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      一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路的制作方法

      文檔序號(hào):6271279閱讀:2808來源:國知局
      專利名稱:一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路。
      背景技術(shù)
      如果運(yùn)放兩個(gè)輸入端上的電壓均為0V,則輸出端電壓也應(yīng)該等于0V。但事實(shí)上,輸出端總有一些電壓,該電壓稱為失調(diào)電壓從各運(yùn)放的規(guī)格書中查閱此參數(shù),其Vre —般最大值為7mv,如果此運(yùn)放運(yùn)用于過流檢測(cè)電路,因運(yùn)放輸入失調(diào)電壓導(dǎo)致的電流誤差為L /Rs (取樣電阻),如果Rs阻值為Im Ω,則最大誤差電流可達(dá)7A,對(duì)PCM的過流精度的影響是比較大的,除了運(yùn)放本身存在Vtjs外,隨著溫度的變化其Vtjs也會(huì)變化,這種變化稱為輸入失調(diào)溫度漂移,同時(shí)漂移的大小隨時(shí)間也會(huì)有變化,且漂移是不恒定,非單調(diào)變化的,因此需采取措施消除失調(diào)電壓對(duì)過流的影響。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)上述普遍存在的缺點(diǎn),提出一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路。本實(shí)用新型采取的設(shè)計(jì)方案為:一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路,包括電芯、微控制單元、電池電壓檢測(cè)電路、電流采樣電阻、運(yùn)放電路、mos電路、mos驅(qū)動(dòng)電路;微控制單元通過電池電壓檢測(cè)電路檢測(cè)電芯輸出電壓,微控制單元檢測(cè)運(yùn)放電路輸出電壓,微控制單元通過mos驅(qū)動(dòng)電路控制mos電路,電流采樣電阻、mos電路、負(fù)載串聯(lián)接電芯兩端。優(yōu)選的,電芯電壓通過穩(wěn)壓模塊給微控制單元提供電壓優(yōu)選的,所述的運(yùn)放放大電路包括正偏移保持電阻。綜上所述,本實(shí)用新型具有以下顯著的有益效果:(1)本方案采用增加正偏移保持電阻,提高運(yùn)放輸入電壓,使之保持正偏移,以消除運(yùn)放輸入負(fù)偏移對(duì)輸出的影響,通過將輸入端電壓進(jìn)行放大,輸出端電壓也會(huì)應(yīng)增加,并通過MUC讀取運(yùn)放輸出電壓,以校準(zhǔn)偏移及相關(guān)噪聲產(chǎn)生的誤差,以提高PCM的過流檢測(cè)精度;(2)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,生產(chǎn)成本低,易于大規(guī)模生產(chǎn)。
      附圖1為本實(shí)用新型所述一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路的電路圖。
      具體實(shí)施方式
      為了讓本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案,
      以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步闡述。如圖1所示,一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路,包括電芯、微控制單元、電池電壓檢測(cè)電路、電流采樣電阻、運(yùn)放電路、mos電路、mos驅(qū)動(dòng)電路;微控制單元通過電池電壓檢測(cè)電路檢測(cè)電芯輸出電壓,微控制單元檢測(cè)運(yùn)放電路輸出電壓,微控制單元通過mos驅(qū)動(dòng)電路控制mos電路,電流采樣電阻、mos電路、負(fù)載串聯(lián)接電芯兩端;電芯電壓通過穩(wěn)壓模塊給微控制單元提供電壓,所述的運(yùn)放放大電路包括正偏移保持電阻。電芯、開關(guān)K1、負(fù)載、mos電路、電流采樣電阻Rs串聯(lián)構(gòu)成回路。電芯通過穩(wěn)壓模塊給微控制單元(MCU)提供電壓。MCU的ANl腳通過電池電壓檢測(cè)電路檢測(cè)電芯電壓。mos電路包括第一場(chǎng)效應(yīng)管、第一二極管,MCU的AN2腳通過MOS驅(qū)動(dòng)電路接第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,第一二極管為第一場(chǎng)效應(yīng)管的內(nèi)部寄生二極管,漏極接第一二極管負(fù)極,源極接第一二極管負(fù)極,漏極電位高于源極。