，則開關(guān)控制模塊320便可將開關(guān)314的狀態(tài)切換為導通狀態(tài)，因此整體的等效電阻值便成為較小的阻抗值0。
在此請注意，于本實施例中，開關(guān)313、 314的初始狀態(tài)僅作為本發(fā)明的一實施例，而非本發(fā)明的限制。在實際應(yīng)用上，電路設(shè)計者可以因應(yīng)其需求來更動開關(guān)313、 314的初始狀態(tài)(譬如開關(guān)313、 314皆為導通狀態(tài))，如此的相對應(yīng)變化，亦屬本發(fā)明的范疇。
為了達成上述的機制，開關(guān)控制模塊320具有兩個開關(guān)控制單元350、360，其分別耦接至開關(guān)313、 314,以控制開關(guān)313、 314的導通狀態(tài)。
請再次參閱圖3,開關(guān)控制單元350包括熔絲351與控制信號產(chǎn)生電路352。控制信號產(chǎn)生電路352包括電阻353,以及反向器354;其中熔絲351耦接于節(jié)點A與地電位之間，電阻35 3則耦接于節(jié)點A與高電壓電平之間，而反向器354的輸入端耦接至節(jié)點A，而其輸出端耦接至與開關(guān)313(晶體管313的柵極)。
于本實施例中，當調(diào)整電路300處于初始狀態(tài)時，熔絲351尚未熔斷，節(jié)點A的電壓是對應(yīng)地電位(即邏輯值0),接著，經(jīng)過反向器354的反向操作后，控制信號產(chǎn)生電路352是提供高電壓電平(邏輯值l)至晶體管313的柵極，因此晶體管313會導通。
另一方面，開關(guān)控制單元360與開關(guān)控制單元350類似，其包括熔絲361與控制信號產(chǎn)生電路362?？刂菩盘柈a(chǎn)生電路362包括電阻363，以及反向器364;其中熔絲361耦接于節(jié)點B與高電壓電平之間，電阻363則耦接于節(jié)點B與地電位之間，而反向器354的輸入端耦接至節(jié)點B，而其輸出端耦接至與 開關(guān)314(晶體管314的柵極)。
于本實施例中，當調(diào)整電路300處于初始狀態(tài)時，熔絲361尚未熔斷， 節(jié)點B的電壓是對應(yīng)高電壓電位(即邏輯值1),接著，經(jīng)過反向器364的反 向操作后，控制信號產(chǎn)生電路362是提供低電壓電平(邏輯值0)至晶體管314 的柵極，因此晶體管314會形成斷路。
于是，經(jīng)由開關(guān)控制模塊320的控制，如前所述，在初始狀態(tài)時，阻抗 調(diào)整電路310所提供的等效阻抗值等于電阻312的電阻值R1。
而于芯片封測時，外部測試裝置(未顯示于圖3中)可以檢測參考電壓VF 或是其它的參考信號(譬如輸入測試電壓并測量其對應(yīng)的輸出電流以得知目 標電路301的阻抗值)是否符合設(shè)計時的理想值，若參考電壓Vp比原先的設(shè)計 值低時(目標電路301的電阻值比設(shè)計值低時)，則測試裝置可將開關(guān)控制單 元350中的熔絲351熔斷，如此一來，節(jié)點A的電壓便對應(yīng)高電壓電平，而 晶體管313的柵極便會對應(yīng)地電位，因此開關(guān)313的狀態(tài)會被切換為斷路狀 態(tài)，如此整體的等效電阻值便成為較大的等效阻抗值R1+R2,進而增加參考 電壓Vp的電壓值。
另 一方面，若參考電壓VF比原先的設(shè)計值高時(目標電路3 01的電阻值比 設(shè)計值高時)，則測試裝置可將開關(guān)控制單元360中的熔絲361熔斷，如此一 來，節(jié)點B的電壓便對應(yīng)地電位，而晶體管313的柵極便會對應(yīng)高電壓電平， 因此開關(guān)314的狀態(tài)會被切換為導通狀態(tài)，如此整體的等效電阻值便成為較 小的等效阻抗值0,進而減少參考電壓Vp的電壓值。
在此請注意，前面所揭露的電路架構(gòu)僅僅只為本發(fā)明的一實施例，而非 本發(fā)明的限制。譬如，為了提供更精確地調(diào)整電阻值或參考信號，本發(fā)明調(diào) 整電路可具有更多的電阻，并對應(yīng)著更多的開關(guān)控制單元，并且具有更復雜 的連接方式(譬如串并聯(lián)等等)，由于其電路變化不勝枚舉，本領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)可進行相對應(yīng)的變化，故不另贅述。以已知的調(diào)整裝置100、 200的架構(gòu)為 例，本發(fā)明亦可將調(diào)整裝置100、 200中各熔絲換成開關(guān)，并增加可控制開關(guān) 的開關(guān)控制模塊，以利用開關(guān)控制電阻提供的等效電阻值，進而達到調(diào)整參 考信號的目的，如此的相對應(yīng)變化，亦屬本發(fā)明的范疇。
在此請另注意，于開關(guān)控制單元350、 360中，正反器354、 364是作為 電平調(diào)整(level shifting)之用；換言之，當熔絲351、 361并未完全熔斷，導致節(jié)點A、 B的電壓值并非是一個最佳的高電壓電平/地電位時，此時正反
器354、 364便可將這些較不干凈的電平，經(jīng)由反向運作轉(zhuǎn)換為較佳的電壓電 平，以正確地切換開關(guān)313、 314的狀態(tài)。
然而，正反器354、 364亦可為選擇性(optional)的裝置；舉例來說，若 熔絲351、 361可以正常地熔斷(亦即熔絲351、 361熔斷后可確實地將節(jié)點A、 B的電壓電平拉高/拉低)，或節(jié)點A、 B的電壓電平已足以驅(qū)動各開關(guān)313、 314的切換，那么于開關(guān)控制單元350、 360之中，亦可僅具有電阻353、 363 與熔絲351、 361;揭露至此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，故不另贅述。
