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      一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)及其測(cè)試方法

      文檔序號(hào):6309525閱讀:178來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)及其測(cè)試方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及微電子行業(yè)集成電路制造領(lǐng)域,尤其涉及一種先進(jìn)過(guò)程控制 (Advanced Process Control,簡(jiǎn)稱APC)系統(tǒng)及其測(cè)試方法。
      背景技術(shù)
      隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入45nm,一方面,集成電路生產(chǎn)線的投資成本不斷攀高,為了盡快收回投資成本,需要不斷提高設(shè)備的生產(chǎn)效率;另一方面,半導(dǎo)體器件加工時(shí)的工藝窗口越來(lái)越小,對(duì)集成電路設(shè)備和檢測(cè)設(shè)備制造商提出了更嚴(yán)格的工藝控制要求。以往的統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制(StatisticalftOcess Control,簡(jiǎn)稱SPC)和單獨(dú)對(duì)某參數(shù)的控制方法已不能適應(yīng)當(dāng)前的工藝技術(shù)要求。為了提高設(shè)備生產(chǎn)效率,使工藝生產(chǎn)線具備可延伸性、靈活性,改善產(chǎn)品質(zhì)量和連續(xù)性,先進(jìn)過(guò)程控制日益得到人們的關(guān)注和深入研究。先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)可應(yīng)用于生產(chǎn)線的各個(gè)環(huán)節(jié),幾乎可以涵蓋所有的工藝工序, 如薄膜沉積、光刻等,與各種測(cè)量設(shè)備緊密結(jié)合形成完整的控制體系,嚴(yán)格的將各種工藝參數(shù)控制在規(guī)定的指標(biāo)范圍內(nèi)。先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)結(jié)合了 SPC與回饋控制,利用過(guò)去的過(guò)程資料數(shù)據(jù),根據(jù)最后所需要達(dá)到的目標(biāo)選擇合適的模型及控制策略,進(jìn)一步結(jié)合前一道工序中的晶圓(Wafer)參數(shù)預(yù)測(cè)出下一批制造過(guò)程的設(shè)備參數(shù)設(shè)置,及時(shí)糾正誤差,降低因機(jī)臺(tái)老化、材料壽命或周圍環(huán)境調(diào)節(jié)的改變?cè)斐傻脑O(shè)備漂移。保證機(jī)臺(tái)與過(guò)程設(shè)備的良好穩(wěn)定運(yùn)行,縮小Wafer產(chǎn)出的變異,提高設(shè)備利用效率及成品率。先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)是一個(gè)自動(dòng)化程度很高的系統(tǒng),由于先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)需要結(jié)合工廠的硬件環(huán)境和現(xiàn)有的控制系統(tǒng),使APC系統(tǒng)的驗(yàn)證工作具有很大的困難。先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)涉及到代工廠(Rnmdry)的工藝設(shè)備、數(shù)據(jù)庫(kù)等,先進(jìn)過(guò)程控制的驗(yàn)證必須得到代工廠的大力支持才能得到比較準(zhǔn)確的驗(yàn)證結(jié)果。本申請(qǐng)人意識(shí)到現(xiàn)有技術(shù)存在如下技術(shù)缺陷如果將先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)放入晶圓廠進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試,驗(yàn)證系統(tǒng)的正確性與準(zhǔn)確性將會(huì)影響晶圓廠的不間斷工作過(guò)程,時(shí)間花費(fèi)較長(zhǎng),成本過(guò)高。

      發(fā)明內(nèi)容
      (一)要解決的技術(shù)問(wèn)題為解決上述的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)及其測(cè)試方法,以克服先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)不易測(cè)試與驗(yàn)證的問(wèn)題,加速系統(tǒng)開(kāi)發(fā),降低系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)成本。( 二 )技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)與虛擬制造系統(tǒng)相連接,包括實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊,與虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊相連接,用于從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊獲取虛擬工藝制造過(guò)程中的產(chǎn)品性能參數(shù),并比照預(yù)設(shè)的產(chǎn)品性能參數(shù),對(duì)虛擬工藝制造過(guò)程中產(chǎn)品性能參數(shù)進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè);錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊,與實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊相連接,用于針對(duì)檢測(cè)出的錯(cuò)誤進(jìn)行分類,并查找產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因;反饋/回饋控制模塊,與錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊相連接,用于根據(jù)產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因調(diào)用相應(yīng)的校正模型對(duì)該錯(cuò)誤相關(guān)的工藝設(shè)備參數(shù)進(jìn)行校正,并將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過(guò)程控制模塊。