運(yùn)放電路包括運(yùn)算放大器、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、正偏移保持電阻RL,運(yùn)算放大器的輸出端接MCU的AN3腳,運(yùn)算放大器的正輸入端經(jīng)過第二電阻接第一場(chǎng)效應(yīng)管源極,vcc經(jīng)過正偏移保持電阻RL接運(yùn)算放大器的正輸入端,運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端經(jīng)過第三電阻接地,第一電阻分接運(yùn)算放大器的輸出端、運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端。工作過程:1、使用電芯通過穩(wěn)壓模塊給MCU供電,使MCU處于正常的工作狀態(tài);2、按正常的放大電路將Rl,R2, R3與運(yùn)放按示意圖相接,Gain=(Rl+R3)/R3);3、使用較大的RL電阻,提高運(yùn)放輸入電壓,使之保持正偏移,以消除運(yùn)放輸入負(fù)偏移對(duì)輸出的影響;4開關(guān)閉合后,MCU先對(duì)通過ANl和AN3腳檢測(cè)電芯電壓Vb及初始運(yùn)放輸出電壓Vout I,當(dāng)電壓處于正常電壓范圍時(shí),MCU才通過AN2腳控制MOS驅(qū)動(dòng)電路將第一場(chǎng)效應(yīng)管打開;5.第一場(chǎng)效應(yīng)管接通后,MCU再通過AN3腳檢測(cè)運(yùn)放輸出電壓Vout2,可得知回路電流為,I= (Vout2-Voutl )/Gain/RS ;6.每次開關(guān)重新啟動(dòng)后都重復(fù)4,5步,當(dāng)開關(guān)一直按著,也可隨溫度變化和時(shí)間的推移,重新設(shè)定第一場(chǎng)效應(yīng)管以脈沖形式開關(guān),以使運(yùn)放輸出電壓變化,以消除相關(guān)噪聲對(duì)運(yùn)放輸出變化廣生的影響,以提聞電流檢測(cè)精度。通過控制MOS管的開關(guān),來使運(yùn)放輸出端的電壓產(chǎn)生變化,因MOS管開關(guān)時(shí)間非常短,MOS管開關(guān)前后僅有流過Rs的電流不同,當(dāng)兩電壓相減后,可消除運(yùn)放輸入偏移電壓及溫漂對(duì)PCM電流的檢測(cè)影響,以提升PCM性能。本申請(qǐng)通過控制MOS管的開關(guān),來使運(yùn)放輸出端電壓發(fā)生變化,再通過MCU讀取變化電壓,從而消除運(yùn)放失調(diào)電壓對(duì)采樣電壓的影響,來實(shí)現(xiàn)提高電流檢測(cè)精度的運(yùn)用方式。需要說明的是,在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形,但這些改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
      權(quán)利要求1.一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路,其特征在于:包括電芯、微控制單元、電池電壓檢測(cè)電路、電流采樣電阻、運(yùn)放電路、moS電路、moS驅(qū)動(dòng)電路;微控制單元通過電池電壓檢測(cè)電路檢測(cè)電芯輸出電壓,微控制單元檢測(cè)運(yùn)放電路輸出電壓,微控制單元通過mos驅(qū)動(dòng)電路控制mos電路,電流采樣電阻、mos電路、負(fù)載串聯(lián)接電芯兩端。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路,其特征在于:電芯電壓通過穩(wěn)壓模塊給微控制單元提供電壓。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路,其特征在于:所述的運(yùn)放電路包括正偏移保持電阻。
      專利摘要本實(shí)用新型公開了一種消除運(yùn)放失調(diào)電壓影響的電路,包括電芯、微控制單元、電池電壓檢測(cè)電路、電流采樣電阻、運(yùn)放電路、mos電路、mos驅(qū)動(dòng)電路;微控制單元通過電池電壓檢測(cè)電路檢測(cè)電芯輸出電壓,微控制單元檢測(cè)運(yùn)放電路輸出電壓,微控制單元通過mos驅(qū)動(dòng)電路控制mos電路,電流采樣電阻、mos電路、負(fù)載串聯(lián)接電芯兩端。綜上所述,本實(shí)用新型具有以下效果(1)本方案采用增加正偏移保持電阻,提高運(yùn)放輸入電壓,使之保持正偏移,以消除運(yùn)放輸入負(fù)偏移對(duì)輸出影響,通過將輸入端電壓進(jìn)行放大,輸出端電壓也會(huì)應(yīng)增加,并通過MUC讀取運(yùn)放輸出電壓,以校準(zhǔn)偏移及相關(guān)噪聲產(chǎn)生的誤差,以提高PCM的過流檢測(cè)精度;(2)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,生產(chǎn)成本低,易于大規(guī)模生產(chǎn)。
      文檔編號(hào)G05F1/56GK203054651SQ20122058741
      公開日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月9日
      發(fā)明者徐石明 申請(qǐng)人:惠州市藍(lán)微電子有限公司
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