多路控制電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種多路控制電路，其包括一供電電源和至少一個(gè)控制器，該供電電源與每個(gè)控制器均相連，每個(gè)控制器包括一MCU和與該MCU相連的控制電路以及與該控制電路相連的一負(fù)載，其中，該控制電路包括整流電路、開(kāi)關(guān)電路和比較電路，其中，該開(kāi)關(guān)電路包括第一通路和第二通路和用于切換該第一通路和該第二通路的開(kāi)關(guān)；該比較電路包括比較器、與該負(fù)載相連的霍爾傳感器以及可變電阻，該可變電阻與該比較器的第一輸入端相連，該霍爾傳感器與該比較器的第二輸入端相連，該比較器的輸出端與該MCU相連。本實(shí)用新型僅需一個(gè)電源就能實(shí)現(xiàn)多路的電流獨(dú)立可調(diào)。
【專利說(shuō)明】多路控制電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種多路控制電路，特別涉及一種電流獨(dú)立可調(diào)的多路控制電路。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展，越來(lái)越多的不同類型的設(shè)備需要越來(lái)越多的不同種類的電源來(lái)驅(qū)動(dòng)。在一套大型設(shè)備，例如離子注入機(jī)中，常常需要采用數(shù)臺(tái)或數(shù)十臺(tái)各種類型的電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，而在這些電源中，有許多都極性相同、型號(hào)相同或相近。如果每一路輸出都配備一臺(tái)獨(dú)立的電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，則需要的電源數(shù)量將會(huì)很多，成本則將大幅上升；另外如此眾多的電源也將占用大量的空間，給設(shè)備的總體設(shè)計(jì)帶來(lái)困難；并且眾多的電源裝置也將增加設(shè)備的總部件數(shù)量，給系統(tǒng)引入更多的復(fù)雜性和不可靠性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中需要多路電源來(lái)驅(qū)動(dòng)多路設(shè)備的缺陷，提供一種僅需一個(gè)電源就能實(shí)現(xiàn)電流獨(dú)立可調(diào)的多路控制電路。
[0004]本實(shí)用新型是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題:
[0005]一種多路控制電路，其特點(diǎn)在于，其包括一供電電源和至少一個(gè)控制器，該供電電源與每個(gè)控制器均相連，每個(gè)控制器包括一 MCU (微控制單元)和與該MCU相連的控制電路以及與該控制電路相連的一負(fù)載，其中，
[0006]該控制電路包括整流電路、開(kāi)關(guān)電路和比較電路，其中，
[0007]該開(kāi)關(guān)電路包括第一通路和第二通路和用于切換該第一通路和該第二通路的開(kāi)關(guān);
[0008]該比較電路包括比較器、與該負(fù)載相連的霍爾傳感器以及可變電阻，該可變電阻與該比較器的第一輸入端相連，該霍爾傳感器與該比較器的第二輸入端相連，該比較器的輸出端與該MCU相連。
[0009]優(yōu)選地,該開(kāi)關(guān)電路包括第一 MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體)、第二 MOS管、第三MOS管和第四MOS管，其中，該第一MOS管的源極連接至該第三MOS管的源極，該第二MOS管的源極連接至該第四MOS管的源極，該第一通路導(dǎo)通時(shí)，該第一 MOS管和該第四MOS管導(dǎo)通，該第二 MOS管和該第三MOS管截止；該第二通路導(dǎo)通時(shí)，該第二 MOS管和該第三MOS管導(dǎo)通，該第一 MOS管和該第四MOS管截止。
[0010]優(yōu)選地，該負(fù)載的一端連接該第一 MOS管的源極，該負(fù)載的另一端通過(guò)該霍爾傳感器連接至該第二 MOS管的源極。
[0011]優(yōu)選地，該開(kāi)關(guān)電路包括單刀雙擲開(kāi)關(guān)以及第一繼電器和第二繼電器，該第一繼電器和該第二繼電器與該可變電阻相連。
