專利名稱：一種雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及模擬電路領(lǐng)域，尤其涉及一種雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置。
背景技術(shù)：
基準(zhǔn)電流在模擬集成電路中具有廣泛應(yīng)用，因?yàn)殡娏髟陂L金屬線上沒有損失，而電壓卻有損失，所以在布線比較復(fù)雜的模擬電路中，電流基準(zhǔn)更受歡迎。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種常見的基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置的電路圖。如圖1所示，該現(xiàn)有的基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置由串聯(lián)的電壓轉(zhuǎn)電流裝置和電流鏡構(gòu)成。其中，電壓轉(zhuǎn)電流裝置由差分運(yùn)算放大器AO，NMOS管M20和電阻RO組成，差分運(yùn)算放大器AO的同相輸入端接一個(gè)具有低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓V,ef，反相輸入端接至NMOS管M20的源極，輸出端接至匪OS管M20的柵極；電阻RO —端接至NMOS管M20的源極，另一端接地GND ；電流鏡由PMOS管MlO和PMOS 管M30組成，PMOS管MlO和PMOS管M30的源極都連接至電源VDD，PMOS管MlO和PMOS管 M30的柵極短接并與PMOS管MlO的漏極相連，PMOS管MlO的漏極連接至NMOS管M20管的漏極，PMOS管M30的漏極為基準(zhǔn)電流輸出?？梢姡瑐鹘y(tǒng)的基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置一般是通過差分運(yùn)算放大器和電阻將一個(gè)具有低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)換為電流，然后通過電流鏡裝置復(fù)制這個(gè)電流得到一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)電流。復(fù)制的基本原理是，工作在飽和區(qū)且具有相同尺寸及柵源電壓的兩個(gè)晶體管傳輸相同的電流。在不考慮二級效應(yīng)的情況下，飽和區(qū)電流為
權(quán)利要求
1.一種雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，其特征在于，由串聯(lián)連接的電壓轉(zhuǎn)電流裝置和電流鏡、與所述電壓轉(zhuǎn)電流裝置和所述電流鏡組成的串聯(lián)電路并聯(lián)的電流源開關(guān)調(diào)整陣列， 以及控制所述電流源開關(guān)調(diào)整陣列中開關(guān)的開關(guān)控制信號譯碼電路組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述電壓轉(zhuǎn)電流裝置由差分運(yùn)算放大器(A)、NMOS管(IC)和電阻(R)組成，差分運(yùn)算放大器(A)的同相輸入端接具有低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓V&，反相輸入端接至NMOS管(IC)的源極，輸出端接至 NMOS管(M2)的柵極，NMOS管(M2)的漏極接至所述電流鏡的輸入端，電阻(R) —端接至NMOS 管(M2)的源極，另一端接地GND。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述電流鏡由 PMOS管(Ml)和PMOS管(M3)組成，PMOS管(Ml)和PMOS管(M3)的源極都連接至電源VDD， PMOS管(Ml)和PMOS管(M3)的柵極短接并與PMOS管(Ml)的漏極相連，PMOS管(Ml)漏極為所述電流鏡的輸入端，PMOS管(M3)的漏極為基準(zhǔn)電流輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述電流源開關(guān)調(diào)整陣列包含n+1個(gè)單元，每個(gè)單元由電流源(II)、開關(guān)(S)、電流源(12)和開關(guān)(Q)組成， 電流源(Il)和電流源(12)中的電流相等，電流源(Il)的一端接至電源VDD，另一端接至開關(guān)⑶的一端，開關(guān)⑶的另一端接所述電流鏡的輸入端，電流源(12)的一端接地GND，另一端接開關(guān)⑴)的一端，開關(guān)⑴)的另一端接所述電流鏡的輸入端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述電壓轉(zhuǎn)電流裝置由差分運(yùn)算放大器(A4)、PM0S管(M42)和電阻(R4)組成，差分運(yùn)算放大器(A4)的同相輸入端接具有低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓Vref，反相輸入端接至PMOS管(M4》的源極，輸出端接至PMOS管(M4》的柵極，PMOS管(M4》的漏極接至所述電流鏡的輸入端，電阻(R4)的一端接至PMOS管(M4》的源極，另一端接電源VDD。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述電流鏡由 NMOS管(M41)和NMOS管(M4!3)組成，NMOS管(M41)和NMOS管(M4!3)的源極都連接至地 GND,匪OS管(M41)和匪OS管(M43)的柵極短接并與匪OS管(M41)的漏極相連，匪OS管 (M41)的漏極為所述電流鏡的輸入端，NMOS管(M43)的漏極為基準(zhǔn)電流Iref輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述電流源開關(guān)調(diào)整陣列包含n+1個(gè)單元，每個(gè)單元由電流源(141)、開關(guān)(S4)、電流源(142)和開關(guān)0H) 組成，電流源(141)和電流源(142)中的電流相等，電流源(141)的一端接至電源VDD，另一端接至開關(guān)(S4)的一端，開關(guān)(S4)的另一端接電流鏡的輸入端，電流源(142)的一端接地 GND，另一端接開關(guān)0H)的一端，開關(guān)0H)的另一端接電流鏡的輸入端。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，由串聯(lián)連接的電壓轉(zhuǎn)電流裝置和電流鏡、與所述電壓轉(zhuǎn)電流裝置和所述電流鏡組成的串聯(lián)電路并聯(lián)的電流源開關(guān)調(diào)整陣列，以及控制所述電流源開關(guān)調(diào)整陣列中開關(guān)的開關(guān)控制信號譯碼電路組成。本發(fā)明所提供的雙向可調(diào)基準(zhǔn)電流產(chǎn)生裝置，能夠?qū)τ芍圃旃に囈鸬幕鶞?zhǔn)電流偏差進(jìn)行校正，從而能夠提高基準(zhǔn)電流的精度，進(jìn)而提升使用該基準(zhǔn)電流的電路芯片的性能。
文檔編號G05F3/30GK102541148SQ201010618590
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者莊奕琪, 李勇強(qiáng), 湯華蓮, 趙輝, 雷吉成 申請人:國民技術(shù)股份有限公司