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      變壓器空載低功耗控制模塊的制作方法

      文檔序號(hào):6288427閱讀:284來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):變壓器空載低功耗控制模塊的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及降低待機(jī)功耗技術(shù)、特別是電子變壓器降低空載消耗的技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      歐盟EuP指令和美國(guó)能效之星標(biāo)準(zhǔn)2010年將全面實(shí)施,根據(jù)歐盟EuP指令和 美國(guó)能效之星標(biāo)準(zhǔn)250W以下的鐵芯變壓器的空載功耗要求不得大于0.5W,到 2011年要求不得大于0. 3W,否則就不能打"CE"標(biāo)志,而現(xiàn)有的變壓器特別是》 5Wto《250W的變壓器很難做到,這將嚴(yán)重影響我國(guó)用到鐵芯變壓器的機(jī)電產(chǎn)品 的出口,中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)枮?00620053371.7的《自動(dòng)功率控制變壓器》及申請(qǐng) 號(hào)為93244439. 3的《無(wú)功耗變壓器》均不能達(dá)到能使《1W及》50Wto《250W變 壓器的空載功耗不大于0. 5W、成本低廉的目的。 發(fā)明內(nèi)容
      為解決電子變壓器特別是鐵芯式電源適配器空載功耗問(wèn)題,本發(fā)明是在接市 電1、 2的變壓器的輸入回路與既受RC移相觸發(fā)信號(hào)控制又受過(guò)零觸發(fā)信號(hào)控 制的"可控硅雙控電路"SKU的端5、端6串聯(lián),變壓器的輸出端3、 4的回路 中串入了電流互感器H的一次線(xiàn)Ll,電流互感器H的二次級(jí)L2接"可控硅雙控 電路"SKU的端7、端8。"可控硅雙控電路"SKU可以由多個(gè)方案實(shí)現(xiàn)
      方案1--"可控硅雙控電路"SKU可以由整流橋、可控硅、二極管、電阻器、 電容器組成,整流橋DZ的兩AC端接端5、端6,電阻Rl的一端和可控硅Ql的陽(yáng) 極A接整流橋DZ的"+ ",電容器Cl的一端和可控硅Ql的陰極K接整流橋DZ的"-",電阻Rl和電容器Cl的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2由正到負(fù)接可控硅Ql的G 極;電阻R2與電容C2串聯(lián)后跨接于可控硅Ql的控制極G與陰極K之間,可控 硅Ql的陰極K接端7,電阻R2與電容C2的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2由負(fù)到正至端8。 方案2— "可控硅雙控電路"SKU可以由雙向可控硅、二極管、電阻器、電 容器、電流互感器組成,雙向可控硅Q的T2和電阻R1聯(lián)接后接端5,雙向可控 硅Q的T1和電容器C1、 C2聯(lián)接后接端6、端7,電阻R1與電容C1的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng) 觸發(fā)二極管Dl接雙向可控硅Q的G極,電阻R2與電容C2串聯(lián)后跨接于可控硅 Ql的控制極G與陰極K之間,電阻R2與電容C2的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2由正到負(fù) 至端8。
      方案3— "可控硅雙控電路"SKU可以由雙向可控硅、二極管、過(guò)零觸發(fā)電路、 電阻器、電容器組成,雙向可控硅Q的T2和電阻R1聯(lián)接后接端5,雙向可控硅 Q的Tl和電容器Cl聯(lián)接后接端6,電阻Rl與電容Cl的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)觸發(fā)二極管Dl 接雙向可控硅Q的G極,過(guò)零觸發(fā)電路GL的g、 k分別接雙向可控硅Q的G禾口 Tl,過(guò)零觸發(fā)電路GL的ul、 u2端接端7和斷8。也可以將過(guò)零觸發(fā)電路GL的0 端接電流互感器H的中心抽頭。
      本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是解決了變壓器的空載功耗不大于0.3W的問(wèn)題,制造簡(jiǎn)單,性 價(jià)比高,體積小。

      圖l一為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖
      圖2—為本發(fā)明中可控硅雙控電路的第一方案電路圖 圖3—為本發(fā)明中可控硅雙控電路的第二方案電路圖 圖4一為本發(fā)明中可控硅雙控電路的第三方案電路圖具體實(shí)施方式
      結(jié)合附圖現(xiàn)將實(shí)施方式述說(shuō)如下
      變壓器BT的輸入繞組Nl與"可控硅雙控電路"SKU的端1端2串聯(lián),變壓 器BT的輸出繞組N2串入電流互感器H的一次線(xiàn)Ll,電流互感器的二次繞組L2 聯(lián)接于"可控硅雙控電路"SKU的端7、端8。"可控硅雙控電路"SKU列舉如下 3個(gè)方案
      方案1—如圖2,"可控硅雙控電路"SKU可以由整流橋、可控硅、二極管、 電阻器、電容器組成,整流橋DZ的兩AC端接端5、端6,電阻Rl的一端和可控 硅Ql的陽(yáng)極A接整流橋DZ的"+ ",電容器Cl的一端和可控硅Ql的陰極K接 整流橋DZ的"-",電阻Rl和電容器Cl的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2由正到負(fù)接可控 硅Ql的G極;電阻R2與電容C2串聯(lián)后跨接于可控硅Ql的控制極G與陰極K 之間,可控硅Ql的陰極K接端7,電阻R2與電容C2的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2由負(fù) 到正至端8。
