本發(fā)明涉及集成電路，特別是一種預穩(wěn)壓電路。

背景技術(shù)：

1、預穩(wěn)壓電路作為芯片中的供電單元，是集成電路中的基礎(chǔ)模塊。預穩(wěn)壓電路能夠?qū)⑼獠扛邏狠斎朕D(zhuǎn)換為內(nèi)部低壓電源，隨后再以內(nèi)部低壓電源為基礎(chǔ)，構(gòu)建各個低壓模塊。

2、通常地，預穩(wěn)壓電路是利用齊納二極管d0與mos管q1的組合方式，具體參考圖1，預穩(wěn)壓電路通過反向擊穿齊納二極管d0產(chǎn)生低壓電源，得到一個齊納二極管d0穩(wěn)壓后的電壓減去mos管q1的柵極-源極壓降的電壓，其輸出電壓取決于齊納二極管d0擊穿后的穩(wěn)壓電壓。上述預穩(wěn)壓電路靜態(tài)功耗較高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例要解決的技術(shù)問題在于，提供一種預穩(wěn)壓電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中預穩(wěn)壓電路靜態(tài)功耗較高的問題。

2、本發(fā)明公開了一種預穩(wěn)壓電路，包括電壓輸入端、電壓輸出端、預穩(wěn)壓輸出單元、驅(qū)動pmos管、結(jié)型場效應管、調(diào)節(jié)電阻和地端，所述電壓輸入端與所述驅(qū)動pmos管的柵極和源極連接，所述電壓輸出端與所述驅(qū)動pmos管的漏極和所述預穩(wěn)壓輸出單元的一端連接，所述結(jié)型場效應管的柵極連接地端，所述結(jié)型場效應管的漏極連接所述驅(qū)動pmos管的柵極，所述結(jié)型場效應管的源極連接所述調(diào)節(jié)電阻的一端，所述調(diào)節(jié)電阻的另一端和所述預穩(wěn)壓輸出單元的另一端均連接地端。

3、可選地，所述預穩(wěn)壓電路還包括第一nmos管、第二nmos管、第一pmos管和第二pmos管，所述第一nmos管的柵極連接自身的漏極、所述第二nmos管的柵極和所述預穩(wěn)壓輸出單元的另一端，所述第一nmos管的源極和所述第二nmos管的源極均連接地端，所述第二nmos管的漏極連接所述第一pmos管的漏極，所述第一pmos管的柵極連接自身的漏極和所述第二pmos管的柵極，所述第一pmos管的源極和所述第二pmos管的源極均連接所述電壓輸入端，所述第二pmos管的漏極連接所述驅(qū)動pmos管的柵極。

4、可選地，所述預穩(wěn)壓電路還包括過壓保護單元，所述過壓保護單元分別與所述電壓輸出端和所述驅(qū)動pmos管的柵極連接。

5、可選地，所述過壓保護單元包括齊納二極管、第三nmos管和第四nmos管，所述齊納二極管的負極連接所述電壓輸出端，正極連接所述第三nmos管的漏極、柵極以及所述第四nmos管的柵極，所述第四nmos管的漏極連接所述第一pmos管的漏極，所述第三nmos管的源極和第四nmos管的源極均連接地端。

6、可選地，所述預穩(wěn)壓輸出單元包括第三pmos管、第四pmos管、第五nmos管和第六nmos管，所述第三pmos管的源極連接所述電壓輸出端，所述第三pmos管的柵極連接自身的漏極和所述第四pmos管的源極，所述第四pmos管的柵極連接自身的漏極和所述第五nmos管的漏極、柵極，所述第五nmos管的源極連接所述第六nmos管的漏極、柵極，所述第六nmos管的源極連接所述第一nmos管的漏極。

7、可選地，所述驅(qū)動pmos管為高壓pmos管，所述第一nmos管、第二nmos管、第五nmos管和第六nmos管均為低壓nmos管，所述第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管均為低壓pmos管。

8、可選地，所述預穩(wěn)壓電路還包括補償電路單元，所述補償電路單元的一端連接所述電壓輸入端，另一端連接所述驅(qū)動pmos管的柵極。

9、可選地，所述補償電路單元包括補償電容和補償電阻，所述補償電容與所述補償電阻串聯(lián)連接，所述補償電容的另一端連接所述電壓輸入端，所述補償電阻的另一端連接驅(qū)動pmos管的柵極。

10、可選地，所述預穩(wěn)壓電路還包括高壓nmos管，所述高壓nmos管的柵極連接所述電壓輸出端，所述高壓nmos管的源極連接所述第二nmos管的漏極，所述高壓nmos管的漏極連接所述第一pmos管的漏極。