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面,提供了一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的測(cè)試方法。先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)與虛擬制造系統(tǒng)相連接。該方法包括從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊獲取虛擬工藝制造過(guò)程中的產(chǎn)品性能參數(shù),并比照預(yù)設(shè)的產(chǎn)品性能參數(shù),對(duì)虛擬工藝制造過(guò)程中產(chǎn)品性能參數(shù)進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè);針對(duì)檢測(cè)出的錯(cuò)誤進(jìn)行分類,并查找產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因;根據(jù)產(chǎn)生錯(cuò)誤的原因,調(diào)用相應(yīng)的校正模型對(duì)該錯(cuò)誤相關(guān)的工藝設(shè)備參數(shù)進(jìn)行校正,并將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過(guò)程控制模塊,從而完成先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的測(cè)試ο(三)有益效果從上述技術(shù)方案可知,本發(fā)明中,用虛擬制造系統(tǒng)作為驗(yàn)證先進(jìn)過(guò)程控制(APC) 的工具,具有以下有益效果(1)避免先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)嵌入實(shí)際工藝線時(shí)需要花費(fèi)大量時(shí)間以及工藝設(shè)備因?yàn)橄冗M(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的測(cè)試造成無(wú)法正常進(jìn)行生產(chǎn)的問(wèn)題,降低先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的測(cè)試和驗(yàn)證成本;(2)用虛擬制造系統(tǒng)驗(yàn)證先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)大大縮短了系統(tǒng)開(kāi)發(fā)周期,由于先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)與工藝設(shè)備的緊密聯(lián)系,與先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)相關(guān)的工作必須得到設(shè)備廠的大力支持,虛擬制造系統(tǒng)的使用使先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的測(cè)試與驗(yàn)證能夠隨時(shí)進(jìn)行,并較易重現(xiàn),根據(jù)結(jié)果調(diào)整系統(tǒng)中存在的問(wèn)題,克服了先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)不易測(cè)試和不易校正的問(wèn)題,為進(jìn)一步嵌入到實(shí)際工藝做好充分準(zhǔn)備。


      圖1為現(xiàn)有技術(shù)虛擬制造系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本發(fā)明先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)測(cè)試方法的流程圖。
      具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合具體實(shí)施例,并參照附圖,對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。雖然本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范,但應(yīng)了解,參數(shù)無(wú)需確切等于相應(yīng)的值,而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計(jì)約束內(nèi)近似于所述值。虛擬制造系統(tǒng)(Virtual Manufacturing Fab,簡(jiǎn)稱虛擬Fab)是一種通過(guò)計(jì)算機(jī)虛擬模型來(lái)模擬和預(yù)估產(chǎn)品功能、性能及可加工性等各方面可能存在的問(wèn)題的技術(shù)。在產(chǎn)品真正制出之前,首先在虛擬制造環(huán)境中生成軟產(chǎn)品原型(Soft Prototype)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬樣品(Hard Prototype)進(jìn)行試驗(yàn),合理選擇和調(diào)整工藝過(guò)程,選擇最佳的工藝條件,也就是進(jìn)行工藝條件的優(yōu)化和模擬,對(duì)其性能和可制造性進(jìn)行預(yù)測(cè)和評(píng)價(jià)。圖1為現(xiàn)有技術(shù)虛擬制造系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,虛擬制造系統(tǒng)包括設(shè)備控制模塊、過(guò)程控制模塊、制造控制模塊、數(shù)據(jù)采集模塊和數(shù)據(jù)庫(kù)模塊。其中,設(shè)備控制模塊控制設(shè)備的開(kāi)啟停止、維護(hù)等狀態(tài),過(guò)程控制模塊控制過(guò)程當(dāng)中的工藝參數(shù)及實(shí)時(shí)調(diào)整。