      方案2—如圖3,"可控硅雙控電路"SKU可以由雙向可控硅、二極管、電阻 器、電容器、電流互感器組成,雙向可控硅Q的T2和電阻R1聯(lián)接后接端5,雙 向可控硅Q的T1和電容器C1、 C2聯(lián)接后接端6、端7,電阻R1與電容C1的聯(lián) 接點(diǎn)經(jīng)觸發(fā)二極管Dl接雙向可控硅Q的G極,電阻R2與電容C2串聯(lián)后跨接于 可控硅Ql的控制極G與陰極K之間,電阻R2與電容C2的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2 由正到負(fù)至端8。
      方案3—如圖4,"可控硅雙控電路"SKU可以由雙向可控硅、二極管、過(guò)零 觸發(fā)電路、電阻器、電容器組成,雙向可控硅Q的T2和電阻R1聯(lián)接后接端5,雙 向可控硅Q的Tl和電容器Cl聯(lián)接后接端6,電阻Rl與電容Cl的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)觸發(fā)二極管D1接雙向可控硅Q的G極,過(guò)零觸發(fā)電路GL的g、 k分別接雙向可控硅 Q的G和Tl,過(guò)零觸發(fā)電路GL的ul、 u2端接端7和端8,,也可以將過(guò)零觸發(fā) 電路GL的0端接電流互感器H的中心抽頭。
      權(quán)利要求1、變壓器空載低功耗控制模塊,其特征在于變壓器BT的輸入繞組N1與“可控硅雙控電路”SKU的端1、端2串聯(lián),變壓器BT的輸出繞組N2串入電流互感器H的一次線(xiàn)L1,電流互感器的二次繞組L2聯(lián)接于“可控硅雙控電路”SKU的端7、端8。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器空載低功耗控制模塊,其特征在于"可控硅 雙控電路"SKU可以由整流橋、可控硅、二極管、電阻器、電容器組成,整流橋 DZ的兩AC端接端5、端6,電阻Rl的一端和可控硅Ql的陽(yáng)極A接整流橋DZ的"+",電容器Cl的一端和可控硅Ql的陰極K接整流橋DZ的"-",電阻Rl和 電容器Cl的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2由正到負(fù)接可控硅Ql的G極;電阻R2與電容 C2串聯(lián)后跨接于可控硅Ql的控制極G與陰極K之間,可控硅Ql的陰極K接端 7,電阻R2與電容C2的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2由負(fù)到正至端8。
      3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器空載低功耗控制模塊,其特征在于"可控硅 雙控電路"SKU也可以由雙向可控硅、二極管、電阻器、電容器、電流互感器組 成,雙向可控硅Q的T2和電阻R1聯(lián)接后接端5,雙向可控硅Q的T1和電容器 Cl、 C2聯(lián)接后接端6、端7,電阻R1與電容C1的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)觸發(fā)二極管D1接雙 向可控硅Q的G極,電阻R2與電容C2串聯(lián)后跨接于可控硅Ql的控制極G與陰 極K之間,電阻R2與電容C2的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)二極管D2由正到負(fù)至端8。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器空載低功耗控制模塊,其特征在于"可控硅 雙控電路"SKU也可以由雙向可控硅、二極管、過(guò)零觸發(fā)電路、電阻器、電容器 組成,雙向可控硅Q的T2和電阻R1聯(lián)接后接端5,雙向可控硅Q的T1和電容器Cl聯(lián)接后接端6,電阻Rl與電容Cl的聯(lián)接點(diǎn)經(jīng)觸發(fā)二極管Dl接雙向可控 硅Q的G極,過(guò)零觸發(fā)電路GL的g、 k端分別接雙向可控硅Q的G和Tl,過(guò)零觸 發(fā)電路GL的ul、 u2端接端7和斷8,也可以將過(guò)零觸發(fā)電路GL的0端接電流 互感器H的中心抽頭。
      專(zhuān)利摘要涉及降低待機(jī)功耗及變壓器的空載低功耗技術(shù),可使≥1W、≤250W變壓器的空載功耗達(dá)到≯0.3W的目的,特征是在變壓器的輸入端串入了“可控硅雙控電路”的5、6端,輸出端串入了電流互感器的一次線(xiàn),電流互感器的二次級(jí)接“可控硅雙控電路”的7、8端。歐盟EuP指令和美國(guó)能效之星標(biāo)準(zhǔn)將全面實(shí)施,根據(jù)其標(biāo)準(zhǔn)250W以下的鐵芯變壓器的空載功耗要求不得大于0.5W,甚至0.3W,本發(fā)明解決了鐵芯變壓器空載功耗及凡是用鐵芯變壓器的機(jī)電產(chǎn)品待機(jī)功耗不大于0.3W的問(wèn)題,制造簡(jiǎn)單,性?xún)r(jià)比高,體積小。
      文檔編號(hào)G05F1/66GK201430067SQ20092016666
      公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2009年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月6日
      發(fā)明者艷 居, 施琴芳, 波 楊, 楊景華, 梅春妹 申請(qǐng)人:楊景華
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