11、可選地，所述預穩(wěn)壓電路還包括濾波電容，所述濾波電容的一端連接所述電壓輸出端，另一端連接地端。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的預穩(wěn)壓電路的有益效果在于：通過設置電壓輸入端、電壓輸出端、預穩(wěn)壓輸出單元、驅(qū)動pmos管、結(jié)型場效應管、調(diào)節(jié)電阻和地端，電壓輸入端與驅(qū)動pmos管的柵極和源極連接，電壓輸出端與驅(qū)動pmos管的漏極和預穩(wěn)壓輸出單元的一端連接，結(jié)型場效應管的柵極連接地端，結(jié)型場效應管的漏極連接驅(qū)動pmos管的柵極，調(diào)節(jié)電阻的另一端和預穩(wěn)壓輸出單元的另一端均連接地端，結(jié)型場效應管的源極連接調(diào)節(jié)電阻的一端，調(diào)節(jié)電阻的另一端和預穩(wěn)壓輸出單元的另一端均連接地端，以結(jié)型場效應管與調(diào)節(jié)電阻串接的方式，通過結(jié)型場效應管的柵極電壓和源極電壓之間的差異來確定柵極到源極電壓，從而實現(xiàn)靜態(tài)電流的調(diào)節(jié)，實現(xiàn)降低整體電路的靜態(tài)功耗。

技術(shù)特征：

1.一種預穩(wěn)壓電路，其特征在于，包括電壓輸入端、電壓輸出端、預穩(wěn)壓輸出單元、驅(qū)動pmos管、結(jié)型場效應管、調(diào)節(jié)電阻和地端，所述電壓輸入端與所述驅(qū)動pmos管的柵極和源極連接，所述電壓輸出端與所述驅(qū)動pmos管的漏極和所述預穩(wěn)壓輸出單元的一端連接，所述結(jié)型場效應管的柵極連接地端，所述結(jié)型場效應管的漏極連接所述驅(qū)動pmos管的柵極，所述結(jié)型場效應管的源極連接所述調(diào)節(jié)電阻的一端，所述調(diào)節(jié)電阻的另一端和所述預穩(wěn)壓輸出單元的另一端均連接地端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述預穩(wěn)壓電路還包括第一nmos管、第二nmos管、第一pmos管和第二pmos管，所述第一nmos管的柵極連接自身的漏極、所述第二nmos管的柵極和所述預穩(wěn)壓輸出單元的另一端，所述第一nmos管的源極和所述第二nmos管的源極均連接地端，所述第二nmos管的漏極連接所述第一pmos管的漏極，所述第一pmos管的柵極連接自身的漏極和所述第二pmos管的柵極，所述第一pmos管的源極和所述第二pmos管的源極均連接所述電壓輸入端，所述第二pmos管的漏極連接所述驅(qū)動pmos管的柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述預穩(wěn)壓電路還包括過壓保護單元，所述過壓保護單元分別與所述電壓輸出端和所述驅(qū)動pmos管的柵極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述過壓保護單元包括齊納二極管、第三nmos管和第四nmos管，所述齊納二極管的負極連接所述電壓輸出端，正極連接所述第三nmos管的漏極、柵極以及所述第四nmos管的柵極，所述第四nmos管的漏極連接所述第一pmos管的漏極，所述第三nmos管的源極和第四nmos管的源極均連接地端。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述預穩(wěn)壓輸出單元包括第三pmos管、第四pmos管、第五nmos管和第六nmos管，所述第三pmos管的源極連接所述電壓輸出端，所述第三pmos管的柵極連接自身的漏極和所述第四pmos管的源極，所述第四pmos管的柵極連接自身的漏極和所述第五nmos管的漏極、柵極，所述第五nmos管的源極連接所述第六nmos管的漏極、柵極，所述第六nmos管的源極連接所述第一nmos管的漏極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述驅(qū)動pmos管為高壓pmos管，所述第一nmos管、第二nmos管、第五nmos管和第六nmos管均為低壓nmos管，所述第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管均為低壓pmos管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述預穩(wěn)壓電路還包括補償電路單元，所述補償電路單元的一端連接所述電壓輸入端，另一端連接所述驅(qū)動pmos管的柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述補償電路單元包括補償電容和補償電阻，所述補償電容與所述補償電阻串聯(lián)連接，所述補償電容的另一端連接所述電壓輸入端，所述補償電阻的另一端連接驅(qū)動pmos管的柵極。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述預穩(wěn)壓電路還包括高壓nmos管，所述高壓nmos管的柵極連接所述電壓輸出端，所述高壓nmos管的源極連接所述第二nmos管的漏極，所述高壓nmos管的漏極連接所述第一pmos管的漏極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項所述的預穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述預穩(wěn)壓電路還包括濾波電容，所述濾波電容的一端連接所述電壓輸出端，另一端連接地端。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種預穩(wěn)壓電路。該預穩(wěn)壓電路包括電壓輸入端、電壓輸出端、預穩(wěn)壓輸出單元、驅(qū)動PMOS管、結(jié)型場效應管、調(diào)節(jié)電阻和地端，電壓輸入端與驅(qū)動PMOS管的柵極和源極連接，電壓輸出端與驅(qū)動PMOS管的漏極和預穩(wěn)壓輸出單元的一端連接，結(jié)型場效應管的柵極連接地端，結(jié)型場效應管的漏極連接驅(qū)動PMOS管的柵極，結(jié)型場效應管的源極連接調(diào)節(jié)電阻的一端，調(diào)節(jié)電阻的另一端和預穩(wěn)壓輸出單元的另一端均連接地端。本申請可實現(xiàn)降低整體電路的靜態(tài)功耗。

技術(shù)研發(fā)人員：楊九如,孫康敏,王春來
受保護的技術(shù)使用者：深圳市麥積電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10