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      一種制漿機(jī)電路的制作方法

      文檔序號(hào):6285504閱讀:259來源:國(guó)知局
      專利名稱:一種制漿機(jī)電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及制漿機(jī),特別是一種加熱時(shí)能攪拌的制漿機(jī)電路。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)在市場(chǎng)上銷售的制漿機(jī)(包括豆?jié){機(jī),米糊機(jī)等)由于電路的設(shè)置,只 具有單一的加熱和攪拌功能,也就是說,制漿機(jī)在發(fā)熱盤工作的同時(shí)電機(jī)不能 工作。由于制漿機(jī)在加熱的時(shí)候不能攪拌,這樣容易導(dǎo)致制漿物料發(fā)生糊管(采 用發(fā)熱管制漿機(jī))或糊底(采用發(fā)熱盤的制漿機(jī))的現(xiàn)象,不僅減少了制漿機(jī) 的使用壽命,長(zhǎng)期食用糊管或糊底的漿體也不利于消費(fèi)者的健康。

      實(shí)用新型內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處,提供了一種在加熱 的同時(shí)電機(jī)也能工作的制漿機(jī)的電路。
      為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型包括如下技術(shù)方案 一種制漿機(jī)電路, 包括控制單元、執(zhí)行單元和電源單元,所述控制單元包括中央處理芯片,所述 執(zhí)行單元包括并聯(lián)的電機(jī)和電加熱裝置;電機(jī)串聯(lián)有一個(gè)雙向可控硅,電加熱
      裝置串聯(lián)有第二繼電器;所述中央處理芯片通過光耦控制電路與雙向可控硅連 接,所述中央處理芯片通過第二繼電器控制電路與電加熱裝置連接;所述控制 單元包括與中央處理芯片連接用于檢測(cè)電源信號(hào)的過零檢測(cè)電路。
      為了使用的安全和認(rèn)證的需要,所述執(zhí)行單元還包括與并聯(lián)的電機(jī)和電加熱裝置相串聯(lián)的第一繼電器;所述中央處理芯片通過第一繼電器控制電路與第 一繼電器連接。
      所述電源單元包括整流濾波電路和線性集成穩(wěn)壓器,所述整流濾波電路與 線性集成穩(wěn)壓器連接。
      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型電路可以通過第一繼電器、第二繼電器和可 控硅來控制發(fā)熱管加熱及電機(jī)慢速轉(zhuǎn)動(dòng),即一邊加熱一邊攪拌,以達(dá)到不燒糊 的目的。另外,本電路通過第一繼電器及雙向可控硅來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng),由于電 路中有過零檢測(cè)電路,所以可以實(shí)現(xiàn)無級(jí)調(diào)速,以達(dá)到慢速啟動(dòng)或慢速攪拌的 目的。由本電路控制的制漿機(jī)在加熱的同時(shí)能對(duì)制漿物料進(jìn)行粉碎和攪拌,因 此還可提高出漿率,使制作出來的漿體更美味。


      圖1是本實(shí)用新型電路較佳實(shí)施例的控制單元電路圖; 圖2是實(shí)用新型電路較佳實(shí)施例的執(zhí)行單元電路圖; 圖3是本實(shí)用新型電路較佳實(shí)施例的電源單元電路圖; 圖4是實(shí)用新型電路較佳實(shí)施例的無級(jí)調(diào)速波形圖。 圖中省略了與本實(shí)用新型無關(guān)的部件。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一歩詳細(xì)說明。 如圖1至圖3所示,為本實(shí)用新型電路較佳實(shí)施例的線路圖。包括中央處 理芯片U3,與中央處理芯片U3連接的用于檢測(cè)電源信號(hào)的過零檢測(cè)電路8, 與中央處理芯片U3連接的第一繼電器Kl及第一繼電器控制電路9,與中央處 理芯片U3連接的第二繼電器K2及第一繼電器控制電路7,以及與中央處理芯片U3連接的用于控制雙向可控硅Tl開合的光耦控制電路6。
      如圖1為本實(shí)用新型控制單元1的電路圖。本實(shí)施例中中央處理芯片采用
      單片機(jī),型號(hào)為SN8P2613,晶振頻率為4MHZ,單片機(jī)的引腳7與過零檢測(cè)電 路8連接,單片機(jī)的13、 14引腳分別接晶振的兩個(gè)腳,晶振頻率為4MHZ, 5
      腳接單片機(jī)的輸入電源。
