本申請涉及半導體制造，特別是涉及一種應用于濕刻清洗機臺的溫度控制系統(tǒng)及方法。

背景技術：

1、濕刻清洗機臺作為半導體晶圓制造工藝過程關鍵機臺，對晶圓廠（fab）和晶圓代工廠（foundry）的在線工藝（work?in?progress，簡稱wip）以及單位時間工藝量（wafersper?hour，簡稱wph）有顯著影響。

2、在濕刻清洗中，不同化學工藝試劑有不同工藝溫度區(qū)間。濕刻清洗機臺采用傳統(tǒng)的控溫方式，化學溶液槽在換液或斷電宕機時可能出現溫度大范圍波動，從而造成槽內晶圓工藝出現異常，進而從制程工藝方面對晶圓尺寸、薄層厚度及膜質等等帶來不利因素。

3、因此，如何避免濕刻清洗機臺中化學溶液槽的溫度出現大范圍的波動，是當前亟需解決的問題。

技術實現思路

1、基于此，針對現有技術中的不足之處，本申請?zhí)峁┮环N應用于濕刻清洗機臺的溫度控制系統(tǒng)及方法。

2、一方面，本申請根據一些實施例，提供一種應用于濕刻清洗機臺的溫度控制系統(tǒng)，所述濕刻清洗機臺包括若干個功能槽，所述溫度控制系統(tǒng)包括：

3、電控溫裝置，與所述功能槽熱交換連接；所述電控溫裝置用于進行電能和熱能之間的轉換，以對所述功能槽進行控溫；

4、化學反應控溫裝置，與所述功能槽熱交換連接；所述化學反應控溫裝置用于進行化學能和熱能之間的轉換，以對所述功能槽進行控溫。

5、在其中一個實施例中，所述化學反應控溫裝置包括化學反應放熱試劑供應模塊；

6、所述化學反應放熱試劑供應模塊中盛放有遇水存在化學反應放熱過程的化學反應放熱試劑；

7、所述化學反應放熱試劑包括所述濕刻清洗機臺在清洗過程中排出的部分廢液。

8、在其中一個實施例中，所述化學反應放熱試劑包括所述濕刻清洗機臺在清洗過程中排出的廢濃硫酸。

9、在其中一個實施例中，所述化學反應放熱試劑供應模塊包括：

10、外置槽，設置于所述功能槽外圍；

11、化學反應放熱試劑供液管路，與所述外置槽連通，用于向所述外置槽內供應所述化學反應放熱試劑。

12、在其中一個實施例中，所述溫度控制系統(tǒng)還包括：

13、控制裝置，與所述電控溫裝置及所述化學反應控溫裝置連接，用于控制所述電控溫裝置及所述化學反應控溫裝置的控溫狀態(tài)；

14、其中，所述化學反應控溫裝置還用于在所述控制裝置及所述電控溫裝置為非工作狀態(tài)時對所述功能槽進行持續(xù)控溫。

15、在其中一個實施例中，所述控制裝置包括：

16、溫度傳感模塊，用于分別采集所述功能槽及外置槽的溫度；

17、流量控制模塊，設置于所述功能槽及所述外置槽的供液管路上，與對應的所述溫度傳感模塊相連接，用于根據所述溫度傳感模塊采集的所述溫度控制所述供液管路的流量。

18、在其中一個實施例中，所述控制裝置還包括：

19、存儲器，存儲有溫度控制菜單；所述溫度控制菜單包括：所述電控溫裝置的第一溫度控制菜單，所述化學反應控溫裝置的第二溫度控制菜單，以及所述電控溫裝置和所述化學反應控溫裝置的溫度選配控制菜單；

20、處理器，與所述存儲器、所述溫度傳感模塊、所述流量控制模塊分別連接，所述處理器被配置為：根據所述溫度控制菜單以及所述溫度傳感模塊采集的所述溫度，向所述流量控制模塊傳輸流量控制信號，以控制所述電控溫裝置及所述化學反應控溫裝置的控溫狀態(tài)。

21、另一方面，本申請還根據一些實施例，提供一種應用于濕刻清洗機臺的溫度控制方法，應用于如前述任一實施例提供的溫度控制系統(tǒng)；所述溫度控制方法包括：

22、采用所述電控溫裝置及所述化學反應控溫裝置，對所述功能槽進行聯合控溫。

23、在其中一個實施例中，所述溫度控制方法還包括：

24、確定各所述功能槽的工藝溫度；

25、根據所述工藝溫度，將所述功能槽劃分為多個溫度控制組；

26、對每個所述溫度控制組設置溫度控制菜單；

27、根據所述溫度控制菜單，分別控制所述電控溫裝置及所述化學反應控溫裝置對所述溫度控制組中的各所述功能槽進行聯合控溫；

28、其中，所述化學反應控溫裝置還用于在非控制狀態(tài)及所述電控溫裝置為非工作狀態(tài)時對所述功能槽進行持續(xù)控溫。

29、在其中一個實施例中，所述溫度控制菜單包括：所述電控溫裝置的第一溫度控制菜單，所述化學反應控溫裝置的第二溫度控制菜單，以及所述電控溫裝置和所述化學反應控溫裝置的溫度選配控制菜單。