制造控制模塊根據(jù)多重控制模塊提供的工藝參數(shù)進(jìn)行制造過(guò)程的仿真。數(shù)據(jù)采集模塊進(jìn)行產(chǎn)品性能參數(shù)的收集,并將數(shù)據(jù)傳給數(shù)據(jù)庫(kù)模塊進(jìn)程數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。此外過(guò)程控制模塊將工藝參數(shù)提供給數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行存儲(chǔ)。設(shè)備控制模塊將設(shè)備狀態(tài)及控制指令提供給數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行存儲(chǔ)。如圖2所示,本發(fā)明先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)主要包括過(guò)程修正部分和錯(cuò)誤管理部分。 過(guò)程修正部分又包括反饋/回饋控制模塊和實(shí)時(shí)控制模塊;錯(cuò)誤管理部分又包括實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊和錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊。錯(cuò)誤管理部分的實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊檢測(cè)是否出現(xiàn)錯(cuò)誤,錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊針對(duì)檢測(cè)出的錯(cuò)誤進(jìn)行分類,根據(jù)錯(cuò)誤分類查找產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因。過(guò)程修正部分的反饋/回饋控制模塊,根據(jù)產(chǎn)生錯(cuò)誤的原因,調(diào)用校正模型得到需要調(diào)整的參數(shù),實(shí)時(shí)控制模塊負(fù)責(zé)完成先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)數(shù)據(jù)與外界數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)通訊。舉例來(lái)說(shuō),實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊檢測(cè)到化學(xué)機(jī)械研磨工藝中出現(xiàn)的金屬厚度減小過(guò)快的錯(cuò)誤;錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊將該金屬厚度減小過(guò)快的錯(cuò)誤分類至由于整體參數(shù)偏移引起的錯(cuò)誤種類, 而產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因?yàn)檠心毫^(guò)大;反饋/回饋控制模塊根據(jù)該錯(cuò)誤原因,調(diào)用校正模型來(lái)校正研磨壓力參數(shù)。而如果實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊發(fā)現(xiàn)在金屬厚度減小過(guò)快的同時(shí),伴隨碟形(金屬厚度與介質(zhì)厚度之差)增大;則錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊將該錯(cuò)誤分類至由于整體參數(shù)偏移引起的錯(cuò)誤種類,而產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因?yàn)檠心ヒ哼^(guò)量引起金屬與介質(zhì)化學(xué)反應(yīng)不一致而導(dǎo)致研磨速度相差較大;反饋/回饋控制模塊根據(jù)該錯(cuò)誤原因,調(diào)用另一校正模型研磨液供應(yīng)量。在本發(fā)明中,將實(shí)際工藝線替換為虛擬制造系統(tǒng)進(jìn)行先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)驗(yàn)證與測(cè)試。由于虛擬制造系統(tǒng)為軟件系統(tǒng)工具,通過(guò)接口技術(shù)將先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)集成入虛擬制造系統(tǒng)中,驗(yàn)證先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的可行性與有效性。在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中,提出了一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)。圖3為本發(fā)明實(shí)施例先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示,將先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊的輸入通過(guò)實(shí)時(shí)控制模塊與虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊相連接,反饋/回饋控制模塊的輸出通過(guò)實(shí)時(shí)控制模塊與虛擬制造系統(tǒng)的制造控制模塊相連接。