通路通斷精密控制裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種通路通斷精密控制裝置，包括殼體、阻隔機構(gòu)以及驅(qū)動體，所述殼體包括相互連通的上殼體和下殼體，其中，所述上殼體的徑向中心位置設有與通路相連通的上通孔，上殼體的內(nèi)部設有用于阻隔機構(gòu)移動的上空腔，所述阻隔機構(gòu)軸向設置于所述上空腔內(nèi)部；所述下殼體包括外殼體和內(nèi)殼體，所述內(nèi)殼體內(nèi)部為與上通孔相連通的下空腔，所述驅(qū)動體設置于內(nèi)殼體與外殼體之間；所述驅(qū)動體與阻隔機構(gòu)之間形成相互作用的磁路結(jié)構(gòu)。本實用新型將阻隔機構(gòu)設置于整個裝置的內(nèi)部，結(jié)構(gòu)簡單輕巧，且阻隔機構(gòu)在磁力控制下移動頻率高，通過控制磁力進而控制阻隔機構(gòu)對通路的開啟和關(guān)閉，實現(xiàn)加工及實驗過程中的精密控制。
【專利說明】
【技術(shù)領域】
[0001] 本實用新型涉及力控位移裝置【技術(shù)領域】，具體地，涉及一種通路通斷精密控制裝 置。 通路通斷精密控制裝置
【背景技術(shù)】
[0002] 通路通斷控制裝置主要是在加工或?qū)嶒炦^程中控制通路的通斷，例如：光路通孔、 液體流通孔、氣體流通孔等通路，通過控制阻隔機構(gòu)的移動行程對通路進行遮擋和斷開，進 而使光線、液體、氣體等由通路泄出或進行阻隔。
[0003] 現(xiàn)有的通路通斷控制裝置，主要通過電機控制阻隔機構(gòu)移動，這種結(jié)構(gòu)導致產(chǎn)品 結(jié)構(gòu)復雜、質(zhì)量重、且移動頻率低，而對于僅有幾毫米的通路，也無法滿足加工及實驗過程 中的精密控制。
[0004] 目前沒有發(fā)現(xiàn)同本實用新型類似技術(shù)的說明或報道，也尚未收集到國內(nèi)外類似的 資料。 實用新型內(nèi)容
[0005] 本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供了一種通路通斷精密控制裝 置。
[0006] 本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的。
[0007] -種通路通斷精密控制裝置，包括殼體、阻隔機構(gòu)以及驅(qū)動體，所述殼體包括相互 連通的上殼體和下殼體，其中，所述上殼體的徑向中心位置設有與通路（例如：光路通孔、 液體流通孔、氣體流通孔等）相連通的上通孔，上殼體的內(nèi)部設有用于阻隔機構(gòu)移動的上 空腔，所述阻隔機構(gòu)軸向設置于所述上空腔內(nèi)部；所述下殼體包括外殼體和內(nèi)殼體，所述內(nèi) 殼體內(nèi)部為與上通孔相連通的下空腔，所述驅(qū)動體設置于內(nèi)殼體與外殼體之間；所述驅(qū)動 體與阻隔機構(gòu)之間形成相互作用的磁路結(jié)構(gòu)。
[0008] 優(yōu)選地，所述阻隔機構(gòu)包括永磁體，所述永磁體與驅(qū)動體之間形成相互作用的永 磁勵磁路。
[0009] 優(yōu)選地，所述阻隔機構(gòu)還包括導磁體，所述導磁體設置于永磁體的至少一端部上。
[0010] 優(yōu)選地，所述阻隔機構(gòu)與上空腔的內(nèi)側(cè)壁之間設有至少一個導向機構(gòu)。
[0011] 優(yōu)選地，所述阻隔機構(gòu)與導向機構(gòu)的相接觸面上設有與導向機構(gòu)相適配的滑槽。
[0012] 優(yōu)選地，所述驅(qū)動體采用電磁線圈或電磁鐵。
[0013] 優(yōu)選地，所述上空腔的兩端部分別設有鐵磁體。
[0014] 優(yōu)選地，所述上空腔內(nèi)部的兩端分別為阻隔機構(gòu)起始端和阻隔機構(gòu)終止端，其中， 所述阻隔機構(gòu)終止端的鐵磁體長度大于阻隔機構(gòu)起始端的鐵磁體長度，當阻隔機構(gòu)吸附在 起始端的鐵磁體上時，上通孔處于開啟狀態(tài)；當阻隔機構(gòu)吸附在終止端的體磁體上時，上通 孔處于阻隔狀態(tài)。
[0015] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有如下的有益效果：
[0016] 1、本實用新型提供的通路通斷精密控制裝置，采用磁作用力對阻隔機構(gòu)進行控 制，通過驅(qū)動體與阻隔機構(gòu)之間的磁力變化，實現(xiàn)阻隔機構(gòu)的精密移動；
[0017] 2、在永磁體的一端或兩端設置導磁體，增強了磁場強度，提高了激勵效果；