      如圖2為本實(shí)用新型執(zhí)行單元2的電路圖。包括作為電源總開關(guān)的第一繼 電器K1,相互并聯(lián)的電機(jī)4和電發(fā)熱裝置5;其中電機(jī)4串聯(lián)有一雙向可控硅 Tl,光耦控制電路6控制雙向可控硅T1的開合,光耦控制電路6的一端與單片 機(jī)U3的引腳12連接,另一端與電源電路連接;與電發(fā)熱裝置5串聯(lián)有第二繼 電器K2,單片機(jī)U3配合功率放大電路,通過繼電器K1, K2的通斷去實(shí)現(xiàn)弱 電對(duì)強(qiáng)電的控制功能的。當(dāng)繼電器K1通電,發(fā)熱裝置及電機(jī)的公共開關(guān)閉合, 發(fā)熱裝置及電機(jī)的一端得電。在發(fā)熱裝置及電機(jī)的公共開關(guān)閉合情況下,當(dāng)繼 電器K2通電,電發(fā)熱裝置5通電并工作。圖中與三極管基極相連的電阻Rll、 R13起到一個(gè)限流的作用,與繼電器并聯(lián)的二極管D7、 D9起到一個(gè)當(dāng)繼電器關(guān) 斷時(shí)續(xù)流的作用,以使系統(tǒng)更為穩(wěn)定。
      如圖3為本實(shí)用新型電源單元3的電路圖。電源由J1、 J2輸入,通過變壓 器T降壓為低電壓后,經(jīng)過整流濾波電路10,線性集成穩(wěn)壓器11為芯片提供穩(wěn) 定的低電壓。本實(shí)施例中的線性集成穩(wěn)壓器U1為78L05線性集成穩(wěn)壓器,F(xiàn)l 為保險(xiǎn)管,當(dāng)電路發(fā)生短路異常情況時(shí),保險(xiǎn)管斷開,從而保護(hù)了電機(jī)、芯片 等。Rl為壓敏原件,當(dāng)電壓發(fā)生異常時(shí),壓敏電阻短路或起作用,從而保護(hù)電 路其他部分的安全。
      本實(shí)施例中的電加熱器工作原理如下中央處理芯片U3輸出一個(gè)高電位到RELAY1,這個(gè)高電位會(huì)通過電阻Rll 驅(qū)動(dòng)三極管Q1導(dǎo)通,R12為負(fù)反饋電阻,當(dāng)Q1導(dǎo)通后,Ql-C的電勢(shì)為低,這 樣,在繼電器K1的線圈上就有一個(gè)+12V的壓降,繼電器K1就會(huì)動(dòng)作,開關(guān) 閉合,這時(shí)L-HEAT與L-F1連接在了一起,同時(shí)中央處理芯片U3輸出一個(gè)高 電位到RELAY2,這個(gè)高電位會(huì)通過電阻R13驅(qū)動(dòng)三極管Q2導(dǎo)通,R14為負(fù)反 饋電阻,當(dāng)Q2導(dǎo)通后,Q2-C的電勢(shì)為低,這樣,在繼電器K2的線圈上就有一 個(gè)+12V的壓降,繼電器K2就會(huì)動(dòng)作,開關(guān)閉合,這時(shí)N-HEAT與N-LINE連 接在了一起。這樣,發(fā)熱管的一端L-HEAT是市電的火線, 一端N-HEAT是市 電的零線,發(fā)熱管兩端壓降約為220VAC,從而實(shí)現(xiàn)了加熱功能。
      本實(shí)施例中的電機(jī)的工作原理如下
      中央處理芯片U3輸出一個(gè)高電位到RELAY1,這個(gè)高電位會(huì)通過電阻Rll 驅(qū)動(dòng)三極管Q1導(dǎo)通,R12為負(fù)反饋電阻,當(dāng)Q1導(dǎo)通后,Q1-C的電勢(shì)為低,這 樣,在繼電器K1的線圈上就有一個(gè)+12V的壓降,繼電器K1就會(huì)動(dòng)作,開關(guān) 閉合,這時(shí)M1與L-F1連接在了一起,同時(shí)中央處理芯片U3輸出一個(gè)低電位 到MC, U2的發(fā)光LED得電發(fā)光,使得U2-6與T1-G連接在了一起,Tl的控 制極G通過R17得電,Tl導(dǎo)通,這時(shí)M2與N-LINE連接在了一起。這樣,電 機(jī)的一端M1是市電的火線,一端M2是市電的零線,電機(jī)兩端壓降約為220VAC, 從而實(shí)現(xiàn)了運(yùn)轉(zhuǎn)的功能。
      由上可知
      1、 要實(shí)現(xiàn)發(fā)熱管單獨(dú)加熱,中央處理芯片U3要給高電位給RELAY1、 RELAY2,但不可給低電位給MC,也就是說這時(shí)要給高電位給MC。
      2、 要實(shí)現(xiàn)電機(jī)單獨(dú)轉(zhuǎn)動(dòng),中央處理芯片U3要給高電位給RELAY1,給低電位給MC,但不可給高電位給RELAY2,也就是說這時(shí)要給低電位給REALY2。
      3、 要實(shí)現(xiàn)發(fā)熱管加熱的同時(shí)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng),中央處理芯片U3要給高電位給 RELAY1、 RELAY2,同時(shí)要給低電位給MC。
      4、 要實(shí)現(xiàn)發(fā)熱管不加熱,電機(jī)也不轉(zhuǎn)動(dòng),中央處理芯片U3要給低電位給 RELAY1、 RELAY2,同時(shí)要給高電位給MC。
      本實(shí)用新型還可實(shí)現(xiàn)電機(jī)的無級(jí)調(diào)速功能。
