專利名稱：參考電壓電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體器件技術領域，更具體地說，涉及ー種參考電壓電路。
背景技術：
不考慮供電端的電壓，參考電壓電路是相對于低壓供電端的電勢總是從輸出端輸出恒定電壓的電路。如圖I所示，Ml為耗盡型PMOS晶體管，M2為增強型PMOS晶體管，該參考電壓電路的輸出電壓Vref可以通過以下公式得到
權利要求1.ー種參考電壓電路，其特征在于，包括連接在耗盡型PMOS晶體管的漏極和增強型PMOS晶體管的源極之間的增強型PMOS晶體管組件，該增強型PMOS晶體管組件至少包括一個增強型PMOS晶體管。
2.根據(jù)權利要求I所述的電路，其特征在于，所述耗盡型PMOS晶體管和增強型PMOS晶體管的導電溝道內(nèi)的離子分布完全相同。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的電路，其特征在于，所述耗盡型PMOS晶體管的柵極為P型摻雜，所述增強型PMOS晶體管的柵極為N型摻雜。
4.ー種參考電壓電路，其特征在于，包括連接在耗盡型PMOS晶體管的源極上的電流鏡和連接在所述電流鏡和增強型PMOS晶體管之間的增強型PMOS晶體管組件，其中 所述增強型PMOS晶體管組件至少包括一個增強型PMOS晶體管。
5.根據(jù)權利要求4所述的電路，其特征在于，還包括兩端分別與所述電流鏡和耗盡型PMOS晶體管的源極之間的電阻。
6.根據(jù)權利要求4所述的電路，其特征在于，所述耗盡型PMOS晶體管和增強型PMOS晶體管的導電溝道內(nèi)的離子分布完全相同。
7.根據(jù)權利要求4-6中任意一項所述的電路，其特征在于，所述耗盡型PMOS晶體管的柵極為P型摻雜，所述增強型PMOS晶體管的柵極為N型摻雜。
專利摘要本實用新型公開了一種參考電壓電路，包括連接在耗盡型PMOS晶體管的漏極和增強型PMOS晶體管的源極之間的增強型PMOS晶體管組件，該增強型PMOS晶體管組件至少包括一個增強型PMOS晶體管，或者，包括連接在耗盡型PMOS晶體管的源極上的電流鏡和連接在所述電流鏡和增強型PMOS晶體管之間的增強型PMOS晶體管組件，其中所述增強型PMOS晶體管組件至少包括一個增強型PMOS晶體管。具體的，本實用新型公開的參考電壓電路，增加包括至少一個增強型PMOS晶體管的增強型PMOS晶體管組件，其輸出電壓相應的增加了至少一個增強型PMOS晶體管的柵源電壓。
文檔編號G05F3/26GK202433801SQ20122004933
公開日2012年9月12日 申請日期2012年2月15日 優(yōu)先權日2012年2月15日
發(fā)明者宗強, 張美玲, 郜小茹 申請人:上海新進半導體制造有限公司