本發(fā)明實(shí)施例先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)中,實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊,通過(guò)實(shí)時(shí)控制模塊與虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊相連接,用于從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊獲取虛擬工藝制造過(guò)程中的產(chǎn)品性能參數(shù),并比照預(yù)設(shè)的產(chǎn)品性能參數(shù),對(duì)虛擬工藝制造過(guò)程中產(chǎn)品性能參數(shù)進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè);錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊,與實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊相連接,用于針對(duì)檢測(cè)出的錯(cuò)誤進(jìn)行分類,查找產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因;反饋/回饋控制模塊,與錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊相連接,用于根據(jù)產(chǎn)生錯(cuò)誤的原因,調(diào)用相應(yīng)的校正模型對(duì)錯(cuò)誤相關(guān)的工藝設(shè)備參數(shù)進(jìn)行校正, 并將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)通過(guò)實(shí)時(shí)控制模塊發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過(guò)程控制模塊。同時(shí),反饋/回饋控制模塊還將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)通過(guò)實(shí)時(shí)控制模塊發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫(kù)模塊用于存儲(chǔ)。為了進(jìn)一步提升先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的參數(shù)優(yōu)化和自學(xué)習(xí)的功能,本實(shí)施例的反饋 /回饋控制模塊,還通過(guò)實(shí)時(shí)控制模塊與虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫(kù)模塊相連接,用于從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫(kù)模塊獲得設(shè)備工藝設(shè)備參數(shù)調(diào)整前后半導(dǎo)體晶片的產(chǎn)品性能參數(shù),判斷半導(dǎo)體晶片的性能改善是否達(dá)到預(yù)期效果,在未達(dá)到預(yù)期效果時(shí),對(duì)校正模型進(jìn)行調(diào)整。此處,對(duì)校正模型進(jìn)行調(diào)整的形式有兩種一種是更換校正模型的種類;另一種是修正校正模型的擬合參數(shù)??晒┻x擇的校正模型的種類有MMSE控制方法、PID控制方法和混沌優(yōu)化算法。對(duì)于修正校正模型的參數(shù),例如對(duì)于MMSE控制算法,t時(shí)刻的調(diào)整量為
      權(quán)利要求
      1.一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng),其特征在于,與虛擬制造系統(tǒng)相連接,包括實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊,與虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊相連接,用于從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊獲取虛擬工藝制造過(guò)程中的產(chǎn)品性能參數(shù),并比照預(yù)設(shè)的產(chǎn)品性能參數(shù),對(duì)虛擬工藝制造過(guò)程中產(chǎn)品性能參數(shù)進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè);錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊,與所述實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊相連接,用于針對(duì)檢測(cè)出的錯(cuò)誤進(jìn)行分類,并查找產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因;反饋/回饋控制模塊,與所述錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊相連接,用于根據(jù)產(chǎn)生錯(cuò)誤的原因, 調(diào)用相應(yīng)的校正模型對(duì)該錯(cuò)誤相關(guān)的工藝/設(shè)備參數(shù)進(jìn)行校正,得到校正后的工藝設(shè)備參數(shù),并將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過(guò)程控制模塊。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng),其特征在于,所述反饋/回饋控制模塊,還用于將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)通過(guò)實(shí)時(shí)控制模塊發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫(kù)模塊進(jìn)行存儲(chǔ)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng),其特征在于,反饋/回饋控制模塊,與虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫(kù)模塊相連接,用于從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫(kù)模塊獲得設(shè)備工藝設(shè)備參數(shù)調(diào)整前后半導(dǎo)體晶片的產(chǎn)品性能參數(shù),判斷半導(dǎo)體晶片的性能改善是否達(dá)到預(yù)期效果,在未達(dá)到預(yù)期效果時(shí),對(duì)校正模型進(jìn)行調(diào)整,根據(jù)調(diào)整后的校正模型重新對(duì)工藝設(shè)備參數(shù)進(jìn)行校正。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng),其特征在于,所述反饋/回饋控制模塊包括參數(shù)調(diào)整子模塊,用于對(duì)所述校正模型的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整;或模型調(diào)整子模塊,用于更換所述校正模型。
