專利名稱：直發(fā)器的控制方法
直發(fā)器的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種直發(fā)器的控制方法，尤其是一種可以簡單地實現(xiàn)直發(fā)器 發(fā)熱溫度控制的直發(fā)器控制方法。背景技術(shù)：
直法器在工作時，通過發(fā)熱體產(chǎn)生高溫，與直發(fā)器接觸的頭發(fā)被發(fā)熱。 發(fā)熱體溫度的控制原理為市電經(jīng)整流濾波電路變換為直流電，供給帶AD
轉(zhuǎn)換的MCU用，MCU通過NTC檢測到的信號轉(zhuǎn)化成AD值，通過內(nèi)部運 算，再轉(zhuǎn)化成溫度值，通過內(nèi)部比較去控制可控硅是否導(dǎo)通，從而控制發(fā)熱 體的溫度。MCU再與LCD驅(qū)動芯片通訊，將溫度在LCD上顯示出來。
這種控制過程所用的MCU必須自帶AD轉(zhuǎn)化功能，這就增加了 MCU 的成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種可以簡單地實現(xiàn)直發(fā)器發(fā)熱溫度 控制的直發(fā)器控制方法。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種直發(fā)器的控制方法，包括以下步
驟將負系數(shù)熱敏電阻NTC裝在直發(fā)器的發(fā)熱體背面；在同樣的充電電壓 下分別經(jīng)過負系數(shù)熱敏電阻NTC和標(biāo)準(zhǔn)電阻R給同一電容充電，結(jié)合標(biāo)準(zhǔn) 電阻R的阻值、經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)電阻R給電容充滿電的時間T。經(jīng)過負系數(shù)熱敏 電阻NTC給電容充滿電的時間T2得到負系數(shù)熱敏電阻NTC的阻值RNTC= R叮/Tp再根據(jù)負系數(shù)熱敏電阻NTC的特性參數(shù)計算負系數(shù)熱敏電阻NTC
的當(dāng)前溫度IWc;。
本發(fā)明方法中，AD轉(zhuǎn)換采用電容充放電的形式，得到標(biāo)準(zhǔn)電阻R給電 容充滿電的時間T!、負系數(shù)熱敏電阻NTC給電容充滿電的時間T2，通過運 算就可得知NTC的阻值，因負系數(shù)熱敏電阻NTC是裝在直發(fā)器的發(fā)熱體的 背面的，所以就可檢知發(fā)熱體當(dāng)前的溫度。
進一步地，計算得到負系數(shù)熱敏電阻NTC的當(dāng)前溫度TNTc后，將直發(fā) 器發(fā)熱體所需要的溫度與TWc進行比較，根據(jù)比較結(jié)果控制直發(fā)器的發(fā)熱體 是否繼續(xù)發(fā)熱。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明方法中，AD轉(zhuǎn)換采用電容充放電的形式，
采用本發(fā)明方法可以使用不帶AD轉(zhuǎn)換功能的MCU，成本十分低廉；可以充 分發(fā)揮MCU運算速度快的優(yōu)點；使得電路簡單，調(diào)試方便。

下面通過具體實施方式
并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步的詳細說明 圖1是實施本發(fā)明方法的一種電路的示意圖。
具體實施方式
圖1示出了實施本發(fā)明方法的一種電路。
如圖1所示，該電路包括多點控制單元MCU、電容d、標(biāo)準(zhǔn)電阻Rs和 負系數(shù)熱敏電阻NTC。 MCU采用義隆公司的78P153，該MCU不帶AD轉(zhuǎn) 換器，價格十分低廉；標(biāo)準(zhǔn)電阻R5的阻值為R;電容d—端接地、另一端 連接在MCU的P62 口 ；負系數(shù)熱敏電阻NTC —端連接在MCU的P64 口 、 另一端連接在MCU的P62 口與電容d之間；標(biāo)準(zhǔn)電阻Rs—端連接在MCU 的P65 口 、另一端連接在MCU的P62 口與電容d之間；可控硅SCR1與發(fā) 熱體10串聯(lián)，可控硅SCR1通過電阻R7連接在MCU的P66 口 。負系數(shù)熱 敏電阻NTC裝在直發(fā)器的發(fā)熱體10的背面。
