本發(fā)明涉及集成電路裝置等。

背景技術(shù)：

1、以往，已知有進行交流電壓的整流而輸出整流電壓的整流電路。另外，專利文獻1公開了設(shè)置有生成基準(zhǔn)電壓的帶隙基準(zhǔn)電路的半導(dǎo)體裝置。

2、專利文獻1：日本特開2016-197468號公報

3、已經(jīng)明確在設(shè)置有整流電路的集成電路裝置中產(chǎn)生由整流電路的整流動作引起的噪聲對基準(zhǔn)電壓的生成造成不良影響的問題。專利文獻1沒有提出通過布局的設(shè)計來解決這樣的問題的方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的一個方式涉及一種集成電路裝置，其包括：半導(dǎo)體襯底，其被設(shè)定為襯底電位；整流電路，其通過設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底的整流元件對交流電壓進行整流而輸出整流電壓；帶隙基準(zhǔn)電路，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底，根據(jù)所述整流電壓而生成基準(zhǔn)電壓；以及調(diào)節(jié)器，其根據(jù)所述帶隙基準(zhǔn)電路所輸出的所述基準(zhǔn)電壓而對所述整流電壓進行調(diào)節(jié)，并輸出調(diào)節(jié)電壓，在俯視所述半導(dǎo)體襯底時，所述調(diào)節(jié)器配置在所述整流電路與所述帶隙基準(zhǔn)電路之間。

技術(shù)特征：

1.一種集成電路裝置，其特征在于，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的集成電路裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的集成電路裝置，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的集成電路裝置，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的集成電路裝置，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
集成電路裝置。集成電路裝置包括：半導(dǎo)體襯底，其被設(shè)定為襯底電位；整流電路，其通過設(shè)置于半導(dǎo)體襯底的整流元件對交流電壓進行整流而輸出整流電壓；BGR電路，其設(shè)置于半導(dǎo)體襯底，基于整流電壓而生成基準(zhǔn)電壓；以及調(diào)節(jié)器，其基于BGR電路輸出的基準(zhǔn)電壓對整流電壓進行調(diào)節(jié)，輸出調(diào)節(jié)電壓。在俯視半導(dǎo)體襯底時，調(diào)節(jié)器配置在整流電路與BGR電路之間。

技術(shù)研發(fā)人員：上倉治樹,松田欣也
受保護的技術(shù)使用者：精工愛普生株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10