      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng),其特征在于,所述校正模型選自以下模型中的一種匪SE控制方法、PID控制方法和混沌優(yōu)化算法。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng),其特征在于,還包括實(shí)時(shí)控制模塊,用于所述先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)和所述虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)交互。
      7.一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的測(cè)試方法,其特征在于,所述先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)與虛擬制造系統(tǒng)相連接,包括從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊獲取虛擬工藝制造過(guò)程中的產(chǎn)品性能參數(shù),并比照預(yù)設(shè)的產(chǎn)品性能參數(shù),對(duì)虛擬工藝制造過(guò)程中產(chǎn)品性能參數(shù)進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè);針對(duì)檢測(cè)出的錯(cuò)誤進(jìn)行分類,并查找產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因;根據(jù)產(chǎn)生所述錯(cuò)誤的原因,調(diào)用相應(yīng)的校正模型對(duì)該錯(cuò)誤相關(guān)的工藝設(shè)備參數(shù)進(jìn)行校正,并將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過(guò)程控制模塊,從而完成所述先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)的驗(yàn)證測(cè)試。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)測(cè)試方法,其特征在于,所述將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過(guò)程控制模塊的同時(shí)還包括將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)通過(guò)實(shí)時(shí)控制模塊發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫(kù)模塊存儲(chǔ)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)測(cè)試方法,其特征在于,所述將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過(guò)程控制模塊之后還包括從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫(kù)模塊獲得設(shè)備工藝設(shè)備參數(shù)調(diào)整前后半導(dǎo)體晶片的產(chǎn)品性能參數(shù),判斷半導(dǎo)體晶片的性能改善是否達(dá)到預(yù)期效果,在未達(dá)到預(yù)期效果時(shí),對(duì)校正模型進(jìn)行調(diào)整,根據(jù)調(diào)整后的校正模型重新對(duì)工藝設(shè)備參數(shù)進(jìn)行校正。
      10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)測(cè)試方法,其特征在于,所述對(duì)校正模型進(jìn)行調(diào)整包括對(duì)所述校正模型的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整;或更換所述校正模型。
      全文摘要
      本發(fā)明公開(kāi)了一種先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)與該系統(tǒng)的測(cè)試方法。該系統(tǒng)與虛擬制造系統(tǒng)相連接,包括實(shí)時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè)模塊,用于從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊獲取虛擬工藝制造過(guò)程中的產(chǎn)品性能參數(shù),并比照預(yù)設(shè)的產(chǎn)品性能參數(shù),對(duì)虛擬工藝制造過(guò)程中產(chǎn)品性能參數(shù)進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè);錯(cuò)誤分類與響應(yīng)模塊,用于針對(duì)檢測(cè)出的錯(cuò)誤進(jìn)行分類,并查找產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因;反饋/回饋控制模塊,用于根據(jù)產(chǎn)生該錯(cuò)誤的原因,調(diào)用相應(yīng)的校正模型對(duì)該錯(cuò)誤相關(guān)的工藝/設(shè)備參數(shù)進(jìn)行校正,得到校正后的工藝設(shè)備參數(shù),并將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過(guò)程控制模塊。本發(fā)明避免了先進(jìn)過(guò)程控制系統(tǒng)嵌入實(shí)際工藝線時(shí)需要花費(fèi)大量時(shí)間以及工藝設(shè)備無(wú)法正常進(jìn)行生產(chǎn)的問(wèn)題,降低了其測(cè)試和驗(yàn)證成本。
      文檔編號(hào)G05B23/02GK102540895SQ20121004843
      公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月28日
      發(fā)明者方晶晶, 阮文彪, 陳嵐 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
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