相較于已知技術(shù)，本發(fā)明調(diào)整裝置是通過開關(guān)的切換來控制參考信號或 整體的等效阻抗值，相較于先前采用熔絲的控制機制，本發(fā)明較具有設(shè)計上 的彈性，并且可以允許向上/向下地調(diào)整參考信號或整體的等效阻抗值；因此， 在芯片設(shè)計上，便無須刻意將目標電路的電阻值降低以符合良率的需求，如 此一來，于芯片封測時，本發(fā)明調(diào)整裝置只須對阻抗值(參考信號)不合于理 想值的目標電路進行調(diào)整，節(jié)省了封測成本與時間。
以上雖以實施例說明本發(fā)明，但并不因此限定本發(fā)明的范圍，只要不脫 離本發(fā)明的要旨，本領(lǐng)域技術(shù)人員可進行各種變形或變更。
9
權(quán)利要求
1. 一種目標電路的參考信號調(diào)整裝置，包括開關(guān)控制模塊，包括熔絲，其是依據(jù)該參考信號的理想值選擇性地熔斷；以及控制信號產(chǎn)生電路，耦接至該熔絲，用來根據(jù)該熔絲的熔斷狀況，產(chǎn)生控制信號；以及阻抗調(diào)整電路，耦接至該目標電路以及該開關(guān)控制模塊，該阻抗調(diào)整電路包括開關(guān)模塊，其是依據(jù)該控制信號選擇性地導通；以及阻抗網(wǎng)絡(luò)，耦接至該開關(guān)模塊，用來依據(jù)該開關(guān)模塊的導通狀況，決定該阻抗網(wǎng)絡(luò)的等效阻抗，以調(diào)整該參考信號。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整裝置，其中該開關(guān)模塊包括開關(guān)元件，該 阻抗網(wǎng)絡(luò)包括阻抗元件，以及該阻抗元件與該開關(guān)元件是以并聯(lián)的方式相互輛接o
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)整裝置，其中該阻抗元件為電阻。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)整裝置，其中該開關(guān)元件是由晶體管實作之。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整裝置，其中該開關(guān)模塊包括第一開關(guān)元件、 第二開關(guān)元件、…以及第N開關(guān)元件，該阻抗網(wǎng)絡(luò)包括第一阻抗元件、第二 阻抗元件、…以及第N阻抗元件，該第一阻抗元件、該第二阻抗元件、…以 及該第N阻抗元件串聯(lián)，該第一開關(guān)元件與該第一阻抗元件并聯(lián)、該第二開 關(guān)元件與串聯(lián)的該第一阻抗元件以及該第二阻抗元件并聯(lián)、…以及該第N開 關(guān)元件與串聯(lián)的該第一阻抗元件、該第二阻抗元件、…以及該第N阻抗元件 并聯(lián)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的調(diào)整裝置，其中該第一阻抗元件、該第二阻抗 元件、…以及該第N阻抗元件的至少其中之一為電阻。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的調(diào)整裝置，其f該第一開關(guān)元件、該第二開關(guān) 元件、…以及該第N開關(guān)元件的至少其中之一由晶體管實作之。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整裝置，其中該熔絲耦接于該第一電壓電平 與該控制信號產(chǎn)生電路的輸入端，其中該控制信號產(chǎn)生電路包括阻抗元件， 該阻抗元件耦接于該第二電壓電平與該輸入端之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整裝置，其中該熔絲耦接于第一電壓電平與一節(jié)點之間，該控制信號產(chǎn)生電路包括阻抗元件，耦接于第二電壓電平與該節(jié)點之間；以及反向器，其具有輸入端與輸出端，該輸入端耦接于該節(jié)點，該輸出端耦接至該開關(guān)模塊。
10. —種目標電路的參考信號調(diào)整方法，該調(diào)整方法利用開關(guān)控制模塊， 其中該開關(guān)控制模塊包括熔絲以及控制信號產(chǎn)生電路，該調(diào)整方法包括下列 步驟根據(jù)該參考信號，來決定該熔絲的熔斷狀況，以利用該控制信號產(chǎn)生電 路產(chǎn)生控制信號；以及根據(jù)該控制信號，控制耦接至該目標電路的阻抗網(wǎng)絡(luò)的等效阻抗，以調(diào) 整該參考信號。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種調(diào)整裝置，其用來調(diào)整目標電路的參考信號，該調(diào)整裝置包括開關(guān)控制模塊以及阻抗調(diào)整電路。該開關(guān)控制模塊包括熔絲，是依據(jù)該參考信號選擇性地熔斷；以及控制信號產(chǎn)生電路，耦接至該熔絲，用來根據(jù)該熔絲的熔斷狀況，產(chǎn)生控制信號。該阻抗調(diào)整電路包括開關(guān)模塊，用來依據(jù)該控制信號選擇性地導通；以及阻抗網(wǎng)絡(luò)，耦接至該開關(guān)模塊，用來依據(jù)該開關(guān)模塊的導通狀況，決定該阻抗網(wǎng)絡(luò)的等效阻抗，以調(diào)整該參考信號。
文檔編號G05F1/63GK101498948SQ20081000534
公開日2009年8月5日 申請日期2008年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月1日
發(fā)明者馮介民 申請人:瑞昱半導體股份有限公司