      本電路中的電源單元3使用了隔離變壓器T, D5-T是一個(gè)交流信號(hào),它隨 著輸入市電的變化而變化,中央處理芯片U3通過R8檢測(cè)D5-T的信號(hào),就可 以知道輸入市電是什么時(shí)候過零,中央處理芯片U3再給高電位RELAY1,驅(qū)動(dòng) Kl動(dòng)作后,Ml與L-F1連接,再通過程序來延遲一定時(shí)間后給低電位到MC, 讓T1導(dǎo)通,M2與N-LINE連接,這樣就實(shí)現(xiàn)了給電機(jī)馬達(dá)加上一定時(shí)間電壓 的功能,從而實(shí)現(xiàn)了調(diào)速的功能。
      本實(shí)用新型的無級(jí)調(diào)速波形如圖4所示。
      圖中的縱向坐標(biāo)是電壓,橫向坐標(biāo)是時(shí)間,因?yàn)槭?0HZ的交流電,所以一 個(gè)周期是20MS (毫秒)。假設(shè)中央處理芯片U3是在交流市電波形的A1、 A2、 A3、 A4處檢測(cè)到過零。當(dāng)中央處理芯片U3在交流市電波形的A1處檢測(cè)到過 零時(shí),中央處理芯片U3給高電平到MC,再延時(shí)一段時(shí)間,假設(shè)中央處理芯片 U3在B點(diǎn)時(shí)(即16MS處)轉(zhuǎn)為給低電平到MC,開通T1,開通約0.5MS后 再給高電平到MC,由可控硅的特性可知,當(dāng)可控硅導(dǎo)通后,只有在電流少于可 控硅的維持電壓后,可控硅才會(huì)關(guān)斷,即在20MS處過零時(shí)才會(huì)關(guān)斷。同樣, 在A2處中央處理芯片U3再次檢測(cè)到過零時(shí),假設(shè)MCU再延時(shí)一段時(shí)間在C 點(diǎn)處(26MS處)開通可控硅,在30MS處過零時(shí)再次關(guān)斷。如此類推A3、A4..........。這樣,加在電機(jī)上的電壓的有效值就是圖中的陰影部分,我們通過
      調(diào)整開通可控硅的時(shí)間,就可以實(shí)現(xiàn)調(diào)整陰影部分的面積的大小,也就實(shí)現(xiàn)了 加在電機(jī)上的電壓的有效值的大小,從而實(shí)現(xiàn)了無級(jí)調(diào)速的功能。
      權(quán)利要求1. 一種制漿機(jī)電路,包括控制單元(1)、執(zhí)行單元(2)和電源單元(3),所述控制單元(1)包括中央處理芯片(U3),所述執(zhí)行單元(2)包括并聯(lián)的電機(jī)(4)和電加熱裝置(5),其特征在于電機(jī)(4)串聯(lián)有一個(gè)雙向可控硅(T1),電加熱裝置(5)串聯(lián)有第二繼電器(K2);所述中央處理芯片(U3)通過光耦控制電路(6)與雙向可控硅(T1)連接,所述中央處理芯片(U3)通過第二繼電器控制電路(7)與電加熱裝置(5)連接;所述控制單元(1)包括與中央處理芯片(U3)連接用于檢測(cè)電源信號(hào)的過零檢測(cè)電路(8)。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述制漿機(jī)電路,其特征在于所述執(zhí)行單元(2)還包括與并聯(lián)的電機(jī)(4)和電加熱裝置(5)相串聯(lián)的第一繼電器(Kl);所述中央處理芯片(U3)通過第一繼電器控制電路(9)與第一繼電器(Kl)連接。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述制漿機(jī)電路,其特征在于所述電源單元(3)包括整流濾波電路(10)和線性集成穩(wěn)壓器(11),所述整流濾波電路(10)與線性集成穩(wěn)壓器(11)連接。
      專利摘要一種制漿機(jī)電路,包括控制單元、執(zhí)行單元和電源單元,所述控制單元包括中央處理芯片,所述執(zhí)行單元包括并聯(lián)的電機(jī)和電加熱裝置,其中電機(jī)串聯(lián)有一個(gè)雙向可控硅,電加熱裝置串聯(lián)有第二繼電器;所述中央處理芯片通過光耦控制電路與雙向可控硅連接,所述中央處理芯片通過第二繼電器控制電路與電加熱裝置連接;所述控制單元包括與中央處理芯片連接用于檢測(cè)電源信號(hào)的過零檢測(cè)電路。由于電路中有雙向可控硅和過零檢測(cè)電路,所以可實(shí)現(xiàn)無級(jí)調(diào)速,以達(dá)到慢速啟動(dòng)、慢速停止或慢速攪拌的目的。由于本電路控制的制漿機(jī)在加熱的同時(shí)能對(duì)制漿物料進(jìn)行粉碎和攪拌,避免漿物料糊管和糊底,還可提高出漿率,使制作出來的漿體更美味。
      文檔編號(hào)G05B19/04GK201274006SQ20082018938
      公開日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2008年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月29日
      發(fā)明者王曉華 申請(qǐng)人:美的集團(tuán)有限公司
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