[0012]優(yōu)選地,該負(fù)載為線圈負(fù)載。
[0013]本實(shí)用新型的積極進(jìn)步效果在于:本發(fā)明采用一個(gè)電源作為總的輸入來(lái)源，利用多個(gè)控制器來(lái)將該總的電源輸入轉(zhuǎn)化為并列的多路輸出，并且可以實(shí)現(xiàn)多路獨(dú)立可調(diào)的輸出，這樣的結(jié)構(gòu)減少了所需的電源數(shù)量，降低了系統(tǒng)成本、節(jié)省了系統(tǒng)空間、提高了系統(tǒng)的可靠性。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。
[0015]圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016]下面舉個(gè)較佳實(shí)施例，并結(jié)合附圖來(lái)更清楚完整地說(shuō)明本實(shí)用新型，以下僅僅是舉例說(shuō)明，并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。
[0017]實(shí)施例1
[0018]參考圖1，本實(shí)施例的原理在于，僅采用一個(gè)供電電源10，通過(guò)連接多個(gè)控制器20，來(lái)實(shí)現(xiàn)多路可調(diào)的輸出。
[0019]本實(shí)施例的多路控制電路，其包括一供電電源和至少一個(gè)控制器，該供電電源與每個(gè)控制器均相連，每個(gè)控制器包括一 MCU和與該MCU相連的控制電路以及與該控制電路相連的一負(fù)載，其中，
[0020]該控制電路包括整流電路、開(kāi)關(guān)電路和比較電路，其中，
[0021]該開(kāi)關(guān)電路包括第一通路和第二通路和用于切換該第一通路和該第二通路的開(kāi)關(guān);
[0022]該比較電路包括比較器、與該負(fù)載相連的霍爾傳感器以及可變電阻，該可變電阻與該比較器的第一輸入端相連，該霍爾傳感器與該比較器的第二輸入端相連，該比較器的輸出端與該MCU相連。
[0023]優(yōu)選地，該開(kāi)關(guān)電路包括第一 MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體)、第二 MOS管、第三MOS管和第四MOS管，其中，該第一MOS管的源極連接至該第三MOS管的源極，該第二MOS管的源極連接至該第四MOS管的源極，該第一通路導(dǎo)通時(shí)，該第一 MOS管和該第四MOS管導(dǎo)通，該第二 MOS管和該第三MOS管截止；該第二通路導(dǎo)通時(shí)，該第二 MOS管和該第三MOS管導(dǎo)通，該第一 MOS管和該第四MOS管截止。
[0024]參考圖2，僅示出了兩個(gè)控制器的電路結(jié)構(gòu)圖，本實(shí)施例中一個(gè)供電電源可以連接多個(gè)控制器，由此驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載。對(duì)于每個(gè)控制器來(lái)說(shuō)，需要實(shí)現(xiàn)電流的單獨(dú)可調(diào)，本實(shí)施例中，負(fù)載3為線圈負(fù)載，除了控制通過(guò)線圈負(fù)載的電流大小之外，還需要控制通過(guò)線圈負(fù)載的電流方向，下面將參照?qǐng)D2對(duì)本實(shí)施例的方案作詳細(xì)描述。
[0025]SI表示單刀雙擲的開(kāi)關(guān)，用戶通過(guò)對(duì)開(kāi)關(guān)SI的操作來(lái)發(fā)出指令，例如可以設(shè)定為SI向上撥時(shí)導(dǎo)通第一 MOS管Ml和第四MOS管M4 ;而SI向下?lián)軙r(shí)導(dǎo)通第二 MOS管M2和第三MOS管M3 (圖中虛線表示用戶撥動(dòng)開(kāi)關(guān)SI的動(dòng)作被轉(zhuǎn)化為電信號(hào)輸入至整流電路2)。整流電路2將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，同時(shí)根據(jù)開(kāi)關(guān)SI的撥動(dòng)情況導(dǎo)通第一通路(第一 MOS管Ml、負(fù)載3、霍爾傳感器4和第四MOS管M4)或第二通路(第二 MOS管M2、負(fù)載3、霍爾傳感器4和第三MOS管M3)，即通過(guò)對(duì)開(kāi)關(guān)SI的操作來(lái)控制通過(guò)負(fù)載的電流的方向。
