本申請涉及電子，尤其涉及一種電流校準電路、控制方法、芯片及電子設備。

背景技術：

1、現有工藝中，器件可能存在漏電的問題。漏電發(fā)生時通常屬于pn結反向漏電，電流將隨著溫度的升高而呈現指數變化。這種指數變化的電流如果發(fā)生在信號傳輸路徑上，會引起失調溫漂加大。

2、在差分通道中，若兩個通道中漏電電流不相等，則會引起一個輸入失調電壓，且由于漏電電流的指數變化，該失調電壓也將隨著溫度升高而呈現指數變化。

3、雖然現有產品大部分都會在常溫條件下進行失調溫漂的校準，但是由于漏電電流會隨溫度的升高呈指數級變化，目前現有的線性校準技術很難覆蓋這中變化，在量產階段需要多段溫度來擬合線性直線，導致無法校準完全，影響信號絕對精度測量，且標定成本較大，不易實現。

技術實現思路

1、為了解決現有技術的問題，本申請實施例提供了一種電流校準電路、控制方法、芯片及電子設備，可以提高失調溫漂的校準效果。技術方案如下：

2、根據本申請的一方面，提供了一種電流校準電路，所述電流校準電路包括補償電流生成模塊和補償電流傳輸模塊，所述補償電流傳輸模塊的第一端與所述補償電流生成模塊連接，所述補償電流傳輸模塊的第二端與所述待校準電路連接，其中，所述補償電流生成模塊包括模擬漏電單元，所述待校準電路包括至少一個目標漏電單元，所述模擬漏電單元與所述目標漏電單元的結構相同；

3、所述補償電流生成模塊，用于基于所述模擬漏電單元，生成第一漏電電流；

4、所述補償電流傳輸模塊，用于基于所述第一漏電電流，生成補償電流，以補償所述待校準電路中的第二漏電電流。

5、根據本申請的另一方面，提供了一種電流校準電路的控制方法，所述電流校準電路包括補償電流生成模塊和補償電流傳輸模塊，所述補償電流傳輸模塊的第一端與所述補償電流生成模塊連接，所述補償電流傳輸模塊的第二端與所述待校準電路連接，其中，所述補償電流生成模塊包括模擬漏電單元，所述待校準電路包括至少一個目標漏電單元，所述模擬漏電單元與所述目標漏電單元的結構相同；

6、所述方法包括：

7、通過所述補償電流生成模塊，基于所述模擬漏電單元，生成第一漏電電流；

8、通過所述補償電流傳輸模塊，基于所述第一漏電電流，生成補償電流，以補償所述待校準電路中的第二漏電電流。

9、根據本申請的另一方面，提供了一種芯片，包括上述電流校準電路。

10、根據本申請的另一方面，提供了一種電子設備，包括上述電流校準電路。

11、本申請中，在電流校準電路中，補償電流生成模塊可以模擬待校準電路中的漏電單元，通過相同的漏電原理，生成相應的第一漏電電流以補償待校準電路中產生的第二漏電電流。由于補償電流生成模塊與待校準電路的漏電原理相同，第二漏電電流可以與第一漏電電流線性相關，可以提高失調溫漂的校準效果。并且，無需在多段溫度范圍中進行線性直線的擬合，標定成本較小，易于實現。

技術特征：

1.一種電流校準電路，其特征在于，所述電流校準電路包括補償電流生成模塊和補償電流傳輸模塊，所述補償電流傳輸模塊的第一端與所述補償電流生成模塊連接，所述補償電流傳輸模塊的第二端與所述待校準電路連接，其中，所述補償電流生成模塊包括模擬漏電單元，所述待校準電路包括至少一個目標漏電單元，所述模擬漏電單元與所述目標漏電單元的結構相同；

2.根據權利要求1所述的電流校準電路，其特征在于，所述補償電流傳輸模塊包括參考支路和至少一個鏡像支路，其中，所述補償電流生成模塊與所述參考支路連接；

3.根據權利要求1所述的電流校準電路，其特征在于，

4.根據權利要求3所述的電流校準電路，其特征在于，所述模擬漏電單元包括包含pn結的第一開關子單元，所述目標漏電單元包括包含pn結的第二開關子單元，所述漏電產生條件包括所述第二開關子單元關斷，所述第二開關子單元中的pn結反向偏置。

5.根據權利要求1所述的電流校準電路，其特征在于，所述補償電流生成模塊還包括零溫漂電流生成支路，所述零溫漂電流生成支路與所述模擬漏電單元并聯；

6.根據權利要求5所述的電流校準電路，其特征在于，所述補償電流傳輸模塊包括參考支路和至少一個鏡像支路；

7.根據權利要求1所述的電流校準電路，其特征在于，所述待校準電路至少包括兩個目標漏電單元，分別作為第一漏電單元和第二漏電單元，所述第一漏電單元和所述第二漏電單元并聯，且連接于目標端；

8.根據權利要求7所述的電流校準電路，其特征在于，所述待校準電路包括模數轉換電路，其中，在采樣階段，所述第一漏電單元導通、所述第二漏電單元關斷；在轉換階段，所述第一漏電單元關斷、所述第二漏電單元導通；

9.一種電流校準電路的控制方法，其特征在于，所述電流校準電路包括補償電流生成模塊和補償電流傳輸模塊，所述補償電流傳輸模塊的第一端與所述補償電流生成模塊連接，所述補償電流傳輸模塊的第二端與所述待校準電路連接，其中，所述補償電流生成模塊包括模擬漏電單元，所述待校準電路包括至少一個目標漏電單元，所述模擬漏電單元與所述目標漏電單元的結構相同；

10.一種芯片，其特征在于，包括如權利要求1-8中至少一個項所述的電流校準電路。

11.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1-8中至少一個項所述的電流校準電路。

技術總結
本申請?zhí)峁┮环N電流校準電路、控制方法、芯片及電子設備，屬于電子技術領域。所述電流校準電路包括補償電流生成模塊和補償電流傳輸模塊，所述補償電流傳輸模塊的第一端與所述補償電流生成模塊連接，所述補償電流傳輸模塊的第二端與所述待校準電路連接，其中，所述補償電流生成模塊包括模擬漏電單元，所述待校準電路包括至少一個目標漏電單元，所述模擬漏電單元與所述目標漏電單元的結構相同；所述補償電流生成模塊，用于基于所述模擬漏電單元，生成第一漏電電流；所述補償電流傳輸模塊，用于基于所述第一漏電電流，生成補償電流，以補償所述待校準電路中的第二漏電電流。采用本申請，可以失調溫漂的校準效果。

技術研發(fā)人員：孫昳昀
受保護的技術使用者：芯?？萍迹ㄉ钲冢┕煞萦邢薰?br/>技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/9/9