專利名稱：低波動無觸點穩(wěn)壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及穩(wěn)壓器，特別是指一種低波動無觸點穩(wěn)壓器。
背景技術(shù)：
在補償式無觸點穩(wěn)壓器的電壓調(diào)整是有"級，，調(diào)整，不同的有"級，，
就有不同的調(diào)整效果?，F(xiàn)有的穩(wěn)壓器調(diào)整采用的級別為1、 3、 6、 9 或l、 2、 4、 8,該種類級別的穩(wěn)壓器，存在調(diào)節(jié)幅度較大，穩(wěn)壓效果 較差的問題。

實用新型內(nèi)容
有鑒于此，本實用新型在于提供一種低波動無觸點穩(wěn)壓器，以解 決上述現(xiàn)有的穩(wěn)壓器調(diào)節(jié)幅度大，穩(wěn)壓效果差的問題。
為解決上述問題，本實用新型提供一種低波動無觸點穩(wěn)壓器，包 括原極串聯(lián)連接的變壓器TB1、變壓器TB2、變壓器TB3和變壓器 TB4，變壓器TBI并聯(lián)可控硅SCR1、串聯(lián)可控硅SCR2，變壓器TB2 并聯(lián)可控硅SCR3、串聯(lián)可控硅SCR4，變壓器TB3并聯(lián)可控硅SCR5、 串聯(lián)可控硅SCR6,變壓器TB4并聯(lián)可控硅SCR7串4關(guān)可控硅SCR8, 可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串聯(lián)連接 在可控硅SCR12和可控硅SCR14之間，變壓器的次級的另一端連接 在可控硅SCR11和可控硅SCR13之間；可控硅SCR12、可控硅SCR14 與可控硅SCR11和可控硅SCR13形成并聯(lián)后連接火線和零線；變壓 器TB1、變壓器TB2、變壓器TB3和變壓器TB4的變壓之比為1: 2: 2: 2;控制各個可控硅導(dǎo)通或關(guān)閉的控制芯片連接所述可控硅，決定 全部或部分變壓器導(dǎo)通或斷開，所述各個變壓器還并^:消除勵;茲的阻 容。
本實用新型中穩(wěn)壓器，可實現(xiàn)多級的電壓補償，且浮動小、精度高，穩(wěn)壓效果好。


圖1是實施例中穩(wěn)壓器的示意圖。
具體實施方式
為清楚說明本實用新型中的技術(shù)方案，下面給出優(yōu)選的實施例并 結(jié)合附圖詳細(xì)說明。
參見圖1,該穩(wěn)壓器包括
原極串聯(lián)在一起的四個變壓器TB1、 TB2、 TB3、 TB4,每個變壓 器的次級并聯(lián)勵磁的阻容Q、并聯(lián)可控硅，再串聯(lián)可控硅。
變壓器TBI并聯(lián)可控硅SCR1、串聯(lián)可控硅SCR2，變壓器TB2 并if關(guān)可控硅SCR3、串聯(lián)可控硅SCR4，變壓器TB3并4關(guān)可控硅SCR5、 串聯(lián)可控硅SCR6,變壓器TB4并聯(lián)可控硅SCR7、串聯(lián)可控硅SCR8, 可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串聯(lián)連接 在可控硅SCR12和SCR14之間，變壓器的次級的另 一端連接在可控 硅SCR11和SCR13之間；可控硅SCR12、 SCR14與可控硅SCR11和 SCR13形成并聯(lián)后連接火線L和零線N。
各個變壓器之間的電壓比為1: 2: 2: 2。假設(shè)，穩(wěn)壓調(diào)整精度為 5.5V,則變壓器TBI輸出電壓為5.5V，變壓器TB2、變壓器TB3和 變壓器TB4為11V,該穩(wěn)壓器連接控制芯片，由控制芯片控制可控硅 的導(dǎo)通，從而實現(xiàn)各個級別的調(diào)節(jié)，根據(jù)穩(wěn)壓精度的要求，確定單位 電壓調(diào)整量；根據(jù)要求的輸入電壓范圍，確定調(diào)整電壓的"級"數(shù)。 例如當(dāng)穩(wěn)壓精度為5.5V,輸入電壓范圍為±44V時，單位電壓調(diào)整 量為5.5V,調(diào)整電壓的"級"數(shù)為7級。我們就按照1, 2， 2, 2的 編碼規(guī)整確定每只補償變壓器的調(diào)整量，電壓補償量各為5.5V, 11V, IIV， IIV。補償變壓器的工作狀態(tài)如表1。變壓器^\1 x 5.52x 5.53 x 5.54 x 5.55 x 5.56 x 5.57 x 5.5