30、本申請?zhí)峁┑膽糜跐窨糖逑礄C臺的溫度控制系統(tǒng)及方法，至少具有如下有益效果：

31、本申請?zhí)峁┑膽糜跐窨糖逑礄C臺的溫度控制系統(tǒng)，包括采用電能產生熱能的電控溫裝置以及采用化學能產生熱能的化學反應控溫裝置，通過電控溫裝置與化學反應控溫裝置在功能上的相互支持，可以實現對濕刻清洗機臺的聯合控溫。當電控溫裝置由于濕刻清洗機臺出現跳電或斷電等異常情況而無法正常工作時，化學反應控溫裝置能夠不受影響地繼續(xù)對功能槽進行控溫，從而避免功能槽在濕刻清洗機臺出現跳電或斷電等異常情況時出現溫度的大范圍波動，進而避免晶圓的工藝進程受到影響。

32、本申請?zhí)峁┑膽糜跐窨糖逑礄C臺的溫度控制方法，應用于如前述任一實施例提供的溫度控制系統(tǒng)，因此前述溫度控制系統(tǒng)所能實現的技術效果，該溫度控制方法也均能夠實現，這里就不再贅述。

技術特征：

1.一種應用于濕刻清洗機臺的溫度控制系統(tǒng)，所述濕刻清洗機臺包括若干個功能槽，其特征在于，所述溫度控制系統(tǒng)包括：與各所述功能槽分別熱交換連接的電控溫裝置和化學反應控溫裝置，以及與所述電控溫裝置和所述化學反應控溫裝置連接的控制裝置；其中，

2.根據權利要求1所述的溫度控制系統(tǒng)，其特征在于，所述控制裝置還用于：對所述化學反應控溫裝置的控溫過程進行校正。

3.根據權利要求1所述的溫度控制系統(tǒng)，其特征在于，若干個所述功能槽包括工藝槽、清洗槽、干燥槽及混酸槽；其中，所述功能槽的槽體上外加具有熱交換功能的結構；或，所述功能槽本身具有熱交換功能。

4.根據權利要求1所述的溫度控制系統(tǒng)，其特征在于，所述化學反應控溫裝置包括化學反應放熱試劑供應模塊；

5.根據權利要求4所述的溫度控制系統(tǒng)，其特征在于，所述化學反應放熱試劑供應模塊包括：

6.根據權利要求1至5中任一項所述的溫度控制系統(tǒng)，其特征在于，所述化學反應控溫裝置還用于在所述控制裝置及所述電控溫裝置為非工作狀態(tài)時對所述功能槽進行持續(xù)控溫。

7.根據權利要求6所述的溫度控制系統(tǒng)，其特征在于，所述控制裝置包括：

8.根據權利要求7所述的溫度控制系統(tǒng)，其特征在于，所述控制裝置包括：

9.一種應用于濕刻清洗機臺的溫度控制方法，其特征在于，應用于如權利要求1至8中任一項所述的溫度控制系統(tǒng)；所述溫度控制方法包括：

10.根據權利要求9所述的溫度控制方法，其特征在于，所述化學反應控溫裝置還用于在非控制狀態(tài)及所述電控溫裝置為非工作狀態(tài)時對所述功能槽進行持續(xù)控溫；

技術總結
本申請涉及一種應用于濕刻清洗機臺的溫度控制系統(tǒng)及方法。濕刻清洗機臺包括若干個功能槽，溫度控制系統(tǒng)包括：與各功能槽分別熱交換連接的電控溫裝置和化學反應控溫裝置，以及與電控溫裝置和化學反應控溫裝置連接的控制裝置；其中，電控溫裝置用于：進行電能和熱能之間的轉換；化學反應控溫裝置用于：進行化學能和熱能之間的轉換；控制裝置用于：確定各功能槽的工藝溫度；根據所述工藝溫度，將各功能槽劃分為多個溫度控制組；對每個溫度控制組設置溫度控制菜單；根據溫度控制菜單，分別控制電控溫裝置及化學反應控溫裝置對溫度控制組中的各功能槽進行聯合控溫。所述溫度控制系統(tǒng)可以避免功能槽出現溫度的大范圍異常波動。

技術研發(fā)人員：張延魯
受保護的技術使用者：上海積塔半導體有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/9/9