[0026]圖2中的KA和KB分別表示第一繼電器線圈和第二繼電器線圈，與該第一繼電器線圈KA對(duì)應(yīng)的是第一繼電器觸點(diǎn)ΙΑ、2A，與該第二繼電器線圈KB對(duì)應(yīng)的是第一繼電器觸點(diǎn)1B、2B。
[0027]若開(kāi)關(guān)SI向上撥，即第一繼電器啟用，那么第一繼電器觸點(diǎn)1A、2A閉合，用戶通過(guò)操作可變電阻Rb來(lái)調(diào)節(jié)占空比。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)對(duì)可變電阻的調(diào)節(jié)，使得比較器Pl的輸出是不同的，假設(shè)比較器Pl輸出高電平，則MCU在當(dāng)前占空比的基礎(chǔ)上增加預(yù)設(shè)值，由此占空比的改變就造成了電壓大小的改變，而負(fù)載電阻是不變的，由此來(lái)實(shí)現(xiàn)電流的調(diào)節(jié)。若比較器Pl輸出低電平，那么MCU在當(dāng)前占空比的基礎(chǔ)上減小預(yù)設(shè)值，由此來(lái)減小占空比。
[0028]若開(kāi)關(guān)SI向下?lián)?，即第二繼電器啟用，那么第一繼電器觸點(diǎn)1B、2B閉合，用戶還是通過(guò)操作可變電阻Rb來(lái)調(diào)節(jié)占空比。而電流的調(diào)節(jié)范圍則是通過(guò)對(duì)繼電器的選擇(也就是對(duì)開(kāi)關(guān)SI的操作)來(lái)決定。
[0029]雖然以上描述了本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些僅是舉例說(shuō)明，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍是由所附權(quán)利要求書限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本實(shí)用新型的原理和實(shí)質(zhì)的前提下，可以對(duì)這些實(shí)施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種多路控制電路,其特征在于,其包括一供電電源和至少一個(gè)控制器,該供電電源與每個(gè)控制器均相連，每個(gè)控制器包括一 MCU和與該MCU相連的控制電路以及與該控制電路相連的一負(fù)載，其中， 該控制電路包括整流電路、開(kāi)關(guān)電路和比較電路，其中， 該開(kāi)關(guān)電路包括第一通路和第二通路和用于切換該第一通路和該第二通路的開(kāi)關(guān)； 該比較電路包括比較器、與該負(fù)載相連的霍爾傳感器以及可變電阻，該可變電阻與該比較器的第一輸入端相連，該霍爾傳感器與該比較器的第二輸入端相連，該比較器的輸出端與該MCU相連。
2.如權(quán)利要求1所述的多路控制電路，其特征在于，該開(kāi)關(guān)電路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管，其中，該第一 MOS管的源極連接至該第三MOS管的源極，該第二 MOS管的源極連接至該第四MOS管的源極，該第一通路導(dǎo)通時(shí)，該第一 MOS管和該第四MOS管導(dǎo)通，該第二 MOS管和該第三MOS管截止；該第二通路導(dǎo)通時(shí)，該第二 MOS管和該第三MOS管導(dǎo)通，該第一 MOS管和該第四MOS管截止。
3.如權(quán)利要求2所述的多路控制電路，其特征在于，該負(fù)載的一端連接該第一MOS管的源極，該負(fù)載的另一端通過(guò)該霍爾傳感器連接至該第二 MOS管的源極。
4.如權(quán)利要求1所述的多路控制電路，其特征在于，該開(kāi)關(guān)電路包括單刀雙擲開(kāi)關(guān)以及第一繼電器和第二繼電器，該第一繼電器和該第二繼電器與該可變電阻相連。
5.如權(quán)利要求4所述的多路控制電路，其特征在于，該負(fù)載為線圈負(fù)載。
【文檔編號(hào)】G05B19/042GK203982131SQ201420425026
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月30日
【發(fā)明者】王宇琳, 楊立軍, 葉佳暉, 王麗, 唐納德·韋恩·貝瑞恩 申請(qǐng)人:上海凱世通半導(dǎo)體有限公司