I (5.5V)▲▲▲▲
II ( 11V)▲▲▲▲
II ( 11V)▲▲▲▲
n ( 11V)▲
表1
控制芯片控制時，如果需要補償5.5V電壓，則控制可控硅SCR1 斷開、導(dǎo)通可控硅SCR2,斷開可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅 SCR8;導(dǎo)通可控硅SCRll、可控硅SCR14，斷開可控石圭SCR12、可 控硅SCR13。從而實現(xiàn)5.5V的電壓補償，其它級別的電壓補償可參 見表1。
穩(wěn)壓器上還連接防止勵磁電流的可控硅SCR15,可控硅SCR15 的一端連接在火線L上，另 一端連接可控硅SCRll、可控硅SCR13。
本實用新型中穩(wěn)壓器，可實現(xiàn)多級的電壓補償，且浮動小、精度 高，穩(wěn)壓效果好。對于本實用新型各個實施例中所闡述的穩(wěn)壓器，凡 在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn) 等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種低波動無觸點穩(wěn)壓器，其特征在于，包括原極串聯(lián)連接的變壓器TB1、變壓器TB2、變壓器TB3和變壓器TB4，變壓器TB1并聯(lián)可控硅SCR1、串聯(lián)可控硅SCR2，變壓器TB2并聯(lián)可控硅SCR3、串聯(lián)可控硅SCR4，變壓器TB3并聯(lián)可控硅SCR5、串聯(lián)可控硅SCR6，變壓器TB4并聯(lián)可控硅SCR7串聯(lián)可控硅SCR8，可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串聯(lián)連接在可控硅SCR12和可控硅SCR14之間，變壓器的次級的另一端連接在可控硅SCR11和可控硅SCR13之間；可控硅SCR12、可控硅SCR14與可控硅SCR11和可控硅SCR13形成并聯(lián)后連接火線和零線；變壓器TB1、變壓器TB2、變壓器TB3和變壓器TB4的變壓之比為1∶2∶2∶2；控制各個可控硅導(dǎo)通或關(guān)閉的控制芯片連接所述可控硅，決定全部或部分變壓器導(dǎo)通或斷開。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的低波動無觸點穩(wěn)壓器，其特征在于， 所述各個變壓器還并聯(lián)消除勵磁的阻容。
專利摘要本實用新型公開了一種低波動無觸點穩(wěn)壓器，包括原極串聯(lián)連接的變壓器TB1、變壓器TB2、變壓器TB3和變壓器TB4，變壓器TB1并聯(lián)可控硅SCR1、串聯(lián)可控硅SCR2，變壓器TB2并聯(lián)可控硅SCR3、串聯(lián)可控硅SCR4，變壓器TB3并聯(lián)可控硅SCR5、串聯(lián)可控硅SCR6，變壓器TB4并聯(lián)可控硅SCR7串聯(lián)可控硅SCR8，可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串聯(lián)連接在可控硅SCR12和可控硅SCR14之間，變壓器的次級的另一端連接在可控硅SCR11和可控硅SCR13之間；四個變壓器的變壓之比為1∶2∶2∶2；控制各個可控硅導(dǎo)通或關(guān)閉的控制芯片連接所述可控硅，決定全部或部分變壓器導(dǎo)通或斷開，所述各個變壓器還并聯(lián)消除勵磁的阻容。
文檔編號G05F1/12GK201251718SQ20082015243
公開日2009年6月3日 申請日期2008年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月28日
發(fā)明者堅 呂, 泮金德 申請人:上海華潤特種變壓器成套有限公司