專利名稱：一種電流鏡像電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種電流鏡像電路。
背景技術(shù)：
振蕩器是用來產(chǎn)生重復(fù)電子信號(通常是正弦波或方波)的電子元件，能將直流電轉(zhuǎn)換為具有一定頻率交流電信號輸出的電子電路或裝置，其構(gòu)成的電路叫振蕩器電路。振蕩器電路應(yīng)用中，需要兩路可調(diào)大小的高精度電流；在非接觸系統(tǒng)中，還需要振蕩器電路工作在超低電源電壓下。傳統(tǒng)的電流產(chǎn)生電路在超低電源電壓(0.13um工藝中工作在1.2V以下)下無法做到大范圍(調(diào)整覆蓋到工藝偏差范圍)的高精度(與基準(zhǔn)電壓在同一個精度數(shù)量級)的電流調(diào)節(jié)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種電流鏡像電路能在超低電源電壓條件下產(chǎn)生大范圍的高精度可調(diào)電流。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的電流鏡像電路，包括:3個PMOS管，編號為Pl至P3 ；4個NMOS管，編號為NI至N4 ;電阻Rl和可變電阻R2以及I個運算放大器；Pl至P3源極和襯底接電源，Pl至P3柵極接運算放大器輸出端；Pl漏極接運算放大器正相輸入端和R2 —端，R2另一端接地；P2漏極接NI漏極，P3漏極輸出電流一；外部模塊輸入電流接運算放大器反相輸入端，并通過電阻Rl接地；NI和N2柵極接偏置電壓二，N2漏極輸出電流二，N3和N4柵極接偏置電壓三，NI和N2的源極分別接N3和N4的漏極，N3和N4源極以及NI至N4的襯底接地。進(jìn)一步改進(jìn)本發(fā)明的電流鏡像電路，還包括PMOS管P4至P6 ;P4至P6柵極接偏置電壓一，P4至P6襯底接電源；P4源極接Pl漏極，P4漏極接運算放大器正相輸入端，并通過電阻R2接地；P5源極接P2漏極，P5漏極接NI漏極；P6源極接P3漏極，P6漏極輸出電流一。本發(fā)明利用了基準(zhǔn)電壓來產(chǎn)生電流，通過運算放大器保證了在超低電源電壓下反饋回路的正常工作，保證了輸出電流的穩(wěn)定。本發(fā)明的電流鏡像電路能在超低電源電壓條件下產(chǎn)生大范圍的高精度可調(diào)電流。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:圖1是一種傳統(tǒng)可調(diào)節(jié)電流鏡像電路。圖2是本發(fā)明第一實施例的示意圖。圖3是本發(fā)明第二實施例的示意圖。附圖標(biāo)記說明
OPA是運算放大器Pl 至 P6 是 PMOS 管NI 至 N4 是 NMOS 管R1、R2 是電阻Vdd是電源IREF是外部模塊輸入電流vpbias是偏置電壓一vnbiasb是偏置電壓二vnbias是偏置電壓三isourc是輸出電流一isink是輸出電流二
具體實施例方式如圖2所示，本發(fā)明第一實施例，包括:3個PMOS管，編號為Pl至P3 ;4個NMOS管，編號為NI至N4 ;電阻Rl和可變電阻R2以及I個運算放大器OPA ；Pl至P3源極和襯底接電源Vdd，Pl至P3柵極接運算放大器輸出端；Pl漏極接運算放大器OPA正相輸入端和R2 —端，R2另一端接地；P2漏極接NI漏極，P3漏極輸出電流一 isourc ；外部模塊輸入電流IREF接運算放大器OPA反相輸入端，并通過電阻Rl接地；NI和N2柵極接偏置電壓二 vnbiasb，N2漏極輸出電流二 isink，N3和N4柵極接偏置電壓三vnbias，Nl和N2源極分別接N3和N4漏極，N3和N4源極以及NI至N4襯底接地。如圖3所示，本發(fā)明第二實施例，包括:6個PMOS管，編號為Pl至P6 ;4個NMOS管，編號為NI至N4 ;電阻Rl和可變電阻R2以及I個運算放大器OPA ；Pl至P3源極接電源Vdd，Pl至P3柵極接運算放大器OPA輸出端，Pl至P3漏極分別接P4至P6源極；P1至P6襯底接電源Vdd，P4至P6柵極接偏置電壓一 vpbias ；外部模塊輸入電流IREF接運算放大器OPA反相輸入端，并通過電阻Rl接地；P4漏極接運算放大器OPA正相輸入端，并通過電阻R2接地；P5漏極接NI漏極，P6漏極輸出電流一 isourc ；NI和N2柵極接偏置電壓二 vnbiasb，N2漏極輸出電流二 isink，N3和N4柵極接偏置電壓三vnbias，Nl和N2源極分別接N3和N4的漏極，N3和N4源極以及NI至N4的襯底接地。以上通過具體實施方式
和實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電流鏡像電路，其特征是，包括:3個PMOS管，編號為Pl至P3;4個NMOS管，編號為NI至N4 ;電阻Rl和可變電阻R2以及I個運算放大器； Pl至P3源極和襯底接電源，Pl至P3柵極接運算放大器輸出端； Pl漏極接運算放大器正相輸入端和R2 —端，R2另一端接地；P2漏極接NI漏極，P3漏極輸出電流一； 外部模塊輸入電流接運算放大器反相輸入端，并通過電阻Rl接地； NI和N2柵極接偏置電壓二，N2漏極輸出電流二，N3和N4柵極接偏置電壓三，NI和N2源極分別接N3和N4漏極，N3和N4源極以及NI至N4襯底接地。
2.如權(quán)利要求1所述的電流鏡像電路，其特征是:還包括PMOS管P4至P6；P4至P6柵極接偏置電壓一，P4至P6襯底接電源； P4源極接Pl漏極，P4漏極接運算放大器正相輸入端，并通過電阻R2接地； P5源極接P2漏極，P5漏極接NI漏極；P6源極接P3漏極，P6漏極輸出電流一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電流鏡像電路，包括3個PMOS管，編號為P1至P3；4個NMOS管，編號為N1至N4；電阻R1和可變電阻R2以及1個運算放大器；P1至P3源極和襯底接電源，P1至P3柵極接運算放大器輸出端；P1漏極接運算放大器正相輸入端和R2一端，R2另一端接地；P2漏極接N1漏極，P3漏極輸出電流一；外部模塊輸入電流接運算放大器反相輸入端，并通過電阻R1接地；N1和N2柵極接偏置電壓二，N2漏極輸出電流二，N3和N4柵極接偏置電壓三，N1和N2源極分別接N3和N4漏極，N3和N4源極以及N1至N4襯底接地。本發(fā)明的電流鏡像電路能在超低電源電壓條件下產(chǎn)生大范圍的高精度可調(diào)電流。
文檔編號G05F3/26GK103163933SQ201110422769
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月16日
發(fā)明者袁志勇, 李兆桂 申請人:上海華虹Nec電子有限公司