[0018] 3、導向機構(gòu)減小了阻隔機構(gòu)與上空腔內(nèi)壁之間的摩擦力，并限定了阻隔機構(gòu)的行 程方向；
[0019] 4、上空腔的兩端設置鐵磁體，實現(xiàn)了斷電保持功能，S卩，對驅(qū)動體通電時，阻隔機 構(gòu)與驅(qū)動體之間產(chǎn)生磁激勵作用，磁力驅(qū)動阻隔機構(gòu)在上空腔內(nèi)部由起始端向終止端軸向 運動，當阻隔機構(gòu)移動至上通孔處時，對通路進行阻擋，此時對驅(qū)動體斷電，由于終止端鐵 磁體的吸力作用，即使在斷電情況下，仍能保持對通路的有效阻擋；同理，由于起始端鐵磁 體的吸力作用，即使在斷電情況下，仍能保持對通路的有效斷開；
[0020] 5、本實用新型將阻隔機構(gòu)設置于整個裝置的內(nèi)部，結(jié)構(gòu)簡單輕巧，且阻隔機構(gòu)在 磁力控制下移動頻率高，通過控制磁力進而控制阻隔機構(gòu)對通路的開啟和關(guān)閉，實現(xiàn)加工 及實驗過程中的精密控制。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021] 通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特 征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：
[0022] 圖1為本實用新型精密可控滑臺裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖2為本實用新型精密可控滑臺裝置工作過程示意圖；
[0024] 圖中：1為永磁體，2為驅(qū)動體，3為導磁體，4為鐵磁體，5為導向機構(gòu)，6為上通孔， 7為下空腔。
【具體實施方式】
[0025] 下面對本實用新型的實施例作詳細說明：本實施例在以本實用新型技術(shù)方案為前 提下進行實施，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程。應當指出的是，對本領域的普通 技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬 于本實用新型的保護范圍。
[0026] 請同時參閱圖1和圖2。
[0027] 本實施例提供了一種通路通斷精密控制裝置，包括殼體、阻隔機構(gòu)以及驅(qū)動體2， 所述殼體包括相互連通的上殼體和下殼體，其中，所述上殼體的徑向中心位置設有與通路 (例如：光路通孔、液體流通孔、氣體流通孔等）相連通的上通孔6,上殼體的內(nèi)部設有用于 阻隔機構(gòu)移動的上空腔，所述阻隔機構(gòu)軸向設置于所述上空腔內(nèi)部；所述下殼體包括外殼 體和內(nèi)殼體，所述內(nèi)殼體內(nèi)部為與上通孔6相連通的下空腔7,所述驅(qū)動體2設置于內(nèi)殼體 與外殼體之間；所述驅(qū)動體2與阻隔機構(gòu)之間形成相互作用的磁路結(jié)構(gòu)。
[0028] 優(yōu)選地，所述阻隔機構(gòu)包括永磁體1，所述永磁體1與驅(qū)動體2之間形成相互作用 的永磁勵磁路。
[0029] 優(yōu)選地，所述阻隔機構(gòu)還包括導磁體3,所述導磁體3設置于永磁體1的至少一端 部上。
[0030] 優(yōu)選地，所述阻隔機構(gòu)與上空腔的內(nèi)側(cè)壁之間設有至少一個導向機構(gòu)5。
[0031] 優(yōu)選地，所述阻隔機構(gòu)與導向機構(gòu)5的相接觸面上設有與導向機構(gòu)5相適配的滑 槽。
[0032] 優(yōu)選地，所述驅(qū)動體2采用電磁線圈或電磁鐵。
[0033] 優(yōu)選地，所述上空腔的兩端部分別設有鐵磁體4。
[0034] 優(yōu)選地，所述上空腔內(nèi)部的兩端分別為阻隔機構(gòu)起始端和阻隔機構(gòu)終止端，其中， 所述阻隔機構(gòu)終止端的鐵磁體長度大于阻隔機構(gòu)起始端的鐵磁體長度，當阻隔機構(gòu)吸附在 起始端的鐵磁體上時，上通孔處于開啟狀態(tài)；當阻隔機構(gòu)吸附在終止端的體磁體上時，上通 孔處于阻隔狀態(tài)。
[0035] 在本實施例中，
[0036] 采用磁作用力對阻隔機構(gòu)進行控制，通過驅(qū)動體與阻隔機構(gòu)之間的磁力變化，實 現(xiàn)阻隔機構(gòu)的精密移動；
[0037] 在永磁體的一端或兩端設置導磁體，增強了磁場強度，提高了激勵效果；
[0038] 導向機構(gòu)減小了阻隔機構(gòu)與上空腔內(nèi)壁之間的摩擦力，并限定了阻隔機構(gòu)的行程 方向；