工作時，在進行AD轉(zhuǎn)換期間，先將MCU的P62 口輸出低電平，對d 進行放電。而與標(biāo)準(zhǔn)電阻R5、負系數(shù)熱敏電阻NTC連接的MCU的I/0口(P64 口、 P65 口)也輸出低電平。然后經(jīng)過Rs對Q充電，過程如下將與負系 數(shù)熱敏電阻NTC連接的P64置為輸入口，那么其阻抗就非常大，對其他電 路不會有影響；與R5連接的P65 口輸出高電平；此時將與d連接的P62做 為輸入口，就開始充電。當(dāng)P62 口檢測到高電平時，記錄經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)電阻R5 給電容Ci充滿電的時間TV完成這一過程后，將P62、 P64、 P65置為輸出 口并輸出低電壓，將電容d放電。再經(jīng)過負系數(shù)熱敏電阻NTC對d充電， 過程如下將P65置為輸入口， P64輸出高電壓。再將P62置為輸入口，就 開始了充電過程。到P62檢測到高電平時，記錄經(jīng)過負系數(shù)熱敏電阻NTC 給電容Q充滿電的時間T2。由于(Ri/T。 = (Rntc/T2)， RNTc為經(jīng)過負系數(shù) 熱敏電阻NTC對d充電時負系數(shù)熱敏電阻NTC的阻值，則ROTc^R叮/IV 從而得知當(dāng)前負系數(shù)熱敏電阻NTC的阻值。再根據(jù)負系數(shù)熱敏電阻NTC的 特性參數(shù)計算負系數(shù)熱敏電阻NTC的當(dāng)前溫度Tntc,因負系數(shù)熱敏電阻NTC 是裝在直發(fā)器的發(fā)熱體的背面的，所以就可檢知發(fā)熱體當(dāng)前的溫度。MCU將計算得到的負系數(shù)熱敏電阻NTC的當(dāng)前溫度TWc與直發(fā)器發(fā)熱體所需要 的溫度進行比較，根據(jù)比較結(jié)果MCU通過R7去控制可控硅SCR1的導(dǎo)通或 截止，也就是發(fā)熱體10通電或不通電，從而控制了發(fā)熱體10的溫度。
經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)電阻Rs給電容d充滿電與經(jīng)過負系數(shù)熱敏電阻NTC給電容 C,充滿電這兩個過程之間的先后順序?qū)刂七^程沒有影響。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明， 不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推 演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1、一種直發(fā)器的控制方法，其特征在于包括以下步驟將負系數(shù)熱敏電阻NTC裝在直發(fā)器的發(fā)熱體背面；在同樣的充電電壓下分別經(jīng)過所述負系數(shù)熱敏電阻NTC和標(biāo)準(zhǔn)電阻R給同一電容充電，結(jié)合所述標(biāo)準(zhǔn)電阻R的阻值、經(jīng)過所述標(biāo)準(zhǔn)電阻R給所述電容充滿電的時間T1、經(jīng)過所述負系數(shù)熱敏電阻NTC給所述電容充滿電的時間T2得到所述負系數(shù)熱敏電阻NTC的阻值RNTC＝R*T2/T1，再根據(jù)所述負系數(shù)熱敏電阻NTC的特性參數(shù)計算所述負系數(shù)熱敏電阻NTC的當(dāng)前溫度TNTC。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的直發(fā)器的控制方法，其特征在于計算得到 所述負系數(shù)熱敏電阻NTC的當(dāng)前溫度Tntc后，將直發(fā)器發(fā)熱體所需要得到 的溫度與tntc進行比較，根據(jù)比較結(jié)果控制直發(fā)器的發(fā)熱體是否繼續(xù)發(fā)熱。
全文摘要
本發(fā)明提供一種直發(fā)器的控制方法，包括以下步驟將負系數(shù)熱敏電阻NTC裝在直發(fā)器的發(fā)熱體背面；在同樣的充電電壓下分別經(jīng)過負系數(shù)熱敏電阻NTC和標(biāo)準(zhǔn)電阻R給同一電容充電，結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)電阻R的阻值、經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)電阻R給電容充滿電的時間T₁、經(jīng)過負系數(shù)熱敏電阻NTC給電容充滿電的時間T₂得到負系數(shù)熱敏電阻NTC的阻值R_NTC＝R*T₂/T₁，再根據(jù)負系數(shù)熱敏電阻NTC的特性參數(shù)計算負系數(shù)熱敏電阻NTC的當(dāng)前溫度T_NTC。本發(fā)明方法中，AD轉(zhuǎn)換采用電容充放電的形式，采用本發(fā)明方法可以使用不帶AD轉(zhuǎn)換功能的MCU，成本十分低廉；可以充分發(fā)揮MCU運算速度快的優(yōu)點；使得電路簡單，調(diào)試方便。
文檔編號G05D23/24GK101482758SQ20091010512
公開日2009年7月15日 申請日期2009年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月19日
發(fā)明者古遠東, 陳培智 申請人:深圳市英唐智能控制股份有限公司