[0039] 上空腔的兩端設置鐵磁體，實現(xiàn)了斷電保持功能，S卩，對驅(qū)動體通電時，阻隔機構(gòu) 與驅(qū)動體之間產(chǎn)生磁激勵作用，磁力驅(qū)動阻隔機構(gòu)在上空腔內(nèi)部由起始端向終止端軸向運 動，當阻隔機構(gòu)移動至上通孔處時，對通路進行阻擋，此時對驅(qū)動體斷電，由于終止端鐵磁 體的吸力作用，即使在斷電情況下，仍能保持對通路的有效阻擋；同理，由于起始端鐵磁體 的吸力作用，即使在斷電情況下，仍能保持對通路的有效斷開；
[0040] 終止端的鐵磁體長度大于起始端的鐵磁體長度，其目的在于，保證阻隔機構(gòu)移動 至上通孔處時有效阻檔上通孔；當阻隔機構(gòu)吸附在起始端的鐵磁體上時，上通孔處于開啟 狀態(tài)；當阻隔機構(gòu)吸附在終止端的體磁體上時，上通孔處于阻隔狀態(tài)。
[0041] 將阻隔機構(gòu)設置于整個裝置的內(nèi)部，結(jié)構(gòu)簡單輕巧，且阻隔機構(gòu)在磁力控制下移 動頻率高，通過控制磁力進而控制阻隔機構(gòu)對通路的開啟和關(guān)閉，實現(xiàn)加工及實驗過程中 的精密控制。
[〇〇42] 以上對本實用新型的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本實用新型并不局 限于上述特定實施方式，本領域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改， 這并不影響本實用新型的實質(zhì)內(nèi)容。
【權(quán)利要求】
1. 一種通路通斷精密控制裝置，其特征在于，包括殼體、阻隔機構(gòu)以及驅(qū)動體，所述殼 體包括相互連通的上殼體和下殼體，其中，所述上殼體的徑向中心位置設有上通孔，上殼體 的內(nèi)部設有用于阻隔機構(gòu)移動的上空腔，所述阻隔機構(gòu)軸向設置于所述上空腔內(nèi)部；所述 下殼體包括外殼體和內(nèi)殼體，所述內(nèi)殼體內(nèi)部為與上通孔相連通的下空腔，所述驅(qū)動體設 置于內(nèi)殼體與外殼體之間；所述驅(qū)動體與阻隔機構(gòu)之間形成相互作用的磁路結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的通路通斷精密控制裝置，其特征在于，所述阻隔機構(gòu)包括永 磁體，所述永磁體與驅(qū)動體之間形成相互作用的永磁勵磁路。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的通路通斷精密控制裝置，其特征在于，所述阻隔機構(gòu)還包括 導磁體，所述導磁體設置于永磁體的至少一端部上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的通路通斷精密控制裝置，其特征在于，所述阻隔機構(gòu)與上空 腔的內(nèi)側(cè)壁之間設有至少一個導向機構(gòu)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的通路通斷精密控制裝置，其特征在于，所述阻隔機構(gòu)與導向 機構(gòu)的相接觸面上設有與導向機構(gòu)相適配的滑槽。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的通路通斷精密控制裝置，其特征在于，所述驅(qū)動體采用電磁 線圈或電磁鐵。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的通路通斷精密控制裝置，其特征在于，所述上空腔的兩端部 分別設有鐵磁體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的通路通斷精密控制裝置，其特征在于，所述上空腔內(nèi)部的兩 端分別為阻隔機構(gòu)起始端和阻隔機構(gòu)終止端，其中，所述阻隔機構(gòu)終止端的鐵磁體長度大 于阻隔機構(gòu)起始端的鐵磁體長度，當阻隔機構(gòu)吸附在起始端的鐵磁體上時，上通孔處于開 啟狀態(tài)；當阻隔機構(gòu)吸附在終止端的體磁體上時，上通孔處于阻隔狀態(tài)。
【文檔編號】G05B19/04GK203882116SQ201420172350
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年4月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月10日
【發(fā)明者】楊斌堂 申請人:上海交通大學